壳体组件及其制备方法和电子设备与流程

1.本技术属于电子设备技术领域，具体涉及壳体组件及其制备方法和电子设备。


背景技术：

2.随着电子设备的不断发展，用户对壳体外观效果的要求也越来越高，越来越多的壳体的外观效果朝向多样化发展；与此同时，现有电子设备的壳体仅作为结构件使用，功能较为单一，因此需要丰富壳体的功能。


技术实现要素：

3.鉴于此，本技术提供了一种壳体组件及其制备方法和电子设备。
4.第一方面，本技术提供了一种壳体组件，包括壳体以及设置在所述壳体表面的光电转换膜和装饰膜，所述光电转换膜和所述装饰膜设置在所述壳体的同侧或相对两侧。
5.第二方面，本技术提供了一种壳体组件的制备方法，包括：在壳体表面形成光电转换膜和装饰膜，所述光电转换膜和所述装饰膜设置在所述壳体的同侧或相对两侧。
6.第三方面，本技术提供了一种电子设备，包括壳体组件，所述壳体组件包括壳体以及设置在所述壳体表面的光电转换膜和装饰膜，所述光电转换膜和装饰膜设置在所述壳体的同侧或相对两侧。
7.本技术提供的壳体组件中的光电转换膜可以吸收外界环境光，将光能转换为电能，从而给电子设备供电，该壳体组件不仅可以作为结构件，还可以作为供电装置，丰富壳体组件的功能，同时装饰膜可以改善壳体组件的视觉效果，提升壳体组件的产品竞争力。具有该壳体组件的电子设备不仅具有丰富的外观效果，同时还可以实现自充电，提高电子设备的使用时长，提升产品竞争力。
附图说明
8.为了更清楚地说明本技术实施方式中的技术方案，下面将对本技术实施方式中所需要使用的附图进行说明。
9.图1为本技术一实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
10.图2为本技术另一实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
11.图3为本技术又一实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
12.图4为本技术一实施方式提供的光电转换膜的结构示意图。
13.图5为本技术另一实施方式提供的光电转换膜的结构示意图。
14.图6为本技术又一实施方式提供的光电转换膜的结构示意图。
15.图7为本技术又一实施方式提供的光电转换膜的结构示意图。
16.图8为本技术一实施方式提供的壳体的结构示意图。
17.图9为本技术又一实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
18.图10为本技术又一实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
19.图11为本技术又一实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
20.图12为本技术又一实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
21.图13为本技术又一实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
22.图14为本技术一实施例提供的壳体组件的测试功率结果。
23.图15为本技术一实施方式提供的电子设备的示意图。
24.标号说明：
25.壳体-10，主体部-11，延伸部-12，第一表面-111，第二表面-112，第三表面-121，第四表面-122，第一端面-123，光电转换膜-20，吸光层-21，电子传输层-22，透明导电层-221，过渡层-222，空穴传输层-23，第一基材层-24，第二基材层-25，装饰膜-30，第一封装层-40，第二封装层-50，连接层-60，壳体组件-100，电子设备-200，电池-201
具体实施方式
26.以下是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本技术的保护范围。
27.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
28.请一并参阅图1-图3，为本技术实施方式提供的壳体组件的结构示意图，壳体组件100包括壳体10以及设置在壳体10表面的光电转换膜20和装饰膜30，光电转换膜20和装饰膜30设置在壳体10的同侧或相对两侧。本技术提供的壳体组件100中光电转换膜20可以吸收外界环境光，将光能转换为电能，从而给具有该壳体组件100的电子设备200供电，使得壳体组件100不仅可以作为结构件，还可以作为供电装置，丰富壳体组件100的功能，同时装饰膜30可以改善壳体组件100的视觉效果，提升壳体组件100的产品竞争力。具有该壳体组件100的电子设备200不仅具有丰富的外观效果，同时还可以实现自充电，提高电子设备200的使用时长，提升产品竞争力。相关技术中，壳体组件100往往只作为结构件发挥作用，更多关注的是如何改善、丰富壳体组件100的外观效果，对壳体组件100功能、作用的进一步开发较少。而本技术提供的壳体组件100中，装饰膜30可以改善、丰富壳体组件100的外观效果，同时光电转换膜20可以实现光能和电能的转换，使得壳体组件100还可以作为供电装置使用，为电子设备200进行充电，极大地丰富了壳体组件100的功能。
29.在本技术中，光电转换膜20可以将光能转换为电能，由于壳体组件100使用时或多或少都要受到光照，如太阳光等，从而可以产生一定的电能，满足壳体组件100以及具有该壳体组件100的电子设备200的使用需求，同时光电转换膜20还可以起到丰富壳体组件100外观效果的作用。
30.请参阅图4，为本技术一实施方式提供的光电转换膜的结构示意图，其中光电转换膜20包括层叠设置的电子传输层22、吸光层21和空穴传输层23。在接受光照时，吸光层21首
先吸收光子产生电子-空穴对，而后经过解离，解离的电子从吸光层21传输到电子传输层22并被收集，空穴从吸光层21传输到空穴传输层23并被收集，从而产生电流。
31.在本技术实施方式中，吸光层21的材质包括钙钛矿。在本技术实施方式中，钙钛矿材料为abx3型钙钛矿材料，a为有机阳离子，b为金属离子，x为卤素离子。通过调节离子组成，特别是卤素离子的种类和比例，可以得到具有不同能带结构的钙钛矿，从而优化光电转换膜20的光电转换效率。在本技术实施例中，a包括胺基和脒基中的至少一种，b包括铅、锡、钨、铜、锌、镓、硒、铑、锗、砷、钯、银、金、铟、锑、汞、铱、铊和铋中的至少一种，x包括碘、溴和氯中的至少一种。在一实施方式中，钙钛矿包括ch3nh3pbi3、ch3nh3pbcl3、ch3nh3pbbr3和ch3nh3sni3中至少一种，有利于进一步提高光电转换膜20的光电转换效率。钙钛矿具有较低的载流子复合几率和较高的载流子迁移率，因此载流子的扩散距离和寿命较长；钙钛矿的光电转换效率高，理论效率33％以上；钙钛矿中不含特别稀缺的元素，材料成本非常低，有利于降低壳体组件100的制备成本，同时具有钙钛矿的吸光层21具有优异的耐弯折性能以及一定的可见光透过率，可以实现柔性透光的光电转换膜20，匹配不同类型的壳体10，提高光电转换膜20的适用范围。在一具体实施例中，钙钛矿中pb的比例小于rohs标准；例如钙钛矿中pb的比例约为233ppm。
32.在本技术实施方式中，吸光层21的厚度为800nm-1200nm(如800nm-1000nm、900nm-1100nm或1000nm-1200nm等)，如此有利于保证光电转换膜20的光电转换效率以及耐弯折性能。具体的，吸光层21的厚度可以但不限于为800nm、850nm、900nm、950nm、1000nm、1100nm或1200nm等。在本技术实施方式中，吸光层21可以通过涂覆前驱体溶液，再经过加热结晶的方式成型。在一实施例中，通过涂覆含钙钛矿前驱体溶液，再经过加热结晶，得到吸光层21。进一步的，钙钛矿前驱体溶液中可以含有cspbbr3纳米晶；通过加入cspbbr3纳米晶可以控制吸光层21的生长，例如使吸光层21的平均晶粒尺寸提高到1000nm；同时可以在吸光层21上表面构筑具有梯度能级结构层，使得吸光层21与空穴传输层23之间的能级差变得更小，从而改善空穴载流子的抽取。
33.请参阅图5，为本技术另一实施方式提供的光电转换膜的结构示意图，其中电子传输层22包括透明导电层221和过渡层222，过渡层222设置在透明导电层221和吸光层21之间。通过设置过渡层222保证电子传输层22与吸光层21的能级匹配，有利于电子的有效注入与传输。在本技术实施方式中，透明导电层221的材质包括氧化铟锡、掺氟氧化锡、氧化铟锌、氧化锌和氧化锌铝中的至少一种，如此保证了光电转换膜20的透过率，从而避免对壳体组件100外观效果改善的影响。在本技术实施方式中，过渡层222的材质包括氧化镍(nio
x
)、氧化铝和氧化银中的至少一种，如此保证了光电转换膜20的透过率，从而避免对壳体组件100外观效果改善的影响，同时保证电子传输层22的lumo(最低未占分子轨道)能级低于吸光层21的导带能级，促进电子从吸光层21向电子传输层22传输，电子传输层22的homo(最高占有分子轨道)能级低于吸光层21的价带顶能级，有效阻止空穴向电子传输层22传输。在一实施例中，过渡层222的材质包括氧化镍，进一步提升电子传输层22的透过率，同时与含钙钛矿的吸光层21的能级更加匹配，以更好地实现光电转换。在本技术实施方式中，透明导电层221的厚度为100nm-300nm(如100nm-200nm、150nm-250nm或200nm-300nm等)，如此有利于保证光电转换膜20的透过率以及耐弯折性能。具体的，透明导电层221的厚度可以但不限于为100nm、130nm、180nm、200nm、240nm、270nm或290nm等。在本技术实施方式中，过渡层222的
厚度为10nm-50nm(如10nm-20nm、20nm-40nm或40nm-50nm等)，如此有利于保证光电转换膜20的透过率以及耐弯折性能。具体的，过渡层222的厚度可以但不限于为10nm、20nm、25nm、30nm、35nm、43nm或50nm等。
34.在本技术实施方式中，空穴传输层23的材质包括氧化铟锡、掺氟氧化锡、氧化铟锌、氧化锌和氧化锌铝中的至少一种，如此保证了光电转换膜20的透过率，避免对壳体组件100外观效果改善的影响。在本技术实施方式中，空穴传输层23的厚度小于或等于100nm。通过设置较薄厚度的空穴传输层23，保证空穴传输层23的电阻较小，提升光电转换效率，同时不易裂开，提高耐弯折性能。具体的，空穴传输层23的厚度可以但不限于为40nm、60nm、80nm、90nm或100nm等。在本技术实施方式中，空穴传输层23的电阻小于或等于10ω。在本技术中，电子传输层22和空穴传输层23可以但不限于通过物理气相沉积(如真空蒸镀、磁控溅射等)、涂覆等方式形成。
35.请参阅图6，为本技术又一实施方式提供的光电转换膜的结构示意图，其中光电转换膜20还包括第一基材层24，第一基材层24设置在电子传输层22远离吸光层21的表面。第一基材层24作为电子传输层22的衬底，便于电子传输层22的形成。在一实施例中，第一基材层24为塑胶层，有利于提升光电转换膜20的柔性。具体的，第一基材层24可以但不限于包括聚碳酸酯层和聚对苯二甲酸乙二醇酯层中的至少一种。在一实施例中，第一基材层24的厚度为20μm-35μm，既能够起到承载的作用，同时不会过多增加光电转换膜20的厚度，不会影响光电转换膜20的耐弯折性能。具体的，第一基材层24的厚度可以但不限于为20μm、23μm、25μm、28μm、30μm或32μm等。
36.请参阅图7，为本技术又一实施方式提供的光电转换膜的结构示意图，其中光电转换膜20还包括第二基材层25，第二基材层25设置在空穴传输层23远离吸光层21的表面。第二基材层25作为空穴传输层23的衬底，便于空穴传输层23的形成。在一实施例中，第二基材层25为塑胶层，有利于提升光电转换膜20的柔性。具体的，第二基材层25可以但不限于包括聚碳酸酯层和聚对苯二甲酸乙二醇酯层中的至少一种。在一实施例中，第二基材层25的厚度为20μm-35μm，既能够起到承载的作用，同时不会过多增加光电转换膜20的厚度，不会影响光电转换膜20的耐弯折性能。具体的，第二基材层25的厚度可以但不限于为20μm、23μm、25μm、28μm、30μm或32μm等。
37.在本技术实施方式中，光电转换膜20的可见光透过率大于或等于30％。如此，既能够保证光电转换膜20的吸光效果，同时也避免光电转换膜20对装饰膜30的遮挡，保证壳体组件100外观效果的提升。具体的，光电转换膜20的可见光透过率可以但不限于为30％、35％、40％、45％、50％或55％等。在本技术实施方式中，光电转换膜20的厚度小于或等于135μm。进一步的，光电转换膜20的厚度小于或等于115μm。如此，保证光电转换膜20的耐弯折性能。在本技术实施方式中，光电转换膜20的弯折半径小于或等于8mm。在本技术中，将光电转换膜20贴附在u型动态弯折机治具上，设置弯折半径，置于室温条件下进行弯折，弯折后无裂纹、折痕等外观不良判定合格，记录此时对应的弯折半径。本技术提供的光电转换膜20的弯折半径小，耐弯折性能优异，可以匹配多种形状的壳体10，使用范围更广。通过检测，本技术提供的光电转换膜20的光电转换效率可以在使用三年后保持在90％以上。
38.多晶硅或者单晶硅体系作为吸光层制作光电转换层时，利用了pn结内部生成的载流子发生相对运动生成电流，再通过前电极将电流导出。由于本征半导体没有杂质和晶格
缺陷，所以导致其导电性差、载流子少以及温度稳定性不好而不能直接用于工业生产，需要将其它类型的杂质掺入到本征半导体中，生成n型和p型半导体。例如掺入磷原子以后，会有一个电子变得非常活跃，形成n型半导体；掺入硼元素以后，会产生一个空穴，形成p型半导体。p型半导体中含有较多的空穴，而n型半导体中含有较多的电子，这样，当p型和n型半导体结合在一起时。在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层，界面的p型一侧带负电，n型一侧带正电，出现了浓度差。n区的电子会扩散到p区，p区的空穴会扩散到n区，一旦扩散就形成了一个由n指向p的“内电场”，从而阻止扩散进行。达到平衡后，就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差，从而形成pn结。当晶片受光后，pn结中，n型半导体的空穴往p型区移动，而p型区中的电子往n型区移动，从而形成从n型区到p型区的电流。然后在pn结中形成电势差，这就形成了电源。然而硅体系的光电转换效率较低，极限效率只有30％，并且体系脆性大，折弯角度很难做大，很难做成柔性薄膜器件，同时硅体系的膜片无法做成透明，影响壳体组件外观效果的设计。因此，本技术提供的光电转换膜20具有优异的可见光透过率以及耐弯折性能，适用于不同类型的壳体10中，实现壳体组件100功能以及外观效果的改善。
39.在本技术中，通过设置装饰膜30改善、提升壳体组件100的外观效果。在本技术实施方式中，装饰膜30包括纹理层、镀膜层和颜色层中的至少一层。
40.在本技术中，纹理层使得壳体组件100具有纹理视觉效果，提高外观表现力；纹理层表面具有纹理结构，纹理结构可以选自微透镜、直线柱透镜、曲线柱透镜、直线、曲线、菲涅尔透镜和cd纹中的至少一种。在一实施例中，纹理层的厚度为8μm-15μm。具体的，纹理层的厚度可以但不限于为9μm、10μm、11μm、12μm、13μm、14μm或15μm等。在一实施例中，纹理层的可见光透过率大于80％。进一步的，纹理层的可见光透过率大于90％。如此，不会对其他层结构的外观效果产生影响。在本技术中，纹理层可以通过由光固化胶固化形成，例如可以通过覆盖光固化胶，经压印和固化后形成纹理层。可以理解的，装饰膜30中可以具有至少一层纹理层，如具有多层纹理层，进一步丰富壳体组件100的外观效果。
41.在本技术中，当壳体组件100具有镀膜层时，镀膜层使壳体组件100具有不同颜色的光泽变化，赋予壳体组件100不同的质感，提高外观表现力。在一实施方式中，镀膜层包括光学膜层和金属质感层中的至少一层。光学膜层可以使壳体组件100呈现色泽变化，金属质感层可以使壳体组件100呈现金属光泽。在一实施例中，光学膜层包括交替层叠设置的低折射率光学薄膜和高折射率光学薄膜。具体的，光学膜层的材质可以但不限于包括tio2、ti3o5、nbo2、nb2o3、nb2o2、nb2o5、al2o3、sio2和zro2中的至少一种。在一实施例中，光学膜层的厚度为300nm-800nm。具体的，光学膜层的厚度可以但不限于为300nm、400nm、500nm、600nm、700nm或800nm等。在一实施例中，金属质感层由金属材质构成，可以但不限于为铟、锡或铟锡合金。在本技术中，由于金属质感层的透光率低，当装饰膜30包含金属质感层时，需要避免金属质感层对光电转换膜20吸光的影响。在一实施例中，金属质感层的厚度为40nm-70nm。具体的，金属质感层的厚度可以但不限于为40nm、45nm、50nm、55nm、60nm或70nm等。
42.在本技术中，当壳体组件100具有颜色层，颜色层使壳体组件100具有不同的颜色。颜色层的颜色可以但不限于为白色、黄色、红色、蓝色、绿色、紫色等。在一实施例中，可以通过涂覆颜色油墨经固化形成颜色层。在本技术中，颜色层可以为透光层，从而不会影响光电转换膜20的吸光率。在一实施方式中，颜色层为变色调光层，变色调光层包括层叠设置的第
一导电层、变色调光膜和第二导电层，变色调光膜能够在第一导电层与第二导电层施加电压时改变自身的颜色和/或透光率。进一步的，电子传输层22和空穴传输层23分别与第一导电层、第二导电层连接，从而使变色调光膜的颜色和/或透光率发生变化。具体的，变色调光膜包括电致变色膜、聚合物液晶层(聚合物分散液晶层或聚合物网络液晶层)中的至少一种。当时颜色层包括电致变色膜时，通过利用光电转换膜20产生的电流使电致变色膜发生颜色变化，从而改变壳体组件100的外观效果；当颜色层包括聚合物液晶层时，通过利用光电转换膜20产生的电流使聚合物液晶层的透过率发生变化，实现镜面或雾面的效果。
43.在本技术实施方式中，装饰膜30还包括遮光层，遮光层的可见光透过率小于5％。通过设置遮光层，从而对电子设备200内部进行遮挡。具体的，可以根据壳体10、光电转换膜20以及装饰膜30的位置关系设置遮光层。在一实施例中，遮光层的厚度可以为20μm-35μm。具体的，遮光层的厚度可以但不限于为20μm、23μm、25μm、28μm、30μm或33μm等。
44.在本技术实施方式中，装饰膜30还包括第三基材层，其中纹理层、镀膜层和颜色层中的至少一层设置在第三基材层上。第三基材层作为装饰膜30的衬底，便于成型纹理层、镀膜层、颜色层，以及将装饰膜30与壳体10或光电转换膜20连接。在一实施方式中，第三基材层为塑胶层，有利于提升第三基材层的柔性。具体的，第三基材层可以但不限于包括聚碳酸酯层和聚对苯二甲酸乙二醇酯层中的至少一种。在一实施例中，第三基材层的厚度为20μm-35μm，既能够起到承载纹的作用，同时不会过多增加壳体组件100的厚度。具体的，第三基材层的厚度可以但不限于为20μm、23μm、25μm、28μm、30μm或32μm等。可以理解的，当装饰膜30和光电转换膜20连接时，可以只设置第一基材层24或第三基材层，或者只设置第二基材层25或第三基材层，从而进一步降低壳体组件100的整体厚度。例如，可以直接将纹理层、镀膜层和颜色层中的至少一层设置在第二基材层25上，此时第二基材层25起到承载作用，同时还减少了第三基材层的使用。
45.在本技术实施方式中，装饰膜30的可见光透过率大于或等于30％，如此可以避免对光电转换膜20吸光效果的影响。具体的，装饰膜30的可见光透过率大于或等于30％、35％、40％、45％、50％或55％等。在本技术实施方式中，装饰膜30的厚度为0.35μm-150μm。具体的，装饰膜30的厚度可以但不限于为0.35μm、1μm、15μm、60μm、80μm、125μm或150μm等。
46.在本技术中，对壳体10的形状、尺寸和材质不作限定，可以根据实际需要进行选择和设计。在一实施方式中，壳体10的厚度可以选自0.1mm-1mm中任意值，如壳体10的厚度可以为0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.45mm、0.5mm、0.6mm、0.65mm、0.72mm、0.8mm、0.9mm或1mm等，使得壳体10既能够满足抗冲击的要求，又不至于过厚。在本技术中，壳体10可以为等厚度壳或不等厚度壳，如渐变厚度壳等，从而实现不同的外观效果。在本技术中，壳体10的材质可以但不限于为任何已知的、可以用于电子设备200的壳体10的材料，如塑胶、玻璃、陶瓷、金属等。在一实施方式中，壳体10的可见光透过率大于或等于80％。具体的，壳体10的可见光透过率可以但不限于大于80％、85％、90％、92％、93％或95％等，从而避免对光电转换膜20以及装饰膜30的影响。在一实施例中，可以在壳体10的表面设置图案、文字等，具体的，可以丝印商标图案(logo)等。
47.在一实施方式中，壳体10的形状可以为2d形状、2.5d形状或3d形状。请参阅图8，为本技术一实施方式提供的壳体的结构示意图，其中壳体10包括主体部11和设置在主体部11边缘的延伸部12，主体部11包括相对设置的第一表面111和第二表面112，延伸部12包括相
对设置的第三表面121和第四表面122，第一表面111和第三表面121连接，第二表面112和第四表面122连接，延伸部12向靠近第一表面111的方向弯折。如此，可以得到曲面状的壳体10，提高壳体组件100的立体感。具体的，第一表面111和第二表面112可以为平面，也可以为曲面。在一实施例中，延伸部12还包括第一端面123，第一端面123连接第三表面121和第四表面122，延伸部12的第四表面122与第一端面123之间具有交汇线，延伸部12的第四表面122与第二表面112之间具有连接线，第四表面122在交汇线处的切线与第四表面122在连接线处的切线之间的内夹角为α。可以理解的，内夹角α为靠近壳体10一侧的夹角。在一实施例中，内夹角α不大于90
°
。从而使延伸部12在延伸过程中，第四表面弯折角度更大，曲面程度更加明显，手持感更佳；同时也有利于防止壳体组件100破碎。进一步的，30
°
≤α≤80
°
。延伸部12的设置使得壳体10为曲面壳，本技术提供的光电转换膜20以及装饰膜30具有优异的耐弯折性能，可以在曲面壳表面稳定附着，保证壳体组件100的可靠性。在一具体实施例中，光电转换膜20和/或装饰膜30在壳体10表面的正投影在延伸部12表面。在另一具体实施例中，光电转换膜20和/或装饰膜30在壳体10表面的正投影在延伸部12以及主体部11的表面。在又一具体实施例中，光电转换膜20和/或装饰膜30在壳体10表面的正投影完全覆盖壳体10表面。请参阅图9，为本技术又一实施方式提供的壳体组件的结构示意图，其中壳体组件100包括依次层叠设置的壳体10、光电转换膜20和装饰膜30，壳体10为曲面壳，光电转换膜20和装饰膜30在壳体10表面的正投影覆盖壳体10表面。
48.在本技术中，壳体10包括相对设置的外表面和内表面。在一实施方式中，光电转换膜20和装饰膜30设置在壳体10的内表面。在一实施例中，壳体组件100包括依次层叠设置的壳体10、光电转换膜20和装饰膜30，此时壳体10和装饰膜30均能够起到一定的隔绝水氧的作用，提高光电转换膜20的使用寿命。在另一实施例中，壳体组件100包括依次层叠设置的壳体10、装饰膜30和光电转换膜20。在另一实施方式中，光电转换膜20和装饰膜30设置在壳体10的外表面。在一实施例中，壳体组件100包括依次层叠设置的光电转换膜20、装饰膜30和壳体10。在另一实施例中，壳体组件100包括依次层叠设置的装饰膜30、光电转换膜20和壳体10。在又一实施方式中，光电转换膜20设置在壳体10的外表面，装饰膜30设置在壳体10的内表面。在又一实施方式中，光电转换膜20设置在壳体10的内表面，装饰膜30设置在壳体10的外表面。
49.在本技术实施方式中，壳体组件100还包括第一封装层40，第一封装层40围绕光电转换膜20的外周设置。通过设置第一封装层40，防止外界水氧从光电转换膜20的外周渗入到光电转换膜20内，提高光电转换膜20的使用寿命以及可靠性。请参阅图10，为本技术又一实施方式提供的壳体组件的结构示意图，其中壳体组件100包括壳体10、光电转换膜20、装饰膜30和第一封装层40，第一封装层40围绕光电转换膜20的外周设置。在一实施例中，光电转换膜20和第一封装层40在壳体10表面的正投影完全覆盖壳体10表面。在一实施例中，第一封装层40的材质可以包括紫外光固化胶。具体的，紫外光固化胶具有阻隔水氧的作用。在一实施例中，第一封装层40的厚度大于或等于光电转换膜20的厚度。
50.在本技术实施方式中，壳体组件100还包括第二封装层50，第二封装层50设置在光电转换膜20的表面，壳体10包括相对设置的内表面和外表面，内表面至外表面的方向与光电转换膜20至第二封装层50的方向相同。通过设置第二封装层50，防止外界水氧从光电转换膜20的表面渗入到光电转换膜20内，提高光电转换膜20的使用寿命以及可靠性。在一实
施例中，第二封装层50的材质可以包括聚烯烃弹性体(poe)和乙烯-醋酸乙烯共聚物(eva)中的至少一种。在一具体实施例中，第二封装层50的材质为poe。poe具有优异的水氧阻隔能力和离子阻隔能力，且老化过程不会产生酸性物质，具有优异的抗老化性能。在一实施例中，第二封装层50的厚度为20μm-55μm。如此可以保证第二封装层50的耐弯折性能，能够更好地匹配不同形状的壳体10。具体的，第二封装层50的厚度可以但不限于为20μm、30μm、35μm、40μm、45μm或50μm等。请参阅图11，为本技术又一实施方式提供的壳体组件的结构示意图，其中壳体组件100包括壳体10，以及依次设置在壳体10内表面的第二封装层50、光电转换膜20和装饰膜30。请参阅图12，为本技术又一实施方式提供的壳体组件的结构示意图，其中壳体组件100包括壳体10，依次设置在壳体10内表面的第二封装层50、光电转换膜20和装饰膜30，以及围绕光电转换膜20外周设置的第一封装层40。通过设置第一封装层40和第二封装层50，壳体组件100的水氧阻隔能力达到10-3
的级别，并且在双85测试(温度85℃，且湿度为85％的条件下)21天无任何功能衰减，保证壳体组件100的使用寿命。
51.在本技术实施方式中，壳体组件100还包括连接层60，连接层60用于连接壳体10、光电转换膜20以及装饰膜30中的任意相邻的两层。具体的，连接层60可以但不限于为光学胶层，从而保证连接层60为透光层。在一实施例中，连接层60的厚度可以但不限于为12μm-30μm(如12μm、14μm、15μm、18μm、20μm、25μm、27μm、28μm、29μm或30μm等)。在一实施例中，壳体10、光电转换膜20和装饰膜30依次层叠设置，连接层60可以设置在壳体10和光电转换膜20之间，也可以设置在光电转换膜20和装饰膜30之间。请参阅图13，为本技术又一实施方式提供的壳体组件的结构示意图，其中壳体组件100包括依次层叠设置的壳体10、连接层60、光电转换膜20和装饰膜30。
52.在本技术中，将长度为150mm、宽度为60mm的壳体10、光电转换膜20以及装饰膜30依次层叠设置，置于户外进行测试，功率基本在1.5w-2w，等效于1h增加400mah-540mah电量；例如一块电池常见电量为4500mah，如果按照户外2h，户内10h计算，每天光电转换膜20产生电量在1000mah左右，也就是每天可以为电池提供20％左右容量的电量。因此，本技术提供的壳体组件100可以为电子设备200提供电能，等效增加了电子设备200中电池201的续航，为电子设备200的紧急开机提供电能，
53.在一实施例中，壳体组件100包括依次层叠设置的500μm厚的壳体10、25μm厚的连接层60、50μm厚的第二封装层50、25μm厚的第一基材层24、0.2μm厚的透明导电层221、0.01μm厚的过渡层222、1μm厚的吸光层21、0.1μm厚的空穴传输层23、25μm厚的第二基材层25、25μm厚的连接层60、25μm厚的第三基材层、0.4μm厚的光学膜层、10μm厚的纹理层、0.4μm厚的光学膜层、30μm厚的遮光层。将长度为150mm、宽度为60mm的壳体组件100置于户外，对壳体组件100的功率进行检测，结果如图14所示，可以看出户外测试的功率基本在1.5w-2w。在一实施例中，上述壳体组件100中10μm厚的纹理层、0.4μm厚的光学膜层和30μm厚的遮光层可以设置在25μm厚的第三基材层上，通过25μm厚的连接层60与设置在25μm厚的第三基材层上的0.4μm厚的光学膜层连接。进一步的，壳体组件100还包括围绕光电转换膜20外周设置的第一封装层40。在另一实施例中，壳体组件100包括依次层叠设置的500μm厚的壳体10、15μm厚的连接层60、23μm厚的第二封装层50、25μm厚的第一基材层24、0.2μm厚的透明导电层221、0.01μm厚的过渡层222、1μm厚的吸光层21、0.1μm厚的空穴传输层23、25μm厚的第二基材层25、10μm厚的纹理层、0.4μm厚的光学膜层、30μm厚的遮光层。进一步的，上述壳体组件100还
包括围绕光电转换膜20外周设置的第一封装层40。上述实施例中的光电转换膜20的透过率均大于或等于30％且弯折半径小于或等于8mm。
54.本技术还提供了壳体组件100的制备方法，包括：在壳体10表面形成光电转换膜20和装饰膜30，光电转换膜20和装饰膜30设置在壳体10的同侧或相对两侧。光电转换膜20和装饰膜30中各层制备方法参见上述描述，在此不再赘述。在本技术一实施方式中，可以在壳体10表面先形成光电转换膜20后，再形成装饰膜30；也可以在壳体10表面先形成装饰膜30后，再形成光电转换膜20。在本技术一实施方式中，可以在壳体10上形成光电转换膜20中的各层结构，也可以将成型的光电转换膜20直接与壳体10连接。在本技术一实施方式中，可以在壳体10上形成装饰膜30中的各层结构，也可以将成型的装饰膜30直接与壳体10连接。
55.本技术还提供了一种电子设备200，该电子设备200包括上述任一实施方式中的壳体组件100。通过设置该壳体组件100，提高了电子设备200的外观效果，并且能够为电子设备200供电，提高电子设备200的产品竞争力和使用时长，更能够满足使用需求。可以理解的，电子设备200可以但不限于为物联网产品，如手机、平板电脑、笔记本电脑、手表、mp3、mp4、gps导航仪、数码相机、车辆等，壳体组件100可以但不限于为电子设备200的外壳、后壳、电池盖、前盖、中框、按键帽、表盘等。请参阅图15，为本技术一实施方式提供的电子设备的示意图，电子设备200包括上述任一实施方式中的壳体组件100以及电池201，电池201与光电转换膜20电连接，使得光电转换膜20产生的电能传输至电池201中，从而为电池201供电。具体的，可以但不限于通过充电芯片将电池201与光电转换膜20进行电连接。请参阅图15，电子设备200还包括与壳体组件100连接的显示屏。其中，显示屏上可以显示壳体组件100中光电转换膜20产生的电量，显示屏上也可以显示光电转换膜20片提供的电量向电池201传输时充电电流等，更具有科技感。
56.以上对本技术实施方式所提供的内容进行了详细介绍，本文对本技术的原理及实施方式进行了阐述与说明，以上说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。