用于创建均匀近场充电区域的无线功率发射设备的制作方法

技术特征：
1.一种近场充电系统，所述近场充电系统用于增大可用于无线功率接收器的可用无线充电区域，所述近场充电系统包括：壳体，所述壳体包括：充电表面和至少一个其他表面，辐射天线，以及非辐射元件，所述非辐射元件定位在所述壳体内所述辐射天线上方，使得所述非辐射元件比所述辐射天线更靠近所述充电表面，其中：所述辐射天线被配置为产生第一电磁场分布，所述第一电磁场分布被配置为由放置在所述壳体的所述充电表面上的无线功率接收器接收，所述第一电磁场分布被配置为当所述无线功率接收器被放置在所述壳体的所述充电表面的第一部分上的任何位置时，向所述无线功率接收器提供至少200毫瓦的可用功率；所述非辐射元件被配置为改变所述第一电磁场分布的分布特性以产生第二电磁场分布，所述第二电磁场分布被配置为当所述无线功率接收器被放置在跨所述壳体的所述充电表面的第二部分的任何位置时，向所述无线功率接收器提供至少200毫瓦的可用功率，进一步地，其中，所述第二部分比所述第一部分大至少10％。2.如权利要求1所述的近场充电系统，所述第二电磁场分布被配置为当所述无线功率接收器被放置在跨所述壳体的所述充电表面的第二部分的任何位置时，向所述无线功率接收器提供至少220毫瓦的可用功率。3.如权利要求1所述的近场充电系统，所述第二电磁场分布被配置为当所述无线功率接收器被放置在跨所述壳体的所述充电表面的第二部分的任何位置时，向所述无线功率接收器提供至少1瓦特的可用功率。4.如权利要求1所述的近场充电系统，所述第二电磁场分布被配置为当所述无线功率接收器被放置在跨所述壳体的所述充电表面的第二部分的任何位置时，向所述无线功率接收器提供至少5瓦特的可用功率。5.如权利要求1至4中任一项所述的近场充电系统，其中，所述壳体的所述充电表面的所述第一部分覆盖的区域包括所述充电表面的70％的表面面积。6.如权利要求1至5中任一项所述的近场充电系统，其中：所述辐射天线被配置为产生第一反射系数，并且将所述非辐射元件定位在所述壳体内所述辐射天线上方，使得所述非辐射元件比所述辐射天线更靠近所述充电表面，所述辐射天线被配置为产生比所述第一反射系数小12％的第二反射系数，从而使所述近场充电系统的回波损耗减少。7.如权利要求6所述的近场充电系统，其中，所述第二反射系数在-13db至-16db之间变化。8.如权利要求6所述的近场充电系统，其中，所述第二反射系数小于-10db。9.如权利要求1所述的近场充电系统，所述第二电磁场分布被配置为相对于所述第一电磁场分布在所述壳体的所述充电表面上更少的位置向所述无线功率接收器提供超过200毫瓦的可用功率。10.如权利要求1至9中任一项所述的近场充电系统，其中，所述充电表面具有被配置为接收和部分地容纳音频输出设备的凹陷部，并且进一步地，其中，所述无线功率接收器被耦
接到所述音频输出设备，并且所述无线功率接收器被配置为向所述音频输出设备提供所述至少200毫瓦的可用功率以用于充电或供电目的。11.如权利要求10所述的近场充电系统，其中，所述音频输出设备为单个入耳式音频输出设备。12.如权利要求1至11中任一项所述的近场充电系统，其中：所述辐射天线具有形状，并且所述辐射天线被定向为在所述壳体内具有第一取向；并且所述非辐射元件具有所述形状和在所述壳体内的第一取向。13.如权利要求1至11中任一项所述的近场充电系统，其中：所述辐射天线具有形状，并且所述辐射天线被定向为在所述壳体内具有第一取向；所述非辐射元件具有：相同的形状；以及在所述壳体内的第二取向，所述第二取向与所述第一取向不同。14.如权利要求1至13中任一项所述的近场充电系统，其中，所述辐射天线被连接到馈电线，而所述非辐射元件不被连接到馈电线。15.如权利要求1至14中任一项所述的近场充电系统，其中，非导电材料被放置在所述辐射天线与所述非辐射元件之间，其中，所述非导电材料将所述辐射天线与所述非辐射元件电隔离。16.如权利要求1至15中任一项所述的近场充电系统，其中，所述辐射天线和所述非辐射元件二者都具有相同的辐射天线设计，所述辐射天线设计选自由pifa天线设计、贴片天线设计和偶极天线设计组成的组。17.如权利要求1至16中任一项所述的近场充电系统，其中，所述非辐射元件定位在所述壳体内所述辐射天线上方至少1毫米处，使得所述非辐射元件比所述辐射天线更靠近所述充电表面。18.一种构建近场充电系统的方法，所述近场充电系统增大可用于无线功率接收器的可用无线充电区域，所述方法包括：提供包括充电表面和至少一个其他表面的壳体；将辐射天线放置在所述壳体内，所述辐射天线被配置为产生第一电磁场分布，所述第一电磁场分布被配置为由放置在所述壳体的所述充电表面上的无线功率接收器接收，所述第一电磁场分布被配置为当所述无线功率接收器被放置在所述壳体的所述充电表面的第一部分上的任何位置时，向所述无线功率接收器提供至少200毫瓦的可用功率；将非辐射元件放置在所述壳体内所述辐射天线上方的位置，使得所述非辐射元件比所述辐射天线更靠近所述充电表面，其中，将所述非辐射元件放置在所述壳体内所述辐射天线上方的位置改变了所述第一电磁场分布的分布特性以产生第二电磁场分布，所述第二电磁场分布被配置为当所述无线功率接收器被放置在跨所述壳体的所述充电表面的第二部分的任何位置时，向所述无线功率接收器提供至少200毫瓦的可用功率，其中，所述第二部分比所述第一部分大至少10％。

技术总结
一种示例近场充电系统，包括壳体，该壳体包括充电表面和至少一个其他表面、辐射天线以及非辐射元件，该非辐射元件定位在该壳体内该辐射天线上方，使得该非辐射元件比该辐射天线更靠近该充电表面。辐射天线产生由接收器接收的第一电磁场分布，当接收器放置在充电表面的第一部分上的任何位置时，第一电磁场提供可用功率。非辐射元件改变第一电磁场分布的分布特性以产生第二电磁场分布，当接收器放置在跨壳体的充电表面的第二部分的任何位置时，第二电磁场分布向接收器提供可用功率，并且第二部分比第一部分大至少10％。比第一部分大至少10％。比第一部分大至少10％。


技术研发人员：S
受保护的技术使用者：艾诺格思公司
技术研发日：2021.04.13
技术公布日：2022/11/11