显示装置及该显示装置的制造方法与流程

1.本发明的实施例涉及一种显示装置及该显示装置的制造方法。


背景技术：

2.显示装置是以视觉方式显示数据的装置。显示装置可以用作诸如移动电话等的小型产品的显示部，也可以用作诸如电视等的大型产品的显示部。
3.显示装置包括为了向外部显示图像而接收电信号并发光的多个像素。各个像素包括发光元件，例如，在有机发光显示装置的情况下，包括有机发光二极管(oled)作为发光元件。通常，有机发光显示装置在基板上形成薄膜晶体管及有机发光二极管，且有机发光二极管通过自发光而工作。
4.最近，随着显示装置的用途多样化，正在尝试多样的设计以提高显示装置的质量。尤其，正在积极地进行改善包括于显示装置的发光元件的寿命的研究。


技术实现要素：

5.本发明的实施例的目的在于提供一种发光元件的寿命得到改善的显示装置及其制造方法。然而，这些技术问题是示例性的，本发明的范围不受限于此。
6.根据本发明的一方面，提供一种显示装置的制造方法，所述显示装置的制造方法包括如下步骤：在基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成包括暴露所述第一电极的至少一部分的开口的像素定义膜；以及对借由所述开口而暴露至少一部分的所述第一电极的表面执行第一干式清洗，其中，通过执行所述第一干式清洗的步骤，在所述第一电极的表面形成铟-氟(in-f)键。
7.在本实施例中，执行所述第一干式清洗的步骤可以是去除所述第一电极的表面的有机残留物的步骤。
8.在本实施例中，所述有机残留物可以是与所述像素定义膜相同的物质。
9.在本实施例中，执行所述第一干式清洗的步骤可以在15秒钟至45秒钟期间进行。
10.在本实施例中，执行所述第一干式清洗的步骤可以以/分钟至/分钟的蚀刻速率进行。
11.在本实施例中，执行所述第一干式清洗的步骤可以利用氧气(o2)气体来执行。
12.在本实施例中，所述第一电极可以包括铟锡氧化物(ito)。
13.在本实施例中，在x射线光电子能谱(xps)分析中，所述第一电极的表面可以在xps谱图的683ev至687ev结合能处表现峰。
14.在本实施例中，在所述基板上形成第一电极的步骤之前还可以包括如下步骤：在所述基板上形成平坦化层；在所述平坦化层形成通孔；以及对所述平坦化层及所述通孔执行第二干式清洗。
15.在本实施例中，执行所述第二干式清洗的步骤可以以/分钟至/分钟的蚀刻速率在15秒钟至45秒钟期间执行。
16.在本实施例中，执行所述第二干式清洗的步骤可以利用氧气(o2)气体来执行。
17.在本实施例中，在执行所述第一干式清洗的步骤之后还可以包括如下步骤：在所述第一电极上形成中间层；以及在所述中间层上形成第二电极。
18.在本实施例中，所述中间层可以包括有机物。
19.在本实施例中，所述像素定义膜可以包括氟。
20.根据本发明的另一方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括：基板；第一电极，布置于所述基板上；以及像素定义膜，布置于所述第一电极上，并包括暴露所述第一电极的表面的至少一部分的开口，其中，在所述第一电极的表面存在铟-氟(in-f)键。
21.在本实施例中，所述第一电极可以包括铟锡氧化物(ito)。
22.在本实施例中，在x射线光电子能谱(xps)分析中，所述第一电极的表面可以在xps谱图的683ev至687ev结合能处表现峰。
23.在本实施例中，还可以包括：中间层，布置于所述第一电极上；以及第二电极，布置于所述中间层上。
24.在本实施例中，所述中间层可以包括有机物。
25.在本实施例中，所述像素定义膜可以包括氟。
26.根据具体实施方式、权利要求书及附图，除了上述内容之外的其他方面、特征、优点将变得明确。
27.根据如上所述地构成的本发明的一实施例，可以实现发光元件的寿命得到改善的显示装置及其制造方法。当然，本发明的范围不受限于这些效果。
附图说明
28.图1是示意性地示出根据一实施例的显示装置的平面图。
29.图2是示意性地示出根据一实施例的显示面板的平面图。
30.图3是根据一实施例的显示装置的任意一个像素的等效电路图。
31.图4是示意性地示出根据一实施例的显示装置的剖面图。
32.图5是放大图4的a部分的图。
33.图6至图14是示意性地示出根据一实施例的显示装置的制造方法的剖面图。
34.图15是示出对第一电极的表面的x射线光电子能谱(xps)分析结果的曲线图。
35.图16是示出根据第二干式清洗执行时间的蓝色(b)的亮度寿命改善率的折线图。
36.图17是示出根据第二干式清洗执行时间的第一电极的表面的功函数(work function)的折线图。
37.附图标记说明：
38.117：平坦化层
39.210：第一电极
40.220：中间层
41.230：第二电极
具体实施方式
42.本发明可施加多样的变换，并可以具有多种实施例，将在附图中示出特定实施例
并在详细说明中进行详细说明。参照与附图一起详细后述的实施例，将明确理解本发明的效果、特征以及达成这些的方法。然而，本发明并不限定于以下公开的实施例，其可以以多样的形态实现。
43.在以下实施例中，第一、第二等术语并非限定性的含义，而是用于将一个构成要素区别于其他构成要素的目的。
44.在以下实施例中，单数形式包括复数形式，除非在上下文中另有明确说明。
45.在以下实施例中，“包括”或“具有”等术语指说明书上记载的特征或构成要素的存在，并不预先排除添加一个以上的其他特征或构成要素的可能性。
46.在以下实施例中，当膜、区域、构成要素等部分被称为在另一部分“上方”或“上”时，不仅包括在另一部分的紧邻的上方的情形，还可以包括另一膜、区域、构成要素等夹设于两者中间的情形。
47.在附图中，为了便于说明，构成要素的大小可能被扩大或缩小。例如，为了便于说明，任意地示出了附图中所示的各个构成的大小及厚度，因此本发明并非一定限于附图中所示的大小及厚度。
48.在本说明书中，“a和/或b”表示“a”、“b”、或者“a和b”的情况。并且，在本说明书中，“a和b中的至少一个”表示“a”、“b”、或者“a和b”的情况。
49.在以下实施例中，布线“沿第一方向或第二方向延伸”的含义不仅包括以直线形状延伸的情况，还包括沿第一方向或第二方向以“z”字形或曲线形状延伸的情况。
50.在以下实施例中，“平面上”是指从上方观察对象部分，并且“剖面上”是指从侧面观察垂直切割对象部分而获得的剖面。在以下实施例中，“重叠”包括“平面上”的重叠及“剖面上”的重叠。
51.以下，参照附图详细说明本发明的实施例，在参照附图进行说明时，对相同或对应的构成要素赋予相同的附图标记。
52.图1是示意性地示出根据一实施例的显示装置的平面图。
53.参考图1，显示装置1可以包括实现图像的显示区域da和布置于显示区域da周围的周围区域pa。显示装置1可以利用从显示区域da发出的光而向外部提供图像。
54.基板100可以利用玻璃、金属或塑料等多样的材料构成。在一实施例中，基板100可以包括柔性材料。在此，柔性材料可以指容易弯曲、弯折，且可以折叠或卷起的材料。这样的柔性材料的基板100可以利用超薄玻璃、金属或塑料构成。
55.在基板100的显示区域da可以布置有配备诸如有机发光二极管(oled：organic light-emitting diode)之类的多样的显示元件(display element)的像素px。像素px可以构成为多个，并且多个像素px可以以条纹排列、五片瓦排列、马赛克排列等的多样的形态布置而实现图像。
56.当以平面形状观察显示区域da时，显示区域da可以配备为如图1所示的矩形形状。在一实施例中，显示区域da可以配备为三角形、五边形、六边形等的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或者不规则形状等。
57.基板100的周围区域pa是布置于显示区域da周围的区域，并可以是不显示图像的区域。传递欲施加到显示区域da的电信号的多样的布线、印刷电路板或用于附着驱动ic芯片的垫可以位于周围区域pa。
58.图2是示意性地示出根据一实施例的显示面板的平面图。
59.参照图2，显示装置1可以包括显示区域da及周围区域pa，并可以包括布置于显示区域da的多个像素px。多个像素px中的每一个可以包括诸如有机发光二极管(oled)之类的显示元件。各个像素px可以通过有机发光二极管(oled)来发出例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。以下，在本说明书中，各个像素px是指发出彼此不同的颜色的子像素(sub-pixel)，各个像素px可以是例如红色(r)子像素、绿色(g)子像素及蓝色(b)子像素中的一个。显示区域da可以被密封部件(未示出)覆盖，以免受外部空气或水分的影响。
60.各个像素px可以与布置于周围区域pa的外围电路电连接。在周围区域pa可以布置有第一扫描驱动电路130、第二扫描驱动电路131、发光控制驱动电路133、端子140、数据驱动电路150、第一电源供应布线160及第二电源供应布线170。
61.第一扫描驱动电路130及第二扫描驱动电路131可以通过扫描线sl而向各个像素px提供扫描信号。第二扫描驱动电路131可以将显示区域da夹设在与第一扫描驱动电路130之间而与第一扫描驱动电路130平行地布置。布置于显示区域da的像素px中的一部分像素px可以与第一扫描驱动电路130电连接，剩余的像素px可以连接到第二扫描驱动电路131。在一实施例中，可以省略第二扫描驱动电路131。
62.发光控制驱动电路133可以通过发光控制线el而向各个像素px提供发光控制信号。
63.端子140可以布置于基板100的一侧。端子140可以不被绝缘层覆盖而暴露，并与印刷电路板pcb电连接。印刷电路板pcb的端子pcb-p可以与显示装置1的端子140电连接。印刷电路板pcb可以将控制部(未示出)的信号或电源传递到显示装置1。
64.从控制部生成的控制信号可以通过印刷电路板pcb而分别被传递到第一扫描驱动电路130及第二扫描驱动电路131。控制部可以通过第一连接布线161及第二连接布线171而向第一电源供应布线160及第二电源供应布线170分别提供第一电源电压elvdd及第二电源电压elvss(参照图3)。第一电源电压elvdd可以通过与第一电源供应布线160连接的驱动电压线pl而被提供给各个像素px，第二电源电压elvss可以被提供给与第二电源供应布线170连接的各个像素px的第二电极230(参照图4)。
65.数据驱动电路150可以电连接到数据线dl。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接到端子140的连接布线151及与连接布线151连接的数据线dl而被提供给各个像素px。尽管图2示出了数据驱动电路150布置于印刷电路板pcb的情形，但是本发明并不限于此。在一实施例中，数据驱动电路150可以布置于基板100上。例如，数据驱动电路150可以布置于端子140与第一电源供应布线160之间。
66.第一电源供应布线160可以包括将显示区域da夹设在之间而沿第二方向dr2平行地延伸的第一子布线162及第二子布线163。第二电源供应布线170可以以一侧开放的环形形状局部地围绕显示区域da。
67.图3是根据一实施例的显示装置的任意一个像素的等效电路图。
68.参照图3，各个像素px可以包括连接到扫描线sl及数据线dl的像素电路pc和连接到像素电路pc的有机发光二极管oled。
69.像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管t1(driving tft)、开关薄膜晶体管t2(switching tft)及存储电容器cst。开关薄膜晶体管t2可以连接到扫描线sl及数据线dl，
并可以根据通过扫描线sl输入的扫描信号sn而将通过数据线dl输入的数据信号dm传递到驱动薄膜晶体管t1。
70.存储电容器cst可以连接到开关薄膜晶体管t2及驱动电压线pl，并且可以存储对应于从开关薄膜晶体管t2接收的电压与供应到驱动电压线pl的第一电源电压elvdd的差的电压。
71.驱动薄膜晶体管t1可以连接到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且可以对应于存储在存储电容器cst的电压值来控制从驱动电压线pl流过有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以借由驱动电流而发出具有预定的亮度的光。
72.尽管图3示出了像素电路pc包括两个薄膜晶体管及一个存储电容器的情况，但是本发明并不限于此。例如，像素电路pc可以包括三个以上的薄膜晶体管和/或两个以上的存储电容器。
73.图4是示意性地示出根据一实施例的显示装置的剖面图。
74.参照图4，显示装置1可以包括基板100、薄膜晶体管tft、存储电容器cst及有机发光二极管oled。
75.基板100可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或者柔性或可弯曲材料。在基板100具有柔性或可弯曲特性的情况下，基板100可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素之类的高分子树脂。
76.基板100可以具有上述的物质的单层或多层结构，并且在多层结构的情况下，还可以包括无机层。在一实施例中，基板100可以具有有机物/无机物/有机物/无机物的结构。
77.在基板100上可以布置有缓冲层110。缓冲层110可以利用硅氧化物(sio
x
)或硅氮化物(sin
x
)配备。
78.在缓冲层110上可以布置有半导体层act。在一实施例中，半导体层act可以利用氧化物半导体或硅半导体配备。在一实施例中，在半导体层act利用氧化物半导体配备的情况下，半导体层act可以包括选自包含铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)及锌(zn)的组中的至少一种物质的氧化物。例如，半导体层act可以是itzo(insnzno)、igzo(ingazno)等。在一实施例中，在半导体层act利用硅半导体配备的情况下，半导体层act可以包括非晶硅(a-si)或对非晶硅(a-si)进行结晶化的低温多晶硅(ltps：low temperature poly-silicon)。
79.在一实施例中，半导体层act可以包括与栅极电极g重叠的沟道区域以及位于沟道区域两侧的源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域可以包括比沟道区域更高浓度的杂质。在此，杂质可以是n型杂质或p型杂质。源极区域及漏极区域可以分别与源极电极s和漏极电极d电连接。
80.在半导体层act上可以布置有第一绝缘层111。第一绝缘层111可以包括包含氧化物或氮化物的无机物。在一实施例中，第一绝缘层111可以包括硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)及锌氧化物(zno
x
)中的至少一种。此时，锌氧化物(zno
x
)可以是氧化锌(zno)和/或过氧化锌(zno2)。第一绝缘层111可以配备为包括无机绝缘物的单层或多层。
81.在第一绝缘层111上可以以与半导体层act至少局部地重叠的方式布置有栅极电
极g。栅极电极g可以包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等，且可以构成为单层或多层。例如，栅极电极g可以是钼(mo)的单层。
82.在栅极电极g上可以布置有第二绝缘层113。第二绝缘层113可以包括选自包含硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)及锌氧化物(zno
x
)的组中的至少一种无机绝缘物。此时，锌氧化物(zno
x
)可以是氧化锌(zno)和/或过氧化锌(zno2)。第二绝缘层113可以配备为包括上述的无机绝缘物的单层或多层。
83.在第一绝缘层111上可以布置有存储电容器cst。存储电容器cst可以包括下部电极ce1及与下部电极ce1重叠的上部电极ce2。存储电容器cst的下部电极ce1和上部电极ce2可以将第二绝缘层113夹设在之间而重叠。在此情况下，第二绝缘层113可以起到存储电容器cst的电介质层的功能。
84.在一实施例中，存储电容器cst的下部电极ce1与薄膜晶体管tft的栅极电极g重叠，存储电容器cst的下部电极ce1可以与薄膜晶体管tft的栅极电极g配备为一体。在另一实施例中，存储电容器cst的下部电极ce1可以与薄膜晶体管tft的栅极电极g隔开，从而作为独立于晶体管tft的栅极电极g的单独的构成要素而布置于第一绝缘层111上。在此情况下，存储电容器cst的下部电极ce1可以与栅极电极g彼此隔开地布置于同一层。
85.存储电容器cst的上部电极ce2可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)，并可以配备为上述的物质的单层或多层。
86.在存储电容器cst的上部电极ce2上可以布置有第三绝缘层115。第三绝缘层115可以包括选自包含硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)及锌氧化物(zno
x
)的组中的至少一种无机绝缘物。此时，锌氧化物(zno
x
)可以是氧化锌(zno)和/或过氧化锌(zno2)。第三绝缘层115可以配备为包括上述的无机绝缘物的单层或多层。
87.在第三绝缘层115上可以布置有源极电极s和/或漏极电极d。源极电极s和/或漏极电极d可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电物质，并可以形成为包括上述的材料的多层或单层。在一实施例中，源极电极s和/或漏极电极d可以构成为ti/al/ti的多层结构。
88.在一实施例中，源极电极s及漏极电极d可以分别通过定义在第一绝缘层111、第二绝缘层113及第三绝缘层115的接触孔cnt而与源极区域及漏极区域电连接。
89.在源极电极s及漏极电极d上可以布置有平坦化层117。平坦化层117可以通过利用有机物质或无机物质构成的膜形成为单层或多层。在一实施例中，平坦化层117可以包括诸如苯并环丁烯、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯之类的一般的通用高分子、具有酚系基团的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子及它们的共混物。或者，平坦化层117可以包括硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)或锌氧化物(zno
x
)等。此时，锌氧化物(zno
x
)可以是氧化锌(zno)和/或过氧化锌(zno2)。在形成平坦化层117之后，为了提供平坦的上表面，可以执行化学机械抛光。
90.尽管未示出，但是平坦化层117也可以配备为包括第一平坦化层和第二平坦化层的多层结构。
91.在平坦化层117上可以布置有发光元件。在一实施例中，发光元件可以是有机发光二极管oled。在一实施例中，有机发光二极管oled可以包括第一电极210、中间层220及第二电极230。此时，第一电极210可以为阳极，第二电极230可以为阴极。
92.在平坦化层117上可以布置有第一电极210。第一电极210可以是(半)透光性电极或反射电极。第一电极210可以配备为利用铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)、铜(cu)及它们的化合物等而形成的反射膜和形成于反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以利用选自包括铟锡氧化物(ito：indium tin oxide)、铟锌氧化物(izo：indium zinc oxide)、锌氧化物(zno：zinc oxide)、铟氧化物(in2o3：indium oxide)、铟镓氧化物(igo：indium gallium oxide)及铝锌氧化物(azo：aluminum zinc oxide)的组中的至少一种而构成。例如，第一电极210可以配备为ito/ag/ito依次堆叠的结构。即，第一电极210的最外围层可以包括铟锡氧化物(ito)。
93.在一实施例中，第一电极210可以通过定义在平坦化层117的通孔117a而电连接到源极电极s或漏极电极d。
94.在平坦化层117上可以布置有像素定义膜180，并且像素定义膜180可以包括暴露第一电极121的至少一部分的开口op。即，第一电极210的表面210a的至少一部分可以被定义在像素定义膜180的开口op暴露。
95.在一实施例中，可以将被像素定义膜180的开口op暴露的区域定义为发光区域。并且，发光区域的周围为非发光区域，非发光区域可以围绕发光区域的至少一部分。即，显示区域da(图1)可以包括多个发光区域及围绕它们的非发光区域。像素定义膜180可以增加第一电极210与布置于第一电极210上的第二电极230之间的距离，从而可以防止在第一电极210的边缘产生电弧等。
96.像素定义膜180可以包括有机绝缘物。或者，像素定义膜180可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅之类的无机绝缘物。或者，像素定义膜180可以包括有机绝缘物及无机绝缘物。在一实施例中，像素定义膜180可以包括光屏蔽物质，且配备为黑色。光屏蔽物质可以包括碳黑、碳纳米管、包含黑色染料的树脂或膏、金属颗粒(例如镍、铝、钼及其合金)、金属氧化物颗粒(例如铬氧化物)或金属氮化物颗粒(例如铬氮化物)等。在像素定义膜180包括光屏蔽物质的情况下，可以减少因布置于像素定义膜180的下部的金属结构物而引起的外部光的反射。在一实施例中，像素定义膜180可以含有氟(f)。
97.尽管未示出，但是在像素定义膜180上可以布置有间隔件。间隔件可以包括诸如聚酰亚胺之类的有机绝缘物。或者，间隔件可以包括诸如硅氮化物(sin
x
)或硅氧化物(sio
x
)之类的无机绝缘物，或者可以包括有机绝缘物及无机绝缘物。
98.在一实施例中，间隔件可以包括与像素定义膜180相同的物质。在此情况下，像素定义膜180和间隔件可以在利用半色调掩模等的掩模工艺中一起形成。在一实施例中，间隔件和像素定义膜180可以包括不同的物质。
99.在被像素定义膜180暴露至少一部分的第一电极210上可以布置有中间层220。在一实施例中，中间层220可以包括有机物。中间层220可以包括第一功能层、发光层及第二功
能层。第一功能层和第二功能层可以分别选择性地布置于发光层的下方及上方。在一实施例中，在发光层的下方可以布置有第一功能层，并且在发光层的上方可以布置有第二功能层。布置于发光层的下方及上方的第一功能层及第二功能层可以统称为有机功能层。
100.第一功能层可以包括空穴注入层(hil：hole injection layer)和/或空穴传输层(htl：hole transport layer)，第二功能层可以包括电子传输层(etl：electron transport layer)和/或电子注入层(eil：electron injection layer)。
101.发光层可以包括包含发出红色光、绿色光、蓝色光或白色光的荧光物质或磷光物质的有机物。发光层可以包括低分子有机物或高分子有机物。
102.在发光层包括低分子有机物的情况下，中间层220可以具有空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等以单一结构或复合结构堆叠的结构，并且，作为低分子有机物，可以包含包括铜酞菁(cupc：copper phthalocyanine)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-联苯胺(npb：n,n'-di(naphthalene-l-yl)-n,n'-diphenyl-benzidine)、三(8-羟基喹啉)铝(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)(alq3)在内的多样的有机物质。
103.在发光层包括高分子有机物的情况下，中间层220通常可以具有包括空穴传输层及发光层的结构。此时，空穴传输层可以包括pedot，发光层可以包括聚对亚苯基亚乙烯基(ppv：poly-phenylene vinylene)系及聚芴(polyfluorene)系等的高分子物质。这样的发光层可以利用丝网印刷方法或喷墨印刷方法、激光诱导热成像方法(liti：laser induced thermal imaging)等而形成。
104.在中间层220上可以布置有第二电极230。第二电极230可以布置于中间层220上，并且可以布置成覆盖整个中间层220的形态。第二电极230可以布置于显示区域da(图1)的上部，并且可以布置成覆盖整个显示区域da的形态。即，第二电极230可以以利用开口掩模来覆盖布置于显示区域da的像素px的方式一体地形成在整个显示区域da。然而，本发明并不限于此。
105.第二电极230可以包括功函数低的导电性物质。例如，第二电极230可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或它们的合金等的(半)透明层。或者，第二电极230可以在包含上述的物质的(半)透明层上进一步包括诸如ito、izo、zno或in2o3之类的层。
106.图5是放大图4的a部分的图。
107.参照图5，在一实施例中，在第一电极210的表面210a可以存在铟-氟(in-f)键。由于铟-氟(in-f)键存在于第一电极210的表面210a，因此第一电极210的表面210a的功函数可以增加，且由于第一电极210的表面210a的功函数增加，提高了空穴注入特性，从而能够提高有机发光二极管oled的特性。
108.图6至图14是示意性地示出根据一实施例的显示装置的制造方法的剖面图。
109.以下，将参考图6至图14对显示装置的制造方法进行说明。
110.在一实施例中，显示装置的制造方法可以包括如下步骤：在基板100上形成第一电极210；在第一电极210上形成包括暴露第一电极210的至少一部分的开口op的像素定义膜180；以及对被开口op暴露至少一部分的第一电极210的表面210a执行第二干式清洗。并且，在显示装置的制造方法中，在基板100上形成第一电极210的步骤之前还可以包括如下步骤：在基板100上形成平坦化层117；在平坦化层117形成通孔117a；以及对平坦化层117和通
孔117a执行第一干式清洗，并且在执行第二干式清洗的步骤之后还可以包括如下步骤：在第一电极210上形成中间层220；以及在中间层220上形成第二电极230。
111.参照图6，可以执行在基板100上形成平坦化层117的步骤。在基板100上形成平坦化层117的步骤中，可以在基板100上依次形成缓冲层110、半导体层act、第一绝缘层111、栅极电极g、第二绝缘层113、上部电极ce2、第三绝缘层115、源极电极s及平坦化层117。
112.基板100可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或者具有柔性或可弯曲特性的物质。在一实施例中，在母基板上堆叠上述的构成要素，之后母基板可以通过激光切割而分离为多个基板100。
113.在基板100上可以形成有缓冲层110。缓冲层110可以利用硅氧化物(sio
x
)或硅氮化物(sin
x
)配备，且可以借由化学气相沉积(cvd：chemical vapor deposition)或溅射(sputtering)等的沉积方法而形成。
114.在基板100与缓冲层110之间还可以包括阻挡层(未示出)。阻挡层可以起到防止或最小化来自基板100等的杂质渗透到半导体层act。阻挡层可以包括如氧化物或氮化物之类的无机物、或者有机物、或者有机/无机复合物，并可以利用无机物和有机物的单层或多层结构构成。
115.在缓冲层110上可以形成有半导体层act。半导体层act可以通过图案化预半导体层(未示出)来形成。预半导体层可以利用非晶硅或氧化物半导体形成，且可以通过化学气相沉积法沉积。并且，在预半导体层为非晶硅层的情况下，在将其成膜之后，可以借由快速热退火(rta：rapid thermal annealing)法、固相结晶(spc：solid phase crystallzation)法、准分子激光退火(ela：excimer laser annealing)法、金属诱导结晶(mic：metal induced crystallzation)法、金属诱导横向结晶(milc：metal induced lateral crystallzation)法、顺序横向固态(sls：sequential lateral solidification)法等的多样的方法而进行结晶化，从而形成多晶硅层。
116.在一实施例中，半导体层act可以包括选自包含铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、铯(cs)、铈(ce)及锌(zn)的组中的至少一种物质的氧化物。
117.半导体层act可以包括沟道区域和形成在沟道区域的两侧的源极区域及漏极区域。半导体层act可以构成为单层或多层。
118.在半导体层act上可以形成有第一绝缘层111，在第一绝缘层111上可以形成有栅极电极g。栅极电极g可以至少局部地与形成在其下部的半导体层act重叠。例如，在半导体层act中与栅极电极g重叠的部分可以是沟道区域。在一实施例中，在第一绝缘层111上可以形成有存储电容器cst的下部电极ce1。存储电容器cst的下部电极ce1可以与栅极电极g配备为一体。然而，本发明并不限于此。存储电容器cst的下部电极ce1也可以与栅极电极g隔开形成。
119.在栅极电极g上可以形成有第二绝缘层113，在第二绝缘层113上可以形成有存储电容器cst的上部电极ce2。上部电极ce2可以至少局部地与布置于其下部的下部电极ce1重叠。
120.在存储电容器cst的上部电极ce2上可以形成有第三绝缘层115，在第三绝缘层115上可以形成有源极电极s及漏极电极d。源极电极s及漏极电极d可以通过定义在第一绝缘层
111至第三绝缘层115的接触孔cnt而分别连接到半导体层act的源极区域及漏极区域。
121.源极电极s及漏极电极d可以被无机保护层(未示出)覆盖。无机保护层可以是硅氮化物(sin
x
)和硅氧化物(sio
x
)的单层膜或多层膜。无机保护层可以为了覆盖和保护布置于第三绝缘层115上的一部分布线而被引入。
122.在第三绝缘层115上可以以覆盖源极电极s及漏极电极d的方式形成有平坦化层117。在一实施例中，平坦化层117可以包括有机物。例如，平坦化层117可以包括诸如苯并环丁烯、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯之类的一般的通用高分子、具有酚系基团的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子及它们的共混物。
123.参照图7，在基板100上形成平坦化层117的步骤之后，可以执行在平坦化层117形成通孔117a的步骤。在一实施例中，通孔117a可以借由掩模工艺而形成。可以通过定义在平坦化层117的通孔117a来暴露漏极电极d的至少一部分或源极电极s的至少一部分。
124.参照图8，在平坦化层117形成通孔117a的步骤之后，可以对平坦化层117和通孔117a执行第一干式清洗pt1。作为一实施例，第一干式清洗pt1可以是等离子体清洗(plasma treatment)。等离子体清洗对应于通过向氧气(o2)或氩气(ar)施加高频来产生等离子体并将等离子体照射到平坦化层117的表面和通孔117a以通过化学反应清洗平坦化层117的表面和通孔117a的方式。
125.在一实施例中，第一干式清洗pt1可通过投入氧气(o2)来进行。由于氧气(o2)气体的分压高于其他气体的分压，因此可以有效地去除在形成通孔117a时生成的平坦化层117的残留物等。
126.在一实施例中，在第一干式清洗pt1中可以施加压力，并且可以施加源功率和偏置功率。
127.在一实施例中，第一干式清洗pt1可以以/分钟至/分钟的蚀刻速率执行。或者，第一干式清洗pt1可以在15秒钟至45秒钟期间执行。即，第一干式清洗pt1可以以/分钟至/分钟的蚀刻速率在15秒钟至45秒钟期间执行。在一实施例中，第一干式清洗pt1可以以约/分钟的蚀刻速率执行约30秒钟。
128.参照图9，在对平坦化层117和通孔117a执行第一干式清洗pt1的步骤之后，可以执行在平坦化层117上形成第一电极210的步骤。
129.在一实施例中，第一电极210可以通过定义在平坦化层117的通孔117a而电连接到漏极电极d或源极电极s。
130.在一实施例中，第一电极210可以是(半)透光性电极或反射电极。在部分实施例中，第一电极210可以配备有利用ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr及它们的化合物等而形成的反射层和形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以配备有选自包含铟锡氧化物(ito：indium tin oxide)、铟锌氧化物(izo：indium zinc oxide)、锌氧化物(zno：zinc oxide)、铟氧化物(in2o3：indium oxide)、铟镓氧化物(igo：indium gallium oxide)及铝锌氧化物(azo：aluminum zinc oxide)的组中的至少一种。例如，第一电极210可以利用ito/ag/ito配备。
131.参照图10，在平坦化层117上形成第一电极210的步骤之后，可以执行形成像素定
义膜180的步骤。
132.在一实施例中，在平坦化层117上可以形成有像素定义膜180，像素定义膜180可以包括暴露第一电极210的至少一部分的开口op。即，可以借由定义在像素定义膜180的开口op来暴露第一电极210的表面210a的至少一部分。
133.图11是放大图10的b部分的图。
134.参照图10及图11，在形成包括暴露第一电极210的表面210a的至少一部分的开口op的像素定义膜180时，可以在第一电极210的表面210a形成有机残留物or。此时，形成在第一电极210的表面210a的有机残留物or可以是与像素定义膜180相同的物质。例如，有机残留物or可以包括氟(f)。
135.由于形成在第一电极210的表面210a的有机残留物or所包括的氟(f)在驱动面板时可能扩散到利用有机物配备的中间层而污染中间层，因此有机发光二极管的特性可能改变，并且可能存在有机发光二极管的寿命减少等的问题。
136.参照图12，在形成像素定义膜180的步骤之后，可以执行用于去除形成在第一电极210的表面210a的有机残留物or的第二干式清洗pt2。
137.作为一实施例，第二干式清洗pt2可以是等离子体清洗(plasma treatment)。等离子体清洗对应于通过向氧气(o2)或氩气(ar)施加高频来产生等离子体并将等离子体照射到第一电极210的表面210a以通过化学反应清洗第一电极210的表面210a的方式。
138.在一实施例中，可以通过投入氧气(o2)气体来进行第二干式清洗pt2。由于氧气(o2)气体的分压高于其他气体的分压，因此可以有效地去除在形成像素定义膜180时生成的有机残留物or。
139.在一实施例中，在第二干式清洗pt2中可以施加压力，并且可以施加源功率和偏置功率。
140.在一实施例中，第二干式清洗pt2可以以/分钟至/分钟的蚀刻速率执行。或者，第二干式清洗pt2可以在15秒钟至45秒钟期间执行。即，第二干式清洗pt2可以以/分钟至/分钟的蚀刻速率在15秒钟至45秒钟期间执行。在一实施例中，第二干式清洗pt2可以以约/分钟的蚀刻速率执行约30秒钟。
141.在第二干式清洗pt2的蚀刻速率小于/分钟的情况下，在第一电极210的表面210a上形成的有机残留物or可能残留而不被去除，并且在第二干式清洗pt2的蚀刻速率大于/分钟的情况下，第一电极210的最上层可能被损坏。例如，第一电极210的ito电极可能被损坏。因此，通过以/分钟至/分钟的蚀刻速率执行第二干式清洗pt2，可以有效地去除形成在第一电极210的表面210a的有机残留物or，同时可以防止或最小化第一电极210的损坏。
142.并且，在第二干式清洗pt2的执行时间小于15秒钟的情况下，形成在第一电极210的表面210a的有机残留物or可能残留而不被去除，并且在第二干式清洗pt2的执行时间大于45秒钟的情况下，第一电极210的最上层可能被损坏。例如，第一电极210的ito可能被损坏。因此，通过在15秒钟至45秒钟期间执行第二干式清洗pt2，可以有效地去除形成在第一电极210的表面210a的有机残留物or，同时可以防止或最小化第一电极210的损坏。
143.在一实施例中，第一干式清洗pt1和第二干式清洗pt2的条件可以相同。然而，本发明并不限于此。
144.图13是放大图12的c部分的图。
145.参照图12及图13，通过执行第二干式清洗pt2，可以去除残留在第一电极210的表面210a的有机残留物or。
146.并且，通过在第二干式清洗pt2时向第一电极210的表面210a照射等离子体，可以在第一电极210的表面210a形成铟-氟(in-f)键。由于在第一电极210的表面210a存在铟-氟(in-f)键，因此第一电极210的表面210a的功函数可以增加，并且由于第一电极210的表面210a的功函数增加，可以提高空穴注入特性而提高有机发光二极管oled的特性。
147.参照图14，在对第一电极210的表面210a执行第二干式清洗pt2的步骤之后，可以执行形成中间层220及第二电极230的步骤。
148.在一实施例中，在定义在像素定义膜180的开口op内可以形成有包括发光层的中间层220。在一实施例中，中间层220可以包括有机物。中间层220可以包括第一功能层、发光层及第二功能层。第一功能层和第二功能层可以分别选择性地形成在发光层的下方及上方。在一实施例中，在发光层的下方可以形成有第一功能层，并且在发光层的上方可以形成有第二功能层。形成在发光层的下方及上方的第一功能层和第二功能层可以统称为有机功能层。尽管未示出，但是有机功能层可以布置于显示区域da(图1)的上部，并可以形成为覆盖整个显示区域da的形态。即，有机功能层可以以覆盖形成在显示区域da的像素px的方式一体地形成在整个显示区域。然而，本发明并不限于此。
149.在中间层220上可以形成有第二电极230。第二电极230可以形成在中间层220上，并且可以形成为覆盖整个中间层220的形态。第二电极230可以布置于显示区域da的上方，并且可以形成为覆盖整个显示区域da的形态。即，第二电极230可以以利用开口掩模来覆盖布置于显示区域da的像素px的方式一体地形成在整个显示区域。然而，本发明并不限于此。
150.图15示出了对第一电极的表面的x射线光电子能谱(xps)分析结果。具体而言，以f1s谱图示出了对第一电极的表面的x射线光电子能谱(xps)分析结果。
151.参照图15，作为利用x射线光电子能谱(xps)分析第一电极210的表面210a的结果，可以确认在xps谱图(f1s谱图)的683ev至687ev结合能(binding energy)处表现峰(可以是子峰)。
152.作为利用x射线光电子能谱(xps)分析第一电极210的表面210a的结果，在xps谱图(f1s谱图)的683ev至687ev结合能(binding energy)处存在子峰的情况下，可以表示在第一电极210的表面210a存在铟-氟(in-f)键。
153.因此，在利用氧气(o2)气体对第一电极210的表面210a进行干式清洗的情况下，可以确认在第一电极210的表面210a形成铟-氟(in-f)键。
154.图16是示出根据第二干式清洗执行时间的蓝色(b)的亮度寿命改善率的折线图。图16以省略了第二干式清洗pt2(0秒钟)时的蓝色(b)的亮度寿命为基准，示出了在改变第二干式清洗pt2的执行时间(s)时的蓝色(b)的亮度寿命的改善率(％)。此时，以约/分钟的蚀刻速率执行了第二干式清洗pt2。
155.参照图16，在第二干式清洗pt2执行15秒钟的情况下，蓝色(b)的亮度寿命的改善率为约260％，在第二干式清洗pt2执行30秒钟的情况下，蓝色(b)的亮度寿命的改善率为约
300％，在第二干式清洗pt2执行45秒钟的情况下，蓝色(b)的亮度寿命的改善率为约230％，因此，可以确认，在对第一电极210的表面210a执行第二干式清洗pt2的情况下，与不执行第二干式清洗pt2的情况相比，蓝色(b)的亮度寿命会得到改善。
156.并且，可以确认在第二干式清洗pt2执行约30秒钟时蓝色(b)的亮度寿命会得到最大的改善。
157.因此，在对第一电极210的表面210a执行15秒钟至45秒钟期间的第二干式清洗pt2的情况下，可以去除第一电极210的表面210a上的有机残留物or，从而防止或最小化有机发光二极管oled因有机残留物or而损坏，从而可以增加有机发光二极管oled的寿命。
158.图17是示出根据第二干式清洗执行时间的第一电极的表面的功函数(work function)的折线图。此时，以约/分钟的蚀刻速率执行了第二干式清洗pt2。
159.参照图17，尽管未执行第二干式清洗pt2的第一电极210的表面210a的功函数是4.49ev，但是在执行15秒钟的第二干式清洗pt2的情况下，第一电极210的表面210a的功函数是4.55ev，在执行30秒钟的第二干式清洗pt2的情况下，第一电极210的表面210a的功函数是4.52ev，因此，可以确认，在对第一电极210的表面210a执行第二干式清洗pt2的情况下，与不执行第二干式清洗pt2的情况相比，第一电极210的表面210a的功函数增加。
160.在对第一电极210的表面210a执行第二干式清洗pt2的情况下，可以在第一电极210的表面210a形成铟-氟(in-f)键，从而第一电极210的功函数(例如，第一电极210的表面210a的功函数)增加，并且由于第一电极210的功函数(或第一电极210的表面210a的功函数)增加，因此可以提高在第一电极210(或第一电极210的表面210a)的空穴注入特性。
161.尽管参照附图中所示的实施例对本发明进行了说明，但是这仅是示例性的，只要是在本技术领域中具有普通知识的人员，便可以理解能够从其实现多样的变形及等同的其他实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应由权利要求的技术思想来确定。