MEMS芯片封装结构、具有其的超声波传感器及封装工艺的制作方法

技术特征：
1.mems芯片封装结构，其特征在于，包括：mems芯片(5)，所述mems芯片(5)具有相对的正面和背面，所述mems芯片(5)的背面具有背腔；封装基板(1)，所述封装基板(1)与所述mems芯片(5)的正面对应固定连接；第一焊接凸起(9)，所述封装基板(1)靠近mems芯片(5)的表面上设置有第一焊接凸起(9)，所述第一焊接凸起(9)用于所述封装基板(1)与所述mems芯片(5)的电连接，所述封装基板(1)与所述mems芯片(5)之间的空间限定出密封腔(2)。2.根据权利要求1所述的mems芯片封装结构，其特征在于，所述mems芯片(5)的正面设置有焊垫，所述第一焊接凸起(9)与所述焊垫电连接。3.根据权利要求2所述的mems芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板(1)与所述mems芯片(5)之间的空间通过灌封胶(4)限定出密封腔(2)。4.根据权利要求1所述的mems芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板(1)具有第一焊盘(11)和第二焊盘(12)，所述第一焊盘(11)与所述mems芯片(5)的信号线对应电连接，所述第二焊盘(12)与所述mems芯片(5)的接地线对应电连接。5.根据权利要求1所述的mems芯片封装结构，其特征在于，所述密封腔(2)的厚度与第一焊接凸起(9)的高度相同。6.根据权利要求1所述的mems芯片封装结构，其特征在于，还包括第二焊接凸起(10)，所述第二焊接凸起(10)设置在所述封装基板(1)靠近所述mems芯片(5)的表面，所述第二焊接凸起(10)用于对所述mems芯片(5)的调平。7.超声波传感器，其特征在于，包括：以上权利要求1-6中任一项所述的mems芯片封装结构；封装外壳(3)，所述封装外壳(3)具有收容腔，所述封装外壳(3)与封装基板(1)密封连接，所述mems芯片(5)位于所述收容腔内。8.根据权利要求7所述的超声波传感器，其特征在于，还包括盖板(6)，所述盖板(6)与所述封装外壳(3)远离所述封装基板(1)的表面密封连接，所述盖板(6)上开设有声孔(8)。9.根据权利要求7所述的超声波传感器，其特征在于，还包括防水防尘膜(7)，所述防水防尘膜(7)与所述盖板(6)密封连接。10.封装工艺，用于形成所述权利要求1-9中任一所述的封装结构，其特征在于，所述封装工艺包括：从晶圆上切割取下mems芯片(5)，所述mems芯片(5)具有相对正面及背面，背面具有背腔；设置与所述mems芯片(5)正面固定连接的封装基板(1)，所述封装基板(1)靠近mems芯片(5)的表面具有第一焊盘(11)和第二焊盘(12)；在mems芯片(5)正面形成焊垫，在所述第一焊盘(11)和第二焊盘(12)上形成与所述焊垫焊接的第一焊接凸起(9)，所述第一焊接凸起(9)分别与所述封装基板(1)以及所述mems芯片(5)电连接；在所述mems芯片(5)与所述封装基板(1)之间的空间中填充灌封胶(4)，并固化胶水，在所述mems芯片(5)与所述封装基板(1)之间形成密封腔(2)。11.根据权利要求10所述的封装工艺，其特征在于，还包括：
在所述封装基板(1)上形成第二焊接凸起(10)，所述第二焊接凸起(10)用于mems芯片(5)安装过程中的调平。12.根据权利要求11所述的封装工艺，其特征在于，还包括：设置与封装基板(1)固定的封装外壳(3)，所述封装基板(1)与所述封装外壳(3)密封连接，所述封装外壳(3)具有收容腔，所述mems芯片(5)位于所述收容腔内。13.根据权利要求12所述的封装工艺，其特征在于，还包括：设置与封装外壳(3)密封连接的盖板(6)，在所述盖板(6)上开设声孔(8)。14.根据权利要求13所述的封装工艺，其特征在于，还包括：设置与盖板(6)密封连接的防水防尘膜(7)。15.根据权利要求14所述的封装工艺，其特征在于，还包括：对封装后的产品进行测试及包装。

技术总结
本发明公开了MEMS芯片封装结构，包括MEMS芯片和封装基板；具有其的超声波传感器，包括MEMS芯片封装结构和封装外壳；封装工艺，包括以下步骤：取片；植锡球；倒装焊接；粘接封装外壳；注灌封胶；粘接盖板；粘接防水防尘膜；测试并包装。本发明通过在超声波传感器内的MEMS芯片与封装基板之间增设密封腔，密封腔为MEMS芯片的振膜施加空气阻尼，避免超声波传感器停止发射信号时，减小振膜自身的余震和拖尾信号屏蔽近距离的回波信号，减小超声波传感器的盲区时间。时间。时间。


技术研发人员：慈伟杰 储清清
受保护的技术使用者：合肥领航微系统集成有限公司
技术研发日：2022.09.06
技术公布日：2022/11/11