用于安全关键应用程序的可配置冗余系统的制作方法

用于安全关键应用程序的可配置冗余系统
1.优先权要求
2.本技术要求于2020年1月28日提交的、发明名称为“configurable redundant systems for safety critical applications”的美国专利申请no.16/774,023的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
3.本技术涉及于2018年7月10日提交的、发明名称为“diverse redundant processing modules for error detection”的美国专利申请16/031,813，其全部内容通过引用明确地并入本文。
技术领域
4.本公开的各方面涉及冗余系统，并且更具体地，涉及冗余系统中用于减少假阴性的可配置去耦电容器。


背景技术：

5.集成电路(ic)是许多电子系统的核心部件。高性能计算机系统(包括用于医疗器械、汽车控制器、卫星和其它高级处理的高性能计算机系统)需要高可靠性、高质量的复杂ic，以确保它们处理分析数据的安全性和准确性。微处理器和其它复杂ic(即，gpgpu)主要被认为是这些系统中的重要组件。它们与印刷电路板上的其它部件类似易受电、机械和热故障模式的影响。有时，误差是由有缺陷的设计引起的，在这种情况下，这些误差可以被认为是系统误差。有时，处理误差具有随机原因，在这种情况下，这些误差可以被认为是随机误差。随机处理误差可能由例如以下各项引起：设备老化、功率(power)输送波动、设备制造中的工艺变化、宇宙射线诱发的软误差和其它环境引起的软误差。例如，这些随机原因可以影响信号的时间性传播(temporal propagation)，使得信号不能及时到达部件，从而导致该部件提供有误差的输出。
6.对于许多应用，偶然的随机误差是可容忍的。然而，对于某些应用(诸如例如安全关键应用)需要尽可能完全地避免随机误差。安全关键应用示例包括例如高级驾驶员辅助系统(adas)，adas可能需要符合诸如iso 26262的安全标准以保障汽车中的电气部件(包括adas)的功能安全。
7.一种用于避免随机误差的常规策略是通过具有相同电路设计的多个冗余处理器来捕获随机误差，对相同的输入同时执行相同的计算任务，并且然后对它们的输出进行比较。多个处理器通常是片上系统(soc)设备的单独的、基本相同的核(core)。如果比较的输出匹配，则比较器提供指示无误差的通过输出(pass output)。如果比较的输出不匹配，则比较器提供指示误差的未通过输出(no pass output)。
8.由于任务和处理器被设计为是相同的，如果比较的输出不匹配，则可能的原因是随机误差。然后对应的计算可能因为不可靠而被丢弃，并且重新开始计算。然而，在多处理器的设备(诸如soc)中，其中所有处理器被一起制造并且共同位于共享基板上，所有处理器可能同时遭受相同的随机误差，这可能导致比较器在输出实际上全部有误差的时候也确定
输出全部正确，因为它们匹配。例如，电源电压的变化可能使多个处理器具有类似的定时故障而导致多个有误差的输出，然而，多个有误差的输出彼此匹配，从而导致错误地确定输出是无误差的。因此，这对减少由电源电压变化导致的故障的可能性是有益的。


技术实现要素：

9.以下提供了一个或多个实施方式的简化概述，以提供对这样的实施方式的基本理解。本概述不是对所有预期实施方式的全面概览，并且既不旨在标识所有实施方式的关键或重要要素，也不旨在标示任何或所有实施方式的范围。本概述的唯一目的是以简化的形式呈现与一个或多个实施方式相关的概念，作为稍后呈现的更详细的描述的序言。
10.在一个方面，一种设备包括：第一处理单元；耦合到第一处理单元的第一功率分配网络；第一去耦电容器；第二处理单元，耦合到第一功率分配网络，被配置为与第一处理单元相同；耦合到第二处理单元的第二功率分配网络；以及第二去耦电容器，耦合到第二功率分配网络，其中第二去耦电容器被配置为对第二配电系统有影响(effect)，该影响不同于第一去耦电容器对第一功率分配网络的影响。
11.在另一方面，操作第一处理单元，其中第一处理单元电耦合到第一功率分配网络，并且第一去耦电容器电耦合到第一功率分配网络；以及操作第二处理单元，第二处理单元被配置为与第一处理单元相同，其中第二处理单元电耦合到第二功率分配网络，并且第二去耦电容器电耦合到第二功率分配网络，其中第二去耦电容器被配置为对第二功率分配网络有影响，该影响不同于第一去耦电容器对第一功率分配网络的影响。
12.为了实现以上所述的和相关的目的，一个或多个实施方式包括下文充分描述并在权利要求中特别指出的特征。以下描述和附图详细阐述了一个或多个实施方式的某些说明性方面。然而，这些方面仅指示几个不同方式中的可以被采用的各种实施方式的原理，并且所描述的实施方式旨在包括所有这些方面及其等效内容。
附图说明
13.图1示出了根据本公开的某方面的样本性冗余系统功率分配网络。
14.图2示出了根据本公开的某方面的示例性冗余系统功率分配网络。
15.图3a示出了根据本公开的某些方面的示例性可配置去耦电容器。
16.图3b示出了根据本公开的某些方面的使用熔断器的可配置去耦电容器的示例性实施方式。
17.图3c示出了根据本公开的某些方面的使用晶体管的可配置去耦电容器的示例性实施方式。
18.图4a示出了根据本公开的某方面的示例性冗余系统功率分配网络去耦电容器放置方式。
19.图4b示出了根据本公开的某方面的示例性替代冗余系统功率分配网络去耦电容器放置方式。
20.图5示出了根据本公开的某方面的另一示例性冗余系统功率分配网络。
21.图6示出了根据本公开的某方面的操作冗余系统的示例性方法。
具体实施方式
22.以下结合附图阐述的详细描述旨在作为各种方面的描述，并且不旨在表示在其中可以实践本文所述的概念的仅有方面。详细描述包括具体细节，以提供对各种概念的理解。然而，对于本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践这些概念。在某些情况下，以框图形式示出了众所周知的结构和部件，以避免使这样的概念模糊不清。
23.功率分配网络将功率和接地电压(ground voltage)分配给设计中的所有设备。在深亚微米技术中，缩小器件尺寸、加快切换频率和增加功率消耗导致大的切换电流在功率网络和接地网络(ground network)中流动，这降低了性能和可靠性。稳健的功率分配网络对于确保芯片上电路的可靠运行是必要的。功率网(power grid)中过大的电压波动降低了电路的切换速度和噪声容限，并且注入了可能导致功能故障的噪声。功率分配网络(power distribution network)与接地分配网络(ground distribution network)之间的电容被称为去耦电容器或衰减器，用作局部电荷存储设备，并且有助于减轻电源点处的电压降。设计功率网中的问题的关键在于，在设计周期的结束之前存在许多未知因素。如果用于功率分配网络的去耦电容器是可配置的，则是有益的。
24.图1示出了根据本公开的某方面的样本性冗余系统功率分配网络。系统100可以是soc设备。系统100包括多个冗余处理单元102以及表决器/比较器104，冗余处理单元102诸如第一处理单元102a、第二处理单元102b、和第三处理单元102c。所有的处理单元102具有相同的电路设计，包括相同的电路规格、配置、以及物理布局和占用面积，使得给定相同的输入106并且排除任何唯一的处理误差，输入106各自将产生相同的输出108a、108b和108c。注意，到处理单元102的输入106包括命令和数据。然而，处理单元102可以在不同的位置(但通常在相邻区域中)中，并且可以具有不同的取向。
25.处理单元102a、102b或102c可以例如是中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、神经网络处理单元(npu)、数字信号处理单元(dsp)、或其它处理器/控制器。当多个处理单元102中的每个处理单元执行对应的、相同的输入106的冗余处理时，表决器/比较器104比较处理单元102的对应输出信号，诸如例如输出108a、108b和108c，以确定在处理单元102中的一个处理单元中是否发生唯一的处理误差。具体地，如果表决器/比较器104确定输出108a、108b和108c不完全相同，则表决器/比较器104提供指示处理单元102中的至少一个处理单元遭受处理误差的输出。
26.系统100还包括公共功率分配网络110。公共功率分配网络110耦合到多个处理单元102a、102b和102c中的每个处理单元。为了确保多个处理单元102的稳健操作，去耦电容器112耦合到功率分配网络110。去耦电容器112可以包括一个或多个片上电容器(例如，mim电容器)或片外电容器(例如，封装上或甚至pcb上的电容器)。
27.随机故障有可能同时影响所有多个处理单元102并且导致相同的、损坏的输出108a、108b和108c。例如，处理单元102a、102b和102c中的每个处理单元可能在公共功率分配网络110中经历的功率下降事件(power droop event)，导致相同的定时故障。因此，用于多个处理单元102的功率分配网络具有多样性是有益的。
28.图2示出了根据本公开的某方面的示例性冗余系统功率分配网络。类似于系统100，soc 200可以是集成电路设备。soc 200包括多个冗余处理单元202以及表决器/比较器
204，冗余处理单元202诸如第一处理单元202a、第二处理单元202b、和在一些实施例中的第三处理单元202c。所有的处理单元202都是相同的，这意味着除去不可避免的变化，它们具有相同的电路设计，包括相同的电路规格、配置和物理布局以及占用面积，使得给定相同的输入206并且排除任何唯一的处理误差，输入206各自将产生相同的输出208a、208b和208c。注意，到处理单元的输入206包括命令和数据。然而，处理单元202可以在不同的位置(但通常在相邻区域中)中，并且可以具有不同的取向。
29.处理单元202a、202b或202c可以例如是中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、神经网络处理单元(npu)、数字信号处理单元(dsp)、或其它处理器/控制器。当多个处理单元202中的每个处理单元执行对应的、相同的输入206的冗余处理时，表决器/比较器204比较处理单元202的对应输出信号，诸如例如输出208a、208b和208c，以确定在处理单元202中的一个处理单元中是否发生唯一的处理误差。具体地说，如果表决器/比较器204确定输出208a、208b和208c不完全相同，则表决器/比较器204提供指示处理单元202中的至少一个遭受处理误差的输出。
30.soc 200还包括公共功率分配网络210。公共功率分配网络210通过相应的局部功率分配网络(local power distribution network)耦合到多个处理单元202a、202b和202c中的每个处理单元，局部功率分配网络例如，第一配电网络210a、第二配电网络210b和第三配电网络210c。为了确保多个处理单元202的稳健运行，局部功率分配网络210a、210b和210c中的每个局部功率分配网络耦合到相应的去耦电容器，例如第一去耦电容器212a、第二去耦电容器212b和第三去耦电容器212c。
31.去耦电容器212a、212b和212c可配置为调节对相应的局部功率分配网络210a、210b和210c的影响。因此，排除常规处理、电压和温度变化，由于去耦电容器212a、212b和212c中的差异，局部功率分配网络210a、210b和210c对诸如不同的下降、失灵等的功率事件的反应不同。例如，去耦电容器212a、212b和212c的电容值被配置为彼此不同，使得局部功率分配网络210a、210b和210c中的每个局部功率分配网络可以对功率事件做出不同的响应。去耦电容器212a可以具有与第二去耦电容器212b的第二电容值不同的第一电容值。即，局部功率分配网络210a、210b和210c中的每个局部功率分配网络具有不同的功率下降或失灵。结果，由于电源电压变化引起的相同的定时误差可以被最小化或被避免。来自电源电压变化的假阴性的可能性降低。
32.图3a示出了根据本公开的某些方面的示例性可配置去耦电容器。去耦电容器300a包括多个电容器c1、c2、...、cm，多个电容器c1、c2、...、cm各自耦合到相应的开关s1、s2、...、sm，所有这些电容器耦合到电源轨310a。开关s1、s2、...、sm的状态确定相应的电容器c1、c2、...、cm是否电耦合到电源轨310a。如果开关接通或闭合，那么相应的电容器电耦合到电源轨310a。否则，如果开关断开或切断，则相应的电容器与电源轨310a电解耦(decouple)。通过接通或断开、闭合或切断多个开关s1、s2、...、sm，去耦电容器300a被配置为具有不同的电容值。
33.图3b示出了根据本公开的某些方面的使用熔断器的可配置去耦电容器的示例性实施方式。类似于去耦电容器300a，去耦电容器300b包括多个电容器c1、c2、...、cm。多个电容器c1、c2、...、cm中的每个电容器耦合到相应的开关，该开关确定相应的电容器c1、c2、...、cm是否电耦合到电源轨310b。然而，开关被实施为多个电子熔断器f1、f2、...、fm。
电子熔断器是一次性可编程存储器，其通过施加编程电压并强制高电流密度通过导体链接以完全破坏链接、或使电阻显著升高，来进行编程。存在许多类型的电子熔断器，例如多晶熔断器、金属熔断器、mos浮栅等。如果多个电子熔断器f1、f2、...、fm中的任何熔断器未被编程，则存在将相应的电容器c1、c2、...、cm耦合到电源轨310b的低电阻路径。如果多个电子熔断器f1、f2、...、fm中的任何熔断器被以高电流编程，则相应的电容器c1、c2、...、cm与电源轨310b的之间的电阻是高的，并且相应的电容器c1、c2、...、cm与电源轨310b被有效地永久地(或静态地)电解耦。
34.替代地，对于一个示例，电子熔断器f1、f2、...、fm可以是防熔丝。防熔丝是执行与熔断器相反的功能的电气器件。对比熔断器以低电阻开始并且被设计为永久地断开导电路径(通常当通过该路径的电流超过指定限值时)，防熔丝以高电阻开始并且对其进行编程将其转换为永久导电路径(通常当防熔丝两端的电压超过特定电平时)。
35.替代地，对于另一个示例，电子熔断器f1、f2、...、fm可以通过激光被编程。在这种情况下，熔断器在没有内部编程电路的情况下通过激光被熔断，从而允许或禁止多个电容器c1、c2、...、cm中的每个电容器与电源轨310b之间的各种耦合。激光编程具有节省管芯上编程电路以及可以容易地在硅后(post-silicon)进行编程的优点。
36.用于电子熔断器f1、f2、...、fm编程的其它方式是可能的。此外，电容器和电源轨之间的耦合可以用有源器件来实施。图3c示出了根据本公开的某些方面的使用晶体管的可配置去耦电容器的示例性实施方式。类似于去耦电容器300a，去耦电容器300c包括多个电容器c1、c2、...、cm。多个电容器c1、c2、...、cm中的每个电容器耦合到相应的开关，该开关确定相应的电容器c1、c2、...、cm是否电耦合到电源轨310c。然而，开关被实施为多个晶体管t1、t2、...、tm。晶体管t1、t2、...、tm被配置为动态地或永久地导通或动态地或永久地截止。结果，相应的电容器c1、c2、...、cm可以动态地或静态地耦合到电源轨310c、或者动态地或静态地与电源轨310c解耦。这可以通过向晶体管p1、p2、...、pm的栅极施加不同的固定电压来实现。到栅极p1、p2、...、pm的固定电压可以是电源电压或接地电压。到栅极p1、p2、...、pm的固定电压可以由非易失性存储器提供，例如rram、pram、mram或熔断器(未示出)。非易失性存储器可以是功率管理单元(未示出)的一部分，并且可以由功率管理单元中的逻辑(未示出)进行编程。
37.另外，存在制作多个电容器c1、c2、...、cm的替代方法。例如，多个电容器c1、c2、...、cm可以是金属-绝缘体-金属(mim)电容器、金属-氧化物-金属(mom)电容器、半导体上金属(mos)电容器、任何其它合适的电容器或其组合。在mim电容器中，金属板被堆叠在彼此的顶部上并且由(薄)氧化硅层隔开。通常，这种薄氧化物是在特殊的处理步骤中制成的，因为金属层之间的“正常”氧化物要厚得多(为了坚固性)，这将会导致单位面积电容大大减少。mim电容器通常被放置在金属堆叠体的顶部上或与顶部金属层一起被放置。mom电容器由使用现有金属层的垂直和横向交错的金属指状物组成。与薄膜金属-绝缘体-金属(mim)和mos电容器相比，由于mom电容器具有较低的制造成本和较高的电容密度，而被广泛应用在先进的cmos技术中。
38.去耦电容器的可配置性以及各种编程方式和各种电容器类型的可用性在为冗余系统中的多个处理单元提供功率分配网络的多样性方面提供了灵活性，例如soc 200中的功率分配网络210a、210b、210c之间的多样性。例如，通过使用图3b中的熔断器f1、f2、...、
fm或图3c中的晶体管t1、t2、...、tm，去耦电容器212a、212b和212c的电容值可以基于测量和/或测试在硅后被调节。还可以使用不同类型的电容器来提供多样性。例如，去耦电容器212a可以仅包括mim电容器，而去耦电容器212b可以仅包括mom电容器。替代地，去耦电容器212a、212b、212c中的每个去耦电容器可以具有不同类型的电容器的不同组合。例如，去耦电容器212b和212c可以包括mim和mom电容器，而去耦电容器212b具有比去耦电容器212c更多的mim电容器。替代地，可以通过不同方式的组合来提供多样性。不同的方式和/或其组合提供了充分使用片上可用资源的灵活性，并改善了不同处理单元中的功率分配网络变化的随机性。例如，取决于工艺技术、放置方式和布线、以及设计选择，可能存在用于mom电容器、mos电容器或mim电容器的区域。不同方式的组合提供了这样的机会，该机会用以使资源需求最小化、同时降低以类似方式影响所有多个处理单元的并在冗余系统中导致假阴性的随机故障的可能性。
39.替代地，用于不同处理单元的功率分配网络的多样性可以通过去耦电容器的放置方式来实现。图4a示出了根据本公开的某方面的示例性冗余系统功率分配网络去耦电容器放置方式。soc 400可以是soc 200的示例性物理实施例。类似于soc 200，soc 400包括多个冗余处理单元，第一处理单元402a、第二处理单元402b和第三处理单元402c。所有的处理单元402a、402b和402c是相同的，这意味着，除去不可避免的变化，它们具有相同的电路设计，包括相同的电路规格、配置、和物理布局以及占用面积，使得给定相同输入并且排除任何唯一的处理误差，每个处理单元将产生相同的输出。然而，处理单元402a、402b和402c可以在此处所示的不同位置(但通常在相邻区域中)中，并且可以具有不同的取向。每个处理单元402a、402b和402c中的黑色正方形416a、416b或416c表示参考点。这里，处理单元402b在处理单元402a的右方。处理单元402c在处理单元402a和402b下方。此外，处理单元402c相对于处理单元402a和402b两者逆时针旋转90度。
40.处理单元402a、402b和402c中的每个处理单元中的功率分配网络(未示出)耦合到相应的去耦电容器，例如第一去耦电容器412a、第二去耦电容器412b、或第三去耦电容器412c。去耦电容器412a、412b和412c可以是图3a-图3c中的去耦电容器，或者可以是一些其它合适的电容器。去耦电容器412a、412b和412c可以具有相同的电容值或不同的电容值。去耦电容器412a、412b或412c在每个处理单元402a、402b和402c内的位置是不同的。使用黑色正方形416a、416b和416c作为参考点，用于处理单元402a的去耦电容器412a在左上角，而用于处理单元402b的去耦电容器412b在中间，并且用于处理单元402c的去耦电容器412c在右上角。由于位置的不同，每个去耦电容器对相应的功率分配网络的影响是不同的。因此，导致了多样性。
41.图4a的一个样本性实施方式是仅在特定位置处具有去耦电容器。另一替代样本性实施方式可以是在多个位置处放置电容器并通过编程将一个或多个电容器选择性地耦合到硅后电源轨上。图4b示出了根据本公开的某方面的示例性替代冗余系统功率分配网络去耦电容器放置方式。仅出于说明目的，在图4b中为soc 400的每个处理单元放置了一组3
×
3电容器。例如，在处理单元402a的区域中存在第一组电容器422a，在处理单元402b的区域中存在第二组电容器422b，并且在处理单元402c的区域中存在第三组电容器422c。每组电容器是相同的，这意味着它们在类型、占用面积、结构和相对于相应处理单元的位置方面是相同的。每组电容器可以选择性地耦合到相应的功率分配网络，以充当到相应的功率分配网
络的去耦电容器。例如，对于处理单元402a，只有左上角电容器选择性地耦合到处理单元402a的功率分配网络；对于处理单元402b，只有中央电容器选择性地耦合到处理单元402b的功率分配网络；并且对于处理单元402c，只有右上角电容器选择性地耦合到处理单元402c的功率分配网络。可以使用晶体管或电子熔断器或其它合适的装置作为开关来实现选择性耦合。
42.图5示出了根据本公开的某方面的另一示例性冗余系统功率分配网络。系统550包括两个部分：soc 500和片外部件、多个去耦电容器，例如，第一去耦电容器512a、第二去耦电容器512b和第三去耦电容器512c。soc 500包括多个冗余处理单元502a、502b和502c、以及表决器/比较器504。除去不可避免的变化，所有的处理单元502a、502b和502c是相同的，这意味着它们具有相同的电路设计，包括相同的电路规格、配置、以及物理布局和占用面积，使得给定相同输入506并且排除任何唯一的处理误差，每个处理单元将产生相同的输出508a、508b和508c。注意，处理单元的输入506包括命令和数据两者。然而，处理单元502a、502b和502c可以在不同的位置(但通常在相邻区域中)中，并且可以具有不同的取向。
43.处理单元502a、502b或502c例如可以是中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、神经网络处理单元(npu)、数字信号处理单元(dsp)或其它处理器/控制器。当多个处理单元502a、502b和502c中的每个处理单元执行对应的、相同的输入506的冗余处理时，表决器/比较器504比较处理单元502a、502b和502c的对应输出信号(例如，输出508a、508b和508c)，以确定处理单元502a、502b和502c中的一个处理单元中是否发生唯一的处理误差。具体地，如果表决器/比较器504确定输出508a、508b和508c不完全相同，则表决器/比较器504提供指示处理单元502a、502b和502c中的至少一个处理单元遭受处理误差的输出。
44.soc 500还包括耦合到对应的处理单元502a、502b和502c的多个局部功率分配网络，第一功率分配网络510a、第二功率分配网络510b和第三功率分配网络510c。例如，局部功率分配网络510a耦合到处理单元502a，局部功率分配网络510b耦合到处理单元502b，并且局部功率分配网络510c耦合到处理单元502c。
45.多个局部功率分配网络510a、510b和510c中的每个局部功率分配网络具有一个或多个io端子514a、514b或514c，io端子514a、514b或514c提供相应的局部功率分配网络510a、510b或510c到去耦电容器512a、512b和512c中的一个去耦电容器的耦合。例如，第一一个或多个io端子514a提供用于将局部功率分配网络510a与去耦电容器512a之间耦合的第一接口，第二一个或多个io端子514b提供用于将局部功率分配网络510b与去耦电容器512b之间耦合的第二接口，并且第三一个或多个io端子514c提供用于将局部功率分配网络510c与去耦电容器512c之间耦合的第三接口。io端子514a、514b和514c是指用于将soc 500联结到外部世界的、用于soc 500的外部连接的接口。如果soc 500是管芯，则io端子514a、514b和514c是管芯上的io焊盘。如果soc 500是芯片，则io端子514a、514b和514c是封装基板上的io引脚。
46.去耦电容器512a、512b和512c可以在封装基板或pcb上、或被嵌入在封装基板或pcb中。它们可能是陶瓷电容器、薄膜和纸状电容器，铝、钽和铌电解电容器，聚合物电容器等。去耦电容器512a、512b和512c中的每个去耦电容器的电容可以是不同的，以产生在到处理单元502a、502b和502c的功率输送方面的多样性。为了启用不同的电容，去耦电容器512a、512b和512c可以是可编程的或可调谐的。
47.图6示出了根据本公开的某方面的操作冗余系统的示例性方法600。在602处，操作第一处理单元(例如，处理单元202a、202b、202c、402a、402b、402c、502a、502b或502c)。第一处理单元电耦合到第一功率分配网络(例如，功率分配网络210a、210b、210c、510a、510b或510c)。第一去耦电容器(例如，去耦电容器212a、212b、212c、412a、412b、412c、512a、512b或512c)电耦合到第一功率分配网络。
48.在604处，同时，操作第二处理单元(例如，不是第一处理单元的处理单元202a、202b、202c、402a、402b、402c、502a、502b或502c)。第二处理单元被配置为与第一处理单元相同。第二处理单元电耦合到第二功率分配网络(例如，功率分配网络210a、210b、210c、510a、510b或510c)。第二去耦电容器(例如，去耦电容器212a、212b、212c、412a、412b、412c、512a、512b或512c)电耦合到第二功率分配网络。第二去耦电容器被配置为对第二功率分配网络有影响，该影响不同于第一去耦电容器对第一功率分配网络的影响。
49.可以从不同的方法得到不同的效果。例如，第一去耦电容器可以具有第一去耦电容值，并且第二去耦电容器具有与第一电容值不同的第二去耦电容值。第一去耦电容器和第二去耦电容器都可以是可编程的(例如，去耦电容器300a、300b或300c)。作为替代示例，可以从第一去耦电容器和第二去耦电容器的放置方式得到不同的效果。第一去耦电容器相对于第一处理单元的位置可以不同于第二去耦电容器相对于第二处理单元的位置(例如，去耦电容器在400中的放置方式)。
50.提供对本公开的先前描述以使本领域的技术人员能够制作或使用本公开。本公开的各种修改对于本领域的技术人员来说显而易见的，且本文中所定义的一般性原理可以在不脱离本公开的实质或范围的情况下应用于其它变化形式。因此，本公开不旨在限于本文描述的示例，而是应赋予与本文所公开的原理和新颖特征一致的最广泛范围。