触控电子装置的制作方法

技术特征：
1.一种触控电子装置，其特征在于，包括：一显示元件；一导电膜，设置于该显示元件上，且该导电膜具有一表面阻抗介于105ω/
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至109ω/
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之间；以及一第一偏光片，设置于该导电膜上，且该导电膜设置于该显示元件与该第一偏光片之间；其中，该第一偏光片的表面阻抗除以该导电膜的该表面阻抗大于或等于103，且小于或等于108。2.根据权利要求1所述的触控电子装置，其特征在于，还包括一导电胶，设置于该导电膜上，且与该显示元件接触。3.根据权利要求2所述的触控电子装置，其特征在于，该导电胶与该第一偏光片相隔一距离。4.根据权利要求2所述的触控电子装置，其特征在于，该显示元件包括一第一基板以及一第二基板，其中，该第一基板设置于该第二基板上，且该导电胶与该第二基板接触。5.根据权利要求4所述的触控电子装置，其特征在于，还包括一电路板，设置于该第二基板上。6.根据权利要求4所述的触控电子装置，其特征在于，在该显示元件的一法线方向上，该导电胶与该第一偏光片之间具有一第一最小距离，该第一偏光片与该第一基板之间具有一第二最小距离，其中，该第一最小距离大于0μm，且小于或等于该第二最小距离的1/5。7.根据权利要求2所述的触控电子装置，其特征在于，在该显示元件的一法线方向上，该导电胶的顶表面至该导电膜的上表面之间具有一最大厚度，该最大厚度小于该第一偏光片的厚度。8.根据权利要求1所述的触控电子装置，其特征在于，该第一偏光片的表面阻抗大于或等于10
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ω/
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。9.根据权利要求1所述的触控电子装置，其特征在于，该第一偏光片的厚度介于40μm至150μm之间。10.根据权利要求1所述的触控电子装置，其特征在于，该导电膜的厚度介于40nm至150nm之间。

技术总结
本公开提供一种触控电子装置，其特征在于，包括：一显示元件；一导电膜，设置于该显示元件上，且该导电膜具有一表面阻抗介于105Ω/


技术研发人员：杨秋莲 郭冠宏 郭烱杰 赖久腾 陈文怡
受保护的技术使用者：群创光电股份有限公司
技术研发日：2021.03.02
技术公布日：2022/9/1