检测电路及电子设备的制作方法

1.本技术涉及电子技术领域，具体涉及一种检测电路及电子设备。


背景技术：

2.随着人们对于通讯设备的要求越来越高，在手机出厂之前需要对手机进行各种认证。比如，需要对手机进行射频传导测试，以检测手机天线的功率是否达到出厂要求。现有的射频传导测试采用的传导功率与天线辐射状态所需的功率相同。但是，为了提高通讯设备的性能，应该对射频传导测试中射频传导最大发射功率的标准要求与实际使用中天线辐射发射功率的标准要求进行区分，因此需要设计一种检测电路，能够准确判断手机是处于传导测试状态还是天线辐射状态。


技术实现要素：

3.本技术实施例公开了一种检测电路及电子设备，能够准确区分射频传导状态和天线辐射状态。
4.本技术实施例公开一种检测电路，其特征在于，应用于电子设备，包括主板控制电路、副板控制电路、射频同轴线、电源输入端口和侦测端口；所述主板控制电路连接所述电子设备的射频电路；所述副板控制电路分别连接所述电子设备的天线和所述电源输入端口，所述电源输入端口用于输入第一电源电压；所述主板控制电路连接所述侦测端口；
5.当所述射频同轴线处于导通状态时，所述主板控制电路与所述副板控制电路连接，连接后的所述主板控制电路与所述副板控制电路对所述第一电源电压进行分压，驱动所述侦测端口输出第一电平；所述第一电平低于所述第一电源电压；
6.当所述射频同轴线处于断路状态时，所述主板控制电路与所述副板控制电路断开，所述主板控制电路驱动所述侦测端口输出第二电平；所述第二电平低于所述第一电平。
7.作为一种可选的实施方式，所述主板控制电路包括第一检测子电路、第一分压电阻和第二分压电阻；所述第一检测子电路分别连接所述射频电路和所述第一分压电阻；所述副板控制电路包括第二检测子电路、第三分压电阻；所述第二检测子电路分别连接所述天线和所述第三分压电阻；
8.当所述射频同轴线处于导通状态时，所述主板控制电路与所述副板控制电路连接，连接后的所述主板控制电路与所述副板控制电路通过所述第一分压电阻、所述第二分压电阻和所述第三分压电阻对所述第一电源电压进行分压，驱动所述侦测端口输出第一电平。
9.作为一种可选的实施方式，当所述射频同轴线处于断路状态时，所述主板控制电路与所述副板控制电路断开，所述主板控制电路通过所述第二分压电阻将所述侦测端口下拉到地，驱动所述侦测端口输出第二电平。
10.作为一种可选的实施方式，所述第一分压电阻的一端与所述第一检测子电路连接，所述第一分压电阻的另一端分别与所述第二分压电阻和所述侦测端口连接；
11.所述第二分压电阻的一端与所述侦测端口连接，所述第二分压电阻的另一端接地；
12.所述第三分压电阻的一端与所述电源输入端口连接，所述第三分压电阻的另一端与所述第二检测子电路连接。
13.作为一种可选的实施方式，所述主板控制电路还包括第二电容；所述第二电容与所述第二分压电阻并联，且所述第二电容与所述第二分压电阻均接地。
14.作为一种可选的实施方式，所述副板控制电路还包括第三电容；所述第三电容的一端分别与所述电源输入端口和所述第三分压电阻连接，所述第三电容的另一端接地。
15.作为一种可选的实施方式，所述第一检测子电路包括第一射频座子和第一电容；所述第一电容的一端与所述射频电路连接，所述第一电容的另一端分别与所述第一射频座子和所述第一分压电阻连接。
16.作为一种可选的实施方式，所述第二检测子电路包括第二射频座子和第四电容；所述第四电容的一端与所述天线连接，所述第四电容的另一端分别与所述第二射频座子和所述第三分压电阻连接。
17.作为一种可选的实施方式，所述检测电路还包括控制器；所述控制器的一端与所述侦测端口连接，所述控制器的另一端与所述射频电路连接；
18.所述控制器，用于在检测到所述侦测端口处于所述第一电平时，控制所述射频电路的射频最大发射功率为天线辐射功率；和/或，
19.所述控制器，用于在检测到所述侦测端口处于所述第二电平时，控制所述射频电路的射频最大发射功率为测试传导功率。
20.本技术实施例公开一种电子设备，包括：如本技术实施例公开的任意一项检测电路。
21.与相关技术相比，本技术实施例具有以下有益效果：
22.本技术实施例公开了一种应用于电子设备的检测电路，该检测电路包括与电子设备的射频电路连接的主板控制电路，以及与电子设备的天线连接的副板控制电路；当主板控制电路和副板控制电路之间的射频同轴线处于导通状态时，主板控制电路和副板控制电路连接并对输入到副板控制电路的第一电源电压进行分压，并向与主板控制电路连接的侦测端口输出低于第一电源电压的第一电平；当主板控制电路和副板控制电路之间的射频同轴线处于断路状态时，与副板控制电路断开的主板控制电路向侦测端口输出低于第一电平的第二电平。
23.可见，采用本技术实施例公开的检测电路能够根据主板控制电路和副板控制电路之间的射频同轴线的通断情况来控制侦测端口的高低电平状态，并根据侦测端口的高低电平状态准确区分出电子设备是处于射频传导状态还是天线辐射状态，从而可以针对不同的状态调整射频最大发射功率。
附图说明
24.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附
图。
25.图1是一种相关技术的检测电路的结构示意图；
26.图2是本技术实施例公开的一种检测电路的结构示意图；
27.图3是本技术实施例公开的另一种检测电路的结构示意图；
28.图4是本技术实施例公开的另一种检测电路的结构示意图；
29.图5是本技术实施例公开的另一种检测电路的结构示意图；
30.图6是本技术实施例公开的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
31.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
32.需要说明的是，本技术实施例及附图中的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
33.在相关技术中，手机中一般有两块印制电路板(printed circuit board，pcb)，一块为手机主板，一块为手机副板。其中，射频和基带主电路都在主板上，副板上有射频天线的接触弹片用来连接天线，主板和副板之间用射频同轴线来传输射频信号，用柔性电路板(flexible printed circuit，fpc)来传输主板和副板之间的其他电信号。如图1，图1是一种相关技术的检测电路的结构示意图，可以用于侦测射频同轴线是否扣合。其中，gpio侦测信号在主板端做电压上拉处理，并通过fpc引入到副板上；gpio侦测信号在副板中，从fpc端连接到射频座子信号脚；主板端射频座子信号脚并联100毫亨(mh)电感下地。射频同轴线不扣合时，gpio侦测信号为高电平，则手机处于传导测试状态；射频同轴线扣合时，gpio侦测信号接入到主板端100mh电感下地，为低电平，则手机处于天线辐射状态。
34.但是这种方法需要占用主板与副板之间的fpc的信号脚，比如，副板接入2个天线，就需要占用2个fpc的信号脚，增加了电路设计的复杂度。
35.本技术实施例公开了一种检测电路及电子设备，能够准确区分射频传导状态和天线辐射状态，而且无需占用额外的信号脚，降低了电路设计的复杂度。
36.下面将结合具体实施例对本技术的技术方案进行详细说明。
37.请参阅图2，图2是本技术实施例公开的一种检测电路的结构示意图。本技术实施例公开的检测电路可以适用于手机、平板电脑、可穿戴设备等具有通讯功能的电子设备，但不限于此。该检测电路包括主板控制电路201、副板控制电路202、射频同轴线203、电源输入端口204、侦测端口205。
38.主板控制电路201连接电子设备的射频电路；副板控制电路202分别连接电子设备的天线和电源输入端口204，电源输入端口204用于输入第一电源电压；主板控制电路201连接侦测端口205。
39.当射频同轴线203处于导通状态时，主板控制电路201与副板控制电路202连接，连
接后的主板控制电路201与副板控制电路202对第一电源电压进行分压，驱动侦测端口205输出第一电平；第一电平低于第一电源电压。
40.当射频同轴线203处于断路状态时，主板控制电路201与副板控制电路202断开，主板控制电路201驱动侦测端口205输出第二电平；第二电平低于第一电平。
41.其中，主板控制电路201可以位于电子设备的主板上，副板控制电路202可以位于电子设备的副板上。
42.第一电源电压可以为主流手机设计方案中手机副板上的电源电压，比如1.8伏(v)、2.7v或者2.8v，具体不作限定。
43.示例性的，第一电源电压为2.8v，第一电平可以是1.8v，第一电平相对于第二电平是高电平；第二电平可以是0v，或者接近0的伏数，第二电平相对于第一电平是低电平。
44.射频电路可以用于对基带信号进行调制、中放变频，并将信号的功率调整到满足通信的要求，射频电路与主板控制电路201连接，因此射频电路输出的射频信号可以输入到主板控制电路中。
45.当射频同轴线203处于导通状态时，主板控制电路201、副板控制电路202之间通过射频同轴线203形成射频通路，以将射频信号从射频电路传送到与副板控制电路202连接的天线中，天线可以用于发射或者接收射频信号，说明电子设备处于天线辐射状态。
46.当射频同轴线203处于断路状态时，说明是对电子设备进行射频传导测试，主板控制电路201驱动侦测端口205输出的第二电平低于第一电平，说明电子设备处于传导测试状态。
47.侦测端口205可以是通用输入输出(general purpose input output，gpio)端口，侦测端口205输出的电平信号可以反馈至电子设备的处理器或者控制器，电子设备的处理器或控制器可以根据侦测端口205的电平信号对射频电路的功率进行控制。
48.可见，采用本技术实施例公开的检测电路根据主板控制电路和副板控制电路之间的射频同轴线的通断情况来控制侦测端口的高低电平状态，无需占用fpc额外的信号脚，fpc为电子设备主板和副板之间用于连接除了射频信号以外的电信号的柔性电路板，节省了电路设计的成本；同时，该检测电路能够根据侦测端口的高低电平状态准确区分出电子设备是处于射频传导状态还是天线辐射状态，从而可以针对不同的状态调整射频最大发射功率。
49.请进一步参阅图3，图3是本技术实施例公开的另一种检测电路的结构示意图。在一个实施例中，主板控制电路201包括第一检测子电路2011、第一分压电阻2012和第二分压电阻2013；第一检测子电路2011分别连接射频电路和第一分压电阻2012；副板控制电路包括第二检测子电路2021、第三分压电阻2022；第二检测子电路2021分别连接天线和第三分压电阻2022；
50.当射频同轴线203处于导通状态时，主板控制电路201与副板控制电路202连接，连接后的主板控制电路201与副板控制电路202通过第一分压电阻2012、第二分压电阻2013和第三分压电阻2022对第一电源电压进行分压，驱动侦测端口205输出第一电平。
51.当射频同轴线203处于断路状态时，主板控制电路201与副板控制电路202断开，主板控制电路201通过第二分压电阻2013将侦测端口205下拉到地，驱动侦测端口205输出第二电平。
52.第一分压电阻2012的一端与第一检测子电路2011连接，第一分压电阻的另一端分别与第二分压电阻2013和侦测端口205连接；
53.第二分压电阻2013的一端与侦测端口205连接，第二分压电阻的另一端接地；
54.第三分压电阻2022的一端与电源输入端口204连接，第三分压电阻2022的另一端与第二检测子电路2021连接。
55.需要进一步说明的是：第一检测子电路2011和第二检测子电路2021之间通过射频同轴线203形成了射频主干通路，该射频主干通路可以在射频同轴线203导通时将射频电路输出的射频信号传送到天线。
56.当射频同轴线203处于导通状态时，第一分压电阻2012、第二分压电阻2013和第三分压电阻2022组合起来起到了对第一电源电压进行分压的作用，比如，第一电源电压为2.8v，第一分压电阻2012为24千欧姆，第二分压电阻2013为82千欧姆，第三分压电阻2022为20千欧姆，则本技术实施例的检测电路可以通过第一分压电阻2012、第二分压电阻2013和第三分压电阻2022将第一电源电压分压成1.8v，即利用2.8v分压1.8v上拉电压至侦测端口205，侦测端口205处于第一电平，即高电平状态，此时电子设备为天线辐射状态。
57.当射频同轴线203处于断路状态时，第二分压电阻2013作为侦测端口205的下拉电阻，侦测端口205通过第二分压电阻2013下拉到地，侦测端口205处于第二电平，即低电平状态，此时电子设备为传导测试状态。
58.同时，由于进入主板控制电流201的射频信号是高频交流变化信号，而进入副板控制电流202的第一电源电压是直流信号，因此为了减小交流信号对于直流信号的干扰，准确地对第一电源电压进行分压，第一分压电阻2012和第三分压电阻2022还可以起到隔断射频信号以及直流限流的作用。
59.本技术实施例的检测电路通过对副板控制电路输入第一电源电压，并在射频同轴线导通时，通过多个分压电阻来给主板控制电路上的侦测端口做电压上拉，在侦测端口输出第一电平时判断射频同轴线导通；此外，在射频同轴线断开时，将多个分压电阻中的其中一个分压电阻作为侦测端口的下拉电阻，在侦测端口输出第二电平时判断射频同轴线断开。可见，本技术实施例能够根据侦测端口输出的电平状态准确判断射频同轴线的导通状态，从而根据射频同轴线的导通状态准确判断电子设备是处于测试传导状态还是天线辐射状态，而且电路设计成本低。
60.请进一步参阅图4，图4是本技术实施例公开的另一种检测电路的结构示意图。在一个实施例中，主板控制电路201还包括第二电容2014；第二电容2014与第二分压电阻2013并联，且第二电容2014与第二分压电阻2013均接地。
61.副板控制电路202还包括第三电容2023；第三电容2023的一端分别与电源输入端口204和第三分压电阻2022连接，第三电容2023的另一端接地。
62.第一检测子电路2011包括第一射频座子20112和第一电容20111；第一电容20111的一端与射频电路连接，第一电容20111的另一端分别与第一射频座子20112和第一分压电阻2012连接。
63.第二检测子电路2021包括第二射频座子20212和第四电容20211；第四电容20211的一端与天线连接，第四电容20211的另一端分别与第二射频座子20212和第三分压电阻2022连接。
64.检测电路还包括控制器206；控制器的一端与侦测端口205连接，控制器206的另一端与射频电路连接。
65.控制器206，用于在检测到侦测端口205处于第一电平时，控制射频电路的射频最大发射功率为天线辐射功率；和/或，
66.控制器206，用于在检测到侦测端口205处于第二电平时，控制射频电路的射频最大发射功率为测试传导功率。
67.其中，第一电容20111和第四电容20211可以用于隔断直流电，通射频信号，第一电容20111和第四电容20211处于第一检测子电路2011和第二检测子电路2021之间通过射频同轴线203形成的射频主干通路上，有利于在射频同轴线203导通时将射频电路输出的射频信号高效地传送到天线。示例性的，第一电容20111可以是100皮法(pf)，第四电容可以是100pf。
68.第二电容2014和第三电容2023可以作为滤波电容，防止射频干扰。示例性的，第二电容2014可以是100皮法(pf)，第三电容可以是100pf。
69.射频同轴线203可以用于扣合第一射频座子20112和第二射频座子20212，以连通主板控制电路201和副板控制电路202之间的射频信号。当射频同轴线203扣合第一射频座子20112和第二射频座子20212，射频同轴线203处于导通状态；当射频同轴线203未扣合第一射频座子20112和第二射频座子20212，射频同轴线203处于断路状态。
70.控制器206可以是电子设备的中央处理器(cpu)，可以根据侦测端口205的电平状态控制射频电路的最大射频发射功率。其中，最大射频发射功率为射频电路能够输出的射频信号的最大功率。最大射频发射功率越高，射频信号的传输距离越远、覆盖范围越大。
71.天线辐射功率为电子设备处于天线辐射状态所需的功率，测试传导功率为电子设备处于测试传导状态所需的功率。
72.本技术实施例公开的检测电路，能够准确判断出电子设备是处于测试传导状态还是天线辐射状态，并根据不同的工作状态对最大射频发射功率进行调整，使得电子设备无论处于测试传导状态还是天线辐射状态都能通过认证测试，提升了电子设备的天线性能。
73.请参阅图5，图5是本技术实施例公开的另一种检测电路的结构示意图。
74.当射频同轴线203未扣合第一射频座子20112和第二射频座子20212时，第一射频座子20112和第二射频座子20212之间处于断路状态，侦测端口205通过第二分压电路2013下拉到地，处于低电平状态，电子设备判断此时为测试传导状态，控制射频最大发射功率为测试传导功率。
75.当射频同轴线203扣合第一射频座子20112和第二射频座子20212时，第一射频座子20112和第二射频座子20212之间处于导通状态，电源输入端口204输入第一电源电压2.8v，2.8v通过第一分压电阻2012、第二分压电阻2013、第三分压电阻2022，分压到侦测端口205的电压在1.8v左右，侦测端口205处于高电平状态，电子设备判断此时为天线辐射状态，控制射频最大发射功率为天线辐射状态所需功率。侦测端口205可以向电子设备的控制器206输出gpio侦测信号，射频电路输出的射频信号输入到主板控制电路201。天线接触弹片用于连接天线，主板控制电路201可以位于电子设备的主板上，副板控制电路202可以位于电子设备的副板上；电子设备的主板和副板之间可以有fpc，fpc用于连接主板和副板之间除了射频以外的其他电信号。可选的，副板控制电路可以通过fpc的一个电信号引脚引入
第一电源电压2.8v，或者，可以直接连接电子设备副板上的第一电源电压2.8v。
76.可见，本技术实施例公开的检测电路设计复杂度低，只需要通过主板上的主板控制电路和副板上的副板控制电路之间的射频同轴线的扣合与否来控制侦测端口的高低电平状态；主板与副板连接的fpc不需要增加额外的信号脚，节省了fpc的成本，而且能够准确区分测试传导状态和天线辐射状态。
77.请参阅图6，图6是本技术实施例公开的电子设备的结构示意图。如图6所示，该电子设备可以包括本技术实施例公开的任一种检测电路。
78.应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本技术的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定特征、结构或特性可以以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于可选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本技术所必须的。
79.在本技术的各种实施例中，应理解，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的必然先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术实施例的实施过程构成任何限定。
80.上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物单元，即可位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
81.另外，在本技术各实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
82.上述集成的单元若以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可获取的存储器中。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或者部分，可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储器中，包括若干请求用以使得一台计算机设备(可以为个人计算机、服务器或者网络设备等，具体可以是计算机设备中的处理器)执行本技术的各个实施例上述方法的部分或全部步骤。
83.本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质包括只读存储器(read-only memory，rom)、随机存储器(random access memory，ram)、可编程只读存储器(programmable read-only memory，prom)、可擦除可编程只读存储器(erasable programmable read only memory，eprom)、一次可编程只读存储器(one-time programmable read-only memory，otprom)、电子抹除式可复写只读存储器(electrically-erasable programmable read-only memory，eeprom)、只读光盘(compact disc read-only memory，cd-rom)或其他光盘存储器、磁盘存储器、磁带存储器、或者能够用于携带或存储数据的计算机可读的任何其他介质。
84.以上对本技术实施例公开的一种检测电路及电子设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理
解本技术的方法及其核心思想。同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。