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电芯保护电路和电芯管理系统的制作方法

2022-12-13 09:01:17 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种电芯保护电路,与电芯相连,其特征在于,包括电芯保护芯片、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、电芯接口和充放电接口;所述电芯保护芯片包括充电控制端和放电控制端;所述第一晶体管,与所述放电控制端和所述电芯接口相连;所述第二晶体管,与所述充电控制端、所述第一晶体管和所述第三晶体管相连;所述第三晶体管,与所述充电控制端和所述充放电接口相连;在所述电芯正常充电时,所述第一晶体管导通,所述第二晶体管或所述第三晶体管导通;在所述电芯过充时,在所述电芯正常充电时未被短路的所述第二晶体管及所述第三晶体管断开。2.如权利要求1所述的电芯保护电路,其特征在于,所述电芯保护电路还包括电流采样电路;所述电流采样电路分别与所述电芯接口、所述第一晶体管和所述电芯保护芯片相连,所述电流采样电路用于采集所述电芯保护电路中的实时电流,将所述实时电流发送给所述电芯保护芯片。3.如权利要求2所述的电芯保护电路,其特征在于,所述电流采样电路包括采样电阻;所述采样电阻的第一端,与电芯负极和所述电芯保护芯片的vss端相连,所述采样电阻的第二端,与所述第一晶体管和所述电芯保护芯片的vm端相连。4.如权利要求2所述的电芯保护电路,其特征在于,所述电芯保护电路还包括第一限流电阻;所述第一限流电阻的第一端与电芯正极和充放电口正极相连,所述第一限流电阻的第二端,与所述电芯保护芯片的vdd端相连;所述电芯保护电路还包括第二限流电阻;所述第二限流电阻的第一端与充放电口负极和第三晶体管相连,所述第二限流电阻的第二端与所述电芯保护芯片的vm端相连。5.如权利要求4所述的电芯保护电路,其特征在于,所述电芯保护电路还包括第一滤波电容;所述第一滤波电容的第一端与所述电芯保护芯片的vdd端相连,所述第一滤波电容的第二端与所述电芯保护芯片的vm端相连;所述电芯保护电路还包括第二滤波电容;所述第二滤波电容的第一端与采样电阻的第二端相连,所述第二滤波电容的第二端与所述第二限流电阻的第一端相连。6.如权利要求1所述的电芯保护电路,其特征在于,所述电芯保护电路还包括静电保护电路;所述静电保护电路的第一端与充放电口正极与电芯正极的连接节点相连,所述静电保护电路的第二端与所述第二晶体管与充放电口负极的连接节点相连。7.如权利要求6所述的电芯保护电路,其特征在于,所述静电保护电路包括静电保护电容。8.如权利要求1-7任一项所述的电芯保护电路,其特征在于,所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管为mos管。9.如权利要求8所述的电芯保护电路,其特征在于,所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管为n型mos管。10.一种电芯管理系统,其特征在于,包括电芯、充电器和权利要求1-9任一项所述的电芯保护电路。

技术总结
本实用新型公开了一种电芯保护电路,与电芯相连,包括电芯保护芯片、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、电芯接口和充放电接口;电芯保护芯片包括充电控制端和放电控制端;第一晶体管,与放电控制端和电芯接口相连;第二晶体管,与充电控制端、第一晶体管和第三晶体管相连;第三晶体管,与充电控制端和充放电接口相连;在电芯正常充电时,第一晶体管导通,第二晶体管或第三晶体管导通;在电芯过充时,在电芯正常充电时导通的所述第二晶体及第三晶体管断开。本技术方案能够在一个充电保护器件失效的情况下正常进行过充保护,实现滥充测试,同时减少电芯保护电路的成本,并降低电芯保护电路中电子元件的占用面积。路中电子元件的占用面积。路中电子元件的占用面积。


技术研发人员:胡策 严威 郭玉杰
受保护的技术使用者:博科能源系统(深圳)有限公司
技术研发日:2022.01.27
技术公布日:2022/11/10
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