驱动装置、驱动芯片及电子设备的制作方法

1.本公开涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种驱动装置、驱动芯片及电子设备。


背景技术：

2.随着科技的不断发展，人们生活水平的不断提高，具备显示功能的各种类型的电子设备越来越受到青睐，目前大多数的显示面板都是由电池供电，显示面板在静态时要具有低功耗的特性，在显示画面时，又要具有强大的驱动能力，然而，目前显示面板的驱动电路，存在驱动能力不足、功耗较大、电路面积大的缺点。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本公开提出了一种驱动装置、驱动芯片及电子设备，以提高驱动能力，降低功耗，降低电路面积。
4.根据本公开的一个方面，提出了一种驱动装置，用于驱动显示面板，所述驱动装置包括：
5.分压模块，用于接收电源电压，并对所述电源电压进行分压，得到具有不同大小的多个分压；
6.第一选择模块，电连接于所述分压模块，用于从所述多个分压中选择并输出至少一个第一电压；
7.运算放大模块，电连接于所述第一选择模块，所述运算放大模块包括多个运算放大单元，所述运算放大单元用于对所述第一电压进行运算放大处理，得到第二电压，其中，每个运算放大单元与每个第一电压对应；
8.第二选择模块，电连接于所述运算放大模块，用于将所述第二电压对应的运算放大单元与所述显示面板的通路导通，以利用所述第二电压驱动所述显示面板。
9.在一种可能的实施方式中，所述分压模块包括：
10.多个串联的电阻单元，所述电阻单元包括至少一个分压电阻；
11.开关单元，所述开关单元包括多个开关子单元，每个开关子单元包括多个开关，
12.其中，各个开关子单元的各个开关的第一端电连接于任意一个分压电阻的一端，各个开关子单元的各个开关的第二端电连接于对应的运算放大器的输入端，
13.开关子单元的各个开关的控制端电连接于所述第一选择模块，用于接收所述第一选择模块的开关控制信号。
14.在一种可能的实施方式中，所述第二选择模块包括多个选择开关。
15.在一种可能的实施方式中，所述第一选择模块包括多路选择器、数字译码器、栅极驱动器的至少一种，
16.其中，所述第一选择模块用于根据配置信息产生开关控制信号，控制任意一个或多个开关子单元中各个开关的导通状态，以使得所述分压模块输出至少一第一电压。
17.在一种可能的实施方式中，所述运算放大单元包括运算放大器，所述运算放大器
的正向输入端用于输入第一电压，所述运算放大器的反向输入端电连接于所述运算放大器的输出端及所述第二选择模块的输入端。
18.在一种可能的实施方式中，所述运算放大器包括第一nmos晶体管、第二nmos晶体管、第三nmos晶体管、第四nmos晶体管、第五nmos晶体管、第六nmos晶体管、第七nmos晶体管、第八nmos晶体管、第九nmos晶体管、第十nmos晶体管、第一pmos晶体管、第二pmos晶体管、第三pmos晶体管、第四pmos晶体管、第五pmos晶体管、第六pmos晶体管、第七pmos晶体管、第八pmos晶体管、第一电流源、第二电流源、第三电流源、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容，
19.其中，所述第一电流源的输入端电连接于所述第一pmos晶体管的源极、所述第二pmos晶体管的源极、所述第三pmos晶体管的源极、所述第四pmos晶体管的源极、所述第六pmos晶体管的源极、所述第八pmos晶体管的源极及所述第三电流源的输入端，用于接收电源电压，
20.所述第一电流源的输出端电连接于所述第一nmos晶体管的漏极，用于输出第一电流，
21.所述第一nmos晶体管的栅极电连接于所述第二nmos晶体管的栅极，
22.所述第一pmos晶体管的栅极电连接于所述第二pmos晶体管的栅极、所述第二pmos晶体管的漏极及所述第三nmos晶体管的漏极，
23.所述第三nmos晶体管的栅极用于输入所述第一电压，
24.所述第三nmos晶体管的源极电连接于所述第二nmos晶体管的漏极、所述第四nmos晶体管的源极，
25.所述第四nmos晶体管的栅极电连接于所述运算放大器的输出端，
26.所述第四nmos晶体管的漏极电连接于所述第三pmos晶体管的漏极、所述第三pmos晶体管的栅极及所述第四pmos晶体管的栅极，
27.所述第四pmos晶体管的漏极电连接于所述第五pmos晶体管的源极、所述第七nmos晶体管的漏极、所述第八pmos晶体管的栅极、所述第一电容的第一端，
28.所述第五pmos晶体管的栅极电连接于所述第七pmos晶体管的栅极、所述第七pmos晶体管的漏极、所述第二电流源的输入端，所述第二电流源用于输出第二电流，
29.所述第七pmos晶体管的源极电连接于所述第六pmos晶体管的漏极及栅极，
30.所述第七nmos晶体管的栅极电连接于所述第九nmos晶体管的栅极、所述第九nmos晶体管的源极、所述第三电流源的输出端，
31.所述第七nmos晶体管的源极电连接于所述第五pmos晶体管的漏极、所述第六nmos晶体管的漏极、所述第二电容的第一端、所述第十nmos晶体管的栅极，
32.所述第九nmos晶体管的源极电连接于所述第八nmos晶体管的漏极及栅极，所述第三电流源用于输出第三电流，
33.所述第一电容的第二端电连接于所述第一电阻的第一端，
34.所述第一电阻的第二端电连接于所述第八pmos晶体管的漏极、所述第二电阻的第一端、所述第十nmos晶体管的漏极，
35.所述第二电阻的第二端电连接于所述第二电容的第二端，
36.所述第五nmos晶体管的栅极电连接于所述第五nmos晶体管的漏极、所述第一pmos
晶体管的漏极及所述第六nmos晶体管的栅极，
37.所述第一nmos晶体管的源极、所述第五nmos晶体管的源极、所述第二nmos晶体管的源极、所述第六nmos晶体管的源极、所述第二电流源的输出端、所述第八nmos晶体管的源极、所述第十nmos晶体管的源极均接地。
38.在一种可能的实施方式中，所述第六pmos晶体管的栅源电压与所述第七pmos晶体管的栅源电压之和与第五pmos晶体管的栅源电压及第八pmos晶体管的栅源电压之和相等，
39.所述第八nmos晶体管的栅源电压与所述第九nmos晶体管的栅源电压之和与所述第七nmos晶体管的栅源电压及所述第十nmos晶体管的栅源电压之和相等，
40.所述第二电流与所述第三电流相等。
41.在一种可能的实施方式中，所述第六pmos晶体管的栅源电压与所述第八pmos晶体管的栅源电压相等，
42.所述第七pmos晶体管的栅源电压与所述第五pmos晶体管的栅源电压相等，
43.所述第八nmos晶体管的栅源电压与所述第十nmos晶体管的栅源电压相等，
44.所述第九nmos晶体管的栅源电压与所述第七nmos晶体管的栅源电压相等。
45.在一种可能的实施方式中，所述显示面板包括液晶显示面板、有机发光二极管显示面板、量子点发光二极管显示面板、迷你发光二极管显示面板和微发光二极管显示面板的一种或多种。
46.根据本公开的另一方面，提出了一种驱动芯片，所述驱动芯片包括所述的驱动装置。
47.根据本公开的另一方面，提出了一种电子设备，所述电子设备包括所述的驱动芯片。
48.本公开实施例的驱动装置，可以接收电源电压，并对所述电源电压进行分压，得到具有不同大小的多个分压，从所述多个分压中选择并输出至少一个第一电压，对所述第一电压进行运算放大处理，得到第二电压，将所述第二电压对应的运算放大单元与所述显示面板的通路导通，以利用所述第二电压驱动所述显示面板，所述驱动装置，具有较高的驱动能力，驱动显示面板正常、高效工作，且能够提供多种驱动电压以驱动不同的显示面板，扩大了电源应用范围，提高了灵活性，且能做到功耗可控的特点，整体电路面积也较小，成本较低，利于推广利用。
49.根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本公开的其它特征及方面将变得清楚。
附图说明
50.包含在说明书中并且构成说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本公开的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本公开的原理。
51.图1示出了根据本公开一实施例的驱动装置的框图。
52.图2示出了根据本公开实施例的驱动装置的示意图。
53.图3示出了根据本公开一实施例的分压模块的示意图。
54.图4示出了根据本公开一实施例的运算放大器的示意图。
具体实施方式
55.以下将参考附图详细说明本公开的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。
56.在本公开的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
57.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
58.在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
59.在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。
60.另外，为了更好的说明本公开，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本公开同样可以实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本公开的主旨。
61.请参阅图1，图1示出了根据本公开一实施例的驱动装置的框图。
62.所述驱动装置可以用于驱动显示面板，如图1所示，所述驱动装置包括：
63.分压模块10，用于接收电源电压，并对所述电源电压进行分压，得到具有不同大小的多个分压；
64.第一选择模块20，电连接于所述分压模块10，用于从所述多个分压中选择并输出至少一个第一电压；
65.运算放大模块30，电连接于所述第一选择模块20，所述运算放大模块包括多个运算放大单元，所述运算放大单元用于对所述第一电压进行运算放大处理，得到第二电压，其中，每个运算放大单元与每个第一电压对应；
66.第二选择模块40，电连接于所述运算放大模块30，用于将所述第二电压对应的运算放大单元与所述显示面板的通路导通，以利用所述第二电压驱动所述显示面板。
67.本公开实施例的驱动装置，可以接收电源电压，并对所述电源电压进行分压，得到具有不同大小的多个分压，从所述多个分压中选择并输出至少一个第一电压，对所述第一电压进行运算放大处理，得到第二电压，将所述第二电压对应的运算放大单元与所述显示面板的通路导通，以利用所述第二电压驱动所述显示面板，所述驱动装置，具有较高的驱动能力，驱动显示面板正常、高效工作，且能够提供多种驱动电压以驱动不同的显示面板，扩
大了电源应用范围，提高了灵活性，且能做到功耗可控的特点，整体电路面积也较小，成本较低，利于推广利用。
68.在一种可能的实施方式中，所述显示面板可以包括lcd(liquid crystal display，液晶显示器)显示面板、led(light emitting diode，发光二极管)显示面板、miniled(mini light emitting diode，迷你发光二极管)显示面板、microled(micro light emitting diode，微发光二极管)显示面板、oled(organic light-emitting diode,有机发光二极管)显示面板、量子点发光二极管显示面板的任意一种或多种。
69.在一个示例中，假设显示面板为液晶显示屏(lcd显示屏)，lcd是被动显示，本身不发光，只能使用周围环境光。当在lcd施加适当的驱动电压时，液晶分子会随电压控制扭转，入射的偏振光得以自由通过液晶并被背面的偏光片吸收，就能看见一个黑色的字符。lcd需要交流讯号驱动，长时间的直流电压讯号将影响lcd的电气化学特性，从而减少使用寿命。lcd的驱动频率一般在60～100hz，太低的驱动频率会引起屏幕闪烁。目前大多数的lcd产品都是由电池供电，lcd在静态时要具有低功耗的特性，在交流信号驱动时，又要具有强大的驱动能力，在短时间内对lcd进行充放电并稳定电压，防止屏幕闪烁。因此，lcd显示面板需要较强的驱动能力，防止屏幕闪烁，但是目前的驱动电路无法提供，本公开实施例可以针对多种类型的lcd显示面板(具有不同的驱动电压)提供较强驱动能力的驱动电压，以使其能够正常工作，避免闪烁，在静态时能低功耗地运行。
70.所述驱动装置可以应用在电子设备中，所述电子设备又可称之为终端，用户设备(user equipment，ue)、移动台(mobile station，ms)、移动终端(mobile terminal，mt)等，是一种向用户提供语音和/或数据连通性的设备，例如，具有无线连接功能的手持式设备、车载设备等。目前，一些终端的举例为：手机(mobile phone)、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、移动互联网设备(mobile internetdevice，mid)、可穿戴设备，虚拟现实(virtual reality，vr)设备、增强现实(augmentedreality，ar)设备、工业控制(industrial control)中的无线终端、无人驾驶(selfdriving)中的无线终端、远程手术(remote medical surgery)中的无线终端、智能电网(smart grid)中的无线终端、运输安全(transportation safety)中的无线终端、智慧城市(smart city)中的无线终端、智慧家庭(smart home)中的无线终端、车联网中的无线终端、音箱、智能穿戴设备、数码相机、mp3、mp4、路由器、电子书、交换机、宽带猫、psp、ps3、nds、xbox、u盘、数码卫星接收器等数码产品，也可以包括计算机主板、打印机的bios、显卡的bios、鼠标、显示器、光驱、硬盘、键盘、gps终端、精密的电子仪器(比如核磁共振仪)等等。
71.本公开实施例对电源电压的具体大小不做限定，本领域技术人员可以根据需要设定。
72.本公开实施例的各个模块均可以通过硬件电路实现，下面对各个模块的可能实现方式进行示例性介绍。
73.请参阅图2，图2示出了根据本公开实施例的驱动装置的示意图。
74.在一种可能的实施方式中，如图2所示，所述分压模块10可以包括：
75.多个串联的电阻单元110，所述电阻单元包括至少一个分压电阻；
76.开关单元120，每个开关单元120可以包括多个开关子单元(未示出)，每个开关子单元包括多个开关，
77.其中，各个开关子单元的各个开关的第一端电连接于任意一个分压电阻的一端，各个开关子单元的各个开关的第二端电连接于对应的运算放大器的输入端，开关子单元的各个开关的控制端电连接于所述第一选择模块，用于接收所述第一选择模块的开关控制信号。
78.请参阅图3，图3示出了根据本公开一实施例的分压模块的示意图。
79.在一个示例中，如图3所示，电阻单元可以包括分压电阻rf(如分压电阻rf1、分压电阻rf2等)，各个开关子单元可以包括多个开关，例如，开关子单元可以包括第一开关子单元(包括开关s0、开关s1)、第二开关子单元(包括开关s2、开关s3)、第三开关子单元(包括开关s4、开关s5)，如图3所示，各个开关子单元的开关被控制时可以输出不同的第一电压(如v1，1/3v1，2/3v1)。
80.在一个示例中，如图3所示，第一开关子单元中，所述开关s0的第一端电连接于分压电阻rf1的第一端(分压电阻rf0与分压电阻rf1的连接点)，所述开关s0的第二端电连接于所述开关s1的第一端，所述开关s1的第二端电连接于分压电阻rf2的第一端(分压电阻rf1与分压电阻rf2的连接点)，在这种情况下，开关s0、开关s1的任一个被导通时，第一开关子单元可以输出不同的第一电压到对应的运算放大器，例如输出的第一电压可以为1/3v1，其中，通过合理配置分压电阻的大小，即可确定对应的分压电压的大小，其中，v1可以需要设定，对此，本公开实施例不做限定。
81.在一个示例中，如图3所示，第二开关子单元中，开关s2的第一端电连接于分压电阻rf2的第一端(与分压电阻rf1的连接点)，开关s2的第二端电连接于开关s3的第一端，开关s3的第二端电连接于分压电阻rf4的第一端(电阻rf3与电阻rf4的连接点)，在这种情况下，假设开关s2、第二开关s3任一个被导通时，第二开关子单元可以输出不同的第一电压到对应的运算放大器，例如第一电压可以为2/3v1。
82.在一个示例中，如图3所示，第三开关子单元中，开关4的第一端电连接于分压电阻rf3的第一端(与分压电阻rf2的连接点)，开关s4的第二端电连接于开关s5的第一端，开关s5的第二端电连接于分压电阻rf6的第一端(电阻rf5与电阻rf6的连接点)，在这种情况下，假设开关s4、第二开关s5任一个被导通时，第三开关子单元可以输出不同的第一电压到对应的运算放大器，例如第一电压可以为v1。
83.应该说明的是，以上示例中，三个开关子单元在被开关信号控制时，输出的第一电压是成比例的，在这种情况下，开关s0、开关s2、开关s4的控制端可以接收相同的开关控制信号(他们的控制端相连)，开关s1、开关s3、开关s5的控制端可以接收相同的开关控制信号(他们的控制端相连)。
84.应该说明的是，以上对分压模块的描述是示例性的，不应视为是对本公开实施例的限定，在其他实施方式中，分压模块还可以包括更多的分压电阻，更多的开关子单元，以实现更多的、任意大小的第一电压输出(各个第一电压可以是成比例的，也可以是相同的，还可以是其他任意的大小)，对此，本公开实施不做限定。
85.在一个示例中，开关子单元的各个开关的控制端电连接于所述第一选择模块，用于接收所述第一选择模块的开关控制信号。
86.在一个示例中，开关子单元中的开关可以为三极管、金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,mosfet)、绝缘栅双极型晶
体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)及其他类型的开关管或任意类型的开关，对于开关的类型，本公开实施例不做限定。
87.在一种可能的实施方式中，第一选择模块可以通过专用硬件电路实现，也可以用过通用硬件电路结合可执行逻辑实现，在一个示例中，所述第一选择模块可以包括多路选择器、数字译码器、栅极驱动器等的至少一种，本公开实施例对第一选择模块的具体实现方式不做限定。
88.在一种可能的实施方式中，所述第一选择模块用于根据配置信息产生开关控制信号，控制开关单元中各个开关子单元的各个开关的导通状态，以使得所述分压模块输出至少一第一电压。
89.在一个示例中，配置信息可以是存储在存储模块中的，也可以是外部输入的，对此，本公开实施例不做限定。
90.在一个示例中，配置信息可以包括电压信息，也可以直接包括各个开关的开关控制信号，对于配置信息的具体形式，本公开实施例不做限定。
91.本领域技术人员可以根据相关技术实现根据配置信息产生开关控制信号，对此，本公开实施例不做限定。
92.本公开实施例通过第一选择模块产生开关控制信号控制对应开关子单元中的各个开关的导通状态，可以使得分压模块输出对应的多个第一电压，以实现功耗可控的特点，且，本公开实施例的开关使用占用面积较小的开关，可以降低电路面积。
93.在一种可能的实施方式中，如图2所示，所述运算放大单元可以包括运算放大器301，所述运算放大器301的正向输入端用于输入第一电压，所述运算放大器301的反向输入端电连接于所述运算放大器301的输出端及所述第二选择模块的输入端。
94.下面对运算放大器的可能实现方式进行示例性介绍。
95.请参阅图4，图4示出了根据本公开一实施例的运算放大器的示意图。
96.在一种可能的实施方式中，如图4所示，所述运算放大器包括第一nmos晶体管n1、第二nmos晶体管n2、第三nmos晶体管n3、第四nmos晶体管n4、第五nmos晶体管n5、第六nmos晶体管n6、第七nmos晶体管n7、第八nmos晶体管n8、第九nmos晶体管n9、第十nmos晶体管n10、第一pmos晶体管p1、第二pmos晶体管p2、第三pmos晶体管p3、第四pmos晶体管p4、第五pmos晶体管p5、第六pmos晶体管p6、第七pmos晶体管p7、第八pmos晶体管p8、第一电流源i1、第二电流源i2、第三电流源i3、第一电阻r1、第二电阻r2、第一电容c1、第二电容c2，
97.其中，所述第一电流源i1的输入端电连接于所述第一pmos晶体管p1的源极、所述第二pmos晶体管p2的源极、所述第三pmos晶体管p3的源极、所述第四pmos晶体管p4的源极、所述第六pmos晶体管p6的源极、所述第八pmos晶体管p8的源极及所述第三电流源i3的输入端，用于接收电源电压，
98.所述第一电流源i1的输出端电连接于所述第一nmos晶体管n1的漏极，用于输出第一电流，
99.所述第一nmos晶体管n1的栅极电连接于所述第二nmos晶体管n2的栅极，
100.所述第一pmos晶体管p1的栅极电连接于所述第二pmos晶体管p2的栅极、所述第二pmos晶体管p2的漏极及所述第三nmos晶体管n3的漏极，
101.所述第三nmos晶体管n3的栅极用于输入所述第一电压，
102.所述第三nmos晶体管n3的源极电连接于所述第二nmos晶体管n2的漏极、所述第四nmos晶体管n4的源极，
103.所述第四nmos晶体管n4的栅极电连接于所述运算放大器的输出端，
104.所述第四nmos晶体管n4的漏极电连接于所述第三pmos晶体管p3的漏极、所述第三pmos晶体管p3的栅极及所述第四pmos晶体管p4的栅极，
105.所述第四pmos晶体管p4的漏极电连接于所述第五pmos晶体管p5的源极、所述第七nmos晶体管n7的漏极、所述第八pmos晶体管p8的栅极、所述第一电容c1的第一端，
106.所述第五pmos晶体管p5的栅极电连接于所述第七pmos晶体管p7的栅极、所述第七pmos晶体管p7的漏极、所述第二电流源i2的输入端，所述第二电流源i2用于输出第二电流，
107.所述第七pmos晶体管p7的源极电连接于所述第六pmos晶体管p6的漏极及栅极，
108.所述第七nmos晶体管n7的栅极电连接于所述第九nmos晶体管n9的栅极、所述第九nmos晶体管n9的漏极、所述第三电流源i3的输出端，
109.所述第七nmos晶体管n7的源极电连接于所述第五pmos晶体管p5的漏极、所述第六nmos晶体管n6的漏极、所述第二电容c2的第一端、所述第十nmos晶体管n10的栅极，
110.所述第九nmos晶体管n9的源极电连接于所述第八nmos晶体管n8的漏极及栅极所述第三电流源i3用于输出第三电流，
111.所述第一电容c1的第二端电连接于所述第一电阻r1的第一端，
112.所述第一电阻r1的第二端电连接于所述第八pmos晶体管p8的漏极、所述第二电阻r2的第一端、所述第十nmos晶体管n10的漏极，
113.所述第二电阻r2的第二端电连接于所述第二电容c2的第二端，
114.所述第五nmos晶体管n5的栅极电连接于所述第五nmos晶体管n5的漏极、所述第一pmos晶体管p1的漏极及所述第六nmos晶体管n6的栅极，
115.所述第一nmos晶体管n1的源极、所述第五nmos晶体管n5的源极、所述第二nmos晶体管n2的源极、所述第六nmos晶体管n6的源极、所述第二电流源i2的输出端、所述第八nmos晶体管n8的源极、所述第十nmos晶体管n10的源极均接地gnd。
116.在一个示例中，第一nmos晶体管n1可以用于提供偏置电流，以为运算放大器整个电路提供镜像电流。
117.在一个示例中，第二nmos晶体管n2可以为运算放大器提供尾电流。
118.在一个示例中，第三nmos晶体管n3、第四nmos晶体管n4可以作为运放输入管。
119.在一个示例中，第一pmos晶体管p1、第二pmos晶体管p2、第三pmos晶体管p3、第四pmos晶体管p4、第五nmos晶体管n5、第六nmos晶体管n6组成电流镜。
120.在一个示例中，第五pmos晶体管p5、第七nmos晶体管n7可以提供浮动电压源。
121.在一个示例中，第七pmos晶体管p7、第六pmos晶体管p6、所述第八nmos晶体管n8、所述第九nmos晶体管n9采用二极管接法，作为电阻，提供偏压电压。
122.在一个示例中，所述第十nmos晶体管n10、第八pmos晶体管p8作为轨对轨(classab)输出，用于输出第二电压。
123.在一个示例中，第一电阻r1、第二电阻r2、第一电容c1、第二电容c2可以作为米勒补偿电容、米勒补偿电阻。
124.在一个示例中，第五pmos晶体管p5、第六pmos晶体管p6、第七pmos晶体管p7、第八
pmos晶体管p8组成的回路及第七nmos晶体管n7、第八nmos晶体管n8、第九nmos晶体管n9、第十nmos晶体管n10组成的回路用于控制输出管的静态电流。
125.在一种可能的实施方式中，所述第六pmos晶体管p6的栅源电压v
gsp6
与所述第七pmos晶体管p7的栅源电压v
gsp7
之和与第五pmos晶体管p5的栅源电压v
gsp5
及第八pmos晶体管p8的栅源电压v
gsp8
之和相等，即第五pmos晶体管p5、第六pmos晶体管p6、第七pmos晶体管p7、第八pmos晶体管p8组成的回路组成的回路需要满足：
126.|v
gsp6
| |v
gsp7
|＝|v
gsp5
| |v
gsp8
|
ꢀꢀꢀꢀ
公式1
127.在一种可能的实施方式中，所述第八nmos晶体管n8的栅源电压v
gsn8
与所述第九nmos晶体管n9的栅源电压v
gsn9
之和与所述第七nmos晶体管n7的栅源电压v
gsn7
及所述第十nmos晶体管n10的栅源电压v
gsn10
之和相等，即第七nmos晶体管n7、第八nmos晶体管n8、第九nmos晶体管n9、第十nmos晶体管n10组成的回路需要满足：
[0128]vgsn8
v
gsn9
＝v
gsn7
v
gsn10
ꢀꢀꢀꢀ
公式2
[0129]
在一种可能的实施方式中，所述第六pmos晶体管p6的栅源电压与所述第八pmos晶体管p8的栅源电压相等，
[0130]
所述第七pmos晶体管p7的栅源电压与所述第五pmos晶体管p5的栅源电压相等，
[0131]
所述第八nmos晶体管n8的栅源电压与所述第十nmos晶体管n10的栅源电压相等，
[0132]
所述第九nmos晶体管n9的栅源电压与所述第七nmos晶体管n7的栅源电压相等。
[0133]
在一个示例中，可以调节第五pmos晶体管p5、第六pmos晶体管p6、第七pmos晶体管p7、第八pmos晶体管p8、第七nmos晶体管n7、第八nmos晶体管n8、第九nmos晶体管n9、第十nmos晶体管n10的尺寸，使得他们工作在同样的栅源电压v
gs
下，则可以得到：
[0134]
|v
gsp6
|＝|vg
sp8
|
ꢀꢀꢀꢀ
公式3
[0135]
|v
gsp7
|＝|v
gsp5
|
ꢀꢀꢀꢀ
公式4
[0136]vgsn8
＝v
gsn10
ꢀꢀꢀꢀ
公式5
[0137]vgsn9
＝v
gsn7
ꢀꢀꢀꢀ
公式6
[0138]
则，第八pmos晶体管p8、第十nmos晶体管n10的偏置电流i
p8
、i
n10
分别为：
[0139][0140][0141]
其中，w表示晶体管的宽，l表示晶体管的长，表示晶体管的宽长比。
[0142]
在一种可能的实施方式，本公开实施例可以设置所述第二电流i2与所述第三电流i3相等，并通过调整第六pmos晶体管p6、第八pmos晶体管p8、第十nmos晶体管n10、第八nmos晶体管n8的尺寸，使得满足：
[0143][0144]
这样，可以得到第八pmos晶体管p8的电流i
p8
、第十nmos晶体管n10的电流i
n10
相等，
即：
[0145]ip8
＝i
n10
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
公式10
[0146]
这样，本公开实施例的运算放大器输出级的静态电流就可以稳定住，不随电源变化，也不会随输入电压的变化而变化，可以把输出的静态电流控制到很小。
[0147]
在一个示例中，当运算放大器的输出端连接的显示面板的电压切换时，当切换到高电平，运算放大器输出端的输出的电压会被拉高，由于米勒补偿电容的存在，如图4所示的a点和b点的电压也会被拉高，a点抬高，第八pmos晶体管p8的电流会变小，b点抬高，第十nmos晶体管n10的电流会变大，可以快速的把高电压拉下来，有强大的驱动能力。
[0148]
当切换到低电平，运算放大器输出端的输出电压会被拉低，由于米勒补偿电容的存在，a点和b点的电压也会被拉低，b点拉低，第十nmos晶体管n10的电流会变小，a点拉低，第八pmos晶体管p8的电流会变大，可以快速的把电压充上来，有强大的驱动能力。
[0149]
在运算放大器本身还没有反应过来的时候，由于米勒电容的存在，已经提前开始充放电，提高了运放的反应速度，缩短了充放电的时间。既有灌电流能力又有拉电流能力。
[0150]
应该说明的是，以上对运算放大器的描述是示例性的，在其他的实施方式中，运算放大器还可以包括其他的器件，运算放大器也可以有其他的实现方式，对此，本公开实施例不做限定。
[0151]
在一种可能的实施方式中，如图2所示，所述第二选择模块40可以包括多个选择开关401。
[0152]
在一个示例中，各个选择开关的第一端可以连接于各个运算放大器的输出端，另一端可以连接于显示面板，当各个运算放大器输出第二电压时，可以根据需要将对应的选择开关401可以被导通，以将该第二电压输出到显示面板，驱动显示面板。
[0153]
在一个示例中，假设多个第二电压的电压大小不同，第二选择模块40的各个开关可以按照预设配置信息处于开关切换状态，以输出对应的第二电压到显示面板，驱动显示面板。
[0154]
本公开实施例对选择开关的具体类型不做限定，本领域技术人员可以根据需要确定合适的选择开关。
[0155]
通过以上装置，本公开实施例可以提供较高的驱动能力，驱动显示面板正常、高效工作，且能够提供多种电压驱动不同的显示面板，扩大了电源应用范围，提高了灵活性，且能做到功耗可控的特点，整体电路面积也较小，成本较低，利于推广利用。
[0156]
以上已经描述了本公开的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。