一种隔离供电器件自身杂散的屏蔽结构及射频电路的制作方法

1.本实用新型属于微波技术领域，具体涉及一种隔离供电器件自身杂散的屏蔽结构及射频电路。


背景技术：

2.微波是指频率为300mhz-300ghz的电磁波，是无线电波中一个有限频带的简称，即波长在1毫米-1米之间的电磁波。在微波领域中，频率源是电子系统（雷达，通讯，测控，导航等）的基本信号来源。而在制作频谱纯净、性能优良的频率源中，需要从电路和空间结构等多方面充分考虑信号的隔离、屏蔽、交调、滤波等的具体要求。而其中一项重要指标就是杂散，杂散的指标会直接影响到信号对其他系统的干扰。尤其在射频电路中自身器件（dcdc，ldo等）引起的杂散会通过地耦合或空间耦合的方式严重影响最终频谱的纯净度。而目前尚未有很好的方式来隔离器件自身开关频率产生的杂散，即使有方式来改善器件自身开关频率产生的杂散，此种方式的成本也较高，装配工艺及调试过程也均较复杂，且效果也欠佳，从而导致频谱的纯净度也较差，无法保证器件无干扰性的信号传输。
3.现阶段已采用屏蔽罩的方式来改善杂散，此种方式也只针对带外的杂散，由于屏蔽罩的装配方式、密封性及材质的限制，使得屏蔽罩无法对器件自身开关频率产生的杂散有隔离作用，从而影响到频谱的纯净度，最终导致器件的信号被自身杂散辐射所干扰。如中国专利授权公告号cn212086162u，公开日2020年12月04日，公开了一种高基频晶体滤波器的差接变量器，文中提出“差接变量器由电容c11、电感l11、金属屏蔽罩构成；所述电感l11设置在金属屏蔽罩内，所述电容c11一端为射频信号输入端或射频信号输出端，电容c11另一端连接电感l11的引脚1，所述电感l11的引脚1、引脚2将射频信号送入谐振因子进行滤波处理，或接收经滤波处理后的射频信号，引脚3通过金属屏蔽罩与高基频晶体滤波器的信号地连接。”此现有技术是通过高基频晶体滤波器的差接变量器，改善高基频晶体滤波器的带内插入损耗和减少带外杂散的，但此现有技术的差接变量器是通过配备有屏蔽罩的电感l11和电容c11配合作用下产生的产物，此种差接变量器也只能对高基频晶体滤波器的带外杂散进行减少或降低，并不能对器件自身开关频率产生的杂散进行改善或隔离，且由于此现有技术的屏蔽罩是单独配装在电感l11上的，隔离效果较差，故使得屏蔽罩无法对器件自身开关频率产生的杂散有隔离作用，从而影响到频谱的纯净度，最终导致器件的信号被自身杂散辐射所干扰。为此，需要一种新的技术方案来解决上述技术问题。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种隔离供电器件自身杂散的屏蔽结构及射频电路，以解决上述背景技术中提出的现阶段采用屏蔽罩的方式无法对器件自身开关频率产生的杂散有隔离作用的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种隔离供电器件自身杂散的屏蔽结构，包括屏蔽罩，其特征在于，所述屏蔽罩通过烧结密封式覆盖连接有供电模块，所
述屏蔽罩的外表面喷镀设置有用于烧结的镀金层，所述屏蔽罩的底部侧边上均匀涂抹设置有用于烧结密封的焊锡膏，所述焊锡膏通过烧结附着设置在供电模块的侧边。
6.进一步的，所述焊锡膏的烧结温度小于供电模块的焊接温度。
7.进一步的，所述屏蔽罩采用金属材质制作而成，所述屏蔽罩的底部中间位置设置有用于容纳供电模块器件的空腔，所述屏蔽罩的底部侧边通过烧结后的焊锡膏与供电模块的侧边密封式固定连接。
8.进一步的，所述屏蔽罩的底部侧边设置为长方形条状结构的密封边框，所述焊锡膏均匀涂抹在密封边框上，所述密封边框的两边上各设置有一个用于屏蔽罩定位的定位柱，所述供电模块的侧边设置有与定位柱相配合的定位槽。
9.进一步的，两个所述定位柱分为定位柱a和定位柱b，所述定位柱a和定位柱b对角设置在密封边框的长边上，所述定位柱a设置在密封边框一长边的左侧，所述定位柱b设置在密封边框另一长边的右侧。
10.除以上技术方案外，还有具有该屏蔽结构的射频电路。
11.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
12.1.本实用新型利用焊锡膏的烧结工艺，使得屏蔽罩能够无缝隙地装配在供电模块上，从而使得供电模块上器件自身开关频率产生的杂散被屏蔽罩所隔离，不仅有效地提升了供电器件自身杂散的隔离效果，还有效地避免了因杂散而影响频谱纯净度的问题，通过在屏蔽罩的外表面喷镀镀金层，能够有效避免屏蔽罩在烧结时因温度过高而开裂的现象，有效地提升了屏蔽罩的密封性和稳定性，保证了供电模块的信号不会被供电器件自身杂散辐射所干扰。
13.2.本实用新型采用金属材质的屏蔽罩，能够有效隔离供电器件自身开关频率产生的杂散，保证了频谱的纯净度，通过烧结的温度小于焊接的温度，能够有效地避免了因温度过高而影响供电模块器件的固定，保证了供电模块器件的正常运行。
14.3.本实用新型采用长方形条状设置的密封边框，有效地降低了屏蔽罩的装配难度，降低了成本，通过在密封边框上涂抹焊锡膏，能够有效提升屏蔽罩的密封性，无需调试就能提升频谱的纯净度，有效地提升了供电器件自身杂散的隔离效果，再利用定位柱和定位槽的定位配合设置，使得屏蔽罩能够快速且平稳地装配在供电模块上，有效地提升了屏蔽罩装配效率及稳定性，保证了供电模块的信号不会被供电器件自身杂散辐射所干扰。
附图说明
15.图1为本实用新型的整体俯视截面结构示意图；
16.图2为本实用新型的整体侧面结构示意图；
17.图3为本实用新型的屏蔽罩底部结构示意图；
18.图4为本实用新型的屏蔽罩侧面结构示意图。
19.其中：1、屏蔽罩；2、供电模块；3、镀金层；4、焊锡膏；5、空腔；6、密封边框；7、定位柱；701、定位柱a；702、定位柱b；8、定位槽。
具体实施方式
20.以下实施例用来进一步说明本实用新型的内容，并不限制本实用新型的应用。
21.请参阅图1-图2，一种隔离供电器件自身杂散的屏蔽结构，包括屏蔽罩1，屏蔽罩1通过烧结密封式覆盖连接有信号传输的供电模块2，屏蔽罩1的外表面喷镀设置有用于烧结的镀金层3，屏蔽罩1的底部侧边上均匀涂抹设置有用于烧结密封的焊锡膏4，焊锡膏4通过烧结附着设置在供电模块2的侧边，焊锡膏4的烧结温度小于供电模块2的焊接温度，能够有效地避免了因温度过高而影响供电模块2器件的固定，保证了供电模块2器件的正常运行。
22.请参阅图2-图3，屏蔽罩1采用金属材质制作而成，屏蔽罩1的底部中间位置设置有用于容纳供电模块2器件的空腔5，屏蔽罩1的底部侧边通过烧结后的焊锡膏4与供电模块2的侧边密封式固定连接。
23.请参阅图3-图4，屏蔽罩1的底部侧边设置为长方形条状结构的密封边框6，焊锡膏4均匀涂抹在密封边框6上，密封边框6的两边上各设置有一个用于屏蔽罩1定位的定位柱7，供电模块2的侧边设置有用于定位柱7插入的定位槽8，定位槽8与定位柱7插入式固定连接；
24.两个定位柱7分为定位柱a701和定位柱b702，定位柱a701和定位柱b702对角设置在密封边框6的长边上，定位柱a701设置在密封边框6一长边的左侧，定位柱b702设置在密封边框6另一长边的右侧。
25.在屏蔽结构安装装配作业时，如图1-图4示意，将整个屏蔽结构无缝隙地密封装配在供电模块2上，使得供电模块2上器件自身开关频率产生的杂散被屏蔽结构所隔离。具体地：先根据供电模块2上的器件高度选择空腔5高度要高于器件高度的屏蔽罩1，能够有效避免屏蔽罩1在装配时压到器件，再根据供电模块2的信号传输要求选择合适金属材质（铝箔金属，不锈钢金属，rfid金属）的屏蔽罩1，而后将选好的屏蔽罩1的外表面进行镀金处理，使屏蔽罩1具有了镀金层3，有效地避免了屏蔽罩1在烧结时因温度过高而开裂的现象，再而后在密封边框6均匀涂抹上焊锡膏4，使焊锡膏4在密封边框6的四周高度保持一致，由于定位柱a701和定位柱b702固定在密封边框6上，故将定位柱a701和定位柱b702分别对准相应的定位槽8，并将其插入，使密封边框6与供电模块2的侧边作相对运动，从而使屏蔽罩1的底部侧边能够快速且平稳地与供电模块2的侧边合拢，同时也使空腔5覆盖在供电模块2器材上，达到阻隔的效果，即完成屏蔽罩1的安装，然后将合拢后的屏蔽罩1和供电模块2放置到加热台上进行加热烧结（烧结时温度要小于供电模块2焊接的温度），直至焊锡膏4完全融化，并确保密封边框6与供电模块2的侧边不存在缝隙，而后对其进行冷却，使得屏蔽罩1与供电模块2完全贴合，从而使得供电模块2上器件自身开关频率产生的杂散被屏蔽罩1所隔离，不仅有效地提升了供电器件自身杂散的隔离效果，还有效地避免了因杂散而影响频谱纯净度的问题。
26.本实用新型的工作原理及使用过程：如图1-图4示意，当需要得到频谱纯净、性能优良的频率源时，操作人员只需将金属屏蔽罩1覆盖在供电模块2上，而后利用烧结工艺将金属屏蔽罩1上的焊锡膏4附着在供电模块2上，以达到密封供电模块2器件的目的，使得屏蔽罩1能够无缝隙地装配在供电模块2上，从而使得供电模块2上器件自身开关频率产生的杂散被屏蔽罩1所隔离，不仅有效地提升了供电器件自身杂散的隔离效果，还有效地避免了因杂散而影响频谱纯净度的问题，有效提升了频率源的性能。
27.实施例2：
28.请参阅图1-图3，作为本实用新型的另一个目的，提供了一种射频电路，在射频电路中设有以上任一的屏蔽结构，因此，射频电路可以获得以上所描述的屏蔽结构所具有的
任一有益效果，在此不再赘述。