一种2.7-3.5G功率5000W的高功率环行隔离器件的制作方法

一种2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件
技术领域
1.本实用新型涉及微波技术领域，具体涉及一种2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件。


背景技术：

2.目前，用于2.7g-3.5g频率的带线环行隔离器采用低场工作模式，但是，在该模式下功率达不到5000w，只能够承受2000-3000w功率；而采用高场模式，又存在由于尺寸限制基片小且薄，容易产生击穿现象。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的是提供一种2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件，以解决上述提到的问题。
4.为解决上述技术问题，本实用新型提供一种2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件，其包括基片以及设置在基片上的中心导体；基片的外围套设有介电常数不超过2.3的介质环，基片上、位于中心导体的外围涂覆有一圈硅橡胶环。
5.进一步地，基片以及中心导体集成在壳体内，并在壳体内对称设有两个腔室，分别为第一腔体和第二腔体，中心导体位于第一腔体和第二腔体交界处。
6.进一步地，基片为两个，分别位于第一腔体和第二腔体内，且两个基片分别位于中心导体的两面。
7.进一步地，基片的背面还设置有磁路片，且磁路片与基片间隔布置。
8.进一步地，第一腔体内还依次贴设有旋磁体、温补片和磁路片，且旋磁体与位于基片背面的磁路片相贴设。
9.进一步地，第二腔体内还依次贴设有永磁体、温补片、垫片和磁路片，且永磁体永磁体与位于基片背面的磁路片相贴设。
10.进一步地，中心导体的厚度为0.5mm。
11.进一步地，介质环的介电常数为2.1～2.3。
12.本实用新型的有益效果为：该2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件通过在基片外围套上了低介电常数的介质环，解决功率过高容易击穿的问题，且电路上采用镀银设计将电路厚度增加到0.5mm，并在电路周围涂上一圈硅橡胶，在调试时，通过硅橡胶隔绝器件打火。同时采用两个腔室的结构设计，把磁路片这一磁体与基片进行腔体隔开，有效地解决了功率高散热问题，高效地满足了2.7g-3.5g频率的带线环行隔离器高场模式使用的需要，且安全可靠。
附图说明
13.图1为2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件的结构示意图。
14.图2为2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件的侧面剖视示意图。
15.图3为2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件的中心导体的示意图。
16.图4为2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件的介质环的示意图。
17.其中：1、壳体；2、第一腔体；3、第二腔体；4、基片；5、中心导体；6、旋磁体；7、介质环；8、磁路片；9、温补片；10、垫片10；11、永磁体。
具体实施方式
18.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一种实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型的保护范围。
19.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本技术作进一步地详细说明。且为了简答起见，以下内容省略了本领域技术人员的所知晓的技术结构，以及现有技术的公知常识。
20.根据本技术的一种实施方式，给出了一种2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件，如图1～图4所示，该2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件包括基片4以及设置在基片4上的中心导体5；其中，中心导体5为设置在基片 4上的电路，电路可采用为双电路的形式。
21.在实际操作中，电路可采用为铜电镀银，在现有铜制电路的基础上加设银层，同时，在本技术中，在基片4上、位于中心导体5的外围还涂覆有一圈硅橡胶环。
22.当然，电路上采用镀银设计电路还可将厚度增加到0.5mm，将电路周围涂上一圈硅橡胶，优选采用704硅橡胶，在调试时，通过硅橡胶隔绝器件打火的现象的发生。
23.704硅橡胶不仅有突出的耐高、低温性和耐老化性，优异的电器绝缘性和防潮抗震性，并且还具有优异的耐高温和耐热水性能，同时还具有优良的粘接性，能够直接粘接在基片4上，操作简单便捷。
24.该2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件的基片4的外围套设有介电常数不超过2.3的介质环7，在基片4外围套上低介电常数的介质环7，有效地解决了功率过高容易击穿的问题。
25.根据本技术的一种实施方式，该2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件的基片4以及设置在基片4上的中心导体5集成在壳体1内，并在壳体1内对称设有两个腔室，分别为第一腔体和第二腔体，而中心导体5位于第一腔体和第二腔体交界处。
26.同时，令基片4为两个，分别位于第一腔体和第二腔体内，且两个基片4 分别位于中心导体5的两面，即两个基片4夹设中心导体5，当然，在此应该说明的是，每个基片4的外围都套设有介电常数不超过2.3的介质环7。
27.在多次实际试验中，为了进一步解决了功率过高容易击穿的问题，同时紧凑结构，提高性能，优选介质环7的介电常数为2.1～2.3。
28.该2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件的基片4的背面还设置有磁路片8，且磁路片8与基片4间隔布置，即路片与基片4之间间隔有间距，留有空间。其中，两个磁路片8分别位于第一腔体2和第二腔体3内。
29.其采用两个腔室的结构设计进行分隔，并且把磁路片8这一磁体与基片4 进行腔
体隔开，在实际使用中，高效地解决了功率高散热问题。
30.根据本技术的一种实施方式，该2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件的第一腔体2内还依次贴设有旋磁体6、温补片9和磁路片8，且旋磁体6与位于基片4背面的磁路片8相贴设。
31.第二腔体3内还依次贴设有永磁体11、温补片9、垫片10和磁路片8，且永磁体11永磁体11与位于基片4背面的磁路片8相贴设。
32.在实际操作中，可令第一腔体2内从临近中心导体5的一端至另一端依次分布有基片4、磁路片8、旋磁体6、四个温补片9和两个磁路片8，并且基片4 与其临近的磁路片8间隔有间距。
33.而第二腔体3内从临近中心导体5的一端至另一端依次分布有基片4、磁路片8、两个永磁体11、三个温补片9、垫片10和磁路片8，并且基片4与其临近的磁路片8间隔有间距，当然，两个永磁体11的材质可选用不同的材质，并且也可令基片4采用为旋磁体6的方式。
34.综上所述，该2.7-3.5g功率5000w的高功率环行隔离器件通过在基片4外围套上了低介电常数的介质环7，解决功率过高容易击穿的问题，且电路上采用镀银设计将电路厚度增加到0.5mm，并在电路周围涂上一圈硅橡胶，在调试时，通过硅橡胶隔绝器件打火。同时采用两个腔室的结构设计，把磁路片8这一磁体与基片4进行腔体隔开，有效地解决了功率高散热问题，高效地满足了 2.7g-3.5g频率的带线环行隔离器高场模式使用的需要。
35.在以下描述中，对“一个实施例”、“实施例”、“一个示例”、“示例”等等的引用表明如此描述的实施例或示例可以包括特定特征、结构、特性、性质、元素或限度，但并非每个实施例或示例都必然包括特定特征、结构、特性、性质、元素或限度。另外，重复使用短语“根据本技术的一个实施例”虽然有可能是指代相同实施例，但并非必然指代相同的实施例。
36.对所公开的实施例的上述说明，是本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将使显而易见的，本文所定义的一般原理可以在不脱离实用新型的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制与本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖性特点相一致的最宽的范围。