一种前端面内置屏蔽的超声波传感器的制作方法

1.本实用新型涉及超声波传感器领域，特别涉及一种前端面内置屏蔽的超声波传感器。


背景技术：

2.超声波传感器在医疗和工业领域有广泛的用途。在超声波传感器实际应用中，经常需要在前端面镀电极实现良好的电屏蔽。但镀膜的极容易刮伤，从而影响传感器的性能。
3.故需要一种良好电屏蔽的前端面内置屏蔽的超声波传感器。


技术实现要素：

4.为了解决上述问题，本实用新型提供一种良好电屏蔽的前端面内置屏蔽的超声波传感器。
5.本实用新型中的一种前端面内置屏蔽的超声波传感器，包括侧面屏蔽层、背衬、第一电极、压电材料和第二电极，所述侧面屏蔽层内设有背衬，所述背衬下设有第一电极，所述第一电极下设有压电材料，所述压电材料下设有第二电极，还包括第一层匹配层、内置屏蔽层和第二层匹配层，所述第二电极下设有第一层匹配层，所述第一层匹配层下设有内置屏蔽层，所述内置屏蔽层下设有第二层匹配层。
6.上述方案中，所述内置屏蔽层为导电层。
7.上述方案中，所述内置屏蔽层使用厚度低于5μm的导电材料。
8.上述方案中，所述侧面屏蔽层与内置屏蔽层连接。
9.本实用新型的优点和有益效果在于：本实用新型提供一种良好电屏蔽的前端面内置屏蔽的超声波传感器，既实现了超声波传感器的电屏蔽，又对内置屏蔽层实现了良好的保护。且内置屏蔽层厚度低于5μm，不会对超声波传感器的性能产生影响。
附图说明
10.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
11.图1为本实用新型的结构示意图。
12.图中：1、侧面屏蔽层 2、背衬 3、第一电极 4、压电材料
13.5、第二电极 6、第一层匹配层 7、内置屏蔽层
14.8、第二层匹配层
具体实施方式
15.下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施
例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
16.如图1所示，本实用新型是一种前端面内置屏蔽的超声波传感器，包括侧面屏蔽层1、背衬2、第一电极3、压电材料4和第二电极5，侧面屏蔽层1内设有背衬2，背衬2下设有第一电极3，第一电极3下设有压电材料4，压电材料4下设有第二电极5，还包括第一层匹配层6、内置屏蔽层7和第二层匹配层 8，第二电极5下设有第一层匹配层6，第一层匹配层6下设有内置屏蔽层7，内置屏蔽层7下设有第二层匹配层8。
17.内置屏蔽层7为导电层，使用厚度低于5μm的导电材料。
18.内置屏蔽层7置于第一层匹配层6与第二层匹配层8之间，且内置屏蔽层7 厚度低于5μm。内置屏蔽层7与侧面屏蔽层1连接，实现传感器的整体电屏蔽。第二层匹配层8对内置屏蔽层7起到了良好的保护作用。既实现了超声波传感器的电屏蔽，又对内置屏蔽层7实现保护。内置屏蔽层7使用厚度低于5μm的导电材料，不会对超声波传感器的性能产生影响。
19.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种前端面内置屏蔽的超声波传感器，包括侧面屏蔽层、背衬、第一电极、压电材料和第二电极，所述侧面屏蔽层内设有背衬，所述背衬下设有第一电极，所述第一电极下设有压电材料，所述压电材料下设有第二电极，其特征在于，还包括第一层匹配层、内置屏蔽层和第二层匹配层，所述第二电极下设有第一层匹配层，所述第一层匹配层下设有内置屏蔽层，所述内置屏蔽层下设有第二层匹配层。2.根据权利要求1所述的一种前端面内置屏蔽的超声波传感器，其特征在于，所述内置屏蔽层为导电层。3.根据权利要求2所述的一种前端面内置屏蔽的超声波传感器，其特征在于，所述内置屏蔽层使用厚度低于5μm的导电材料。4.根据权利要求1所述的一种前端面内置屏蔽的超声波传感器，其特征在于，所述侧面屏蔽层与内置屏蔽层连接。

技术总结
本实用新型公开了一种前端面内置屏蔽的超声波传感器，包括侧面屏蔽层、背衬、第一电极、压电材料和第二电极，侧面屏蔽层内设有背衬，背衬下设有第一电极，第一电极下设有压电材料，压电材料下设有第二电极，还包括第一层匹配层、内置屏蔽层和第二层匹配层，第二电极下设有第一层匹配层，第一层匹配层下设有内置屏蔽层，内置屏蔽层下设有第二层匹配层。采用上述技术方案制成了一种良好电屏蔽的前端面内置屏蔽的超声波传感器，既实现了超声波传感器的电屏蔽，又对内置屏蔽层实现了良好的保护。且内置屏蔽层厚度低于5μm，不会对超声波传感器的性能产生影响。传感器的性能产生影响。传感器的性能产生影响。


技术研发人员：张瑞 臧时 龙绍军
受保护的技术使用者：艾因蒂克科技（上海）有限公司
技术研发日：2022.06.29
技术公布日：2022/10/25