半导体装置以及电力变换装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，具备：基板，包括陶瓷层和层叠于所述陶瓷层的第1导体层；硬钎料，配置于相对于所述第1导体层而与所述陶瓷层相反一侧；层叠材料，包括第1金属层和第2金属层，所述第1金属层在相对于所述第1导体层而与所述陶瓷层相反一侧利用所述硬钎料接合于所述第1导体层，所述第2金属层在相对于所述第1金属层而与所述第1导体层相反一侧层叠于所述第1金属层；软钎料，配置于所述第2金属层；以及半导体元件，利用所述软钎料接合于所述第2金属层，所述半导体元件经由所述层叠材料电连接于所述基板，所述第1导体层以及所述第1金属层的材料包括铝，所述第2金属层针对所述软钎料的润湿性比所述第1金属层高。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述层叠材料是包括所述第1金属层和所述第2金属层的包层材料。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述层叠材料的所述第1金属层以及所述第2金属层及所述硬钎料构成包层材料。4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述层叠材料还包括第3金属层，该第3金属层配置于所述第1金属层与所述第2金属层之间，所述第3金属层的材料包括钛。5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述第2金属层的材料包括镍。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第2金属层的材料包括铜。7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述基板还包括第2导体层，该第2导体层层叠于相对于所述陶瓷层而与所述第1导体层相反一侧，所述半导体装置还具备散热器，该散热器在相对于所述第2导体层而与所述第1导体层相反一侧接合于所述第2导体层。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述基板包括多个基板部。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1金属层以及所述第2金属层中的任意金属层被多个狭缝分割为多个部分。10.一种电力变换装置，具备：主变换电路，具有权利要求1～9中的任意一项所述的所述半导体装置，该主变换电路将所输入的电力进行变换而输出；以及控制电路，将控制所述主变换电路的控制信号输出到所述主变换电路。

技术总结
半导体装置(100)具备基板(1)、硬钎料(5)、层叠材料(2)、软钎料(4)以及半导体元件(3)。第1金属层(21)在相对于第1导体层(12)而与陶瓷层(11)相反一侧利用硬钎料(5)接合于第1导体层(12)。第2金属层(22)在相对于第1金属层(21)而与第1导体层(12)相反一侧层叠于第1金属层(21)。半导体元件(3)利用软钎料(4)接合于第2金属层(22)。第1导体层(12)以及第1金属层(21)的材料包括铝。第2金属层(22)针对软钎料(4)的润湿性比第1金属层(21)高。润湿性比第1金属层(21)高。润湿性比第1金属层(21)高。


技术研发人员：藤野纯司 小川道雄 川添智香 井本裕児 小川翔平
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：2021.01.06
技术公布日：2022/8/19