一种基于纳米压印的二维层状硒化铋纳米片制备方法

技术特征：
1.一种基于纳米压印的二维层状硒化铋纳米片制备方法，其特征在于，所述方法为：采用聚二甲基硅氧烷将硒化铋片附着于衬底上，然后将其整体放置于纳米压印机的工作台上，在不高于80℃以及在20～30bar压力下进行压印，得到硒化铋纳米片。2.根据权利要求1所述的基于纳米压印的二维层状硒化铋纳米片的制备方法，其特征在于，采用聚二甲基硅氧烷将硒化铋片附着于衬底上这一过程具体为：使用胶带黏附硒化铋块体，得到带有硒化铋厚片的胶带；将胶带带有硒化铋厚片的一面与聚二甲基硅氧烷进行贴合，贴合后，分离胶带和聚二甲基硅氧烷，胶带上的硒化铋厚片部分转移至聚二甲基硅氧烷上，得到粘附有硒化铋片的聚二甲基硅氧烷；将聚二甲基硅氧烷粘附有硒化铋片的一面贴合在衬底上，使硒化铋片附着于衬底上。3.根据权利要求2所述的基于纳米压印的二维层状硒化铋纳米片的制备方法，其特征在于，所述聚二甲基硅氧烷上硒化铋片的厚度为10～60μm。4.根据权利要求2所述的基于纳米压印的二维层状硒化铋纳米片的制备方法，其特征在于，所述胶带和聚二甲基硅氧烷贴合时间为2～10分钟。5.根据权利要求1所述的基于纳米压印的二维层状硒化铋纳米片的制备方法，其特征在于，所述衬底为带氧化硅层或带氧化铝层的硅片衬底。6.根据权利要求1所述的基于纳米压印的二维层状硒化铋纳米片的制备方法，其特征在于，所述硒化铋纳米片的厚度为10～19nm。7.根据权利要求1所述的基于纳米压印的二维层状硒化铋纳米片的制备方法，其特征在于，所述压印时间为60s～120s。

技术总结
本发明公开了一种基于纳米压印的二维层状硒化铋纳米片制备方法，采用聚二甲基硅氧烷将硒化铋片附着于衬底上，然后将其整体放置于纳米压印机的工作台上，在不高于80℃以及在20～30bar压力下进行压印，得到硒化铋纳米片。本发明通过纳米压印对层间结合力强的硒化铋材料进行剥离制备，采用与硒化铋材料结合力好的衬底，在聚二甲基硅氧烷热释放温度以下以及稳定的压力氛围中，促使硒化铋厚片层与层之间的分离，从而获得厚度为十几纳米的硒化铋片。从而获得厚度为十几纳米的硒化铋片。从而获得厚度为十几纳米的硒化铋片。


技术研发人员：陶立 宋东东 陈佳熠 陈启超 丁亚梅
受保护的技术使用者：东南大学
技术研发日：2022.05.20
技术公布日：2022/7/29