一种用于超宽带探测的vivaldi天线及其制备方法

1.本技术属于天线设计技术领域，尤其涉及一种用于超宽带探测的vivaldi天线及其制备方法。


背景技术：

2.本部分的陈述仅仅是提供了与本技术相关的背景技术信息，不必然构成在先技术。
3.随着微波探测技术的不断进步，超宽带雷达应用领域不断拓宽，如军事、医疗、煤矿开采、救援等。超宽带天线是超宽带雷达的组成部分之一，其性能对超宽带雷达的探测效果有至关重要的作用，设计高频带、高增益、低损耗的定向天线也受到了研究者的关注。
4.vivaldi天线是一种带有指数渐变槽的超宽带行波天线，由gibson于1979年提出。viavldi天线具有低剖面、易加工、端射性能良好等特点，适用于超宽带系统，传统的vivaldi天线结构主要分为三部分：顶层指数贴片、中间介质板以及底层馈电线。它的工作方式为：底层微带线通过介质板向顶层贴片馈电，电流在上层贴片沿着指数渐变型槽线传播，在指数线末端，也就是vivaldi天线的贴片开口处，电磁波向外辐射。在工作频段的低频处，天线在某频率点会出现谐振，在整个辐射过程中，底层的微带线及顶层的指数贴片对天线性能有着重要影响。
5.低剖面天线的整体尺寸与天线的工作频率有关。对于传统的viavldi天线，如果需要实现较低的工作频率，需要将它的尺寸变大。天线尺寸增大不利于天线的加工，浪费材料，此外在实际应用中会带来携带不方便的问题。另外，传统的vivaldi天线馈电后会有一部分电流流至天线的两侧边缘，产生电流回流现象，该现象会使天线的辐射能量不够集中，回波损耗值增加，增益减小，定向性能减弱，影响超宽带雷达探测效果。


技术实现要素：

6.为了解决上述问题，本技术的第一方面提供一种用于超宽带探测的vivaldi天线，通过指数型渐变槽、矩形过渡槽，以及指数型渐变槽两侧辐射贴片上分别设置的多个矩形开口槽，能够将能量集中于vivaldi天线的开口处，拓宽天线的低频工作范围，同时增强主波束，减小副瓣，改善天线的辐射性能，提升探测效果。
7.为了实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：
8.第一方面，本技术实施例提供一种用于超宽带探测的vivaldi天线，包括：辐射贴片、介质基板和微带线，所述辐射贴片设置于介质基板的顶层，所述微带线设置于介质基板的底层，所述辐射贴片上开设有关于水平中心轴线对称的凹槽，所述凹槽包括指数型渐变槽和矩形过渡槽，所述矩形过渡槽位于指数型渐变槽的末端；所述指数型渐变槽两侧辐射贴片上分别设置有多个矩形开口槽，多个所述矩形开口槽的长度沿着指数型渐变槽开口的方向呈线性递减。
9.作为一可选实施方式，所述指数型渐变槽两侧辐射贴片上设置矩形开口槽的数量
相同。
10.作为一可选实施方式，所述介质基板的长度不小于最大工作波长的一半；和/或，
11.所述介质基板的宽度不小于最大工作波长的一半，所述最大工作波长为天线的工作频率点在最低截止频率时的波长。
12.作为一可选实施方式，所述指数型渐变槽包括关于水平中心轴线对称的两条指数型渐变线，所述指数型渐变线的渐变率由介质基板的长度、宽度，以及矩形过渡槽的宽度确定。
13.作为一可选实施方式，所述微带线的平面形状为矩形，其位于所述凹槽的开口侧，并通过所述介质基板向顶层的辐射贴片耦合馈电。
14.作为一可选实施方式，所述微带线的长度大于所述介质基板宽度的二分之一。
15.作为一可选实施方式，矩形开口槽的最长长度根据所述介质基板的介电常数和谐振频率波长确定。
16.作为一可选实施方式，所述辐射贴片表面两侧矩形开口槽的槽宽度一致；
17.或者，所述辐射贴片表面相邻的矩形开口槽之间的间距一致，且所述间距小于谐振频率波长的四分之一。
18.作为一可选实施方式，所述介质基板的材料为fr4。
19.第二方面，本技术实施例还提供一种如第一方面，以及第一方面的任一可选实施方式中所述的用于超宽带探测的vivaldi天线的制备方法，包括：
20.按照设定尺寸绘制辐射贴片、介质基板和微带线，所述辐射贴片设置于介质基板的顶层，所述微带线设置于介质基板的底层；
21.所述辐射贴片包括两个指数贴片和矩形贴片，两个指数贴片与矩形贴片紧密相连，形成关于水平中心轴线对称的凹槽，在所述凹槽的前端开设预设尺寸的矩形过渡槽；
22.在两个指数贴片上分别开设多个矩形开口槽，多个所述矩形开口槽的长度沿着指数型渐变槽开口的方向呈线性递减。
23.本技术的有益效果是：
24.(1)通过辐射贴片上开设的指数型凹槽、矩形过渡槽，以及指数型渐变槽两侧辐射贴片上设置的长度沿着指数型渐变槽开口方向呈线性递减的多个矩形开口槽，能够将能量集中于vivaldi天线的开口处，拓宽天线的低频工作范围，同时增强主波束，减小副瓣，改善天线的辐射性能，提升探测效果。
25.(2)通过天线在最低截止频率时的波长确定介质基板的尺寸，以及相应地确定指数型渐变槽、矩形过渡槽和矩形开口槽的相关参数，以保证天线在低频率点也有适用于超宽带探测系统的可能性，同时天线尺寸较小，满足超宽带天线小型化要求。
附图说明
26.构成本技术的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。
27.图1是本发明实施例所提供的用于超宽带探测的vivaldi天线的正面图；
28.图2是本技术实施例所提供的用于超宽带探测的vivaldi天线的底面图；
29.图3是本技术实施例所提供的用于超宽带探测的vivaldi天线的回波损耗s11图；
30.图4是本技术实施例所提供的用于超宽带探测的vivaldi天线的电压驻波比vswr图；
31.图5是本技术实施例所提供的用于超宽带探测的vivaldi天线的增益图；
32.图6是本技术实施例所提供的用于超宽带探测的vivaldi天线的辐射效率图；
33.图7是本技术实施例所提供的用于超宽带探测的vivaldi天线在3ghz处的e面方向图；
34.图8是本技术实施例所提供的用于超宽带探测的vivaldi天线在4ghz处的e面方向图；
35.图9是本技术实施例所提供的用于超宽带探测的vivaldi天线在5ghz处的e面方向图；
36.图10是本技术实施例所提供的用于超宽带探测的vivaldi天线在3ghz处的h面方向图；
37.图11是本技术实施例所提供的用于超宽带探测的vivaldi天线在4ghz处的h面方向图；
38.图12是本技术实施例所提供的用于超宽带探测的vivaldi天线在5ghz处的h面方向图。
具体实施方式
39.下面结合附图与实施例对本技术作进一步说明。
40.应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本技术提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本技术所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
41.需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本技术的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
42.针对背景技术中超宽带雷达的描述，天线的性能影响着超宽带雷达的探测效果，低损耗、高增益、方向性好的天线有利于提升整个雷达系统的工作性能。viavldi天线是一种适用于超宽带雷达系统的平面天线，原始vivaldi天线因其自身尺寸，以及辐射贴片表面电流回流现象，在回波损耗、方向性、增益、辐射效率等方面均会受到影响，特别是在低频处，回波损耗值增加，增益减小，定向性能减弱，对超宽带雷达探测效果的影响很大。基于此，本技术提供如下实施方式解决背景技术中原始vivaldi天线存在的问题，进一步提高vivaldi天线的工作性能。
43.实施例一
44.请参阅图1和图2，如图中所示，本技术实施例所提供的用于超宽带探测的vivaldi天线包括：辐射贴片5、介质基板1和微带线7，所述辐射贴片5设置于介质基板1的顶层，所述微带线7设置于介质基板1的底层，所述辐射贴片5上开设有关于水平中心轴线对称的凹槽，所述凹槽包括指数型渐变槽3和矩形过渡槽4，所述矩形过渡槽4位于指数型渐变槽3的末端；所述指数型渐变槽3两侧辐射贴片上分别设置有多个矩形开口槽6，多个所述矩形开口
槽6的长度沿着指数型渐变槽开口的方向呈线性递减。
45.其中，矩形过渡槽4由一个矩形槽组成，它在天线辐射过程中主要有两个作用：一是与天线底层的微带线7进行耦合馈电，起到相互耦合传输电磁波的作用；二是与微带线7耦合后，对天线辐射贴片5表面的电流起到束缚作用。矩形过渡槽4的长度取值影响着天线回波损耗特性的好坏，矩形过渡槽4的两条长边位置关于直线y＝0.5*w对称，w是所述天线的宽度，即关于水平中心轴线对称，这样，有利于电流在辐射贴片表面均匀流动。经过优化分析，所述矩形过渡槽4的宽度可以设置为0.5mm，长度可以设置为9mm。
46.辐射贴片5表面电流存在回流现象，会增大天线的回波损耗，降低方向性，影响辐射性能。本技术实施例在辐射贴片5的表面开取一定数量的矩形开口槽6可以延长电流路径，削弱电流回流的现象。若将矩形开口槽6刻蚀在天线尾部，分散在天线尾部的电流可以聚集在槽线上，减小后向辐射损失的能量，增加前向辐射的能量，降低尾瓣电平，但考虑到实际系统对性能的要求，这种结构对性能的改善并不能弥补增益降低；若将矩形开口槽6刻蚀在辐射贴片5两侧，不仅可以降低回波损耗，减少辐射能量的损失，降低方向图中副瓣电平，同时还可以保证天线的增益有一定地提高，因此本实施例在指数型渐变槽两侧辐射贴片上刻蚀矩形开口槽6，并且多个矩形开口槽的长度沿着指数型渐变槽开口的方向呈线性递减。
47.这样，通过辐射贴片上开设的指数型凹槽、矩形过渡槽，以及指数型渐变槽两侧辐射贴片上设置的长度沿着指数型渐变槽开口方向呈线性递减的多个矩形开口槽，能够将能量集中于vivaldi天线的开口处，拓宽天线的低频工作范围，同时增强主波束，减小副瓣，改善天线的辐射性能，提升探测效果。
48.本技术实施例还对介质基板、指数型渐变槽、矩形过渡槽和矩形开口槽的相关参数进行设置，以保证天线在低频率点也有适用于超宽带探测系统的可能性。本技术实施例，作为一可选实施方式，所述指数型渐变槽3两侧辐射贴片5上设置矩形开口槽6的数量相同。在具体实施中，指数型渐变槽两侧辐射贴片上设置矩形开口槽关于水平中心轴线对称。可选的，所述介质基板1的长度不小于最大工作波长的一半；和/或，所述介质基板1的宽度不小于最大工作波长的一半，所述最大工作波长为天线的工作频率点在最低截止频率时的波长。
49.在具体实施中，为了达到良好的回波损耗特性及电压驻波比，保证天线的辐射效率、增益及方向性，减小天线时域信号的失真，介质基板的长度与宽度应分别满足以下波长关系：
50.l》0.5*λ
max
；
51.w》0.5*λ
max
；
52.其中，l为介质基板的长度，w为介质基板的宽度，λ
max
为最大工作波长，这里，当天线工作频率点取最低截止频率时，天线波长最大，所述最大工作波长为天线的工作频率点在最低截止频率时的波长。经过优化分析，天线(介质基板)的长度可以设置为110mm，天线(介质基板)的宽度可以设置为96mm。
53.本技术实施例，作为一可选实施方式，所述指数型渐变槽3包括关于水平中心轴线对称的两条指数型渐变线2，所述指数型渐变线2的渐变率由介质基板1的长度、宽度，以及矩形过渡槽4的宽度确定。
54.在具体实施中，指数型渐变线2的方程如下所示：
55.y＝a*e
b*x
c；
56.其中，b是指数型渐变线的渐变率，决定了指数型渐变线的倾斜程度。渐变率的取值与介质基板的长度l、介质基板的宽度w以及矩形过渡槽的宽度sw有关，其表达式如下：
57.b＝(1/l)*ln(w/sw)；
58.根据上述设定的矩形过渡槽的宽度及天线尺寸，指数型渐变线的渐变率为0.05；a和c是两个常数，a和c取值可以由下式决定：
[0059][0060][0061]
由于电流流过辐射贴片5表面的矩形过渡槽4后会沿着指数型渐变槽3的边缘继续流向天线开口处，因此指数型渐变线2的长度决定了矩形过渡槽4后电流的传播路径，而指数型渐变线2的终点横坐标x2取值已固定，为介质基板1的长度110mm，因此电流在指数贴片上的传播路径主要受指数型渐变线2的起点横坐标x1决定。在本实施例中，经过优化分析，决定指数型渐变线2的起点横坐标x1为13mm，指数渐变线2终点的纵坐标决定了指数型渐变槽的开口宽度。指数型渐变槽的开口过大，会影响电流传播，开口处的电流聚集难度增加，开口宽度过小会影响天线辐射的主波束。经过优化分析，决定指数型渐变线2终点纵坐标y2为82mm，根据图形对称原理，指数贴片的开口宽度为68mm。由所述矩形过渡槽4设计，指数渐变线2起点纵坐标y1为48.25mm，常数a为0.14，c为47.98，根据参数a，b，c可以确定所述指数型渐变线2的方程为y＝0.14*exp(0.05*x) 47.98(x1≤x≤l)。由优化后的指数型渐变线2组成的指数型渐变槽3可以在一定程度上削弱指数贴片内侧电流回流现象。
[0062]
进一步地，根据所述两条指数渐变线的起点及所述矩形过渡槽4相关参数，可以设计矩形过渡槽4。
[0063]
本技术实施例，作为一可选实施方式，所述微带线7的平面形状为矩形，其位于所述凹槽的开口侧，并通过所述介质基板1向顶层的辐射贴片5耦合馈电。可选的，所述微带线7的长度大于所述介质基板宽度的二分之一。
[0064]
在具体实施中，微带线7的平面形状为矩形，可以保证天线工作时有良好的回波损耗以及辐射贴片5两侧的电流均匀分布，使天线拥有稳定的辐射性能，提升超宽带雷达探测系统的效果。矩形微带线7的位置如图2中所示。矩形微带线7通过所述介质基板1向顶层的辐射贴片5耦合馈电。良好的耦合位置应位于矩形过渡槽4位置附近且微带线7长度应大于介质基板1宽度的二分之一，经过优化分析，取矩形微带线7的长度为56mm。
[0065]
本技术实施例，作为一可选实施方式，矩形开口槽6的最长长度根据所述介质基板1的介电常数和谐振频率波长确定。可选的，所述辐射贴片5表面两侧矩形开口槽6的槽宽度一致；或者，所述辐射贴片5表面相邻的矩形开口槽6之间的间距一致，且所述间距小于谐振频率波长的四分之一。
[0066]
在具体实施中，矩形开口槽6的尺寸包括矩形开口槽6的长度、矩形开口槽6的宽度和相邻矩形开口槽6之间的间距。矩形开口槽6的最长长度根据所述介质基板1的介电常数和谐振频率波长确定，具体公式如下：
[0067][0068]
其中，l为矩形开口槽的长度，λ为谐振频率波长，ε为介质基板的介电常数。
[0069]
矩形开口槽6的长度沿着指数型渐变线2的开口方向线性递减，因此在设计中，矩形开口槽6长度对应的频率点逐渐变大。经过优化分析，确定图1中左侧最高矩形开口槽6的长度为40mm，右侧最低矩形开口槽6的长度为24mm。本技术实施例中，矩形开口槽6设计为等宽等距。其宽度受谐振频率波长及基板介电常数影响，具体表达式如下所示：
[0070][0071]
其中，dw为矩形开口槽的宽度，λ为谐振频率波长，ε为介质基板的介电常数。
[0072]
相邻的矩形开口槽6之间的间距一致，且所述间距小于谐振频率波长的四分之一，具体表达式如下所示：
[0073]
dww《0.25*λ；
[0074]
其中，dww为相邻矩形开口槽之间的间距，λ为谐振频率波长。
[0075]
设计矩形开口槽6的宽度及间距时，本实施例选用的均是天线的最低频率。矩形开口槽6宽度的取值对于谐振频率不会影响过大，但为了加载更多矩形槽6，对指数型渐变线2内侧电流回流产生更好的抑制作用，矩形槽6的宽度设置为5mm，间隔设置为2mm。进一步明确本实施例中每一侧贴片开槽的数量。开槽数量不同相当于在天线表面加载多个阻值不同的电阻，可对天线在不同频率点的回波损耗、增益、方向性等进行改善。结合矩形开口槽6的宽度及槽间距，本实施例中天线每一侧刻蚀9个矩形开口槽。刻蚀矩形开口槽6后的天线辐射贴片5表面的电路路径得以延长，解决了电流回流及尺寸变化带来的天线性能影响。
[0076]
本技术实施例通过辐射贴片上开设的指数型凹槽、矩形过渡槽，以及指数型渐变槽两侧辐射贴片上设置的长度沿着指数型渐变槽开口方向呈线性递减的多个矩形开口槽，能够将能量集中于vivaldi天线的开口处，拓宽天线的低频工作范围，同时增强主波束，减小副瓣，改善天线的辐射性能，提升探测效果。
[0077]
并且，通过天线在最低截止频率时的波长确定介质基板的尺寸，以及相应地确定指数型渐变槽、矩形过渡槽和矩形开口槽的相关参数，以保证天线在低频率点也有适用于超宽带探测系统的可能性，同时天线尺寸较小，满足超宽带天线小型化要求。
[0078]
实施例二
[0079]
本技术实施例提供一种用于超宽带探测的vivaldi天线的制备方法，包括：
[0080]
按照设定尺寸绘制辐射贴片、介质基板和微带线，所述辐射贴片设置于介质基板的顶层，所述微带线设置于介质基板的底层；
[0081]
所述辐射贴片包括两个指数贴片和矩形贴片，两个指数贴片与矩形贴片紧密相连，形成关于水平中心轴线对称的凹槽，在所述凹槽的前端开设预设尺寸的矩形过渡槽；
[0082]
在两个指数贴片上分别开设多个矩形开口槽，多个所述矩形开口槽的长度沿着指数型渐变槽开口的方向呈线性递减。
[0083]
在具体实施中，绘制介质基板1。以(0，0，0)点为起点，在空间内绘制长110mm，宽96mm，高0.8mm、材料为fr-4的长方体介质体，作为介质基板1，其中，介质基板1的长度沿x轴正半轴绘制，介质基板1的宽度沿y轴正半轴绘制，介质基板1的高度沿z轴负半轴绘制。
[0084]
绘制指数贴片。根据曲线方程y＝0.14*exp(0.05*x) 47.98(x1≤x≤l)在介质基板1顶层绘制指数型渐变线，将x＝x1(y≤y1≤w)、y＝w(x≤x1≤l)、指数线2联合沿z轴正半轴拓展为立体结构，形成高度为0.035mm的指数贴片，贴片材料设置为理想导电体，利用镜像功能，以y＝w/2为对称轴，形成另一个指数贴片。
[0085]
绘制矩形贴片。以(0，0，0)点为起点，绘制长为w，宽为x1的矩形。矩形长度沿y轴正半轴绘制，宽度沿y轴负半轴绘制。将矩形沿z轴正半轴拓展为立体结构，形成高度为0.035mm的矩形贴片，矩形贴片材料设置为理想导电体。将两个指数贴片与矩形贴片联合形成介质基板1顶层完整的辐射贴片5。
[0086]
绘制矩形过渡槽4。以(x1，y1)为起点，绘制长为9mm，宽为0.5mm的矩形，长度沿x轴负半轴绘制，宽度沿y轴负半轴绘制，将矩形沿z轴正半轴拓展为立体结构，高度为0.035mm，材料为理想导电体。利用挖取功能将该立体结构从辐射贴片中挖除，形成矩形过渡槽4。
[0087]
绘制天线两侧矩形槽6。在介质基板1顶层，以(40，0)为起点，绘制长40mm，宽为5mm，高为0.035mm的长方体，长方体材料设置为理想导电体，高度方向沿z轴正半轴。在间隔2mm处，绘制长为38mm，宽为5mm，高为0.035mm的长方体，材料与高度方向与首个长方体一致，间隔绘制方向沿x轴正半轴。以此类推，不改变长方体的材料、宽度与长方体的间隔，沿x轴正半轴，以2mm为高度差，再绘制7个长方体。利用挖取功能将9个长方体从贴片表面挖除，在贴片表面形成沿指数线渐变方向长度线性递减、等宽度、等间距的9个矩形开口槽6。利用镜像对称功能，以y＝w/2为对称轴，在另一半辐射贴片表面形成同样的9个矩形开口槽6。
[0088]
绘制矩形微带线7。在介质基板1底层边缘，以x＝12mm为起点，绘制长为56mm，宽为1.2mm的矩形。将矩形沿z轴负半轴拓展为高0.035mm的立体结构形成微带线7，微带线7材料设置为理想导电体。
[0089]
下面对建模后的天线进行仿真，结果如下：
[0090]
1、回波损耗s11图
[0091]
图3所示为天线的回波损耗s11结果图。s11反映天线的发射性能，从结果中可以看出，天线在2.5-8.2ghz频段内的s11数值低于-10db。在该频段内回波损耗小，较多的能量从天线辐射开口处对外辐射后不再被发射天线接收，说明天线在该频段内的发射性能良好。天线的谐振点位于3.5ghz处，谐振点频率低，且谐振点附近的s11曲线较为圆滑。总体而言，开槽结构延长了电流传播路径，使天线贴片表面的电流回流现象削弱，电流能够沿着指数线稳定流向开口处，天线的回波损耗也因此较低且稳定，低损耗特性使天线适用于超宽带探测应用。
[0092]
2、驻波比vswr图
[0093]
图4所示为天线的驻波比vswr结果图。vswr反应天线馈线和天线的阻抗匹配情况，从结果中可以看出，天线在2.5-8.2ghz频段内的vswr数值低于2，曲线比较稳定。在该频段内大部分能量可以从天线辐射出去，天线馈线与天线的匹配情况良好，可以提升超宽带系统探测效果。
[0094]
3、增益图
[0095]
图5所示为天线的增益图。天线的增益描述一个天线把输入输出功率集中辐射的程度，用来衡量天线朝一个特定方向收发信号的能力，从结果中可以看出，天线在2.5-8.2ghz内有较高的增益，其中在4ghz处增益可以达到9dbi。在该频段内，增益变化曲线波动
小，天线拥有比较稳定的增益。总体而言，天线两侧刻蚀的矩形槽通过制电流回流，使贴片表面的能量集中，天线因此拥有高且稳定的增益，在超宽带探测应用中可以保证信号失真程度小，提升探测效果。
[0096]
4、辐射效率图
[0097]
图6所示为天线的辐射效率图。天线的辐射效率直观反映了天线的辐射能力。从结果中可以看出，天线在2.5ghz-8.2ghz频段内的辐射效率高于50％，特别是在2.5ghz-5ghz频率范围内，天线的辐射效率可以达到70％以上，3ghz处的辐射效率接近80％。虽然辐射效率曲线呈现先上升后下降的趋势，但总体而言，天线两侧刻蚀矩形槽使天线的辐射效率较好且稳定，有利于保证系统的工作性能。
[0098]
5、方向图
[0099]
图7至图9所示为天线的e面方向图，图10至图12所示为天线的h面方向图。方向图反映了天线的方向性，从结果可以看出，天线在3-5ghz内方向图主瓣比例大，副瓣比例小，波束宽度集中。在该频段内，随着频率上升，主瓣电平先上升后下降，4ghz处的主瓣电平最高，在e面和h面均可以达到10.3db。3ghz处天线的e面和h面方向图副瓣低，说明天线在低频处方向性好。总体而言，天线两侧刻蚀矩形槽有效集中了贴片表面电流，使天线辐射时能量能够集中在指数开口处，增强了主波束的强度，提升了天线的定向辐射性能。
[0100]
本实施例使用cst软件平台对天线进行建模，得到了尺寸为110mm*96mm*0.8mm的天线。通过仿真得到天线在工作频带2.5-8.2ghz的s11始终小于-10db，驻波比稳定且小于2，天线在3-5ghz频段内的e面及h面方向图主波瓣电平及比例大，副瓣电平及比例小，波束集中，对称性好。
[0101]
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(read-only memory，rom)或随机存储记忆体(random accessmemory，ram)等。
[0102]
以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。