一种智能功率模块的制作方法

技术特征：
1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：开关单元；所述开关单元包括u相自举输入端、v相自举输入端以及w相自举输入端；导热基板，所述导热基板的第一表面为设有若干个焊盘的导电层，所述开关单元被贴装固定于所述焊盘上；以及封装体，所述封装体设有型腔，所述开关单元以及所述导热基板被收容于所述型腔内；其中，所述u相自举输入端、所述v相自举输入端以及所述w相自举输入端中的其中两相在所述封装体内接近第一侧面，另外一相在所述封装体内接近第二侧面；所述第一侧面和所述第二侧面是所述封装体的相对的两个侧面；以及，所述导热基板上相离于所述第一表面的第二表面露置于所述型腔的腔口。2.如权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述导热基板的第二表面的边沿被磨削成为第一倒斜面；所述型腔的腔口边沿成型为与所述第一倒斜面相适配的第二倒斜面；所述第一倒斜面与所述第二倒斜面相互接合以限制所述导热基板从所述封装体内松脱。3.如权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，还包括引线框架，所述引线框架被冲裁形成若干个引脚；所述引脚的其中一个末端被封装于所述封装体内，所述引脚相离于所述封装体的另外一个末端穿过所述封装体后露置于所述封装体外。4.如权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，所述引脚包括电气引脚，所述电气引脚被封装于所述封装体内的末端通过键合线电连接所述开关单元。5.如权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，还包括控制单元，所述控制单元被贴装固定于所述导热基板的所述焊盘上，通过所述导电层电连接所述开关单元，通过键合线电连接所述电气引脚。6.如权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述引脚还包括工艺引脚，所述工艺引脚被封装于所述封装体内的末端搭接固定于所述导热基板的边沿，以使所述引线框架固定连接于所述导热基板的第一表面。7.如权利要求6所述的智能功率模块，其特征在于，所述电气引脚包括第一引脚至第二十三引脚；所述第一引脚至第十五引脚设置于所述封装体的第一侧面，且所述第一引脚至第十三引脚为低压引脚；第十六引脚至所述第二十三引脚设置于所述封装体的第二侧面，且第十四引脚到第二十引脚为高压引脚；其中，所述第一引脚至第十四引脚的宽度为0.5mm，第十七引脚的宽度为1mm，所述第十四引脚至第十六引脚以及第十八引脚至所述第二十三引脚的宽度为0.7mm；所述低压引脚中相邻的两个引脚的中心间距为1.0mm，所述高压引脚中相邻的两个引脚的中心间距为3.0mm，第二十一引脚至所述第二十三引脚中相邻的两个引脚的中心间距为1.4mm；所述工艺引脚露包括第二十四引脚至第二十七引脚；所述第二十四引脚和第二十五引脚设置于所述封装体的第三侧面，所述第二十六引脚和所述第二十七引脚设置于所述封装体的第四侧面；
所述第三侧面与所述第四侧面是连接于所述第一侧面与所述第二侧面之间的所述封装体的另外一对相对的两个侧面。8.如权利要求7所述的智能功率模块，其特征在于，所述封装体的所述第三侧面的至少一部分表面往所述第四侧面的方向凹陷以形成第一定位凹口，所述第四侧面的至少一部分表面往所述第三侧面的方向凹陷以形成第二定位凹口。9.如权利要求3-8任一项所述的智能功率模块，其特征在于，所述导热基板的长度18.0mm，宽度11.9mm，厚度为1.0mm；所述引线框架的厚度为0.2-0.5mm；所述封装体的长度为16.4mm，宽度为20.4mm，高度为2.8mm。10.如权利要求9所述的智能功率模块，其特征在于，所述导热基板为铝基板或铜基板或陶瓷覆铜板。

技术总结
本申请实施例涉及半导体技术领域，公开了一种智能功率模块。该智能功率模块包括：开关单元；开关单元包括U相自举输入端、V相自举输入端以及W相自举输入端；导热基板，导热基板的第一表面为设有若干个焊盘的导电层，开关单元被贴装固定于焊盘上；以及封装体，封装体设有型腔；开关单元以及导热基板被收容于型腔内，其中，U相自举输入端、V相自举输入端以及W相自举输入端中的其中两相在封装体内接近第一侧面，另外一相在封装体内接近与第一侧面相对的第二侧面；以及导热基板上相离于第一表面的第二表面露置于型腔的腔口。本申请实施例提供的智能功率模块的有益效果是：IPM的长度和体积减小；散热速率和功率密度提高，输出功率增加。输出功率增加。输出功率增加。


技术研发人员：凌文卓
受保护的技术使用者：深圳市鑫宇微科技有限公司
技术研发日：2022.06.08
技术公布日：2022/11/10