量子比特版图的布线方法、装置、电子设备及存储介质与流程

1.本技术涉及电路设计领域，特别是涉及一种量子比特版图的布线方法、装置、电子设备及存储介质。


背景技术：

2.量子比特是量子芯片的关键单元，由于量子比特上的电极尺寸非常小，在工艺上难以实现焊接，需要通过传输线将电极引出至较大尺寸的焊盘，传输线通常为折线。但是由于传输线非常细，在工艺制备中折点处容易出现断连的情况，因此需要在折点处制作导电盘来提高传输线的导电可靠性。
3.然而，量子比特上的导电盘和焊盘非常多，每一个导电盘和焊盘之间都有一根传输线，在量子比特版图设计中，需要人工将传输线连接于导电盘和焊盘，因此版图绘制工作量非常大，版图绘制效率非常低，而且绘制过程无法保证精准度，容易出错。


技术实现要素：

4.本技术的目的是提供一种量子比特版图的布线方法、装置、电子设备及存储介质，以解决相关技术中导电盘和焊盘手动连接效率低、容易出错的问题，能够自动连接导电盘和焊盘，可以提高版图绘制的效率和精准度。
5.为解决上述技术问题，第一方面，本技术提供一种量子比特版图的布线方法，所述量子比特版图包括多个离子注入层、设置在所述多个离子注入层的相对两端的第一导电盘和第一焊盘、设置在所述多个离子注入层的相对两端的第二导电盘和第二焊盘，相邻的两个所述离子注入层之间设有走线区域；所述方法包括：
6.确认所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线对应的走线区域；
7.判断所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线是否经过对应的所述走线区域；
8.若否，在对应的所述走线区域内设置第一走线点；其中，所述第一走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量一致；
9.根据所述第一走线点走线以连接对应的所述第二导电盘和所述第二焊盘；其中，所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线不跨越所述离子注入层。
10.可选地，所述在对应的所述走线区域内设置第一走线点，包括：
11.在相邻的两个所述离子注入层边缘处分别确认一端点；其中，所述端点位于所述走线区域中朝向所述第二焊盘的开口处；
12.根据两个所述端点确定第一辅助连线；
13.根据所述第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量，确定第一所述辅助连线的等分点；其中，所述等分点为所述第一走线点。
14.可选地，所述离子注入层包括跨越注入区域和非跨越注入区域；所述方法还包括：
15.若所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线经过对应的所述走线区域，在所述跨越注入区域上设置跨越点；
16.在对应的所述走线区域内设置第一走线点和第二走线点；其中，所述第一走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量一致，所述第二走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第一导电盘的数量或所述第一焊盘的数量一致；
17.根据所述跨越点和所述第二走线点走线以连接对应的所述第一导电盘和所述第一焊盘；其中，所述第一导电盘和所述第一焊盘的走线不跨越所述非跨越注入区域；
18.根据所述第一走线点走线以连接对应的所述第二导电盘和所述第二焊盘；其中，不同的所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线之间无交叉且该走线不跨越所述离子注入层。
19.可选地，所述根据所述跨越点和所述第二走线点走线以连接对应的所述第一导电盘和所述第一焊盘，包括：
20.连接所述第一导电盘和所述跨越点以及所述跨越点和所述第二走线点；
21.连接所述第二走线点和所述第一焊盘；其中，所述第二走线点和所述第一焊盘之间的连线不跨越所述离子注入层。
22.可选地，所述非跨越注入区域为矩形注入区域，所述跨越注入区域为向所述导电盘方向突出于所述矩形注入区域的四边形注入区域；
23.所述在所述离子注入层上设置跨越点，包括：
24.在所述四边形注入区域内设置跨越点，以使所述跨越点和所述第二走线点之间的连线不跨越所述矩形注入区域。
25.可选地，所述在所述四边形注入区域内设置跨越点，包括：
26.确认所述矩形注入区域的第一顶点位于所述四边形注入区域内；
27.确认所述四边形注入区域中远离所述矩形注入区域的边的中点；
28.根据所述第一顶点和所述中点，确定第二辅助连线；
29.在所述第二辅助连线上设置跨越点。
30.可选地，所述在对应的所述走线区域内设置第一走线点和第二走线点，包括：
31.在所述四边形注入区域的四个顶点中选择一目标顶点；其中，所述目标顶点位于所述走线区域中朝向所述第二焊盘的开口处；
32.根据所述目标顶点确定第三辅助连线；其中，所述第三辅助连线的两个端点为相邻的两个所述四边形注入区域对应的目标顶点；
33.根据导电盘或焊盘的数量，确定所述第三辅助连线的等分点；其中，所述导电盘的数量为对应的所述走线区域内所述第一导电盘和所述第二导电盘的数量之和，所述焊盘的数量为对应的所述走线区域内所述第一焊盘和所述第二焊盘的数量之和；
34.根据所述等分点，确定第一走线点和第二走线点。
35.可选地，所述方法还包括：
36.确认存在目标走线区域；其中，所述目标走线区域只有所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线；围成所述目标走线区域的所述离子注入层包括跨越注入区域和非跨越注入区域；
37.在所述跨越注入区域上设置跨越点；
38.在所述目标走线区域内设置第二走线点；其中，所述第二走线点的数量与经过所
述目标走线区域内的走线对应的第一导电盘的数量或所述第一焊盘的数量一致；
39.根据所述跨越点和所述第二走线点走线以连接对应的所述第一导电盘和所述第一焊盘；其中，所述第一导电盘和所述第一焊盘的走线不跨越所述非跨越注入区域。
40.可选地，所述非跨越注入区域为矩形注入区域，所述跨越注入区域为向所述第一导电盘方向突出于所述矩形注入区域的四边形注入区域；
41.所述在所述跨越注入区域上设置跨越点，包括：
42.确认所述矩形注入区域的一边与所述四边形注入区域的边重合；
43.确认所述四边形注入区域中重合边的第一中点；
44.确认所述四边形注入区域中远离所述矩形注入区域的边的第二中点；
45.根据所述第一中点和所述第二中点，确定第四辅助连线；
46.在所述第四辅助连线上设置跨越点，以使所述跨越点和所述第二走线点之间的连线不跨越所述矩形注入区域。
47.可选地，所述在所述目标走线区域内设置第二走线点，包括：
48.在所述四边形注入区域的四个顶点中选择一目标顶点；其中，所述目标顶点位于所述走线区域中朝向所述第一焊盘的开口处；
49.根据所述目标顶点确定第五辅助连线；其中，所述第五辅助连线的两个端点为相邻的两个所述四边形注入区域对应的目标顶点；
50.根据所述第一导电盘或所述第一焊盘的数量，确定所述第五辅助连线的等分点；
51.根据所述等分点，确定第二走线点。
52.第二方面，提供一种量子比特版图的布线装置，所述量子比特版图包括多个离子注入层、设置在所述多个离子注入层的相对两端的第一导电盘和第一焊盘、设置在所述多个离子注入层的相对两端的第二导电盘和第二焊盘，相邻的两个所述离子注入层之间设有走线区域；该装置包括：
53.第一确认模块，用于确认所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线对应的走线区域；
54.判断模块，用于判断所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线是否经过对应的所述走线区域；
55.第一设置模块，用于若否，在对应的所述走线区域内设置第一走线点；其中，所述第一走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量一致；
56.第一走线模块，用于根据所述第一走线点走线以连接对应的所述第二导电盘和所述第二焊盘；其中，所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线不跨越所述离子注入层。
57.可选地，所述第一设置模块，包括：
58.第一确认单元，用于在相邻的两个所述离子注入层边缘处分别确认一端点；其中，所述端点位于所述走线区域中朝向所述第二焊盘的开口处；
59.第一确定单元，用于根据两个所述端点确定第一辅助连线；
60.第二确定单元，用于根据所述第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量，确定第一所述辅助连线的等分点；其中，所述等分点为所述第一走线点。
61.可选地，所述离子注入层包括跨越注入区域和非跨越注入区域；所述装置还包括：
62.第二设置模块，用于若所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线经过对应的所述走线区域，在所述跨越注入区域上设置跨越点；
63.第三设置模块，用于在对应的所述走线区域内设置第一走线点和第二走线点；其中，所述第一走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量一致，所述第二走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第一导电盘的数量或所述第一焊盘的数量一致；
64.第二走线模块，用于根据所述跨越点和所述第二走线点走线以连接对应的所述第一导电盘和所述第一焊盘；其中，所述第一导电盘和所述第一焊盘的走线不跨越所述非跨越注入区域；
65.第三走线模块，用于根据所述第一走线点走线以连接对应的所述第二导电盘和所述第二焊盘；其中，不同的所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线之间无交叉且该走线不跨越所述离子注入层。
66.可选地，所述第二走线模块包括：
67.第一连接单元，用于连接所述第一导电盘和所述跨越点以及所述跨越点和所述第二走线点；
68.第二连接单元，用于连接所述第二走线点和所述第一焊盘；其中，所述第二走线点和所述第一焊盘之间的连线不跨越所述离子注入层。
69.可选地，所述非跨越注入区域为矩形注入区域，所述跨越注入区域为向所述导电盘方向突出于所述矩形注入区域的四边形注入区域；
70.所述第二设置模块还用于：
71.在所述四边形注入区域内设置跨越点，以使所述跨越点和所述第二走线点之间的连线不跨越所述矩形注入区域。
72.可选地，所述第二设置模块包括：
73.第二确认单元，用于确认所述矩形注入区域的第一顶点位于所述四边形注入区域内；
74.第三确认单元，用于确认所述四边形注入区域中远离所述矩形注入区域的边的中点；
75.第三确定单元，用于根据所述第一顶点和所述中点，确定第二辅助连线；
76.第一设置单元，用于在所述第二辅助连线上设置跨越点。
77.可选地，所述第三设置模块包括：
78.第一选择单元，用于在所述四边形注入区域的四个顶点中选择一目标顶点；其中，所述目标顶点位于所述走线区域中朝向所述第二焊盘的开口处；
79.第四确定单元，用于根据所述目标顶点确定第三辅助连线；其中，所述第三辅助连线的两个端点为相邻的两个所述四边形注入区域对应的目标顶点；
80.第五确定单元，用于根据导电盘或焊盘的数量，确定所述第三辅助连线的等分点；其中，所述导电盘的数量为对应的所述走线区域内所述第一导电盘和所述第二导电盘的数量之和，所述焊盘的数量为对应的所述走线区域内所述第一焊盘和所述第二焊盘的数量之和；
81.第六确定单元，用于根据所述等分点，确定第一走线点和第二走线点。
82.可选地，所述装置还包括：
83.第二确认模块，用于确认存在目标走线区域；其中，所述目标走线区域只有所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线；围成所述目标走线区域的所述离子注入层包括跨越注入区域和非跨越注入区域；
84.第四设置模块，用于在所述跨越注入区域上设置跨越点；
85.第五设置模块，用于在所述目标走线区域内设置第二走线点；其中，所述第二走线点的数量与经过所述目标走线区域内的走线对应的第一导电盘的数量或所述第一焊盘的数量一致；
86.第四走线模块，用于根据所述跨越点和所述第二走线点走线以连接对应的所述第一导电盘和所述第一焊盘；其中，所述第一导电盘和所述第一焊盘的走线不跨越所述非跨越注入区域。
87.可选地，所述非跨越注入区域为矩形注入区域，所述跨越注入区域为向所述第一导电盘方向突出于所述矩形注入区域的四边形注入区域；
88.所述第四设置模块包括：
89.第四确认单元，用于确认所述矩形注入区域的一边与所述四边形注入区域的边重合；
90.第五确认单元，用于确认所述四边形注入区域中重合边的第一中点；
91.第六确认单元，用于确认所述四边形注入区域中远离所述矩形注入区域的边的第二中点；
92.第七确定单元，用于根据所述第一中点和所述第二中点，确定第四辅助连线；
93.第二设置单元，用于在所述第四辅助连线上设置跨越点，以使所述跨越点和所述第二走线点之间的连线不跨越所述矩形注入区域。
94.可选地，所述第五设置模块包括：
95.第二选择单元，用于在所述四边形注入区域的四个顶点中选择一目标顶点；其中，所述目标顶点位于所述走线区域中朝向所述第一焊盘的开口处；
96.第八确定单元，用于根据所述目标顶点确定第五辅助连线；其中，所述第五辅助连线的两个端点为相邻的两个所述四边形注入区域对应的目标顶点；
97.第九确定单元，用于根据所述第一导电盘或所述第一焊盘的数量，确定所述第五辅助连线的等分点；
98.第十确定单元，用于根据所述等分点，确定第二走线点。
99.第三方面，提供一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行上述第一方面任一项所述的量子比特版图的布线方法。
100.第四方面，提供一种存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，其中，所述计算机程序被设置为运行时执行上述第一方面任一项所述的量子比特版图的布线方法。
101.第五方面，提供一种量子计算机操作系统，所述量子计算机操作系统根据上述第一方面任一项所述的方法实现量子比特版图的布线。
102.第六方面，提供一种量子计算机，所述量子计算机包括上述第五方面所述的量子计算机操作系统。
103.基于上述量子比特版图的布线方法，本技术对具有导电盘、焊盘和离子注入层的量子比特版图，首先确认第二导电盘和第二焊盘之间的走线对应的走线区域，然后判断第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线是否经过对应的所述走线区域根据每一离子注入层距离限位框最近的边缘在限位框上确定第一插入点，然后再在限位框上确定第二插入点，最后在每一第一插入点生成用于连接第一电极的导电盘，在每一第二插入点生成用于连接第二电极的导电盘，完成导电盘的绘制，整个绘制过程只需要人工设置限位框的尺寸即可，从而能够自动绘制导电盘，可以提高版图绘制的效率和精准度。
104.本技术提供的量子比特版图的布线装置、存储介质及电子设备，与量子比特版图的布线方法属于同一发明构思，因此具有相同的有益效果，在此不再赘述。
附图说明
105.图1是本技术一示例性实施例提供的一种量子比特版图的布线方法的流程示意图；
106.图2为本技术一示例性实施例提供的一种量子比特版图的结构示意图；
107.图3为图1所示的布线方法确定的走线点的示意图；
108.图4为图1所示的布线方法确定的跨越点的示意图；
109.图5为图1所示的布线方法确定的另一跨越点的示意图；
110.图6为图1所示的布线方法生成的布线示意图；
111.图7为本技术一示例性实施例提供的一种量子比特版图的布线装置的示意框图。
具体实施方式
112.下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
113.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
114.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
115.本技术实施例首先提供了一种量子比特版图的布线方法，该方法可以应用于电子设备，如计算机终端，具体如普通电脑、量子计算机等。量子比特版图包括电极结构、位于电极结构外围的导电盘、位于导电盘外围的多个离子注入层和位于多个离子注入层外围的焊盘。电极结构包括多个用于引入载流子的第一电极以及多个用于调控量子比特的第二电极，且第一电极和所述离子注入层的数量相等。导电盘包括第一导电盘和第二导电盘，第一导电盘连接于第一电极，第二导电盘连接于第二电极。第一导电盘和第二导电盘围成一个内层限位框，电极结构位于该内层限位框内。
116.焊盘包括第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘需要连接第一导电盘，第二焊盘需要连接第二导电盘。第一焊盘与第一导电盘之间的走线需要跨过离子注入层，第二焊盘与第二导电盘之间的走线不跨过离子注入层。第一焊盘和第二焊盘围成一个外层限位框，电极结构、导电盘和离子注入层位于该外层限位框内。第一导电盘和第一焊盘设置在所述多个离子注入层的相对两端，第二导电盘和第二焊盘设置在所述多个离子注入层的相对两端。相邻的两个离子注入层之间设有走线区域。
117.请参考图2，在一种具体实例中，量子比特版图包括6个离子注入层21、22、23、24、25、26，6个第一导电盘11以及21个第二导电盘12，6个第一焊盘31以及21个第二焊盘32。6个第一导电盘11以及21个第二导电盘12位于内层限位框10上，内层限位框10将电极结构(图2未示出)围在其中。6个第一焊盘31以及21个第二焊盘32位于外层限位框30上。离子注入层为多边形结构，离子注入层由一个类锥形(四边形注入区域)和一个矩形(矩形注入区域)组合而成。在图2中，离子注入层21、22、23、24为7边形，离子注入层25、26为8边形。
118.相邻的两个离子注入层之间设有走线区域、请参考图2，对于离子注入层21和离子注入层22围设的走线区域，包括2个第一焊盘31以及11个第二焊盘32。对于离子注入层22和离子注入层23围设的走线区域，包括2个第一焊盘31以及1个第二焊盘32。对于离子注入层23和离子注入层25围设的走线区域，包括4个第二焊盘32。对于离子注入层25和离子注入层25围设的走线区域，包括2个第一焊盘31。对于离子注入层26和离子注入层24围设的走线区域，包括4个第二焊盘32。对于离子注入层24和离子注入层21围设的走线区域，包括2个第一焊盘31以及1个第二焊盘32。
119.下面对本发明实施例提供的一种量子比特版图的布线方法作进一步描述说明。
120.参见图1，图1是本技术一示例性实施例提供的一种量子比特版图的布线方法流程示意图，包括步骤s11至s18，其中：
121.s11，确认所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线对应的走线区域。
122.在图2中，第二导电盘12和第二焊盘32之间的走线均要经过离子注入层21和离子注入层22围设的走线区域、离子注入层22和离子注入层23围设的走线区域、离子注入层23和离子注入层25围设的走线区域、以及离子注入层26和离子注入层24围设的走线区域。
123.确认第二导电盘和第二焊盘之间的走线对应的走线区域后，执行步骤s12。
124.s12，判断所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线是否经过对应的所述走线区域。
125.根据第一焊盘与第一导电盘之间的走线需要跨过离子注入层，第二焊盘与第二导电盘之间的走线不跨过离子注入层，可以判断第一导电盘和述第一焊盘之间的走线是否经过对应的走线区域。
126.若所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线不经过对应的所述走线区域，执行步骤s13。若所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线经过对应的所述走线区域，执行步骤s15。
127.在图2中，第二导电盘12和第二焊盘32之间的走线经过的离子注入层21和离子注入层22围设的走线区域，第一导电盘11和第一焊盘11之间的走线不经过该走线区域，此时，执行步骤s13。
128.第二导电盘12和第二焊盘32之间的走线经过的离子注入层22和离子注入层23围
设的走线区域，第一导电盘11和第一焊盘11之间的走线经过该走线区域，此时，执行步骤s15。
129.第二导电盘12和第二焊盘32之间的走线经过的离子注入层23和离子注入层25围设的走线区域，第一导电盘11和第一焊盘11之间的走线不经过该走线区域，此时，执行步骤s13。
130.第二导电盘12和第二焊盘32之间的走线经过的离子注入层26和离子注入层24围设的走线区域，第一导电盘11和第一焊盘11之间的走线不经过该走线区域，此时，执行步骤s13。
131.第二导电盘12和第二焊盘32之间的走线经过的离子注入层24和离子注入层21围设的走线区域，第一导电盘11和第一焊盘11之间的走线经过该走线区域，此时，执行步骤s15。
132.s13，在对应的所述走线区域内设置第一走线点。
133.其中，所述第一走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量一致。请参照图3，离子注入层21和离子注入层22围设的走线区域，第二焊盘32的数量为11，则该走线区域内第一走线点41的数量也为11。离子注入层23和离子注入层25围设的走线区域，第二焊盘32的数量为4，则该走线区域内第一走线点41的数量也为4。离子注入层26和离子注入层24围设的走线区域，第二焊盘32的数量为4，则该走线区域内第一走线点41的数量也为4。
134.可选地，步骤s13可以包括如下步骤：
135.s131，在相邻的两个所述离子注入层边缘处分别确认一端点。
136.其中，所述端点位于所述走线区域中朝向所述第二焊盘的开口处。请参照图3，对于离子注入层21和离子注入层22围设的走线区域，在离子注入层21的边缘和离子注入层22的边缘上分别选择一个点作为端点，这两个端点位于该走线区域中朝向第二焊盘32的开口处。可选地，如图3所示，选择离子注入层中矩形注入区域的顶点为端点，该顶点位于该走线区域中朝向第二焊盘32的开口处。
137.s132，根据两个所述端点确定第一辅助连线。
138.如图3所示，将两个所述端点连接即可获得第一辅助连线51。
139.s133，根据所述第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量，确定第一所述辅助连线的等分点。
140.其中，所述等分点为所述第一走线点。如图3所示，对于离子注入层21和离子注入层22围设的走线区域，第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量为11，第一辅助连线51等分点的数量即为11个，即需要将第一辅助连线51进行12等分，获得11个第一走线点41。对于离子注入层23和离子注入层25围设的走线区域，第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量为4，第一辅助连线51等分点的数量即为4个，也就是需要将第一辅助连线51进行5等分，获得4个第一走线点41。
141.s14，根据所述第一走线点走线以连接对应的所述第二导电盘和所述第二焊盘。
142.其中，所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线不跨越所述离子注入层。
143.请参照图6，按照走线不交叉的原则，将第二导电盘12连接于对应的第一走线点41，再连接到对应的第二焊盘32。
144.所示离子注入层包括跨越注入区域和非跨越注入区域。其中，跨越注入区域为四边形注入区域，所述非跨越注入区域为矩形注入区域。请参照图3，对于离子注入层21、22、23、24，所述跨越注入区域为向所述导电盘方向突出于所述矩形注入区域的四边形注入区域。如图4所示，离子注入层21包括矩形注入区域abcd和四边形注入区域efgh，矩形注入区域abcd的第一顶点a位于四边形注入区域efgh内。
145.若所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线经过对应的所述走线区域，执行步骤s15，在所述跨越注入区域(即四边形注入区域)上设置跨越点。
146.对于离子注入层22和离子注入层23围设的走线区域以及离子注入层21和离子注入层24围设的走线区域，在离子注入层21、22、23、24中的跨越注入区域(四边形注入区域)上设置跨越点43。
147.可选地，所述步骤s15可以包括如下步骤：
148.s151，确认所述矩形注入区域的第一顶点位于所述四边形注入区域内。
149.s152，确认所述四边形注入区域中远离所述矩形注入区域的边的中点。
150.s153，根据所述第一顶点和所述中点，确定第二辅助连线。
151.s154，在所述第二辅助连线上设置跨越点。
152.离子注入层21、22、23、24中的矩形注入区域均有一个顶点位于四边形注入区域内。以离子注入层21为例，请参照图3和图4，离子注入层21中的矩形注入区域211包括顶点a、顶点b、顶点c和顶点d，离子注入层21中的四边形注入区域212包括顶点e、顶点f、顶点g和顶点h。其中，顶点a位于四边形注入区域212内。因此，首先将顶点a作为第一顶点。接着，取离子注入层21中的四边形注入区域212中远离矩形注入区域211边gh的中点j。然后，根据顶点a和中点j，可以确定第二辅助连线aj。最后，可以在第二辅助连线52上随意取一点作为跨越点43，只要保证跨越点43和第二走线点42的连线不会跨越矩形注入区域即可。
153.在设置跨越点后，执行步骤s16。
154.s16，在对应的所述走线区域内设置第一走线点和第二走线点。
155.其中，所述第一走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量一致，所述第二走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第一导电盘的数量或所述第一焊盘的数量一致。需要注意的是，在所述四边形注入区域内设置的跨越点和所述第二走线点之间的连线不跨越所述矩形注入区域。
156.参照图3，对于离子注入层21和离子注入层24围设的走线区域，在该走线区域内，第二导电盘12的数量或所述第二焊盘32的数量均为1个，第一导电盘11的数量或第一焊盘31的数量均为2个。因此，在该走线区域内，设置1个第一走线点41和2个第二走线点42。
157.对于离子注入层22和离子注入层23围设的走线区域，在该走线区域内，第二导电盘12的数量或所述第二焊盘32的数量均为1个，第一导电盘11的数量或第一焊盘31的数量均为2个。因此，在该走线区域内，设置1个第一走线点41和2个第二走线点42。
158.可选地，步骤s16可以包括如下步骤：
159.s161，在所述四边形注入区域的四个顶点中选择一目标顶点。
160.请参照图3，对于离子注入层21和离子注入层24围设的走线区域，在离子注入层21和离子注入层24的矩形注入区域的顶点中各选一个作为目标顶点，其中，所述目标顶点位于所述走线区域中朝向第二焊盘32的开口处。
161.s162，根据所述目标顶点确定第三辅助连线。
162.其中，所述第三辅助连线的两个端点为相邻的两个所述四边形注入区域对应的目标顶点。参照图3，将两个所述目标顶点连接即可获得第三辅助连线53。
163.s163，根据导电盘或焊盘的数量，确定所述第三辅助连线的等分点。
164.其中，所述导电盘的数量为对应的所述走线区域内所述第一导电盘和所述第二导电盘的数量之和，所述焊盘的数量为对应的所述走线区域内所述第一焊盘和所述第二焊盘的数量之和。
165.如图3所示，第三辅助连线53的等分点包括第一走线点41和第二走线点42。对于离子注入层21和离子注入层24围设的走线区域，第一导电盘11的数量为2，第二导电盘的数量为1，第一导电盘和所述第二导电盘的数量之和为3，第三辅助连线53等分点的数量即为3个，即需要将第三辅助连线53进行4等分，获得3个走线点(1个第一走线点41和2个第二走线点42)。
166.s164，根据所述等分点，确定第一走线点和第二走线点。
167.其中，所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线不跨越所述离子注入层。如图3所示，两个第二走线点42为等分点中最外的两个点。
168.s17，根据所述跨越点和所述第二走线点走线以连接对应的所述第一导电盘和所述第一焊盘。
169.其中，所述第一导电盘和所述第一焊盘的走线不跨越所述非跨越注入区域。
170.可选地，s17可以包括如下步骤：
171.s171，连接所述第一导电盘和所述跨越点以及所述跨越点和所述第二走线点。
172.s172，连接所述第二走线点和所述第一焊盘。
173.其中，所述第二走线点和所述第一焊盘之间的连线不跨越所述离子注入层。
174.请参照图6，按照走线不交叉的原则，将第一导电盘11连接于对应的跨越点43，以及将跨越点43连接于对应的第二走线点42，然后，将第二走线点42连接于对应的第一焊盘31。
175.s18，根据所述第一走线点走线以连接对应的所述第二导电盘和所述第二焊盘。
176.其中，不同的所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线之间无交叉且该走线不跨越所述离子注入层。
177.请参照图6，按照走线不交叉的原则，将第二导电盘12连接于对应的第一走线点41，然后，将第一走线点41连接于对应的第二焊盘32。
178.可选地，本技术量子比特版图的布线方法还包括以下步骤：
179.s191，确认存在目标走线区域。
180.其中，所述目标走线区域只有所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线。参照图3，离子注入层25和离子注入层26围设的走线区域，只有第一导电盘11和第一焊盘31之间的走线。因此，在图3中，只有离子注入层25和离子注入层26围设的走线区域为目标走线区域。
181.在确认存在目标走线区域后，执行步骤s192。
182.s192，在所述跨越注入区域上设置跨越点。
183.围成所述目标走线区域的所述离子注入层包括跨越注入区域和非跨越注入区域。
所述非跨越注入区域为矩形注入区域，所述跨越注入区域为向所述导电盘方向突出于所述矩形注入区域的四边形注入区域。
184.请参照图3，对于离子注入层25、26，所述跨越注入区域为向所述第一导电盘方向突出于所述矩形注入区域的四边形注入区域。
185.可选地，步骤s192可以包括如下步骤：
186.s1921，确认所述矩形注入区域的一边与所述四边形注入区域的边重合。
187.s1922，确认所述四边形注入区域中重合边的第一中点。
188.s1923，确认所述四边形注入区域中远离所述矩形注入区域的边的第二中点。
189.s1924，根据所述第一中点和所述第二中点，确定第四辅助连线。
190.s1925，在所述第四辅助连线上设置跨越点，以使所述跨越点和所述第二走线点之间的连线不跨越所述矩形注入区域。
191.如图3所示，离子注入层25、26的矩形注入区域均有一边与四边形注入区域的边重合。请参照图5，离子注入层26包括矩形注入区域a’b’c’d’和四边形注入区域e’f’g’h’，矩形注入区域a’b’c’d’的边b’c’的一部分与四边形注入区域e’f’g’h’的边e’f’重合。首先，确认四边形注入区域e’f’g’h’的边e’f’的第一中点k’。然后，确认四边形注入区域e’f’g’h’中远离矩形注入区域a’b’c’d’的边g’h’的第二中点j’。接着，连接第一中点k’和第二中点j’，即可得到第四辅助连线54。最后，可以在第四辅助连线54上取一点作为跨越点43，只要保证跨越点43和第二走线点42的连线不会跨越矩形注入区域即可。
192.在设置跨越点后，执行步骤s193。
193.s193，在所述目标走线区域内设置第二走线点。
194.其中，所述第二走线点的数量与经过所述目标走线区域内的走线对应的第一导电盘的数量或所述第一焊盘的数量一致。需要注意的是，在所述四边形注入区域内设置的跨越点和所述第二走线点之间的连线不跨越所述矩形注入区域。
195.参照图3，对于离子注入层25和离子注入层26围设的目标走线区域，在该目标走线区域内，第一导电盘11的数量或第一焊盘31的数量均为2个。因此，在该走线区域内，设置2个第二走线点42。
196.可选地，步骤s193可以包括如下步骤：
197.s1931，在所述四边形注入区域的四个顶点中选择一目标顶点。
198.其中，所述目标顶点位于所述走线区域中朝向所述第一焊盘的开口处。
199.参照图3，对于离子注入层25和离子注入层26围设的目标走线区域，在离子注入层25和离子注入层26的矩形注入区域的顶点中各选一个作为目标顶点，其中，所述目标顶点位于所述走线区域中朝向第一焊盘31的开口处。
200.s1932，根据所述目标顶点确定第五辅助连线。
201.其中，所述第五辅助连线的两个端点为相邻的两个所述四边形注入区域对应的目标顶点。参照图3，将两个所述目标顶点连接即可获得第五辅助连线55。
202.s1933，根据所述第一导电盘或所述第一焊盘的数量，确定所述第五辅助连线的等分点。
203.s1934，根据所述等分点，确定第二走线点。
204.参照图3，对于离子注入层25和离子注入层26围设的目标走线区域，其中，第一导
电盘11的数量或所述第一焊盘的数量为2，第五辅助连线55等分点的数量即为2个，也就是需要将第五辅助连线55进行3等分，获得2个第二走线点42。
205.在所述目标走线区域内设置第二走线点之后，执行步骤s194。
206.s194，根据所述跨越点和所述第二走线点走线以连接对应的所述第一导电盘和所述第一焊盘。
207.其中，所述第一导电盘和所述第一焊盘的走线不跨越所述非跨越注入区域。
208.请参照图6，按照走线不交叉的原则，将第一导电盘11连接于对应的跨越点43，再将跨越点43连接到对应的第二走线点42，然后将第二走线点42连接到对应的第一焊盘31。
209.基于上述量子比特版图的布线方法，本技术对具有导电盘、焊盘和离子注入层的量子比特版图，首先确认第二导电盘和第二焊盘之间的走线对应的走线区域，然后判断第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线是否经过对应的所述走线区域根据每一离子注入层距离限位框最近的边缘在限位框上确定第一插入点，然后再在限位框上确定第二插入点，最后在每一第一插入点生成用于连接第一电极的导电盘，在每一第二插入点生成用于连接第二电极的导电盘，完成导电盘的绘制，整个绘制过程只需要人工设置限位框的尺寸即可，从而能够自动绘制导电盘，可以提高版图绘制的效率和精准度。
210.以上结合图1详细说明了本技术实施例提供的量子比特版图的布线方法。以下结合图7详细说明用于执行本技术实施例提供的量子比特版图的布线方法的装置。所述量子比特版图包括多个离子注入层、设置在所述多个离子注入层的相对两端的第一导电盘和第一焊盘、设置在所述多个离子注入层的相对两端的第二导电盘和第二焊盘，相邻的两个所述离子注入层之间设有走线区域。
211.示例性地，参见图7，图7为本技术一示例性实施例提供的一种量子比特版图的布线装置的示意框图，与图1所示的流程相对应，量子比特版图的布线装置700包括：
212.第一确认模块710，用于确认所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线对应的走线区域；
213.判断模块720，用于判断所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线是否经过对应的所述走线区域；
214.第一设置模块730，用于若否，在对应的所述走线区域内设置第一走线点；其中，所述第一走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量一致；
215.第一走线模块740，用于根据所述第一走线点走线以连接对应的所述第二导电盘和所述第二焊盘；其中，所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线不跨越所述离子注入层。
216.可选地，第一设置模块730，包括：
217.第一确认单元，用于在相邻的两个所述离子注入层边缘处分别确认一端点；其中，所述端点位于所述走线区域中朝向所述第二焊盘的开口处；
218.第一确定单元，用于根据两个所述端点确定第一辅助连线；
219.第二确定单元，用于根据所述第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量，确定第一所述辅助连线的等分点；其中，所述等分点为所述第一走线点。
220.可选地，所述离子注入层包括跨越注入区域和非跨越注入区域；量子比特版图的
布线装置700还包括：
221.第二设置模块，用于若所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线经过对应的所述走线区域，在所述跨越注入区域上设置跨越点；
222.第三设置模块，用于在对应的所述走线区域内设置第一走线点和第二走线点；其中，所述第一走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量一致，所述第二走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第一导电盘的数量或所述第一焊盘的数量一致；
223.第二走线模块，用于根据所述跨越点和所述第二走线点走线以连接对应的所述第一导电盘和所述第一焊盘；其中，所述第一导电盘和所述第一焊盘的走线不跨越所述非跨越注入区域；
224.第三走线模块，用于根据所述第一走线点走线以连接对应的所述第二导电盘和所述第二焊盘；其中，不同的所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线之间无交叉且该走线不跨越所述离子注入层。
225.可选地，所述第二走线模块包括：
226.第一连接单元，用于连接所述第一导电盘和所述跨越点以及所述跨越点和所述第二走线点；
227.第二连接单元，用于连接所述第二走线点和所述第一焊盘；其中，所述第二走线点和所述第一焊盘之间的连线不跨越所述离子注入层。
228.可选地，所述非跨越注入区域为矩形注入区域，所述跨越注入区域为向所述导电盘方向突出于所述矩形注入区域的四边形注入区域；
229.所述第二设置模块还用于：
230.在所述四边形注入区域内设置跨越点，以使所述跨越点和所述第二走线点之间的连线不跨越所述矩形注入区域。
231.可选地，所述第二设置模块包括：
232.第二确认单元，用于确认所述矩形注入区域的第一顶点位于所述四边形注入区域内；
233.第三确认单元，用于确认所述四边形注入区域中远离所述矩形注入区域的边的中点；
234.第三确定单元，用于根据所述第一顶点和所述中点，确定第二辅助连线；
235.第一设置单元，用于在所述第二辅助连线上设置跨越点。
236.可选地，所述第三设置模块包括：
237.第一选择单元，用于在所述四边形注入区域的四个顶点中选择一目标顶点；其中，所述目标顶点位于所述走线区域中朝向所述第二焊盘的开口处；
238.第四确定单元，用于根据所述目标顶点确定第三辅助连线；其中，所述第三辅助连线的两个端点为相邻的两个所述四边形注入区域对应的目标顶点；
239.第五确定单元，用于根据导电盘或焊盘的数量，确定所述第三辅助连线的等分点；其中，所述导电盘的数量为对应的所述走线区域内所述第一导电盘和所述第二导电盘的数量之和，所述焊盘的数量为对应的所述走线区域内所述第一焊盘和所述第二焊盘的数量之和；
240.第六确定单元，用于根据所述等分点，确定第一走线点和第二走线点。
241.可选地，量子比特版图的布线装置700还包括：
242.第二确认模块，用于确认存在目标走线区域；其中，所述目标走线区域只有所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线；围成所述目标走线区域的所述离子注入层包括跨越注入区域和非跨越注入区域；
243.第四设置模块，用于在所述跨越注入区域上设置跨越点；
244.第五设置模块，用于在所述目标走线区域内设置第二走线点；其中，所述第二走线点的数量与经过所述目标走线区域内的走线对应的第一导电盘的数量或所述第一焊盘的数量一致；
245.第四走线模块，用于根据所述跨越点和所述第二走线点走线以连接对应的所述第一导电盘和所述第一焊盘；其中，所述第一导电盘和所述第一焊盘的走线不跨越所述非跨越注入区域。
246.可选地，所述非跨越注入区域为矩形注入区域，所述跨越注入区域为向所述第一导电盘方向突出于所述矩形注入区域的四边形注入区域；
247.所述第四设置模块包括：
248.第四确认单元，用于确认所述矩形注入区域的一边与所述四边形注入区域的边重合；
249.第五确认单元，用于确认所述四边形注入区域中重合边的第一中点；
250.第六确认单元，用于确认所述四边形注入区域中远离所述矩形注入区域的边的第二中点；
251.第七确定单元，用于根据所述第一中点和所述第二中点，确定第四辅助连线；
252.第二设置单元，用于在所述第四辅助连线上设置跨越点，以使所述跨越点和所述第二走线点之间的连线不跨越所述矩形注入区域。
253.可选地，所述第五设置模块包括：
254.第二选择单元，用于在所述四边形注入区域的四个顶点中选择一目标顶点；其中，所述目标顶点位于所述走线区域中朝向所述焊盘的开口处；
255.第八确定单元，用于根据所述目标顶点确定第五辅助连线；其中，所述第五辅助连线的两个端点为相邻的两个所述四边形注入区域对应的目标顶点；
256.第九确定单元，用于根据所述第一导电盘或所述第一焊盘的数量，确定所述第五辅助连线的等分点；
257.第十确定单元，用于根据所述等分点，确定第二走线点。
258.本技术实施例还提供了一种存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，其中，所述计算机程序被设置为运行时执行上述任一项方法实施例中的步骤。
259.具体的，在本实施例中，上述存储介质可以被设置为存储用于执行以下步骤的计算机程序：
260.s11，确认所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线对应的走线区域；
261.s12，判断所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线是否经过对应的所述走线区域；若否，执行步骤s13；若是，执行步骤s15；
262.s13，在对应的所述走线区域内设置第一走线点；其中，所述第一走线点的数量与
经过所述走线区域内的走线对应的第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量一致；
263.s14，根据所述第一走线点走线以连接对应的所述第二导电盘和所述第二焊盘；其中，所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线不跨越所述离子注入层。
264.s15，在所述跨越注入区域上设置跨越点；
265.s16，在对应的所述走线区域内设置第一走线点和第二走线点；其中，所述第一走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量一致，所述第二走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第一导电盘的数量或所述第一焊盘的数量一致；
266.s17，根据所述跨越点和所述第二走线点走线以连接对应的所述第一导电盘和所述第一焊盘；其中，所述第一导电盘和所述第一焊盘的走线不跨越所述非跨越注入区域；
267.s18，根据所述第一走线点走线以连接对应的所述第二导电盘和所述第二焊盘；其中，不同的所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线之间无交叉且该走线不跨越所述离子注入层。
268.具体的，在本实施例中，上述存储介质可以包括但不限于：u盘、只读存储器(read-only memory，简称为rom)、随机存取存储器(random access memory，简称为ram)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储计算机程序的介质。
269.本技术实施例还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行上述任一项方法实施例中的步骤。
270.具体的，上述电子设备还可以包括传输设备以及输入输出设备，其中，该传输设备和上述处理器连接，该输入输出设备和上述处理器连接。
271.具体的，在本实施例中，上述处理器可以被设置为通过计算机程序执行以下步骤：
272.s11，确认所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线对应的走线区域；
273.s12，判断所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线是否经过对应的所述走线区域；若否，执行步骤s13；若是，执行步骤s15；
274.s13，在对应的所述走线区域内设置第一走线点；其中，所述第一走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量一致；
275.s14，根据所述第一走线点走线以连接对应的所述第二导电盘和所述第二焊盘；其中，所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线不跨越所述离子注入层。
276.s15，在所述跨越注入区域上设置跨越点；
277.s16，在对应的所述走线区域内设置第一走线点和第二走线点；其中，所述第一走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量一致，所述第二走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第一导电盘的数量或所述第一焊盘的数量一致；
278.s17，根据所述跨越点和所述第二走线点走线以连接对应的所述第一导电盘和所述第一焊盘；其中，所述第一导电盘和所述第一焊盘的走线不跨越所述非跨越注入区域；
279.s18，根据所述第一走线点走线以连接对应的所述第二导电盘和所述第二焊盘；其中，不同的所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线之间无交叉且该走线不跨越所述离子注入层。
280.可选地，该电子设备中的处理器可以为一个或多个。该处理器可以通过硬件实现也可以通过软件实现。当通过硬件实现时，该处理器可以是逻辑电路、集成电路等。当通过软件实现时，该处理器可以是一个通用处理器，通过读取存储器中存储的软件代码来实现。
281.可选地，该电子设备中的存储器也可以为一个或多个。该存储器可以与处理器集成在一起，也可以和处理器分离设置，本技术并不限定。示例性的，存储器可以是非瞬时性处理器，例如只读存储器rom，其可以与处理器集成在同一块芯片上，也可以分别设置在不同的芯片上，本技术对存储器的类型，以及存储器与处理器的设置方式不作具体限定。
282.示例性的，该电子设备可以是现场可编程门阵列(field programmable gate array，fpga)，可以是专用集成芯片(application specific integrated circuit，asic)，还可以是系统芯片(system on chip，soc)，还可以是中央处理器(central processor unit，cpu)，还可以是网络处理器(network processor，np)，还可以是数字信号处理电路(digital signal processor，dsp)，还可以是微控制器(micro controller unit，mcu)，还可以是可编程控制器(programmable logic device，pld)或其他集成芯片。
283.应理解，在本技术实施例中的处理器可以是中央处理单元(central processing unit，cpu)，该处理器还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(digital signal processor，dsp)、专用集成电路(application specific integrated circuit，asic)、现成可编程门阵列(field programmable gate array，fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
284.还应理解，本技术实施例中的存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(read-only memory，rom)、可编程只读存储器(programmable rom，prom)、可擦除可编程只读存储器(erasable prom，eprom)、电可擦除可编程只读存储器(electrically eprom，eeprom)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(random access memory，ram)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的随机存取存储器(random access memory，ram)可用，例如静态随机存取存储器(static ram，sram)、动态随机存取存储器(dram)、同步动态随机存取存储器(synchronous dram，sdram)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(double data rate sdram，ddr sdram)、增强型同步动态随机存取存储器(enhanced sdram，esdram)、同步连接动态随机存取存储器(synchlink dram，sldram)和直接内存总线随机存取存储器(direct rambus ram，dr ram)。
285.本技术实施例还提供了一种量子计算机操作系统，所述量子计算机操作系统根据本发明实施例中提供的上述任一方法实施例实现量子比特版图的布线。
286.本技术的实施例还提供了一种量子计算机，所述量子计算机包括上述的量子计算机操作系统。
287.上述实施例，可以全部或部分地通过软件、硬件(如电路)、固件或其他任意组合来实现。当使用软件实现时，上述实施例可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令或计算机程序。在计算机上加载或执行所述计算机指令或计算机程序时，全部或部分地产生按照本技术实施例所述的流程或功能。所述计算机可以为通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机
指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集合的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，dvd)、或者半导体介质。半导体介质可以是固态硬盘。
288.应理解，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况，其中a,b可以是单数或者复数。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系，但也可能表示的是一种“和/或”的关系，具体可参考前后文进行理解。
289.本技术中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a,b,或c中的至少一项(个)，可以表示：a,b,c,a-b,a-c,b-c,或a-b-c，其中a,b,c可以是单个，也可以是多个。
290.应理解，在本技术的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术实施例的实施过程构成任何限定。
291.本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本技术的范围。
292.所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
293.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
294.所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
295.另外，在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
296.所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说
对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本技术各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(read-only memory，rom)、随机存取存储器(random access memory，ram)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
297.以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。