显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示领域，具体涉及一种显示面板。


背景技术：

2.有机发光显示面板(organic light-emitting diode display，oled)已经广泛用于手机、电视和电脑等的显示屏幕。
3.然而，当前有机发光显示面板的膜层数量繁多，制程工艺步骤和光罩数量较多。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供了一种显示面板，以解决当前有机发光显示面板存在的膜层数量繁多，制程工艺步骤和光罩数量较多的问题。
5.本技术实施例提供了一种显示面板，包括多个薄膜晶体管和多个发光器件，所述显示面板的膜层结构包括：
6.基底，以及设置于所述基底上的所述薄膜晶体管的源极、漏极和所述发光器件的第一电极；
7.其中，所述源极、所述漏极和所述第一电极同层制备，所述薄膜晶体管为顶栅型。
8.可选地，在本技术的一些实施例中，还包括：
9.遮光件，与所述薄膜晶体管的半导体层重叠设置，所述遮光件与所述第一电极同层制备。
10.可选地，在本技术的一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括:
11.第一绝缘层，设置于所述源极和所述漏极上；
12.半导体层，设置于所述第一绝缘层上；
13.栅极绝缘层，设置于所述半导体层上；
14.栅极，设置于所述栅极绝缘层上。
15.可选地，在本技术的一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括:
16.第一通孔和第二通孔，分别贯穿所述第一绝缘层，所述半导体层通过第一通孔连接所述源极，且通过所述第二通孔连接所述漏极。
17.可选地，在本技术的一些实施例中，还包括：
18.多个开口，所述开口对应所述发光器件设置，所述开口贯穿所述第一绝缘层和所述栅极绝缘层，以露出所述第一电极远离所述基底的表面。
19.可选地，在本技术的一些实施例中，还包括：
20.第二绝缘层，设置于所述栅极上，所述开口还贯穿所述第二绝缘层。
21.可选地，在本技术的一些实施例中，还包括：
22.支撑柱，设置于所述第二绝缘层上，所述第二绝缘层为像素定义层。
23.可选地，在本技术的一些实施例中，所述半导体层为氧化物半导体。
24.可选地，在本技术的一些实施例中，所述第一电极为所述发光器件的阳极，所述第
一电极与至少与一所述薄膜晶体管的所述源极或所述漏极电连接。
25.可选地，在本技术的一些实施例中，所述源极、所述漏极和所述第一电极均为氧化铟锡、银和氧化铟锡的叠层结构
26.本技术提供了一种显示面板，显示面板包括多个薄膜晶体管和多个发光器件，显示面板的膜层结构包括：基底，以及设置于基底上的薄膜晶体管的源极、漏极和发光器件的第一电极；其中，源极、漏极和第一电极同层制备，薄膜晶体管为顶栅型。本技术在顶栅型薄膜晶体管中，采用源极、漏极和第一电极同层制备，从而可以减小显示面板的膜层数量，减小了制程工艺步骤和光罩数量。
附图说明
27.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
28.图1为本技术实施例提供的一种显示面板的第一种截面示意图；
29.图2为本技术实施例提供的一种显示面板的第二种截面示意图；
30.图3为本技术实施例提供的一种显示面板的第三种截面示意图。
具体实施方式
31.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
32.本技术提供了一种显示面板，显示面板包括多个薄膜晶体管和多个发光器件，显示面板的膜层结构包括：基底，以及设置于基底上的薄膜晶体管的源极、漏极和发光器件的第一电极；其中，源极、漏极和第一电极同层制备，薄膜晶体管为顶栅型。以下以多个实施例分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
33.实施例一、
34.请参阅图1；图1为本技术实施例提供的一种显示面板的第一种截面示意图。图1示意了显示面板100的部分膜层结构。
35.本技术实施例提供了一种显示面板100，显示面板100包括多个薄膜晶体管101和多个发光器件102，显示面板100的膜层结构包括基底11，以及设置于基底11上的薄膜晶体管101的源极121、漏极122和发光器件102的第一电极123；其中，源极121、漏极122和第一电极123同层制备，薄膜晶体管101为顶栅型。
36.具体地，显示面板100包括多个薄膜晶体管101和多个发光器件102，显示面板100可以为有机发光显示面板，但不限于此。
37.具体地，基底11可以为玻璃材质或柔性基底，在此不做限定。
38.具体地，发光器件102的第一电极123，第一电极123可以为发光器件102的阳极或阴极。
39.具体地，源极121、漏极122和第一电极123同层制备，是指源极121、漏极122和第一电极123位于同一层，或源极121、漏极122和第一电极123同一工艺制备，例如，通过同一金属层图案化形成源极121、漏极122和第一电极123。例如，图1中，第一金属层12图案化形成了源极121、漏极122和第一电极123。
40.具体地，薄膜晶体管101为顶栅型，是指薄膜晶体管101为顶栅型薄膜晶体管，薄膜晶体管101的栅极位于半导体层14远离基底11的一侧，或薄膜晶体管101的栅极设置于半导体层14上。
41.在本实施例中，在顶栅型薄膜晶体管中，采用源极121、漏极122和第一电极123同层制备，不用在薄膜晶体管101上单独制作第一电极123，从而可以减小显示面板100的膜层数量，减小了制程工艺步骤和光罩数量。
42.实施例二、
43.本实施例与实施例一相同或相似，不同之处在于进一步限定了显示面板100的特征，请参阅图1。
44.在一些实施例中，显示面板100还包括遮光件124，遮光件124与薄膜晶体管101的半导体层14重叠设置，遮光件124与第一电极123同层制备。
45.具体地，遮光件124用以遮挡外界光线通过基底11进入半导体层14，避免半导体层14中产生光电流，提高薄膜晶体管101的稳定性和可靠性。
46.具体地，遮光件124与薄膜晶体管101的半导体层14重叠设置，遮光件124在基底11上的正投影覆盖半导体层14的沟道在基底11上的正投影。
47.具体地，遮光件124与第一电极123同层制备，即源极121、漏极122、第一电极123和遮光件124同层制备。例如，图1中，第一金属层12图案化形成了源极121、漏极122、第一电极123和遮光件124。
48.进一步地，如图1所示，遮光件124位于源极121与漏极122之间，以遮挡外界光线进入半导体层14的沟道。
49.在本实施例中，在顶栅型薄膜晶体管中，采用源极121、漏极122、第一电极123和遮光件124同层制备，不用在薄膜晶体管101上单独制作第一电极123，也不用在基底11和半导体层14之间单独制备遮光件124和缓冲层，从而可以进一步减小显示面板100的膜层数量，进一步减小了制程工艺步骤和光罩数量。
50.实施例三、
51.本实施例与上述实施例中的任一项显示面板100相同或相似，不同之处在于进一步限定了显示面板100的特征。
52.请参阅图1和图2，图2为本技术实施例提供的一种显示面板的第二种截面示意图。图2示意了显示面板100的部分膜层结构。
53.在一些实施例中，薄膜晶体管101还包括第一绝缘层13、半导体层14、栅极绝缘层15和栅极16，第一绝缘层13设置于源极121和漏极122上；半导体层14设置于第一绝缘层13上；栅极绝缘层15设置于半导体层14上；栅极16设置于栅极绝缘层15上。
54.在一些实施例中，薄膜晶体管101还包括第一通孔131和第二通孔132，第一通孔131和第二通孔132分别贯穿第一绝缘层13，半导体层14通过第一通孔131连接源极121，且通过第二通孔132连接漏极122。
55.具体地，在顶栅型的薄膜晶体管101中，半导体层14通过第一通孔131连接源极121，且通过第二通孔132连接漏极122。
56.在一些实施例中，显示面板100还包括多个开口103，开口103对应发光器件102设置，开口103贯穿第一绝缘层13和栅极绝缘层15，以露出第一电极123远离基底11的表面。
57.具体地，开口103贯穿第一绝缘层13和栅极绝缘层15，以露出第一电极123远离基底11的表面，第一绝缘层13和栅极绝缘层15也起到了限定发光器件102的区域的作用。
58.在一些实施例中，显示面板100还包括第二绝缘层17，第二绝缘层17设置于栅极16上，开口103还贯穿第二绝缘层17。
59.在一些实施例中，显示面板100还包括支撑柱18，支撑柱18设置于第二绝缘层17上，第二绝缘层17为像素定义层。
60.进一步地，第二绝缘层17为像素定义层，第二绝缘层17的材料可以为有机材料，例如树脂。
61.在一些实施例中，半导体层14为氧化物半导体。
62.具体地，半导体层14为氧化物半导体，例如，为氧化锌(zno)、氧化镉(cdo)、(氧化钛)tio2、(氧化铝)al2o3、氧化锡(sno)等，在此不限定。
63.具体地，半导体层14为氧化物半导体，氧化物半导体的制程温度较低，在顶栅型薄膜晶体管中，可以将源极121、漏极122和第一电极123同层制备，或将源极121、漏极122、第一电极123和遮光件124同层制备，氧化物半导体的制程温度不会影响源极121、漏极122、第一电极123和遮光件124的膜层特征，同时又减小了显示面板100的膜层数量，减小了制程工艺步骤和光罩数量。
64.在一些实施例中，第一电极123为发光器件102的阳极，第一电极123与至少与一薄膜晶体管101的源极121或漏极122电连接。
65.具体地，薄膜晶体管101驱动发光器件102，第一电极123与至少与一薄膜晶体管101的源极121或漏极122连接，图2中示意了第一电极123与薄膜晶体管101的漏极122相连，但不限于此。
66.进一步地，图1中示意了第一电极123与漏极122分割设置，第一电极123与漏极122可以通过桥接电极而电性连接，桥接电极可以为第一电极123和漏极122处于不同层的金属层。
67.进一步地，图2示意了第一电极123与漏极122直接接触相连，可以减小显示面板100的膜层复杂性，可以减小版图空间(layout)。
68.进一步地，图2还示意了，支撑柱18与第二绝缘层17为一体制备而成或同一工艺制备，例如，通过半灰阶光罩工艺同时制备了支撑柱18和第二绝缘层17，支撑柱18与第二绝缘层17的材料相同。
69.在一些实施例中，源极121、漏极122和第一电极123均为氧化铟锡、银和氧化铟锡的叠层结构。
70.具体地，源极121、漏极122和第一电极123同层制备，则源极121、漏极122和第一电
极123地材料相同，为了满足第一电极123在发光器件102中的性能需求，采用第一电极123的材料制备源极121和漏极122。
71.具体地，源极121、漏极122和第一电极123均为氧化铟锡、银和氧化铟锡的叠层结构，但第一电极123的材料还可以为其他材料。
72.需要说明的是，请参阅图3，图3为本技术实施例提供的一种显示面板的第三种截面示意图，发光器件102还包括发光材料层19和第二电极20，第一电极123为阳极时，则第二电极20为阴极。发光材料层19至少部分设置于开口103内，第二电极20设置于发光材料层19上。显示面板100还包括封装层30，封装层30设置于第二电极20之上，封装层30的结构和材料可以为现有技术中任一种，在此不做限定。
73.需要说明的是，显示面板100的制造流程步骤包括：s100，提供一基底11；s200，在基底11上同时至少形成源极121、漏极122和第一电极123；s300，在源极121和漏极122上形成第一绝缘层13，以及第一通孔131和第二通孔132；s400，在第一绝缘层13上形成半导体层14；s500，在半导体层14上形成栅极绝缘层15，在栅极绝缘层15上形成栅极16；s600，形成开口103；s700，在栅极16上形成第二绝缘层17，在第二绝缘层17上形成支撑柱18。其中，源极121、漏极122、第一电极123、第一通孔131和第二通孔132、开口103、第二绝缘层17等结构的作用和特征与上述实施例相同，在此不再赘述。其中，在实施例二的显示面板的制造过程中，步骤s200为：在基底11上同时形成源极121、漏极122、第一电极123和遮光件124。遮光件124的作用和特征与上述实施例相同，在此不再赘述。
74.以上对本技术实施例所提供的一种显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。