一种低成本LDO限流电路的制作方法

技术特征：
1.一种低成本ldo限流电路，其特征在于，电路包括ldo电路模块，偏置电路模块，以及限流电路模块，ldo电路模块包括一运算放大器、一功率管及一组分压电阻，运算放大器的输出端连接功率管，功率管连接分压电阻，偏置电路模块包括一组mos管，mos管依次相连，限流电路模块包括一组三极管和一金属采样电阻，三极管和金属采样电阻依次连接，偏置电路模块的输出端连接ldo电路模块和限流电路模块的输入端，限流电路模块的输出端连接ldo电路模块的输入端。2.根据权利要求1所述的一种低成本ldo限流电路，其特征在于，ldo电路模块中分压电阻包括分压电阻r21和分压电阻r22，运算放大器amp2的输出端连接功率管n21的栅端，功率管n21的源端连接分压电阻r22的一端，分压电阻r22的另一端连接分压电阻r21的一端和运算放大器amp2的负输入端。3.根据权利要求2所述的一种低成本ldo限流电路，其特征在于，偏置电路模块中mos管包括mos管p21、mos管p22 及mos管p23，mos管p21、mos管p22 及mos管p23的栅端相连，mos管p21的栅端与漏端相连，mos管p21、mos管p22 及mos管p23的源端相连并接电源vdd，mos管p22的漏端接运算放大器amp2的输出端，mos管p23的源端连接功率管n21的漏端。4.根据权利要求3所述的一种低成本ldo限流电路，其特征在于，限流电路模块中三极管包括三极管q21和三极管q22，三极管q21的基极连接三极管q22的基极，三极管q21的集电极连接运算放大器amp2的输出端，金属采样电阻r23的一端连接三极管q22的发射极和功率管n21的源端，金属采样电阻r23的另一端连接三极管q21的发射极和分压电阻r22的一端，三极管q22的集电极连接mos管p23的漏端，三极管q22的集电极与基极相连。5.根据权利要求4所述的一种低成本ldo限流电路，其特征在于，当负载电流iload1达到限流阈值时得出下式：vbe21=vbe22 iload1*rm；其中rm为金属采样电阻r23的阻值，vbe21为三极管q21的eb结压降，vbe22为三极管q22的eb结压降，由上式得出：iload1=( vbe21-vbe22)/rm=δvbe/rm；偏置电路模块中mos管p22和mos管p23的宽长比之比为n：1，三极管q21和三极管q22的集电极电流比为n：1，由三极管的电流公式得出下式：δvbe=(k*t/q)*ln(n)，其中k为玻尔兹曼常数k=1.381
×
10-23 j／k，t为温度，q为电子的电荷量，q=1.602
×
10-19
c；得出：iload1=[(k*t/q)*ln(n)]/rm，其中分子项为正温度系数，而金属电阻的阻值rm也是正温度系数，当负载电流iload1超过限流阈值时，三极管q21将下拉导通，使功率管n21的vgs减小。6.根据权利要求1所述的一种低成本ldo限流电路，其特征在于，ldo电路模块中运算放大器amp3的输出端连接功率管p31的栅端，功率管p31的漏端连接分压电阻r32的一端，分压电阻r32的另一端连接分压电阻r31的一端及运算放大器amp3的正输入端，分压电阻r31的另一端接地。7.根据权利要求6所述的一种低成本ldo限流电路，其特征在于，限流电路模块中三极管包括三极管q31、三极管q32及三极管q33，三极管q31和三极管q32的基极相连，三极管q31的基极与集电极相连，三极管q32的集电极连接三极管q33的基极，金属采样电阻r33的一端连接三极管q32的发射极、三极管q33的集电极和电源vdd，金属采样电阻r33的另一端连接
三极管q31的发射极以及功率管p31的源端。8.根据权利要求7所述的一种低成本ldo限流电路，其特征在于，偏置电路模块中mos管包括mos管n31、mos管n32及mos管n33，mos管n31、mos管n32及mos管n33的栅端相连，mos管n32的漏端连接三极管q31的集电极，mos管n33的漏端连接三极管q32的集电极和三极管q33的基极，mos管n31、mos管n32及mos管n33的源端相连并接分压电阻r31和地。9.根据权利要求8所述的一种低成本ldo限流电路，其特征在于，当负载电流iload2达到限流阈值时如下式：iload2=[(k*t/q)*ln(n)]/rn；其中rn为金属采样电阻r33的阻值，偏置电路模块中mos管n33和mos管n32的宽长比之比为n：1。10.根据权利要求9所述的一种低成本ldo限流电路，其特征在于，当负载电流iload2超过限流阈值时，三极管q33将导通上拉，使功率管p31的vgs减小。

技术总结
本发明公开了一种低成本LDO限流电路，属于电源电路技术领域，电路包括LDO电路模块，偏置电路模块，以及限流电路模块，LDO电路模块包括一运算放大器、一功率管及一组分压电阻，运算放大器的输出端连接功率管，功率管连接分压电阻，偏置电路模块包括一组MOS管，MOS管依次相连，限流电路模块包括一组三极管和一金属采样电阻，本方案减少了工艺波动带来的误差，提高了LDO限流阈值的精度，且较于传统的限流电路功耗更低，有较高的限流精度和较低的功耗，本方案采用正温度系数的金属电阻作为采样电阻，本方案能兼顾较高的限流精度、低温漂、低功耗和低成本的特点，适用于各类芯片的中低压LDO电源电路。LDO电源电路。LDO电源电路。


技术研发人员：谭在超 肖会明 罗寅 丁国华
受保护的技术使用者：苏州锴威特半导体股份有限公司
技术研发日：2022.07.25
技术公布日：2022/8/22