用于信号电子探测的系统和方法与流程

技术特征：
1.一种电子束装置，包括：电子源，所述电子源被配置为沿着主光轴产生初级电子束；以及第一电子探测器，所述第一电子探测器具有基本上平行于所述主光轴的第一探测层，并被配置为探测多个信号电子的第一部分，所述多个信号电子从所述初级电子束在样品上所形成的探测斑点产生。2.根据权利要求1所述的装置，还包括第二电子探测器，所述第二电子探测器被配置为探测所述多个信号电子的第二部分，其中所述第二电子探测器的第二探测层基本上垂直于所述主光轴。3.根据权利要求2所述的装置，还包括物镜，所述物镜被配置为：将所述初级电子束聚焦到所述样品上；将所述多个信号电子的所述第一部分聚焦在所述第一电子探测器的所述第一探测层上；以及将所述多个信号电子的所述第二部分聚焦在所述第二电子探测器的所述第二探测层上。4.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一电子探测器设置在所述样品和所述第二电子探测器之间，并且沿着所述主光轴设置。5.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一电子探测器和所述第二电子探测器被配置为探测从所述样品上的所述探测斑点产生的所述多个信号电子。6.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一电子探测器包括次级电子探测器、背散射电子探测器、静电元件或磁性元件。7.根据权利要求6所述的装置，其中所述静电元件包括束偏转器或束增强器，并且其中所述磁性元件包括束偏转器或束分离器。8.根据权利要求6所述的装置，其中所述静电元件或所述磁性元件包括内表面，所述内表面被配置为便于探测所述多个信号电子的所述第一部分。9.根据权利要求7所述的装置，其中所述束偏转器包括内表面，所述内表面被配置为便于探测所述多个信号电子的所述第一部分。10.根据权利要求9所述的装置，其中所述束偏转器的内表面包括连续探测层或分段探测层。11.根据权利要求10所述的装置，其中所述束偏转器的所述分段探测层包括沿所述主光轴被线性地、径向地、周向地或方位角地布置的多个探测器段。12.根据权利要求7所述的装置，其中所述束偏转器包括多极结构，并且所述多极结构的极的内表面被配置为便于探测所述多个信号电子的所述第一部分。13.根据权利要求7所述的装置，其中所述束增强器包括内表面，所述内表面被配置为便于探测所述多个信号电子的所述第一部分。14.根据权利要求13所述的装置，其中所述束增强器的内表面包括连续探测层或分段探测层。15.一种由电子束装置执行的用于观察样品的方法，所述方法包括：在与初级电子束相互作用之后，从样品上的探测斑点产生多个信号电子；以及使用第一电子探测器探测所述多个信号电子的第一部分，所述第一电子探测器包括基
本上平行于所述初级电子束的主光轴的第一探测层。

技术总结
公开了使用电子束装置观察样品的系统和方法。该电子束装置包括：电子源，其被配置为沿着主光轴(404)产生初级电子束；以及第一电子探测器(420)，其具有基本上平行于主光轴的第一探测层(421)，并且被配置为探测从样品上的探测斑点产生的多个信号电子(412)的第一部分。该方法可包括产生多个信号电子、并使用基本上平行于初级电子束的主光轴的第一电子探测器探测信号电子。第二电子探测器(407)的第二探测层可以基本上垂直于主光轴。通过在静电或磁性元件的内表面上设置第一电子探测器，静电元件或磁性元件可以被配置为探测背散射电子。子。子。


技术研发人员：任伟明 王勇新
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：2021.03.09
技术公布日：2022/11/11