一种发声装置及电子设备的制作方法

1.本实用新型属于电声转换技术领域，尤其涉及一种发声装置及电子设备。


背景技术：

2.随着电声技术的发展，双面发声扬声器的应用越来越广泛，双面发声扬声器具有降低壳振、提升发声灵敏度等方面的优点，但目前的双面发声扬声器本身存在的一些缺陷，限制了其在某些场景下的应用：比如，双面发声扬声器振动方向尺寸通常较大，两套振动系统再加上整机端需要预留的振动空间，导致应用双面发声扬声器的电子设备无法做到轻薄化；为了实现轻薄化，双面发声扬声器通常都采用大小音圈嵌套来进行设计，但这样会导致双面性能不能做到完全一致，增加了打样调试的难度。


技术实现要素：

3.旨在克服上述现有技术中存在的至少之一处不足，本实用新型提供了一种发声装置及电子设备，其中，发声装置在振动方向上的尺寸较小、有利于自身及电子设备向轻薄化方向发展。
4.为解决上述现有技术中存在的问题，本实用新型实施例提供了一种发声装置，包括壳体、振动系统和两个间隔设置的磁路系统；
5.其中，所述振动系统包括两个相对且间隔设置的振动单元，每个所述振动单元均包括振膜组件、骨架和两个音圈；两个所述磁路系统沿与所述振膜组件的振动方向相垂直的方向布设在所述振动系统的两端，且所述磁路系统与所述壳体连接；所述振膜组件的边缘部固定于所述磁路系统和/或所述壳体，所述骨架的一侧与所述振膜组件连接，两个所述音圈设于所述骨架沿其长度方向的两端并分别与两个所述磁路系统的磁间隙一一对应设置。
6.优选地，所述骨架包括位于两个所述磁路系统之间的主体部、设置于所述主体部沿长度方向两端的音圈承托部和两个分别连接在对应所述音圈承托部和所述主体部之间的连接部；
7.所述振膜组件的内侧面与所述主体部连接，所述音圈承托部位于相应侧的所述磁间隙中且与所述音圈连接。
8.优选地，沿所述振膜组件的振动方向，所述连接部与对应侧的所述振膜组件的折环部正对设置，所述连接部相对所述主体部朝向远离所述折环部的方向弯折以形成避让间隙。
9.优选地，所述音圈承托部呈封闭的环形结构，所述音圈完全支撑于所述音圈承托部上。
10.优选地，每个所述音圈上均连接有两个定心支片，两个所述定心支片对称设于所述音圈的两侧，每个所述定心支片的两端分别与所述音圈和所述壳体连接。
11.优选地，每个所述磁路系统均包括两个沿所述振膜组件的振动方向间隔设置于所
述壳体上的磁轭；两个所述磁轭之间设置有中心磁路组件和设于所述中心磁路组件周侧的边磁路组件，所述中心磁路组件和所述边磁路组件间隔设置形成所述磁间隙，所述边磁路组件设有用于避让所述骨架的避让口。
12.优选地，所述壳体包括两个间隔设置的侧框体和中心框体；所述中心框体位于两个所述侧框体之间，每个所述侧框体呈中空设置，每个所述侧框体的上下两侧分别设有所述磁轭以将所述中心磁路组件和所述边磁路组件密封于所述侧框体内，所述侧框体与所述中心框体的连接处设有供所述骨架穿过的连通口。
13.优选地，所述边磁路组件包括沿所述振膜组件的振动方向叠放设置的边华司和边磁铁，位于所述中心磁路组件的朝向所述振膜组件一侧的所述边华司上设有延伸部，所述延伸部向背离所述中心磁路组件的方向延伸，所述振膜组件的边缘部的至少部分固定于所述延伸部。
14.优选地，所述磁路系统具有相对设置的顶面和底面；所述振膜组件处于最大振幅位置时，所述振膜组件位于所述顶面和所述底面之间的空间内。
15.优选地，沿所述振膜组件的振动方向，两个所述振动单元对称设置。
16.本实用新型实施例还提供了一种电子设备，包括所述的发声装置。
17.由于采用了上述技术方案，取得的有益效果如下：
18.本实用新型中的发声装置，包括壳体、振动系统和两个间隔设置的磁路系统；其中，振动系统包括两个相对且间隔设置的振动单元，每个振动单元均包括振膜组件、骨架和两个音圈；两个磁路系统沿与振膜组件的振动方向相垂直的方向布设在振动系统的两端，且磁路系统与壳体连接；振膜组件的边缘部固定于磁路系统和/或壳体，骨架的一侧与振膜组件连接，两个音圈设于骨架沿其长度方向的两端并分别与两个磁路系统的磁间隙一一对应设置。本实用新型中的电子设备包括上述的发声装置。
19.由于在振膜组件的振动方向上、位于骨架两端的音圈的振动空间和位于中部的振膜组件的振动空间不重合，因此可以最大化利用空间，有利于发声装置及电子设备向轻薄化方向发展。
附图说明
20.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图进行简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1是本实用新型发声装置的结构示意图；
22.图2是图1另一视角下的结构示意图；
23.图3是图2中a_a向剖视图；
24.图4是图3中b处结构的放大图；
25.图5是图1的结构分解图；
26.图6.1是图5中骨架的局部放大图；
27.图6.2是骨架另一种实施结构的局部放大图；
28.图7是图5中振膜组件的结构分解图；
29.图8是图5中中心磁路组件和边磁路组件的剖视图；
30.图9是本实用新型电子设备的结构剖视图；
31.图中：1-壳体，1a-第一壳体，1b-第二壳体，11-侧框体，111-定位凸起，12-中心框体，121-后腔声孔，13-连通口，2-振动单元，21-振膜组件，211-振膜，2111-折环部，2112-外横向延伸部，2113-内横向延伸部，212-球顶，22-骨架，221-主体部，222-音圈承托部，223-第一连接部，2231-第一折弯段，2232-第二折弯段，2233-倾斜过渡段，224-第二连接部，23-音圈，24-定心支片，3-磁路系统，31-上磁轭，32-下磁轭，33-中心磁路组件，331-中心华司，332-中心磁铁，34-边磁路组件，341-边华司，3411-延伸部，342-边磁铁，35-磁间隙，36-避让口，4-封装部件，5-前声腔。
具体实施方式
32.为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
33.需要说明的是，若本实用新型中涉及方向性指示，例如上、下、前、后、左、右等，则该方向性指示仅仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
34.由图1至图8共同所示，本实施例公开了一种发声装置，具体包括壳体1、振动系统和两个间隔设置的磁路系统3；其中，振动系统包括两个沿上下振动方向相对且间隔设置的振动单元2，每个振动单元2均包括振膜组件21、骨架22和两个音圈23；两个磁路系统3沿与振膜组件21的振动方向(如图1所示的z方向)相垂直的方向布设在振动系统的两端；可以理解的是，上述描述中的与振膜组件21的振动方向相垂直的方向为振动系统的长度方向(如图1所示的y方向)，也可以为振动系统的宽度方向(如图1所示的x方向)；且磁路系统3与壳体1连接；振膜组件21的边缘部固定于磁路系统3和/或壳体1，即振膜组件21的边缘部可以固定于磁路系统3，也可以固定于壳体1，还可以同时固定于磁路系统3和壳体1。骨架22位于壳体1内且外侧与振膜组件21连接，两个音圈23设于骨架22沿其长度方向的两端(如图1所示的y方向的两端)并分别与两个磁路系统3的磁间隙35一一对应设置。
35.如此设置，发声装置可以实现双面发声的效果，而且在振膜组件21的振动方向上、位于骨架22两端的音圈23的振动空间和位于中部的振膜组件21的振动空间不重合，因此可以最大化利用空间，有利于发声装置及电子设备向轻薄化方向发展。
36.在本实用新型的一些实施例中，沿振膜组件21的振动方向(如图1所示的z方向)，两个振动单元2对称设置(即两个振动单元2的尺寸型号完全相同且沿xy平面对称，即两个振动单元2属于镜像结构)，由此可以使发声装置的两面性能完全一致，降低打样调试难度，而且还可以确保两个振动单元2的发声性能保持一致，提升发声装置的发声效果。
37.在本实用新型的一些实施例中，振膜组件21包括振膜211和球顶212。其中，振膜211可以为一体式成型结构，包括折环部2111、与折环部2111的内圈边缘连接的内横向延伸部2113和与折环部2111的外圈边缘连接的外横向延伸部2112，外横向延伸部2112与磁路系统3和/或壳体1连接。球顶212为平板状，其外边缘与内横向延伸部2113粘接。还有一些实施例中，振膜211包括两个以及两个以上宽度相等的折环部2111，相邻两个折环部2111朝向相
反，两端的两个折环部2111分别连接一个内横向延伸部2113和一个外横向延伸部2112。除此之外，其它结构形式的振膜组件21也适用于本技术，在此不一一列举。
38.在本实用新型的一些实施例中，骨架22借助振膜组件21悬置于壳体1内，具体包括位于两个磁路系统3之间的主体部221、设置于主体部221沿其长度方向(如图1中所示的y向)两端的音圈承托部222和两个分别连接在对应音圈承托部222和主体部221之间的连接部；振膜组件21的内侧面(图中所示为内横向延伸部2113的内侧面)与环状的主体部221的外侧面连接，音圈承托部222位于相应侧的磁间隙35中且与音圈23连接；图中所示的音圈23也位于磁间隙35中，有利于进一步向轻薄化方向的发展。还有一些实施例中，音圈23位于磁间隙35的上方或下方，比如一些高音扬声器中音圈23就设置于磁间隙35的上方。简言之，只要能保证音圈23与磁路系统3的磁间隙35位置对应，确保音圈23能在自身通电产生的磁场与磁路系统3产生的磁场的相互作用下发生振动即可。
39.在本实用新型的另一些实施例中，沿振膜组件21的振动方向，连接部的一部分与对应侧的振膜组件21的折环部2111正对设置，连接部相对主体部221朝向远离折环部2111的方向弯折以形成避让间隙；由此，通过上述设置，可以使连接部对折环部2111形成避让，确保振膜组件21的正常振动。
40.在一具体实施例中，如图6.1中所示的连接部(记为第一连接部223)为二级折弯结构，具体包括与主体部221连接的第一折弯段2231、第二折弯段2232和与音圈承托部222连接的倾斜过渡段2233；第一折弯段2231与对应侧的振膜组件21的折环部2111正对设置，并相对主体部221朝向远离折环部2111的方向弯折以形成避让间隙；第二折弯段2232相对第一折弯段2231继续朝向远离折环部2111的方向弯折，倾斜过渡段2233由第二折弯段2232至音圈承托部222朝向振膜组件21方向延伸。另一具体实施例中，如图6.2中所示的连接部(记为第二连接部224)为一级折弯结构。连接部的折弯级数可根据壳体1和安装需求灵活调整，只要能确保连接部的部分与折环部2111之间形成避让间隙且不会对安装造成干涉即可。
41.一些实施例中，音圈承托部222设计呈封闭的环形结构，音圈23完全支撑于音圈承托部222上；一方面可以提高音圈23在骨架22上的稳定可靠性，另一方面可以确保振动传递的效果。当然可以理解的是，音圈承托部222的结构设计并不仅限于此，只要能够驱动音圈23振动即可，本实用新型对其结构不作具体限制。
42.本实用新型的另一些实施例中，每个音圈23上均连接有两个定心支片24，两个定心支片24对称设于音圈23的两侧，每个定心支片24的两端分别与音圈23和壳体1上的焊盘连接。两个对称设置的定心支片24一方面可以在音圈23振动的过程中起到平衡作用，另一方面可以作为音圈23与焊盘之间电性连接的桥梁。还有一些实施例中，音圈23上可以根据需要设置一个或两个以上的定心支片24，在此不做限制。
43.在本实用新型的一些实施例中，每个磁路系统3均包括两个沿振膜组件21的振动方向(如图1所示的z方向)间隔设置于壳体1上的磁轭(记为上磁轭31和下磁轭32)；上磁轭31和下磁轭32之间设置有中心磁路组件33和设于中心磁路组件33周侧的边磁路组件34，中心磁路组件33和边磁路组件34间隔设置形成磁间隙35，边磁路组件34设有用于避让骨架22的避让口36。由此，通过上述设置，上磁轭31和下磁轭32位于发声装置的上、下两个端面，由此不仅可以实现发声装置的轻薄化设计，还可以使发声装置的整体结构更加紧凑。
44.可选地，壳体1包括两个间隔设置的侧框体11和中心框体12；中心框体12位于两个
侧框体11之间，每个侧框体11呈中空设置，一个磁路系统3中的上磁轭31和下磁轭32分别设置于对应一个侧框体11的上、下两侧，中心磁路组件33和边磁路组件34被上磁轭31和下磁轭32密封于该侧框体11内。侧框体11与中心框体12的连接处设有供骨架22穿过的连通口13。振膜组件21设置于中心框体12上侧和下侧，中心框体12相对前后两侧均设有后腔声孔121。由此，骨架22可以通过连通口13伸入到磁路系统3的磁间隙35内，结构设计比较合理。
45.可选地，侧框体11的上、下两侧均设有多个定位凸起111，同侧的多个定位凸起111围成一个限定磁轭的安装空间，可确保磁轭安装的精度。中心框体12的上侧面到侧框体11的上侧面之间的距离等于中心框体12的下侧面到侧框体11的下侧面之间的距离，使得发声装置的结构对称性更强。
46.可选地，壳体1为两半式分体结构，包括沿振动方向排布的第一壳体1a和第二壳体1b；两半式分体结构更便于振动单元2等部件的安装。
47.如图5所示，在本实用新型的一个具体实施例中，边磁路组件34包括4个间隔排布在中心磁路组件33的四个侧部的边磁部，相邻的两个边磁部之间限定出避让口36，由此可以方便骨架22伸入到磁间隙35内。,还有一些实施例中，避让口36可以设置为两个，即边磁路组件34形成为两部分，其中一部分呈u型结构。其它不影响骨架22安装的边磁路组件34结构形式也适用于本技术，在此不一一列举。
48.根据本实用新型的一些实施例，边磁路组件34包括沿振膜组件21的振动方向叠放设置的边华司341和边磁铁342，位于中心磁路组件33的朝向振膜组件21一侧的边华司341上设有延伸部3411，延伸部411向背离中心磁路组件33的方向延伸，振膜组件21的边缘部的至少部分固定于延伸部411。由此，通过上述设置，可以通过延伸部411固定振膜组件21，由此可以简化振膜组件21的固定结构，可以使发声装置的整体结构更加紧凑。
49.在本实用新型的一个具体实施例中，中心磁路组件33包括沿振膜组件21的振动方向交替叠放设置的三个中心磁铁332和两个中心华司331；每一部分的边磁路组件34均包括沿振膜组件21的振动方向交替叠放设置的两个边华司341和三个边磁铁342，位于中心磁路组件33朝向振膜组件21一侧所有边华司341(图5中所示共四个)上均设有延伸部3411，延伸部3411向背离中心磁路组件33的方向(即靠近振膜组件21的方向)延伸，一个振膜组件21的边缘部(即外横向延伸部2112)的部分固定于位于同一高度的两个延伸部3411，另一部分固定在中心框体12的相应外侧面。还有一些实施例中，中心磁路组件33包括一个中心华司331和至少一个中心磁铁332，每一部分的边磁路组件34包括一个边华司341和至少一个边磁铁342，每个磁路系统3中中心磁路组件33朝向振膜组件21一侧的一个边华司341上设置有一个延伸部3411，两个振膜组件21的边缘部(即外横向延伸部2112)的部分固定于延伸部3411的两侧；或者，每个磁路系统3的中心磁路组件33朝向振膜组件21一侧的一个边华司341上沿振动方向间隔设置有两个延伸部3411，两个振膜组件21的边缘部(即外横向延伸部2112)的部分固定于相应延伸部3411的外侧。依次类推，凡依据上述原理推导出来的其它结构形式的磁路系统3，均应包含在本技术的保护范围之内。
50.还有一些实施例中，中心框体12的上、下表面为与振膜组件21的外横向延伸部2112完全适配的封闭环形面；此时边华司341无需设置延伸部3411，振膜组件21的外横向延伸部2112仅与中心框体12的上、下表面连接即可。还有一些实施例中，同一高度的两个延伸部3411对接形成与外横向延伸部2112完全适配的封闭环形结构，此时振膜组件21的外横向
延伸部2112仅与该封闭环形结构连接、无需再与壳体1连接。简言之，本领域技术人员可以根据壳体1的具体结构，灵活选择是否在边华司341上设置延伸部3411、灵活调整延伸部3411的结构，至于振膜组件21的边缘部是与延伸部3411固定连接，还是与壳体1的中心框体12固定连接，还是与两者均固定连接，在此不做限定。
51.在本实用新型的一个具体实施例中，，磁路系统3具有相对设置的顶面和底面(即上磁轭31和下磁轭32所在的平面)；振膜组件21处于最大振幅位置时，振膜组件21位于顶面和底面之间的空间内。如此设置，可确保发声装置安装到电子设备上后，电子设备的部件中无需额外预留振膜组件21的振动空间，振膜组件21所产生的声音沿发声装置的宽度方向(如图1所示的x方向)辐射出去，有利于电子设备进一步轻薄。
52.由图9所示，本实施例还公开了一种电子设备，包括封装部件4和上述任何一个实施例所公开的发声装置；封装部件4与磁轭紧贴合，且与振膜组件21之间形成前声腔5，振膜组件21在前声腔内所产生的声音沿发声装置的宽度方向(如图1所示的x方向)辐射出去。
53.综上所述，本实用新型由于在振动方向上、位于骨架22两端的音圈23的振动空间和位于中部的振膜组件21的振动空间不重合，因此可以最大化利用空间，有利于发声装置及电子设备向轻薄化方向发展；且振膜组件21处于最大振幅位置时，振膜组件21位于两个磁轭所在平面之间的空间内，电子设备与发声装置配合就可以限定出出声通道，有利于电子设备进一步的轻薄化设计。另外，两个振动单元2可选择相对称设置，由此可以使发声装置的两面性能完全一致，降低打样调试难度，而且还可以确保两个振动单元2的发声性能保持一致，提升发声装置的发声效果。
54.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。