用于制造微机械传感器的方法与流程

技术特征：
1.一种用于制造微机械传感器(100)的方法，其具有以下步骤：将第一氧化物牺牲层(2)施加到衬底(1)上；通过在所述第一氧化物牺牲层(2)中的开口(x3)去除所述衬底(1)的材料；通过施加第二氧化物牺牲层(6)封闭在所述第一氧化物牺牲层(2)中的所述开口(x3)；在载体结构(3a，3b)上构造感测区域(20)，其中，将所述感测区域(20)和所述载体结构(3a，3b)构造在所述氧化物牺牲层(2，6)上，并且所述感测区域(20)和/或所述载体结构(3a，3b)通过至少一个形成柔性结构(15)的附接区域(30)与所述衬底(1)连接；以及借助蚀刻工艺至少部分地去除在所述载体结构(3a，3b)和所述衬底(1)之间的氧化物牺牲层(2，6)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，为了去除在所述载体结构(3a，3b)和所述衬底(1)之间的氧化物牺牲层(2，6)，在所述衬底(1)中构造沟道(1a)和/或沟槽结构(1b)。3.根据权利要求2所述的方法，其中，以在所述衬底中的所述沟道(1a)和/或所述沟槽结构(1b)的形式的支撑结构用第一氧化物牺牲层(2)来填充并且在另一个制造过程中用作所述载体结构(3a，3b)的支持件。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，各向同性或各向异性地构造蚀刻工艺以在所述衬底中产生作为蚀刻通道的所述沟道(1a)和/或所述沟槽结构(1b)和/或产生用于支持载体结构的所述支撑结构。5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其中，为了构造所述沟道(1a)，通过在所述第一氧化物牺牲层(2)中的开口部分地去除在所述第一氧化物牺牲层(2)下方的衬底，并且通过施加所述第二氧化物牺牲层(6)封闭在所述第一氧化物牺牲层(2)中的所述开口。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述载体结构(3a，3b)上构造朝向所述衬底(1)定向的隆起(9)，和/或，在所述衬底(1)上构造朝向所述载体结构(3a，3b)定向的隆起。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述载体结构(3a，3b)上构造朝向所述衬底(1)定向的柱(12)。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述柱(12)与所述衬底(1)连接或与所述衬底(1)间隔开地构造。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述氧化物牺牲层(2，6)上构造具有限定的层厚度的第一多晶硅层(3a)。10.根据权利要求6至9中任一项所述的方法，其中，作为载体结构(3a，3b)在第一多晶硅层(3a)上构造具有限定的层厚度的第二多晶硅层(3b)。11.根据权利要求9或10所述的方法，其中，在所述第一多晶硅层(3a)的朝向所述衬底(1)定向的一侧上构造耐蚀刻层(4)。12.根据权利要求6至11中任一项所述的方法，其中，所述载体结构(3a，3b)到所述衬底1的附接区域(30)至少部分和/或局部地构造成单晶的。13.根据权利要求6至12中任一项所述的方法，其中，所述载体结构(3a，3b)到所述衬底1的附接区域(30)构造成多晶的。14.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述附接区域(30)中构造电路部件，所述电路部件利用印制导线(13)附接到所述感测区域(20)。
15.一种微机械传感器(100)，其具有：载体结构(3a，3b)，所述载体结构具有构造在载体结构(3a，3b)上的感测区域(20)；其中，所述载体结构(3a，3b)向下至少部分地与所述衬底(1)间隔开并且在侧向上至少区段式地附接到所述衬底(1)。

技术总结
一种用于制造微机械传感器(100)的方法，其具有以下步骤：将第一氧化物牺牲层(2)施加到衬底(1)上；通过在所述第一氧化物牺牲层(2)中的开口(x3)去除所述衬底(1)的材料；通过施加第二氧化物牺牲层(6)封闭在所述第一氧化物牺牲层(2)中的所述开口(x3)；在载体结构(3a，3b)上构造感测区域(20)，其中，所述感测区域(20)和所述载体结构(3a，3b)构造在所述氧化物牺牲层(2，6)上，并且所述感测区域(20)和/或所述载体结构(3a，3b)通过至少一个形成柔性结构(15)的附接区域(30)与所述衬底(1)连接；以及借助蚀刻工艺至少部分地去除在所述载体结构(3a，3b)和所述衬底(1)之间的氧化物牺牲层(2，6)。6)。6)。


技术研发人员：T
受保护的技术使用者：罗伯特
技术研发日：2021.03.22
技术公布日：2022/11/11