一种绝缘栅双极型晶体管功能失效检测方法及系统与流程

1.本技术涉及晶体管检测技术领域，特别是涉及一种绝缘栅双极型晶体管功能失效检测方法及系统。


背景技术：

2.随着电子技术的进步，晶体管的应用逐渐普及且倾向于专业化，而晶体管中的绝缘栅双极晶体管更是因其良好性能逐渐应用广泛。绝缘栅双极晶体管(insulate-gate bipolar transistor—igbt)综合了电力晶体管和电力场效应晶体管的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；igbt也是三端器件，其三端分别包括栅极，集电极和发射极。
3.绝缘栅双极晶体管在出厂之前，或者在放置时间较长之后，又或者在进行晶体管的回收时，均需要对绝缘栅双极晶体管进行功能检测，检测器功能是否失效以及是否仍能够正常使用，目前市面上的检测方法多种多样，如申请号为cn202121514610.5的实用新型专利中，公开了一种自动夹持的高频小功率晶体管生产用功能检测装置，其可以在检测时，保护好晶体管本体的破损率，减少出现劣质品，又如申请号为cn201721356890.5的实用新型专利中，公开了一种多功能晶体管引脚拉力测试仪，其减少了更换治具的工序，方便操作且节约成本，但是基于以上结构的功能检测方法仍然存在弊端，如上述的功能检测装置能够保护测试过程中的晶体管，但是其检测效率交底，而对于上述测试仪，基于该结构虽无需更换治具，但是其在测试精度上交底，因而仍然不能满足测试的使用需求。
4.因此，虽然市面上有多种对于绝缘栅双极型晶体管的检测方法，但因其功能检测方法的局限性，导致其仍不能满足功能失效检测的使用需求，此外，对于绝缘栅双极型晶体管功能失效检测的方法，仍然需要进一步地改进与升级，才能够满足用户的使用需求和提升功能检测的效率。


技术实现要素：

5.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够至少解决现有技术中电测试方法中的检测不准确以及不能检测内部结构是否存在功能失效风险问题的绝缘栅双极型晶体管功能失效检测方法及系统。
6.本发明技术方案如下：
7.一种绝缘栅双极型晶体管功能失效检测方法，所述方法包括：
8.步骤s100：基于预设的图像检测装置，获取当前待检测晶体管的当前实际外部图像，并对所述当前实际外部图像进行色彩增强转化处理，并生成色彩增强转化图像；
9.步骤s200：根据所述色彩增强转化图像判断所述当前待检测晶体管的外部形态是否存在形态功能失效，若判断所述当前待检测晶体管的外部形态存在形态功能失效，则生成功能失效指示；
10.步骤s300：若判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效，则在将所述当前待检测晶体管安装于预设特定位置后，基于预设的晶体管内部结构探测装置获
取所述当前待检测晶体管的当前晶体管内部结构排布数据；
11.步骤s400：根据所述当前晶体管内部结构排布数据判断所述当前待检测晶体管是否存在内部功能缺陷，若判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，则生成功能失效提示，并基于预设的晶体管搬运机构将存在内部功能缺陷的当前待检测晶体管搬运至功能缺陷区域。
12.进一步地说，所述当前实际外部图像包括外表面实际图像和引脚连接处实际图像；所述色彩增强转化图像包括当前校准后整体加强图像和当前校准后连接处加强图像；
13.步骤s100：基于预设的图像检测装置，获取当前待检测晶体管的当前实际外部图像，并对所述当前实际外部图像进行色彩增强转化处理，并生成色彩增强转化图像，具体包括：
14.步骤s110：基于预设的图像驱动装置驱动所述图像检测装置对所述当前待检测晶体管进行多角度图像检测，并获取外表面实际图像和引脚连接处实际图像；
15.步骤s120：将所述外表面实际图像和预设的标准整体图像进行比对，并提取当前整体比对损坏点，同时将所述引脚连接处实际图像与标准引脚连接图像对比，并提取引脚连接损坏点；
16.步骤s130：对所述外表面实际图像进行第一色彩加强处理，并生成整体外表加强图像，同时对所述引脚连接处实际图像进行第一色彩加强处理，并生成引脚连接处加强图像；
17.步骤s140：提取所述整体外表加强图像中的损坏点，并生成加强图像损坏点；
18.步骤s150：提取所述引脚连接处加强图像中的损坏点，并生成加强图像连接处损坏点；
19.步骤s160：将所述当前整体比对损坏点与所述加强图像损坏点对比，并生成确定整体损坏点，根据所述确定整体损坏点对所述整体外表加强图像校准，并在校准后生成当前校准后整体加强图像；
20.步骤s170：将所述引脚连接损坏点与所述加强图像连接处损坏点对比，并生成连接处确定损坏点，根据所述连接处确定损坏点对所述引脚连接处加强图像进行校准，并在校准后生成当前校准后连接处加强图像。
21.进一步地说，步骤s200：根据所述色彩增强转化图像判断所述当前待检测晶体管的外部形态是否存在形态功能失效，若判断所述当前待检测晶体管的外部形态存在形态功能失效，则生成功能失效指示；具体包括：
22.步骤s210：调取所述当前校准后整体加强图像中的确定整体损坏点，并获取所述确定整体损坏点的实际整体损坏程度数据；
23.步骤s220：将所述实际整体损坏程度数据与预设的标准整体损坏序列表对比，并生成当前整体损坏程度值，其中，所述标准整体损坏序列表包括标准整体损坏数据和标准整体损坏程度值，一个所述标准整体损坏数据与一个所述标准整体损坏程度值相对应，与所述实际整体损坏程度数据相匹配的所述标准整体损坏数据所对应的标准整体损坏程度值即为所述当前整体损坏程度值；
24.步骤s230：根据所述当前校准后连接处加强图像中的确定整体损坏点，获取所述确定整体损坏点的实际连接处损坏程度数据；
25.步骤s240：根据所述实际连接处损坏程度数据与预设的标准连接处损坏序列表对比，并生成当前连接处损坏程度值，其中，所述标准连接处损坏序列表包括标准连接处损坏数据和标准连接处损坏程度值，一个所述标准连接处损坏数据与一个所述标准连接处损坏程度值相对应，与所述实际连接处损坏程度数据相匹配的所述标准连接处损坏数据相匹配对应的标准连接处损坏程度值即为所述当前连接处损坏程度值；
26.步骤s250：根据所述当前整体损坏程度值和所述当前连接处损坏程度值生成当前外部形态损毁数值；
27.步骤s260：判断所述当前外部形态损毁数值是否大于等于预设的标准损坏程度值；
28.步骤s270：若判断当前外部形态损毁数值大于等于所述标准损坏程度值，则判断所述当前待检测晶体管的外部形态存在形态功能失效，并生成功能失效指示；若判断当前外部形态损毁数值小于所述标准损坏程度值，则判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效。
29.进一步地说，所述晶体管内部结构探测装置包括探测信号发送模块和探测信号接收模块；
30.步骤s300：若判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效，则在将所述当前待检测晶体管安装于预设特定位置后，基于预设的晶体管内部结构探测装置获取所述当前待检测晶体管的当前晶体管内部结构排布数据；具体包括：
31.步骤s310：若判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效，则在将所述当前待检测晶体管安装于预设特定位置后，根据所述预设特定位置获取起始探测点；
32.步骤s320：根据所述起始探测点和预设的标准间隔距离生成等间隔探测点；
33.步骤s330：基于所述探测信号发送模块自所述起始探测点后起，依次在各所述等间隔探测点的前侧朝向所述等间隔探测点发射初始探测信号；
34.步骤s340：基于所述探测信号接收模块在各所述等间隔探测点的后侧接收所述初始探测信号经所述当前待检测晶体管后的初始穿透信号；
35.步骤s350：基于所述探测信号发送模块获取所述探测信号发送模块接收到所述初始探测信号经所述当前待检测晶体管中的金属引脚反弹后的初始反弹信号；
36.步骤s360：根据各所述初始穿透信号和各所述初始反弹信号生成所述当前待检测晶体管的当前晶体管内部结构排布数据。
37.进一步地说，所述当前晶体管内部结构排布数据包括无引脚结构区域数据和有引脚结构区域数据；
38.步骤s400：根据所述当前晶体管内部结构排布数据判断所述当前待检测晶体管是否存在内部功能缺陷，若判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，则生成功能失效提示，并基于预设的晶体管搬运机构将存在内部功能缺陷的当前待检测晶体管搬运至功能缺陷区域；具体包括：
39.步骤s410：分别获取所述无引脚结构区域数据所对应的初始穿透信号的实际接收耗费时间，其中，所述实际接收耗费时间为自所述探测信号发送模块发送所述初始探测信号至所述探测信号接收模块接收到所述初始穿透信号的时间；
40.步骤s420：根据各所述实际接收耗费时间生成平均穿透耗费时间，并筛选出与所述平均穿透耗费时间的数值相差大于等于预设的第一标准时间差的实际接收耗费时间，并设定为当前初始结构异常点；
41.步骤s430：分别获取所述有引脚结构区域数据所对应的初始穿透信号的实际反弹耗费时间，其中，所述实际反弹耗费时间为自所述探测信号发送模块发送所述初始探测信号至所述探测信号发送模块接收到所述初始反弹信号的时间；
42.步骤s440：根据各所述实际反弹耗费时间生成平均反弹耗费时间，并筛选出与所述平均反弹耗费时间的数值相差大于等于预设的第二标准时间差的实际反弹耗费时间，并设定为当前初始引脚处异常点；
43.步骤s450：判断所述当前初始结构异常点的数量是否大于等于预设的第一标准异常数量，若判断所述当前初始结构异常点的数量大于等于所述第一标准异常数量，则判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，并生成功能失效提示，基于预设的晶体管搬运机构将存在内部功能缺陷的当前待检测晶体管搬运至功能缺陷区域；
44.步骤s460：若判断所述当前初始结构异常点的数量小于所述第一标准异常数量，则判断所述当前初始引脚处异常点是否大于等于预设的第二标准异常量，若判断所述当前初始引脚处异常点是大于等于所述第二标准异常量，则判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，并生成功能失效提示，基于预设的晶体管搬运机构将存在内部功能缺陷的当前待检测晶体管搬运至功能缺陷区域；若判断所述当前初始引脚处异常点小于所述第二标准异常量，则生成当前功能正常指示。
45.进一步地说，一种绝缘栅双极型晶体管功能失效检测系统，所述系统包括：
46.色彩增强模块，用于基于预设的图像检测装置，获取当前待检测晶体管的当前实际外部图像，并对所述当前实际外部图像进行色彩增强转化处理，并生成色彩增强转化图像；
47.失效指示模块，用于根据所述色彩增强转化图像判断所述当前待检测晶体管的外部形态是否存在形态功能失效，若判断所述当前待检测晶体管的外部形态存在形态功能失效，则生成功能失效指示；
48.特定位置模块，用于若判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效，则在将所述当前待检测晶体管安装于预设特定位置后，基于预设的晶体管内部结构探测装置获取所述当前待检测晶体管的当前晶体管内部结构排布数据；
49.功能判断模块，用于根据所述当前晶体管内部结构排布数据判断所述当前待检测晶体管是否存在内部功能缺陷，若判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，则生成功能失效提示，并基于预设的晶体管搬运机构将存在内部功能缺陷的当前待检测晶体管搬运至功能缺陷区域。
50.进一步地说，所述当前实际外部图像包括外表面实际图像和引脚连接处实际图像；所述色彩增强转化图像包括当前校准后整体加强图像和当前校准后连接处加强图像，所述色彩增强模块还包括：
51.图像检测模块，用于基于预设的图像驱动装置驱动所述图像检测装置对所述当前待检测晶体管进行多角度图像检测，并获取外表面实际图像和引脚连接处实际图像；
52.表面图像模块，用于将所述外表面实际图像和预设的标准整体图像进行比对，并
提取当前整体比对损坏点，同时将所述引脚连接处实际图像与标准引脚连接图像对比，并提取引脚连接损坏点；
53.色彩加强模块，用于对所述外表面实际图像进行第一色彩加强处理，并生成整体外表加强图像，同时对所述引脚连接处实际图像进行第一色彩加强处理，并生成引脚连接处加强图像；
54.损坏提取模块，用于提取所述整体外表加强图像中的损坏点，并生成加强图像损坏点；
55.加强生成模块，用于提取所述引脚连接处加强图像中的损坏点，并生成加强图像连接处损坏点；
56.损坏点对比模块，用于将所述当前整体比对损坏点与所述加强图像损坏点对比，并生成确定整体损坏点，根据所述确定整体损坏点对所述整体外表加强图像校准，并在校准后生成当前校准后整体加强图像；
57.确定损坏模块，用于将所述引脚连接损坏点与所述加强图像连接处损坏点对比，并生成连接处确定损坏点，根据所述连接处确定损坏点对所述引脚连接处加强图像进行校准，并在校准后生成当前校准后连接处加强图像。
58.进一步地说，所述失效指示模块还用于：
59.调取所述当前校准后整体加强图像中的确定整体损坏点，并获取所述确定整体损坏点的实际整体损坏程度数据；将所述实际整体损坏程度数据与预设的标准整体损坏序列表对比，并生成当前整体损坏程度值，其中，所述标准整体损坏序列表包括标准整体损坏数据和标准整体损坏程度值，一个所述标准整体损坏数据与一个所述标准整体损坏程度值相对应，与所述实际整体损坏程度数据相匹配的所述标准整体损坏数据所对应的标准整体损坏程度值即为所述当前整体损坏程度值；根据所述当前校准后连接处加强图像中的确定整体损坏点，获取所述确定整体损坏点的实际连接处损坏程度数据；根据所述实际连接处损坏程度数据与预设的标准连接处损坏序列表对比，并生成当前连接处损坏程度值，其中，所述标准连接处损坏序列表包括标准连接处损坏数据和标准连接处损坏程度值，一个所述标准连接处损坏数据与一个所述标准连接处损坏程度值相对应，与所述实际连接处损坏程度数据相匹配的所述标准连接处损坏数据相匹配对应的标准连接处损坏程度值即为所述当前连接处损坏程度值；根据所述当前整体损坏程度值和所述当前连接处损坏程度值生成当前外部形态损毁数值；判断所述当前外部形态损毁数值是否大于等于预设的标准损坏程度值；若判断当前外部形态损毁数值大于等于所述标准损坏程度值，则判断所述当前待检测晶体管的外部形态存在形态功能失效，并生成功能失效指示；若判断当前外部形态损毁数值小于所述标准损坏程度值，则判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效。
60.进一步地说，一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述绝缘栅双极型晶体管功能失效检测方法所述的步骤。
61.进一步地说，一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述绝缘栅双极型晶体管功能失效检测方法所述的步骤。
62.本发明实现技术效果如下：
63.上述绝缘栅双极型晶体管功能失效检测方法及系统，依次通过基于预设的图像检测装置，获取当前待检测晶体管的当前实际外部图像，并对所述当前实际外部图像进行色彩增强转化处理，并生成色彩增强转化图像；根据所述色彩增强转化图像判断所述当前待检测晶体管的外部形态是否存在形态功能失效，若判断所述当前待检测晶体管的外部形态存在形态功能失效，则生成功能失效指示；若判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效，则在将所述当前待检测晶体管安装于预设特定位置后，基于预设的晶体管内部结构探测装置获取所述当前待检测晶体管的当前晶体管内部结构排布数据；根据所述当前晶体管内部结构排布数据判断所述当前待检测晶体管是否存在内部功能缺陷，若判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，则生成功能失效提示，并基于预设的晶体管搬运机构将存在内部功能缺陷的当前待检测晶体管搬运至功能缺陷区域，进而实现极大提升了检测效率和检测的准确性，极大满足用户的使用需求。
附图说明
64.图1为一个实施例中绝缘栅双极型晶体管功能失效检测方法的应用场景图图；
65.图2为一个实施例中绝缘栅双极型晶体管功能失效检测方法的流程示意图；
66.图3为一个实施例中探测信号发送模块和探测信号接收模块发送初始探测信号的信号流向模拟状态示意图；
67.图4为一个实施例中绝缘栅双极型晶体管功能失效检测系统的结构框图；
68.图5为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
69.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
70.在一个实施例中，如图1所示，提供了一种所述绝缘栅双极型晶体管功能失效检测方法的应用场景，该应用场景中包括嵌入式终端设备、图像驱动装置、图像检测装置和晶体管搬运机构，所述图像驱动装置、所述图像检测装置和所述晶体管搬运机构均与所述嵌入式终端设备通信连接，图1中标号101标示用于放置当前待检测晶体管的预设特定位置。
71.进一步地，所述嵌入式终端设备用于基于预设的图像检测装置，获取当前待检测晶体管的当前实际外部图像，并对所述当前实际外部图像进行色彩增强转化处理，并生成色彩增强转化图像；然后，根据所述色彩增强转化图像判断所述当前待检测晶体管的外部形态是否存在形态功能失效，若判断所述当前待检测晶体管的外部形态存在形态功能失效，则生成功能失效指示；接着，若判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效，则在将所述当前待检测晶体管安装于预设特定位置后，基于预设的晶体管内部结构探测装置获取所述当前待检测晶体管的当前晶体管内部结构排布数据；最后，根据所述当前晶体管内部结构排布数据判断所述当前待检测晶体管是否存在内部功能缺陷，若判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，则生成功能失效提示，并基于预设的晶体管搬运机构将存在内部功能缺陷的当前待检测晶体管搬运至功能缺陷区域。
72.其中，所述嵌入式终端设备包括但不限于笔记本电脑、智能手机、平板电脑和便携
式可穿戴设备等。所述图像驱动装置和所述晶体管搬运机构均采用机械手。所述图像检测装置具体地为型号为m266540的ccd相机。
73.在一个实施例中，如图2所示，提供了一种绝缘栅双极型晶体管功能失效检测方法，所述方法包括：
74.步骤s100：基于预设的图像检测装置，获取当前待检测晶体管的当前实际外部图像，并对所述当前实际外部图像进行色彩增强转化处理，并生成色彩增强转化图像；
75.步骤s200：根据所述色彩增强转化图像判断所述当前待检测晶体管的外部形态是否存在形态功能失效，若判断所述当前待检测晶体管的外部形态存在形态功能失效，则生成功能失效指示；
76.步骤s300：若判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效，则在将所述当前待检测晶体管安装于预设特定位置后，基于预设的晶体管内部结构探测装置获取所述当前待检测晶体管的当前晶体管内部结构排布数据；
77.步骤s400：根据所述当前晶体管内部结构排布数据判断所述当前待检测晶体管是否存在内部功能缺陷，若判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，则生成功能失效提示，并基于预设的晶体管搬运机构将存在内部功能缺陷的当前待检测晶体管搬运至功能缺陷区域。
78.进一步地，本发明先获取所述当前实际外部图像，然后为了实现精准的功能检测，检测出瑕疵点，进而通过对所述当前实际外部图像进行色彩增强转化处理，并生成色彩增强转化图像，接着先对外部功能形态进行检测，具体为根据所述色彩增强转化图像判断所述当前待检测晶体管的外部形态是否存在形态功能失效，若判断所述当前待检测晶体管的外部形态存在形态功能失效，则生成功能失效指示，此时进行了第一次功能判断，也即所述形态功能失效的判断，然后，为了实现更精准的判断，以及判断是否出现内部功能失效或者可能出现内部功能失效问题，进而通过在将所述当前待检测晶体管安装于预设特定位置后，基于预设的晶体管内部结构探测装置获取所述当前待检测晶体管的当前晶体管内部结构排布数据，然后根据所述当前晶体管内部结构排布数据判断所述当前待检测晶体管是否存在内部功能缺陷，若判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，则生成功能失效提示，并基于预设的晶体管搬运机构将存在内部功能缺陷的当前待检测晶体管搬运至功能缺陷区域，以此实现了通过所述当前晶体管内部结构排布数据来进行功能失效或者可能出现功能失效风险的判断，较之现有技术中的电测试方法，克服了电测试方法中不能检测内部结构是否存在功能失效风险的弊端，极大提升了检测效率和检测的准确性，极大满足用户的使用需求。
79.在一个实施例中，所述当前实际外部图像包括外表面实际图像和引脚连接处实际图像；所述色彩增强转化图像包括当前校准后整体加强图像和当前校准后连接处加强图像；
80.步骤s100：基于预设的图像检测装置，获取当前待检测晶体管的当前实际外部图像，并对所述当前实际外部图像进行色彩增强转化处理，并生成色彩增强转化图像，具体包括：
81.步骤s110：基于预设的图像驱动装置驱动所述图像检测装置对所述当前待检测晶体管进行多角度图像检测，并获取外表面实际图像和引脚连接处实际图像；
82.其中，为了进行外部功能形态的精准检测，进而需要获取多角度的图像，因此，通过所述图像驱动装置驱动所述图像检测装置来进行多角度检测。
83.所述外表面实际图像包括但不限于所述当前待检测晶体管的正面图像和侧面图像。所述引脚连接处实际图像包括但不限于所述当前待检测晶体管的引脚与主体处的连接部位。
84.步骤s120：将所述外表面实际图像和预设的标准整体图像进行比对，并提取当前整体比对损坏点，同时将所述引脚连接处实际图像与标准引脚连接图像对比，并提取引脚连接损坏点；
85.其中，所述标准整体图像为预先设置并存储，具体为对无瑕疵点的晶体管的外部进行拍照，进而实现精准对比。所述标准引脚连接图像为对无瑕疵点的晶体管的引脚连接处进行拍照，进而获取所述标准引脚连接图像，接着，通过对比提取引脚连接损坏点。
86.步骤s130：对所述外表面实际图像进行第一色彩加强处理，并生成整体外表加强图像，同时对所述引脚连接处实际图像进行第一色彩加强处理，并生成引脚连接处加强图像；
87.其中，所述第一色彩加强处理为对所述外表面实际图像进行色彩突出处理，具体为进行白色图像凸出处理，如所述当前待检测晶体管上存在灰尘，那么其与当前待检测晶体管的主体之间存在色差，那么通过色彩突出处理，使得白色的色彩突出体现，进而实现生成的所述引脚连接处加强图像和整体外表加强图像上的瑕疵点更能够分辨以及区分。
88.进一步地，如对于当前待检测晶体管中存在的凹点或者坑，因光照的原因，采集图像的时候，凹点处会存在颜色与周围颜色的不同，那么通过逐一对不同的颜色进行突出处理，进而直至分辨出凹点处的颜色与其他区域不同，进而方便后续提升检测到凹点处为瑕疵点的准确率。
89.与现有技术中不同的是，本步骤中通过色彩加强处理，实现了对瑕疵或损坏点的更精准筛选与突出，进而提升外部功能失效检测的准确性和可靠性。
90.步骤s140：提取所述整体外表加强图像中的损坏点，并生成加强图像损坏点；
91.步骤s150：提取所述引脚连接处加强图像中的损坏点，并生成加强图像连接处损坏点；
92.为了后续实现精准瑕疵点对比，进而通过生成加强图像损坏点和生成所述加强图像连接处损坏点。
93.步骤s160：将所述当前整体比对损坏点与所述加强图像损坏点对比，并生成确定整体损坏点，根据所述确定整体损坏点对所述整体外表加强图像校准，并在校准后生成当前校准后整体加强图像；
94.本步骤中，通过将所述当前整体比对损坏点与所述加强图像损坏点对比，当相同位置处均存在所述当前整体比对损坏点与所述加强图像损坏点，那么说明此处的损坏点即为确定存在的损坏点，也即生成所述确定整体损坏点，接着对所述整体外表加强图像校准，生成当前校准后整体加强图像。
95.进一步地说，若所述当前整体比对损坏点为p1坐标、p2坐标与p3坐标，而所述加强图像损坏点为p1坐标、p2坐标与q1坐标，那么相同的为p1坐标、p2坐标，故所述确定整体损坏点即为所述p1坐标和p2坐标，接着，对所述整体外表加强图像校准，生成的当前校准后整
体加强图像中的固定损坏点即为p1坐标和p2坐标。
96.更进一步地说，所述当前整体比对损坏点与所述加强图像损坏点的坐标，也即其分布于当前待检测晶体管上的何种位置，以所述预设特定位置的预设拐点为坐标原点，并选定x轴和y轴，以简历坐标系，进而实现对所述当前整体比对损坏点与所述加强图像损坏点的定位与坐标的获取，进而实现精准定位与获得损坏点。
97.步骤s170：将所述引脚连接损坏点与所述加强图像连接处损坏点对比，并生成连接处确定损坏点，根据所述连接处确定损坏点对所述引脚连接处加强图像进行校准，并在校准后生成当前校准后连接处加强图像。
98.同理，通过将所述引脚连接损坏点与所述加强图像连接处损坏点对比，来生成连接处确定损坏点，然后再进行校准，以生成当前校准后连接处加强图像。
99.进一步地，本实施例中，为了提升外部功能检测的准确性，进而通过基于预设的图像驱动装置驱动所述图像检测装置对所述当前待检测晶体管进行多角度图像检测，并获取外表面实际图像和引脚连接处实际图像；然后，将所述外表面实际图像和预设的标准整体图像进行比对，并提取当前整体比对损坏点，同时将所述引脚连接处实际图像与标准引脚连接图像对比，并提取引脚连接损坏点；接着，对所述外表面实际图像进行第一色彩加强处理，并生成整体外表加强图像，同时对所述引脚连接处实际图像进行第一色彩加强处理，并生成引脚连接处加强图像；再然后，提取所述整体外表加强图像中的损坏点，并生成加强图像损坏点；接着，提取所述引脚连接处加强图像中的损坏点，并生成加强图像连接处损坏点；然后，为了提升准确性，将所述当前整体比对损坏点与所述加强图像损坏点对比，并生成确定整体损坏点，根据所述确定整体损坏点对所述整体外表加强图像校准，并在校准后生成当前校准后整体加强图像；最后，将所述引脚连接损坏点与所述加强图像连接处损坏点对比，并生成连接处确定损坏点，根据所述连接处确定损坏点对所述引脚连接处加强图像进行校准，并在校准后生成当前校准后连接处加强图像，进而实现了精准的外部功能检测，较之现有技术中的仅外观检测，本发明中通过色彩增强处理，进一步地提升了检测的准确性和可靠性。
100.在一个实施例中，步骤s200：根据所述色彩增强转化图像判断所述当前待检测晶体管的外部形态是否存在形态功能失效，若判断所述当前待检测晶体管的外部形态存在形态功能失效，则生成功能失效指示；具体包括：
101.步骤s210：调取所述当前校准后整体加强图像中的确定整体损坏点，并获取所述确定整体损坏点的实际整体损坏程度数据；
102.其中，所述实际整体损坏程度数据为所述确定整体损坏点的损坏尺寸、损坏深度以及损坏区域面积等参数。也即，所述实际整体损坏程度数据为表征所述确定整体损坏点的损坏情况的具体数据。
103.步骤s220：将所述实际整体损坏程度数据与预设的标准整体损坏序列表对比，并生成当前整体损坏程度值，其中，所述标准整体损坏序列表包括标准整体损坏数据和标准整体损坏程度值，一个所述标准整体损坏数据与一个所述标准整体损坏程度值相对应，与所述实际整体损坏程度数据相匹配的所述标准整体损坏数据所对应的标准整体损坏程度值即为所述当前整体损坏程度值；
104.本步骤中，预先设置所述标准整体损坏序列表，进而将所述实际整体损坏程度数
据与所述标准整体损坏序列表中标准整体损坏数据一一对比，直至找出与所述实际整体损坏程度数据相匹配的所述标准整体损坏数据，而该标准整体损坏数据对应的标准整体损坏程度值即为所述当前整体损坏程度值。
105.进一步地，所述标准整体损坏数据与所述实际整体损坏程度数据是否相匹配，有两种方式，一种为所述标准整体损坏数据与所述实际整体损坏程度数据完全相同。第二种为所述标准整体损坏数据与所述实际整体损坏程度数据之间的数据差别为预设标准差，所述预设标准差为预先设置。
106.步骤s230：根据所述当前校准后连接处加强图像中的确定整体损坏点，获取所述确定整体损坏点的实际连接处损坏程度数据；
107.同理所述实际连接处损坏程度数据包括但不限于损坏区域面积、损坏尺寸以及损坏范围。
108.步骤s240：根据所述实际连接处损坏程度数据与预设的标准连接处损坏序列表对比，并生成当前连接处损坏程度值，其中，所述标准连接处损坏序列表包括标准连接处损坏数据和标准连接处损坏程度值，一个所述标准连接处损坏数据与一个所述标准连接处损坏程度值相对应，与所述实际连接处损坏程度数据相匹配的所述标准连接处损坏数据相匹配对应的标准连接处损坏程度值即为所述当前连接处损坏程度值；
109.步骤s250：根据所述当前整体损坏程度值和所述当前连接处损坏程度值生成当前外部形态损毁数值；
110.步骤s260：判断所述当前外部形态损毁数值是否大于等于预设的标准损坏程度值；
111.进一步地，通过将所述当前整体损坏程度值和所述当前连接处损坏程度值相加，进而生成所述当前外部形态损毁数值。
112.然后，通过预先设置所述标准损坏程度值，进而实现后续的精准数据对比。
113.步骤s270：若判断当前外部形态损毁数值大于等于所述标准损坏程度值，则判断所述当前待检测晶体管的外部形态存在形态功能失效，并生成功能失效指示；若判断当前外部形态损毁数值小于所述标准损坏程度值，则判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效。
114.进一步地，当判断当前外部形态损毁数值大于等于所述标准损坏程度值，故说明此时损坏程度严重，已经影响或者可能影响外部形态功能，故生成功能失效指示；若判断当前外部形态损毁数值小于所述标准损坏程度值，则判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效。
115.进而，与现有技术中不同的是，本步骤中精准利用了测试数据来判断是否功能失效，实现更精准检测。
116.在一个实施例中，如图3所述，所述晶体管内部结构探测装置包括探测信号发送模块和探测信号接收模块；
117.步骤s300：若判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效，则在将所述当前待检测晶体管安装于预设特定位置后，基于预设的晶体管内部结构探测装置获取所述当前待检测晶体管的当前晶体管内部结构排布数据；具体包括：
118.步骤s310：若判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效，则在
将所述当前待检测晶体管安装于预设特定位置后，根据所述预设特定位置获取起始探测点；
119.本实施例中，如图3所示，所述预设特定位置与所述起始探测点相对应，也即获取所述预设特定位置后，即可获取所述起始探测点，本步骤中，所述起始探测点即为a1点。
120.那么，通过设置所述预设特定位置，进而限定所述起始探测点，这样使无需再单独对所述起始探测点进行定义，实现以所述预设特定位置为参考点，使所述当前待检测晶体管安置于所述预设特定位置后，即可即时获取所述起始探测点，提升探测效率。
121.步骤s320：根据所述起始探测点和预设的标准间隔距离生成等间隔探测点；
122.如图3所示，所述标准间隔距离为预先设置，那么基于所述标准间隔距离和所述起始探测点，即可生成所述等间隔探测点。
123.图3中，a1、a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8、a9以及a10分别为所述等间隔探测点。
124.步骤s330：基于所述探测信号发送模块自所述起始探测点后起，依次在各所述等间隔探测点的前侧朝向所述等间隔探测点发射初始探测信号；
125.步骤s340：基于所述探测信号接收模块在各所述等间隔探测点的后侧接收所述初始探测信号经所述当前待检测晶体管后的初始穿透信号；
126.步骤s350：基于所述探测信号发送模块获取所述探测信号发送模块接收到所述初始探测信号经所述当前待检测晶体管中的金属引脚反弹后的初始反弹信号；
127.本步骤中，各所述等间隔探测点的前侧即为所述探测信号发送模块的安装侧，各所述等间隔探测点的后侧即为图3中所述探测信号接收模块的安装侧。
128.自所述起始探测点a1起，在每个所述等间隔探测点a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8、a9以及a10处，所述探测信号发送模块均向所述当前待检测晶体管发送初始探测信号。图3中，a1、a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8、a9和a10分别为与在等间隔探测点a1、a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8、a9以及a10处发射的初始探测信号。
129.进一步的说，b1、b2、b3、b4、b5和b6为初始探测信号a1、a2、a3、a4、a5和a6经所述当前待检测晶体管后的初始穿透信号。b7、b8、b9、b10分别为初始探测信号a7、a8、a9、a10经所述当前待检测晶体管后的初始反弹信号。
130.图3中的102即为所述当前待检测晶体管。
131.步骤s360：根据各所述初始穿透信号和各所述初始反弹信号生成所述当前待检测晶体管的当前晶体管内部结构排布数据。
132.本实施例中，当获取所述初始穿透信号和所述初始反弹信号后，即可获取所述当前待检测晶体管内部的哪些区域是有金属分布，哪些区域是无金属分布的，进而获取所述当前晶体管内部结构排布数据，也即，通过信号探测的方式，探测到所述当前晶体管内部结构排布数据。所述当前晶体管内部结构排布数据为表征所述当前待测晶体管内部的金属引脚的分布数据。
133.本实施例中，所述探测信号发送模块和所述探测信号接收模块均为毫米波雷达，当毫米波雷达发送的电磁遇到金属时，电磁便会反弹，也即遇到所述绝缘栅双极型晶体管的内部引脚处便会反弹。
134.而电磁遇到所述当前待检测晶体管的其他部分则会穿透一部分，虽有极大损耗，但是仍有部分能够穿透，故以此来进行探测。
135.当然，上述毫米波雷达仅为举例，实际生产及运用过程中，对于所述探测信号发送模块和所述探测信号接收模块的选型与设置，理应由本领域技术人员进行自行选择能够实现本步骤中所需要实现的功能，进而实现探测功能。也即，不仅限于上述毫米波雷达，所述探测信号发送模块和所述探测信号接收模块的具体型号或传感器，按需设置，本发明不作具体限定。
136.因此，通过利用毫米波雷达发送的电磁遇到金属反弹的方式，来进行对所述当前待检测金属管的内部结构分布，也即获知了所述当前待检测金属管的金属引脚延伸至其内部的区域，进而方便后续进行探测。
137.本发明中，通过设置毫米波雷达的方式，无需进行电测试，较之现有技术中的电测试方案中的耗电且操作不便的弊端，本发明中可同时设置多个所述预设特定位置，进而实现多工位检测，从而实现高效且便利的进行测试。
138.在一个实施例中，所述当前晶体管内部结构排布数据包括无引脚结构区域数据和有引脚结构区域数据；
139.如图3所示，其中的x1区域即为所述无引脚结构区域，根据初始穿透信号b1、b2、b3、b4、b5和b6生成的数据即为所述无引脚结构区域数据。同理，x2区域为有引脚结构区域数据。根据初始反弹信号b7、b8、b9和b10生成的数据即为所述有引脚结构区域数据。
140.步骤s400：根据所述当前晶体管内部结构排布数据判断所述当前待检测晶体管是否存在内部功能缺陷，若判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，则生成功能失效提示，并基于预设的晶体管搬运机构将存在内部功能缺陷的当前待检测晶体管搬运至功能缺陷区域；具体包括：
141.步骤s410：分别获取所述无引脚结构区域数据所对应的初始穿透信号的实际接收耗费时间，其中，所述实际接收耗费时间为自所述探测信号发送模块发送所述初始探测信号至所述探测信号接收模块接收到所述初始穿透信号的时间；
142.本实施例中，如图3所示，所述实际接收耗费时间为自所述探测信号发送模块发送所述初始探测信号至所述探测信号接收模块接收到所述初始穿透信号的时间，一个所述初始穿透信号对应一个初始探测信号，一个初始探测信号对应一个实际接收耗费实际。具体地，各所述实际接收耗费实际分别为初始探测信号a1、a2、a3、a4、a5和a6自发送，到初始穿透信号b1、b2、b3、b4、b5和b6被接收的时间。
143.步骤s420：根据各所述实际接收耗费时间生成平均穿透耗费时间，并筛选出与所述平均穿透耗费时间的数值相差大于等于预设的第一标准时间差的实际接收耗费时间，并设定为当前初始结构异常点；
144.本实施例中，平均耗费时间则为根据各所述实际接收耗费时间来生成。所述平均穿透耗费时间用于表征毫米波穿透所述当前待检测晶体管的正常区域所需要的时间，若与所述平均穿透耗费时间的数值相差大于等于预设的第一标准时间差，则说明该点可能出现气泡而导致其内部出现空气，或者其有其他杂质导致其耗时过长，此时与所述平均穿透耗费时间的数值相差大于等于预设的第一标准时间差的实际接收耗费时间所对应的等间隔探测点为当前初始结构异常点。
145.步骤s430：分别获取所述有引脚结构区域数据所对应的初始穿透信号的实际反弹耗费时间，其中，所述实际反弹耗费时间为自所述探测信号发送模块发送所述初始探测信
号至所述探测信号发送模块接收到所述初始反弹信号的时间；
146.本实施例中，所述实际反弹耗费时间为自所述a7、a8、a9和a10发送到所述初始反弹信号b7、b8、b9和b10被接收所耗费的时间。所述初始穿透信号a7、a8、a9和a10分别对应一个所述实际反弹耗费时间。
147.步骤s440：根据各所述实际反弹耗费时间生成平均反弹耗费时间，并筛选出与所述平均反弹耗费时间的数值相差大于等于预设的第二标准时间差的实际反弹耗费时间，并设定为当前初始引脚处异常点；
148.本实施例中，同理，所述平均反弹耗费时间用于表征正常区域的反弹时间。若与所述平均反弹耗费时间的数值相差大于等于预设的第二标准时间差，则说明对应的点或区域处的引脚附近存在气泡或者其他杂质，这些其他杂质或者气泡均为导致功能失效或可能失效的原因，均需要滤除。
149.进一步地，所述第一标准时间差和所述第二标准时间差均为预先设置。
150.步骤s450：判断所述当前初始结构异常点的数量是否大于等于预设的第一标准异常数量，若判断所述当前初始结构异常点的数量大于等于所述第一标准异常数量，则判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，并生成功能失效提示，基于预设的晶体管搬运机构将存在内部功能缺陷的当前待检测晶体管搬运至功能缺陷区域；
151.本步骤中，所述第一标准异常数量为预先设置，若判断所述当前初始结构异常点的数量大于等于所述第一标准异常数量，则判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，并生成功能失效提示。
152.步骤s460：若判断所述当前初始结构异常点的数量小于所述第一标准异常数量，则判断所述当前初始引脚处异常点是否大于等于预设的第二标准异常量，若判断所述当前初始引脚处异常点是大于等于所述第二标准异常量，则判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，并生成功能失效提示，基于预设的晶体管搬运机构将存在内部功能缺陷的当前待检测晶体管搬运至功能缺陷区域；若判断所述当前初始引脚处异常点小于所述第二标准异常量，则生成当前功能正常指示。
153.进一步地，本步骤中，所述第二标准异常量为预先设置，用于判断是否功能失效。通过判断所述当前初始引脚处异常点是否大于等于预设的第二标准异常量，若判断所述当前初始引脚处异常点是大于等于所述第二标准异常量，则判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，也即无论所述当前初始结构异常点的数量超标或者所述当前初始引脚处异常点超标，均判定为功能失效，这样实现了多角度多方位精准判定。
154.另一方面，所述第一标准异常量和所述第二标准异常量的数值可以相同或不相同，具体为本领域技术人员预先设置。
155.因此，本发明通过基于所述当前初始结构异常点的数量和所述当前初始引脚处异常点的数量，来判断是否功能失效，或者说是否存在是否功能失效的可能，保证了经过检测的产品均为质量稳定且不存在后续功能失效的可能，进而极大提升功能失效检测的效率，较之现有技术中的电测试方法所带来的短期测试结果，而不能检测其内部结构的缺陷导致的可能风险，本发明能够更精准且更能够实现高质量高准确率的检测，进而极大满足用户的使用需求。
156.在一个实施例中，如图4所示，提供了一种绝缘栅双极型晶体管功能失效检测系
统，所述系统包括：
157.色彩增强模块，用于基于预设的图像检测装置，获取当前待检测晶体管的当前实际外部图像，并对所述当前实际外部图像进行色彩增强转化处理，并生成色彩增强转化图像；
158.失效指示模块，用于根据所述色彩增强转化图像判断所述当前待检测晶体管的外部形态是否存在形态功能失效，若判断所述当前待检测晶体管的外部形态存在形态功能失效，则生成功能失效指示；
159.特定位置模块，用于若判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效，则在将所述当前待检测晶体管安装于预设特定位置后，基于预设的晶体管内部结构探测装置获取所述当前待检测晶体管的当前晶体管内部结构排布数据；
160.功能判断模块，用于根据所述当前晶体管内部结构排布数据判断所述当前待检测晶体管是否存在内部功能缺陷，若判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，则生成功能失效提示，并基于预设的晶体管搬运机构将存在内部功能缺陷的当前待检测晶体管搬运至功能缺陷区域。
161.在一个实施例中，所述当前实际外部图像包括外表面实际图像和引脚连接处实际图像；所述色彩增强转化图像包括当前校准后整体加强图像和当前校准后连接处加强图像，所述色彩增强模块还包括：
162.图像检测模块，用于基于预设的图像驱动装置驱动所述图像检测装置对所述当前待检测晶体管进行多角度图像检测，并获取外表面实际图像和引脚连接处实际图像；
163.表面图像模块，用于将所述外表面实际图像和预设的标准整体图像进行比对，并提取当前整体比对损坏点，同时将所述引脚连接处实际图像与标准引脚连接图像对比，并提取引脚连接损坏点；
164.色彩加强模块，用于对所述外表面实际图像进行第一色彩加强处理，并生成整体外表加强图像，同时对所述引脚连接处实际图像进行第一色彩加强处理，并生成引脚连接处加强图像；
165.损坏提取模块，用于提取所述整体外表加强图像中的损坏点，并生成加强图像损坏点；
166.加强生成模块，用于提取所述引脚连接处加强图像中的损坏点，并生成加强图像连接处损坏点；
167.损坏点对比模块，用于将所述当前整体比对损坏点与所述加强图像损坏点对比，并生成确定整体损坏点，根据所述确定整体损坏点对所述整体外表加强图像校准，并在校准后生成当前校准后整体加强图像；
168.确定损坏模块，用于将所述引脚连接损坏点与所述加强图像连接处损坏点对比，并生成连接处确定损坏点，根据所述连接处确定损坏点对所述引脚连接处加强图像进行校准，并在校准后生成当前校准后连接处加强图像。
169.在一个实施例中，所述失效指示模块还用于：
170.调取所述当前校准后整体加强图像中的确定整体损坏点，并获取所述确定整体损坏点的实际整体损坏程度数据；将所述实际整体损坏程度数据与预设的标准整体损坏序列表对比，并生成当前整体损坏程度值，其中，所述标准整体损坏序列表包括标准整体损坏数
据和标准整体损坏程度值，一个所述标准整体损坏数据与一个所述标准整体损坏程度值相对应，与所述实际整体损坏程度数据相匹配的所述标准整体损坏数据所对应的标准整体损坏程度值即为所述当前整体损坏程度值；根据所述当前校准后连接处加强图像中的确定整体损坏点，获取所述确定整体损坏点的实际连接处损坏程度数据；根据所述实际连接处损坏程度数据与预设的标准连接处损坏序列表对比，并生成当前连接处损坏程度值，其中，所述标准连接处损坏序列表包括标准连接处损坏数据和标准连接处损坏程度值，一个所述标准连接处损坏数据与一个所述标准连接处损坏程度值相对应，与所述实际连接处损坏程度数据相匹配的所述标准连接处损坏数据相匹配对应的标准连接处损坏程度值即为所述当前连接处损坏程度值；根据所述当前整体损坏程度值和所述当前连接处损坏程度值生成当前外部形态损毁数值；判断所述当前外部形态损毁数值是否大于等于预设的标准损坏程度值；若判断当前外部形态损毁数值大于等于所述标准损坏程度值，则判断所述当前待检测晶体管的外部形态存在形态功能失效，并生成功能失效指示；若判断当前外部形态损毁数值小于所述标准损坏程度值，则判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效。
171.在一个实施例中，所述特定位置模块还用于：若判断所述当前待检测晶体管的外部形态不存在形态功能失效，则在将所述当前待检测晶体管安装于预设特定位置后，根据所述预设特定位置获取起始探测点；根据所述起始探测点和预设的标准间隔距离生成等间隔探测点；基于所述探测信号发送模块自所述起始探测点后起，依次在各所述等间隔探测点的前侧朝向所述等间隔探测点发射初始探测信号；基于所述探测信号接收模块在各所述等间隔探测点的后侧接收所述初始探测信号经所述当前待检测晶体管后的初始穿透信号；基于所述探测信号发送模块获取所述探测信号发送模块接收到所述初始探测信号经所述当前待检测晶体管中的金属引脚反弹后的初始反弹信号；根据各所述初始穿透信号和各所述初始反弹信号生成所述当前待检测晶体管的当前晶体管内部结构排布数据。
172.在一个实施例中，所述功能判断模块还用于：分别获取所述无引脚结构区域数据所对应的初始穿透信号的实际接收耗费时间，其中，所述实际接收耗费时间为自所述探测信号发送模块发送所述初始探测信号至所述探测信号接收模块接收到所述初始穿透信号的时间；根据各所述实际接收耗费时间生成平均穿透耗费时间，并筛选出与所述平均穿透耗费时间的数值相差大于等于预设的第一标准时间差的实际接收耗费时间，并设定为当前初始结构异常点；分别获取所述有引脚结构区域数据所对应的初始穿透信号的实际反弹耗费时间，其中，所述实际反弹耗费时间为自所述探测信号发送模块发送所述初始探测信号至所述探测信号发送模块接收到所述初始反弹信号的时间；根据各所述实际反弹耗费时间生成平均反弹耗费时间，并筛选出与所述平均反弹耗费时间的数值相差大于等于预设的第二标准时间差的实际反弹耗费时间，并设定为当前初始引脚处异常点；判断所述当前初始结构异常点的数量是否大于等于预设的第一标准异常数量，若判断所述当前初始结构异常点的数量大于等于所述第一标准异常数量，则判断所述当前待检测晶体管存在内部功能缺陷，并生成功能失效提示，基于预设的晶体管搬运机构将存在内部功能缺陷的当前待检测晶体管搬运至功能缺陷区域；若判断所述当前初始结构异常点的数量小于所述第一标准异常数量，则判断所述当前初始引脚处异常点是否大于等于预设的第二标准异常量，若判断所述当前初始引脚处异常点是大于等于所述第二标准异常量，则判断所述当前待检测晶体
管存在内部功能缺陷，并生成功能失效提示，基于预设的晶体管搬运机构将存在内部功能缺陷的当前待检测晶体管搬运至功能缺陷区域；若判断所述当前初始引脚处异常点小于所述第二标准异常量，则生成当前功能正常指示。
173.在一个实施例中，如图5所示，一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述绝缘栅双极型晶体管功能失效检测方法所述的步骤。
174.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述绝缘栅双极型晶体管功能失效检测方法所述的步骤。
175.本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(ram)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，ram以多种形式可得，诸如静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)、双数据率sdram(ddrsdram)、增强型sdram(esdram)、同步链路(synchlink)dram(sldram)、存储器总线(rambus)直接ram(rdram)、直接存储器总线动态ram(drdram)、以及存储器总线动态ram(rdram)等。
176.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
177.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。