刻蚀方法与流程

技术特征：
1.一种刻蚀方法，用以刻蚀被刻蚀件，所述被刻蚀件包括层叠设置的基层和含氧硅层，所述含氧硅层背离所述基层的表面设有含氮硅区和被刻硅区，其特征在于，所述刻蚀方法包括：将所述被刻蚀件传入工艺腔室；将工艺气体和稀释气体通入所述工艺腔室，其中，所述工艺气体包括含有氟元素的第一气体，以及含有氢元素的第二气体，通入的所述工艺气体中氢原子和氟原子的比例大于或等于3：2，所述稀释气体在所述工艺腔室内的体积分数大于或等于80％；将所述工艺气体和所述稀释气体形成等离子体，以刻蚀所述被刻蚀件。2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述氟元素的自由基与氟化氢分子之间的比例小于1％。3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一气体包括三氟化氮、六氟化硫和氟化氢中的至少一者，所述第二气体包括氢气、氨气和硫化氢中的至少一者。4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述稀释气体包括氩气和氦气中的至少一者。5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一气体为三氟化氮，所述第二气体为氢气，所述第一气体和所述第二气体的比例小于4：9。6.根据权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一气体的流量范围为20～40sccm，所述第二气体的流量范围为55～85sccm，所述稀释气体包括氦气和氩气，所述氦气的流量范围为400～500sccm，所述氩气的流量范围为400～500sccm。7.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述刻蚀方法的进行过程中，所述工艺腔室的压力为300mtorr～500mtorr，上射频电源的功率范围为400w～600w之间，下射频电源的功率范围为0～500w之间。8.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述将所述工艺气体和所述稀释气体形成等离子体包括：在所述工艺腔室内的压力波动小于
±
10％的情况下，电感耦合所述工艺气体和所述稀释气体，将所述工艺气体和所述稀释气体形成等离子体。9.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述将所述被刻蚀件传入工艺腔室包括：将所述被刻蚀件传入工艺腔室的承载装置上，且维持所述被刻蚀件的温度保持在30～70℃之间。10.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，通入的所述工艺气体中氢原子和氟原子的比例小于10。

技术总结
本申请公开一种刻蚀方法，用以刻蚀被刻蚀件，所述刻蚀方法包括：将所述被刻蚀件传入工艺腔室；将工艺气体和稀释气体通入所述工艺腔室，其中，所述工艺气体包括含有氟元素的第一气体，以及含有氢元素的第二气体，通入的所述工艺气体中氢原子和氟原子的比例大于或等于3：2，所述稀释气体在所述工艺腔室内的体积分数大于或等于80％；将所述工艺气体和所述稀释气体形成等离子体，以刻蚀所述被刻蚀件。采用上述刻蚀方法可以被刻蚀件，可以尽量防止在刻蚀过程中形成沉积物，简化膜层结构的刻蚀过程。程。程。


技术研发人员：王启飞 朱海云 王京
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2022.08.17
技术公布日：2022/11/11