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具有互锁的金属至金属接合的半导体产物及制造其的方法与流程

2022-11-14 16:02:35 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种电子装置,其特征在于,包括:上基板;金属柱,包括金属,所述金属柱包括耦合到所述上基板的柱上端、柱下端以及位于所述柱上端和所述柱下端之间的柱侧壁;下基板,其在垂直方向上低于所述上基板;金属接点结构,包括金属,所述金属接点结构包括耦合到所述下基板的下侧,以及包括空腔的上侧;以及金属至金属接合,其在所述柱下端和所述金属接点结构的所述上侧之间,其中所述金属至金属接合位于所述空腔内的第一垂直高度范围内,但不在所述空腔内的第二垂直高度范围内,其中所述第一垂直高度范围在所述垂直方向上低于所述第二垂直高度范围。2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述空腔内的所述第二垂直高度范围包括所述金属柱的所述金属与所述金属接点结构的所述金属之间的横向间隙,所述金属接点结构的所述金属环绕所述金属柱的所述金属。3.根据权利要求2所述的电子装置,其特征在于,所述横向间隙不含导电材料。4.根据权利要求2所述的电子装置,其特征在于,所述横向间隙在所述第二垂直高度范围处的上端比在所述第二垂直高度范围的下端处更宽。5.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述空腔内的第三垂直高度范围没有所述金属至金属接合,所述第一垂直高度范围垂直地位于所述第二垂直高度范围和所述第三垂直高度范围之间。6.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述金属柱在垂直于所述垂直方向的水平剖面为多边形。7.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,在所述第一垂直高度范围内,所述柱侧壁是垂直的,所述空腔的侧面不是垂直的。8.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,在垂直剖面中,所述金属至金属接合的至少一部分是弯曲的。9.根据权利要求8所述的电子装置,其特征在于,在所述垂直剖面中,所述柱下端弯曲成具有包括多个不同曲率半径的轮廓。10.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述柱下端没有焊料。11.一种电子装置,其特征在于,包括:上基板;金属柱,包括金属,所述金属柱包括耦合到所述上基板的柱上端、柱下端以及位于所述柱上端和所述柱下端之间的柱侧壁,其中所述柱下端没有焊料;下基板,其在垂直方向上低于所述上基板;金属接点结构,包括金属,所述金属接点结构包括耦合到所述下基板的下侧,以及包括空腔的上侧;以及金属至金属接合,其在所述柱下端和所述金属接点结构的所述上侧之间,其中:所述金属至金属接合位于所述空腔内;以及在垂直剖面中,所述柱下端的至少一部分是弯曲的。
12.根据权利要求11所述的电子装置,其特征在于,在所述垂直剖面中,所述柱下端包括多个不同的曲率半径。13.根据权利要求11所述的电子装置,其特征在于,在垂直于所述垂直方向的水平剖面中,所述金属柱为多边形。14.根据权利要求11所述的电子装置,其特征在于,包括在所述柱下端的一部分与所述金属接点结构的所述上侧之间的垂直间隙。15.根据权利要求11所述的电子装置,其特征在于,在所述垂直剖面中,所述金属接点结构的所述上侧的至少一部分是弯曲的。16.根据权利要求11所述的电子装置,其特征在于,在所述垂直剖面中,所述金属接点结构的所述上侧包括多个不同的曲率半径。17.一种制造电子装置的方法,其特征在于,该方法包括:提供第一组件,包括:上基板;以及金属柱,包括金属,所述金属柱包括耦合到所述上基板的柱上端、柱下端以及位于所述柱上端和所述柱下端之间的柱侧壁;提供第二组件,包括:下基板,其在垂直方向上低于所述上基板;以及金属接点结构,包括金属,所述金属接点结构包括耦合到所述下基板的下侧,以及包括空腔的上侧;以及在所述柱下端和所述金属接点结构的所述上侧之间形成金属至金属接合,其中所述金属至金属接合位于所述空腔内的第一垂直高度范围内,但不在所述空腔内的第二垂直高度范围内,其中所述第一垂直高度范围在所述垂直方向上低于所述第二垂直高度范围。18.根据权利要求17所述的方法,其特征在于,所述空腔内的所述第二垂直高度范围包括所述金属柱的所述金属与所述金属接点结构的所述金属之间的横向间隙,所述金属接点结构的所述金属环绕所述金属柱的所述金属。19.根据权利要求17所述的方法,其特征在于,在所述第一垂直高度范围内,所述柱侧壁是垂直的,所述空腔的侧面不是垂直的。20.根据权利要求17所述的方法,其特征在于,在垂直剖面中,所述金属至金属接合的至少一部分是弯曲的。

技术总结
具有互锁的金属至金属接合的半导体产物及制造其的方法。本发明提供一种用于在电子装置中实施金属至金属接合的结构及方法。举例来说,而且没有任何限制意义,本发明的各项观点提供一种运用被配置成用以增强金属至金属接合的互锁结构的半导体装置及制造其的方法。合的互锁结构的半导体装置及制造其的方法。合的互锁结构的半导体装置及制造其的方法。


技术研发人员:波拉
受保护的技术使用者:艾马克科技公司
技术研发日:2017.01.06
技术公布日:2022/11/11
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