片式电阻器的制作方法

1.本公开涉及用于各种电子设备的由厚膜电阻体形成的片式电阻器，特别涉及用于需要高功率的电子设备的片式电阻器。


背景技术：

2.现有的片式电阻器如图20以及图21所示，具备：由绝缘体构成的基板1、一对电极2、由电阻体构成的层3、保护膜4a、4b、设置于一对端面的电极5、通过镀敷而形成的金属层6。一对电极2分别被设置于基板1的上表面的两端部。由电阻体构成的层3被设置于基板1的上表面且一对电极2之间。保护膜4a、4b被设置为至少覆盖由电阻体构成的层3。一对电极5分别被设置于基板1的两端面以使得分别与一对电极2电连接。金属层6被设置于一对电极2的表面的一部分和一对电极5的表面。由电阻体构成的层3形成为蜿蜒状。另外，图20是现有的片式电阻器的俯视图。图21是将图20所示的片式电阻器沿着xxi-xxi线切割的剖视图。
3.另外，图20以及图21所示的现有的片式电阻器例如被公开于专利文献1。
4.此外，与上述不同的现有的片式电阻器如图22所示，具备：由绝缘体构成的基板1、一对电极2、由电阻体构成的层3、保护膜4、玻璃层8。在基板1形成凹部，在该凹部的底部设置玻璃层8。在基板1的凹部且玻璃层8的上方设置由电阻体构成的层3。一对电极2被设置于基板1上以使得与由电阻体构成的层3相接。在由电阻体构成的层3上设置保护膜4。图22所示的现有的片式电阻器例如被公开于专利文献2。
5.在先技术文献
6.专利文献
7.专利文献1：日本特开2010-118430号公报
8.专利文献2：日本特开2000-106301号公报


技术实现要素：

9.在专利文献1中公开的现有的片式电阻器中，若要对应高功率，则由电阻体构成的层3的发热变大。因此，由电阻体构成的层3的温度成为高温，具有不能对应高功率的问题。
10.此外，在专利文献2中公开的现有的片式电阻器中，由电阻体构成的层3的全部被埋设于凹部，因此具有仅与包含绝缘体的基板1接触的部位进行散热的这种问题。
11.本公开的目的在于解决上述现有的问题，提供一种能够应对高功率的片式电阻器。
12.为了解决上述问题，本公开的片式电阻器具备绝缘基板、一对电极、电阻体。绝缘基板从其上表面来看在中央部具有第一区域，在第一区域的两端部具有第二区域。在绝缘基板的第一区域设置凹部。一对电极分别被设置于绝缘基板的上表面的两端部。电阻体被设置于绝缘基板的至少凹部。电阻体与一对电极分别连接。此外，电阻体在绝缘基板的第二区域具有修整槽(trimming groove)。
13.本公开的片式电阻器进一步优选凹部为蜿蜒状。
14.本公开的片式电阻器优选在绝缘基板的上表面进一步设置电阻体。
15.本公开的片式电阻器在设置于绝缘基板的凹部、尤其是蜿蜒状的凹部埋设电阻体。因此，电阻体与绝缘基板的接触面积变大。由此，能够将电阻体中产生的热量有效地向绝缘基板释放。其结果，能够降低电阻体的温度。因此，起到片式电阻器能够对应高功率这一优异的效果。
附图说明
16.图1是本公开的第一实施方式中的片式电阻器的剖视图。
17.图2是该第一实施方式中的片式电阻器的俯视图。
18.图3是该第一实施方式中的形成有凹部的绝缘基板的剖视图。
19.图4是形成有该凹部的绝缘基板的俯视图。
20.图5是在形成有该凹部的绝缘基板上设置有电阻体时的绝缘基板的俯视图。
21.图6是表示该第一实施方式中的在绝缘基板上形成的电阻体与一对电极的配置关系的俯视图。
22.图7是该第一实施方式中的片式电阻器的被图2所示的区域α包围的部分的放大图。
23.图8是该第一实施方式中的片式电阻器的区域α中的剖视图。
24.图9是第二实施方式中的片式电阻器的剖视图。
25.图10是该第二实施方式中的片式电阻器的俯视图。
26.图11是该第三实施方式中的片式电阻器的剖视图。
27.图12是该第三实施方式中的片式电阻器的俯视图。
28.图13是该片式电阻器的被图12所示的区域β包围的部分的放大图。
29.图14是该第四实施方式中的片式电阻器的剖视图。
30.图15是该第四实施方式中的片式电阻器的俯视图。
31.图16是该第五实施方式中的片式电阻器的剖视图。
32.图17是该第五实施方式中的片式电阻器的俯视图。
33.图18是该第六实施方式中的片式电阻器的剖视图。
34.图19是该第六实施方式中的片式电阻器的俯视图。
35.图20是现有的片式电阻器的主要部分的俯视图。
36.图21是该片式电阻器的剖视图。
37.图22是另一现有的片式电阻器的剖视图。
具体实施方式
38.以下，使用附图来对本公开的实施方式进行说明。另外，以下所示的实施方式仅仅是本公开所涉及的发明的实施方式，本公开所涉及的发明并不限定于以下所示的实施方式。
39.(第一实施方式)
40.以下，使用附图来对本公开的第一实施方式中的片式电阻器进行说明。图1是本公开的第一实施方式中的片式电阻器的剖视图，图2是该片式电阻器的俯视图。图1是将图2所
示的片式电阻器沿着i-i线在与纸面垂直的面切割时的剖视图。
41.如图1以及图2所示，本公开的第一实施方式中的片式电阻器具备：绝缘基板11、一对上表面电极12、电阻体13、修整槽14、第一保护膜15、第二保护膜16。一对上表面电极12分别被设置于绝缘基板11的上表面的两端部。电阻体13形成于一对上表面电极12的一部分之上以及绝缘基板11的上表面、且一对上表面电极12之间。修整槽14被设置于电阻体13。第一保护膜15覆盖电阻体13。第二保护膜16覆盖第一保护膜15。
42.此外，在绝缘基板11的两端面，分别设置一对端面电极17。一对端面电极17分别与一对上表面电极12电连接。此外，在绝缘基板11的两端面，分别在一对上表面电极12的各自的一部分和一对端面电极17的各自的表面形成镀敷层18。
43.另外，为了避免繁琐，在图2中，省略第一保护膜15、第二保护膜16、一对端面电极17以及镀敷层18的图示。
44.另外，将绝缘基板11的厚度方向设为z轴，将与绝缘基板11的上表面平行的面设为xy平面，将从一对上表面电极12的一方向另一方的方向设为x轴，将与x轴垂直的方向设为y轴，来定义xyz正交坐标。图1所示的剖视图是在通过图2所示的i-i线并与xz平面平行的平面切割时的剖视图。另外，在以下说明的全部附图中，如上述所示，定义xyz正交坐标。
45.在上述结构中，绝缘基板11包含含有96％的al2o3的氧化铝。绝缘基板11的形状为矩形形状(俯视下为长方形)。该绝缘基板11被分为中央部的第一区域11a和第一区域11a的两端部的第二区域11b。此外，在第一区域11a，设置俯视下为蜿蜒状的凹部20。另外，这里，所谓“俯视”，是指从绝缘基板11的上表面所朝向的方向眺望。
46.对形成有蜿蜒状的凹部20的绝缘基板11进行说明。绝缘基板11的厚度是0.4mm，x轴方向的长度是1.95mm，y轴方向的长度是1.2mm。图3是形成有凹部20的绝缘基板的剖视图。图4是形成有凹部20的绝缘基板的俯视图。图3是在通过图4所示的绝缘基板11的iii-iii线并且与纸面垂直的平面切割时的剖视图。
47.第一区域11a的x轴方向的宽度xa是xa＝1.02mm。关于第二区域11b的x轴方向的宽度，若将处于图4的左侧的第二区域11b的宽度设为xb1，将处于右侧的第二区域11b的宽度设为xb2，则xb1＝0.63mm，xb2＝0.3mm。
48.关于凹部20，形成于图4中的从第一区域11a的左侧的边界到右侧的边界之间的、y轴方向的宽度ya的区域内。凹部20的宽度是xa1。凹部20沿着第一区域11a的左侧的边界在y轴方向延伸，在凹部20的长度为ya1时，在x轴方向延伸。然后，与之前在y轴方向(y轴负方向)延伸的凹部20隔开间隔xv，凹部20再次在y轴方向(y轴正方向)延伸。然后，凹部20往返一次，在凹部20的长度为ya1时再次在x轴方向延伸。反复此过程，凹部20从图4中的第一区域11a的左侧的边界到达右侧的边界。
49.在第一实施方式中，凹部20的深度是0.01mm。此外，关于凹部20，xa1＝0.15mm，ya＝0.8mm，ya1＝0.68mm，xv＝0.14mm。xa2＝0.44mm。另外，以下可能将x轴方向称为绝缘基板的长边方向。
50.此外，一对上表面电极12分别被设置于绝缘基板11的第二区域11b的上表面的两端部。
51.一对上表面电极12通过印刷具有银等金属的厚膜材料并烧制而形成。另外，也可以在绝缘基板11的背面的两端部设置一对背面电极(未图示)。
52.电阻体13在绝缘基板11的上表面，被设置于一对上表面电极12之间。关于电阻体13，厚度是0.02mm，x轴方向的长度是1.35mm，y轴方向的长度是0.8mm。
53.电阻体13通过印刷包含铜镍、银钯或氧化钌的厚膜材料之后进行烧制而形成。电阻体13与一对上表面电极12分别局部重叠并且连接。电阻体13与一对上表面电极12的重叠部分形成2个。另外，在图1以及图2中，电阻体13的两端部形成于一对上表面电极12的两端部的上表面，但也可以形成于一对上表面电极12的两端部的下表面。在一对上表面电极12间的电阻体13流过电流。
54.该电阻体13在第一区域11a被埋设于凹部20。因此，电阻体13形成为蜿蜒状，由此，电阻体13的有效长度变长，每单位长度的电位差变小，因此耐浪涌性提高。此外，由于在凹部20埋设电阻体13，因此电阻体13彼此在平面方向不对置，耐浪涌性更加提高。
55.此外，电阻体13在第二区域11b形成于绝缘基板11的上表面。埋设于凹部20的电阻体13与形成于绝缘基板11的上表面的电阻体13连接。
56.接下来，以下，对在形成有凹部20的绝缘基板11上设置电阻体13时的绝缘基板11进行说明。图5是在形成有凹部20的绝缘基板11上设置电阻体13时的绝缘基板11的俯视图。在绝缘基板11的第一区域11a，在凹部20埋设电阻体13。关于绝缘基板11的第二区域11b，将从图5的左侧的第二区域11b在x轴方向延伸的电阻体13的长度设为x13b1，将从右侧的第二区域11b在x轴方向延伸的电阻体13的长度设为x13b2。
57.将在第一区域11a从图5的左侧的第二区域11b在x轴方向延伸的电阻体13与电阻体13被埋入到凹部20的区域的重叠宽度的x轴方向的值设为x13a1。此外，将在第一区域11a从图5的右侧的第二区域11b在x轴方向延伸的电阻体13与电阻体13被埋入到凹部20的区域的重叠宽度的x轴方向的值设为x13a2。此外，将电阻体13整体的x轴方向的大小设为x13，将y轴方向的大小设为y13。在第一实施方式中，x13＝1.35mm，y13＝0.8mm，x13a1＝0.08mm，x13a2＝0.08mm，x13b1＝0.33mm，x13b2＝0.25mm。
58.接下来，使用图6来说明形成于绝缘基板11上的电阻体13与一对上表面电极12的关系。图6是表示形成于绝缘基板11上的电阻体13与一对上表面电极12的配置关系的俯视图。电阻体13与一对上表面电极12分别局部重叠并且连接。一对上表面电极12分别包含厚度0.01mm的银等金属。即，一对电极12的各自的厚度均为0.01mm。此外，一对上表面电极12分别具有在x轴方向以及y轴方向具有边的矩形形状。一对上表面电极12的y轴方向的边的长度相同。将一对上表面电极12的各自的y轴方向的长度设为y12。此外，关于一对上表面电极12，将图6的纸面左侧的上表面电极12的x轴方向的一边的长度设为x121，将图6的纸面右侧的上表面电极12的x轴方向的一边的长度设为x122。在第一实施方式中，x121＝0.35mm，x122＝0.2mm，x12b1＝0.1mm，x12b2＝0.1mm，y12＝0.9mm。
59.进一步地，如图2所示，在形成于第二区域11b的电阻体13设置修整槽14。难以在埋设于凹部20的电阻体13形成修整槽14来调整电阻值。但是，容易在形成于第二区域11b的绝缘基板11的上表面的电阻体13形成修整槽14。
60.修整槽14通过向形成于第二区域11b的绝缘基板11的上表面的电阻体13照射激光而形成。另外，在图2中，修整槽14的形状为l字状，但并不限定于此。此外，优选通过埋设于第一区域11a的凹部20的电阻体13和设置有第二区域11b的修整槽14的电阻体13，整体将电阻体13设为蜿蜒状。
61.第一保护膜15覆盖电阻体13，包含以玻璃为主成分的绝缘体。通过第一保护膜15，能够缓和在电阻体13形成修整槽14时的激光的照射所导致的冲击。在电阻体13形成第一保护膜15之后，向第一保护膜15照射激光，形成修整槽14。
62.第二保护膜16覆盖第一保护膜15的整体以及一对上表面电极12的一部分，包含环氧树脂。
63.一对端面电极17分别被设置于绝缘基板11的两端面，通过印刷包含ag和树脂的材料而形成，以使得与从第二保护膜16露出的一对上表面电极12的上表面分别电连接。另外，也可以通过溅射金属材料来形成端面电极17。
64.进一步地，在一对上表面电极12的一部分和一对端面电极17的表面，形成包含ni镀敷层、sn镀敷层的镀敷层18。此时，镀敷层18与第二保护膜16相接。另外，也可以在ni镀敷层的下层存在cu镀敷层。
65.接下来，使用图7、图8来说明修整槽14。图7是被图2所示的片式电阻器的区域α包围的部分的放大图。图8是沿着图7所示的片式电阻器的viii-viii线的剖视图。
66.修整槽14从第一保护膜15的表面贯通第一保护膜15以及电阻体13并到达绝缘基板11的表面。在修整槽14的内部，填充第二保护膜16。
67.修整槽14形成于处于图2的左侧的第二区域11b，具有沿着x轴方向并且沿着y轴方向的l字形状。将修整槽14的在x轴方向延伸的长度设为x14，将在y轴方向延伸的长度设为y14。此外，将修整槽14的宽度设为w14，将深度设为d14。将修整槽14距第一区域11a与处于图2的左侧的第二区域11b的边界的距离设为xb14。此外，修整槽14沿着y轴方向超过电阻体13而延伸。将超过该电阻体13而延伸的修整槽14的长度设为yb14。在第一实施方式中，w14＝0.03mm，d14＝0.02mm，xb14＝0.6mm，yb14＝0.05mm。
68.如上述那样，在第一实施方式中，在设置于绝缘基板11的蜿蜒状的凹部20埋设电阻体13，因此电阻体13与绝缘基板11的接触面积变大。由此，能够将电阻体13中产生的热有效地释放至绝缘基板11。其结果，能够降低电阻体13的温度，因此可得到能够应对高功率这一效果。即，可得到高功率型的片式电阻器。
69.(第二实施方式)
70.以下，使用附图来对本公开的第二实施方式所涉及的片式电阻器进行说明。图9是第二实施方式所涉及的片式电阻器的剖视图，图10是该片式电阻器的俯视图。图9是将图10所示的片式电阻器沿着ix-ix线在与纸面垂直的面切割时的剖视图。另外，在图10中，为了避免繁琐，省略第一保护膜15、第二保护膜16、一对端面电极17以及镀敷层18的图示。第二实施方式所涉及的片式电阻器如图9所示，相对于第一实施方式所涉及的片式电阻器，在绝缘基板11的上表面以及埋设于凹部20的电阻体13的上表面进一步设置电阻体13。此时，将埋设于凹部20的电阻体13和上方的电阻体13一体地形成。另外，第二实施方式所涉及的片式电阻器中的各要素的尺寸、材料与第一实施方式所涉及的片式电阻器同样。
71.通过该结构，电阻体13与绝缘基板11的接触面积进一步变大。由此，能够通过绝缘基板11，将电阻体13中产生的热有效地释放。
72.另外，凹部20未必设为俯视下蜿蜒状，在第一区域11a的一部分存在凹部20、在该凹部20埋设蜿蜒状的电阻体13的一部分即可。该情况下，电阻体13与绝缘基板11的接触面积也变大。
73.(第三实施方式)
74.以下，参照图11以及图12，对本公开的第三实施方式中的片式电阻器进行说明。
75.图11是本公开的第三实施方式中的片式电阻器的剖视图，图12是该片式电阻器的俯视图。图11是沿着通过图12所示的片式电阻器的xi-xi线并与xz平面平行的平面切割时的剖视图。另外，在图12中，为了避免繁琐，省略第一保护膜15、第二保护膜16、端面电极17以及镀敷层18的图示。
76.在图11以及图12中，绝缘基板11的上表面的中央部设置有凹部20。在绝缘基板11，设置有凹部20的区域是第一区域11a，凹部20的两个相邻的区域是第二区域11b。即，凹部20的边缘是第一区域11a与第二区域11b的边界。在绝缘基板11的上表面的两端部设置一对上表面电极12。此外，在绝缘基板11的上表面，在一对上表面电极12之间设置电阻体13。在该电阻体13的第一区域11a上设置第一修整槽14a。此外，在第二区域11b上设置第二修整槽14b。此外，设置第一保护膜15以使得覆盖电阻体13。进一步地，设置第二保护膜16以使得覆盖第一保护膜15。
77.此外，片式电阻器具备：被设置于绝缘基板11的两端面以使得与一对上表面电极12电连接的一对端面电极17、形成于一对上表面电极12的一部分和一对端面电极17的表面的镀敷层18。
78.在上述结构中，绝缘基板11包含含有96％的al2o3的氧化铝，其形状为矩形形状(俯视下为长方形)。在该绝缘基板11，设置凹部20。
79.此外，一对上表面电极12被设置于绝缘基板11的上表面的两端部，通过印刷并烧制具有银等金属的厚膜材料而形成。另外，在绝缘基板11的下表面的两端部设置一对下表面电极17b。
80.进一步地，电阻体13通过在绝缘基板11的上表面、在一对上表面电极12之间印刷包含铜镍、银钯或氧化钌的厚膜材料之后进行烧制而形成，与一对上表面电极12连接。另外，在图11中，电阻体13的两端部形成于一对上表面电极12的两端部的上表面，但也可以形成于一对上表面电极12的两端部的下表面。在处于一对上表面电极12之间的电阻体13流过电流。
81.该电阻体13的一部分被埋设于凹部20。
82.接下来，使用图13来对第一修整槽14a、14b进行说明。图13是被图12所示的片式电阻器的区域β包围的部分的放大图。
83.第一修整槽14a在第一区域11a，从第一保护膜15的表面贯通第一保护膜15以及电阻体13并到达形成有凹部20的绝缘基板11的表面。在第一修整槽14a的内部，填充第二保护膜16。
84.第二修整槽14b在图12的左侧的第二区域11b，从第一保护膜15的表面贯通第一保护膜15以及电阻体13并到达绝缘基板11的表面。在第二修整槽14b的内部，填充第二保护膜16。
85.第一修整槽14a形成于图11所示的第一区域11a，具有在x轴方向延伸并且在y轴方向延伸的l字形状。将第一修整槽14a的在x轴方向延伸的长度设为x14a，在y轴方向延伸的长度设为y14a。此外，将第一修整槽14a的宽度设为w14a，将深度设为d14a。将第一修整槽14a的距第一区域11a与处于图12的右侧的第二区域11b的边界的距离设为xa14a。此外，第
一修整槽14a沿着y轴方向超过电阻体13而延伸。将超过该电阻体13而延伸的修整槽14的长度设为ya14a。在第三实施方式中，w14a＝0.03mm，d14a＝0.02mm，x14a＝0.05mm，y14a＝0.4mm，xb14a＝0.3mm，yb14a＝0.05mm。
86.第二修整槽14b形成于图12的左侧的第二区域11b，具有在x轴方向延伸并且在y轴方向延伸的l字形状。将第二修整槽14b的在x轴方向延伸的长度设为x14b，将在y轴方向延伸的长度设为y14b。此外，将第二修整槽14b的宽度设为w14b，将深度设为d14b。将第二修整槽14b的距第一区域11a与处于图12的左侧的第二区域11b的边界的距离设为xb14b。此外，第二修整槽14b沿着y轴方向超过电阻体13而延伸。将超过该电阻体13而延伸的修整槽14的长度设为yb14b。在第三实施方式中，w14b＝0.03mm，d14b＝0.01mm，x14b＝0.05mm，y14b＝0.3mm，xb14b＝0.05mm，yb14b＝0.05mm。此外，在蜿蜒形状电阻体部13b设置的第一修整槽14a的绝缘基板11的短边方向的长度比在绝缘基板11的上表面的长方体形状电阻体部13c设置的第二修整槽14b的绝缘基板11的短边方向的长度大。通过该结构，由于电流在散热性大的蜿蜒形状电阻体部13b集中，因此具有能够应对高功率的作用效果。
87.第一修整槽14a以及第二修整槽14b通过向形成于绝缘基板11的上表面的电阻体13进行激光照射而形成。另外，在图12中，第一修整槽14a以及第二修整槽14b的形状为l字状，但并不限定于此。
88.第一保护膜15覆盖电阻体13。第一保护膜15包含以玻璃为主成分的绝缘体。通过第一保护膜15，能够缓和形成第一修整槽14a以及第二修整槽14b时的激光的照射所导致的冲击。在电阻体13形成第一保护膜15之后，向第一保护膜15照射激光，形成第一修整槽14a以及第二修整槽14b。
89.第二保护膜16包含环氧树脂，以使得覆盖第一保护膜15的整体以及一对上表面电极12的一部分。一对端面电极17被设置于绝缘基板11的两端面，通过印刷包含ag和树脂的材料而形成，以使得与从第二保护膜16露出的一对上表面电极12的上表面电连接。另外，也可以通过溅射金属材料而形成端面电极17。
90.进一步地，在一对上表面电极12的一部分和一对端面电极17的表面，形成包含ni镀敷层、sn镀敷层的镀敷层18。此时，镀敷层18与第二保护膜16相接。另外，也可以在ni镀敷层的下层存在cu镀敷层。
91.如上述那样，在第三实施方式中，在设置于绝缘基板11的凹部20埋设电阻体13的一部分，将第一修整槽14a形成于蜿蜒形状电阻体部13b，将第二修整槽14b形成于在绝缘基板11的上表面设置的长方体形状电阻体部13c。因此，能够在通过第一修整槽14a而大幅度地变更电阻值之后，通过第二修整槽14b来高精度地调整电阻值，其结果，具有能够提高电阻值精度的作用效果。
92.(第四实施方式)
93.以下，使用附图来对本公开的第四实施方式中的片式电阻器进行说明。图14中表示本公开的第四实施方式中的片式电阻器的剖视图，图15中表示该片式电阻器的俯视图。图14是将图15所示的片式电阻器沿着xiv-xiv线在与纸面垂直的面切割时的剖视图。另外，在图15中，为了避免繁琐，省略第一保护膜15、第二保护膜16、一对端面电极17以及镀敷层18的图示。
94.第四实施方式所涉及的片式电阻器具有绝缘基板11、一对上表面电极12、电阻体
13、第一保护膜15、第二保护膜16、一对端面电极17、镀敷层18。一对上表面电极12分别被设置于绝缘基板11的上表面的两端部。此外，在绝缘基板11的上表面设置多个带状的凹部20。在绝缘基板11的凹部20埋设电阻体13，并且设置电阻体13以使得覆盖凹部20的上方。电阻体13分别与一对上表面电极12相接，并且与一对上表面电极12导通。第一保护膜15以及第二保护膜16被设置于电阻体13上。在凹部20之间，设置从第一保护膜15的表面到达绝缘基板11的修整槽14。在修整槽14，填充第二保护膜16。此外，一对端面电极17被设置于绝缘基板11的长边方向的外侧面。一对端面电极17分别与一对上表面电极12相接，并且导通。在一对端面电极17的各自的表面设置镀敷层18。另外，第四实施方式所涉及的片式电阻器中的各要素的尺寸、材料与第一实施方式所涉及的片式电阻器同样。
95.本实施方式所涉及的片式电阻器通过增大散热性良好的基板与电阻体的接触面积从而散热性提高。由此，能够实现片式电阻器的高功率化。
96.(第五实施方式)
97.以下，使用附图来对本公开的第五实施方式中的片式电阻器进行说明。在图16中表示本公开的第五实施方式中的片式电阻器的剖视图，在图17中表示该片式电阻器的俯视图。图16是将图17所示的片式电阻器沿着xvi-xvi线在与纸面垂直的面切割时的剖视图。另外，在图17中，为了避免繁琐，省略第一保护膜15、第二保护膜16、一对端面电极17以及镀敷层18的图示。
98.第五实施方式所涉及的片式电阻器具备：绝缘基板11、电阻体13、一对上表面电极12、第一保护膜15、第二保护膜16、一对端面电极17、镀敷层18。电阻体13被设置于绝缘基板11的上表面。一对上表面电极12分别被设置于绝缘基板11的上表面的两端部，并且与电阻体13导通。绝缘基板11具有其中央部的第一区域11a以及处于第一区域11a的两端部的第二区域11b。在绝缘基板11的第一区域11a设置俯视下为蜿蜒状的凹部20。电阻体13被埋设于凹部20。电阻体13包含与形成于第一区域11a的凹部20大致相同形状。在形成于第二区域11b的电阻体13设置修整槽14。在修整槽14，填充第二保护膜16。此外，一对端面电极17被设置于绝缘基板11的长边方向的外侧面。一对端面电极17分别与一对上表面电极12相接，并且导通。在一对端面电极17各自的表面设置镀敷层18。另外，第五实施方式所涉及的片式电阻器中的各要素的尺寸、材料与第一实施方式所涉及的片式电阻器同样。
99.通过该第五实施方式所涉及的片式电阻器，与散热性良好的基板的接触面积提高，因此片式电阻器的散热性提高。因此，能够实现片式电阻器的高功率化。
100.(第六实施方式)
101.以下，使用附图来说明本公开的第六实施方式中的片式电阻器。图18中表示本公开的第六实施方式中的片式电阻器的剖视图，图19中表示该片式电阻器的俯视图。图18是将图19所示的片式电阻器沿着xviii-xviii线在与纸面垂直的面切割时的剖视图。另外，在图19中，为了避免繁琐，省略第一保护膜15、第二保护膜16、一对端面电极17以及镀敷层18的图示。
102.第六实施方式所涉及的片式电阻器具有：绝缘基板11、一对上表面电极12、电阻体13、第一保护膜15、第二保护膜16、一对端面电极17、镀敷层18。一对上表面电极12分别被设置于绝缘基板11的上表面的两端部。电阻体13与一对上表面电极12相接，并且与上表面电极12导通。此外，电阻体13具有修整槽14。在绝缘基板11的上表面形成第一保护膜15和第二
保护膜16以使得至少覆盖电阻体13。一对端面电极17被设置于第一保护膜15和绝缘基板11的长边方向的外侧面。在一对端面电极17的各自的表面设置镀敷层18。
103.此外，在绝缘基板11的上表面设置凹部20，在该凹部20设置热点部19。热点部19是电阻体13之中电流集中的部分(电流集中部)。另外，第六实施方式所涉及的片式电阻器中的各要素的尺寸、材料与第一实施方式所涉及的片式电阻器同样。
104.通过第六实施方式，针对热点部19，能够增大与散热性较高的基板的接触面积，由此，能够实现片式电阻器的高功率化。
105.(实施方式)
106.以下，对本公开的片式电阻器的实施方式进行说明。
107.(第一方式)
108.本公开的第一方式所涉及的片式电阻器具备绝缘基板(11)、一对电极(12)、电阻体(13)。绝缘基板(11)在从其上表面来看中央部具有第一区域(11a)，在第一区域(11a)的两端部具有第二区域(11b)。在绝缘基板(11)的第一区域(11a)设置凹部(20)。一对电极分别被设置于绝缘基板(11)的上表面的两端部。电阻体(13)被设置于绝缘基板(11)的至少凹部(20)。电阻体(13)与一对电极(12)分别连接。此外，电阻体(13)在绝缘基板(11)的第二区域(11b)具有修整槽(14)。
109.(第二方式)
110.本公开的第二方式所涉及的片式电阻器在第一方式中，凹部(20)为蜿蜒状。
111.(第三方式)
112.本公开的第三方式所涉及的片式电阻器在第一方式中，在绝缘基板(11)的上表面进一步设置电阻体(13)。
113.(第四方式)
114.本公开的第四方式所涉及的片式电阻器具备绝缘基板(11)、一对上表面电极(12)、电阻体(13)、保护层、端面电极(17)、下表面电极。绝缘基板(11)具有矩形的形状。绝缘基板(11)在其上表面设置凹部(20)。一对上表面电极(12)被设置于绝缘基板(11)的上表面。电阻体(13)被设置于绝缘基板(11)的上表面以及凹部(20)内。电阻体(13)与一对上表面电极(12)电连接。此外，电阻体(13)具有单个或者多个修整槽(14)。保护层被设置于绝缘基板(11)的上表面，并且至少覆盖所述电阻体(13)。端面电极(17)被设置于绝缘基板(11)的长边方向的外侧面。此外，端面电极(17)与上表面电极(12)的一个电连接。下表面电极(17b)被设置于绝缘基板(11)的下表面。此外，下表面电极(17b)与端面电极(17)电连接。
115.(第五方式)
116.本公开的第五方式所涉及的片式电阻器在第四方式中，多个修整槽(14)包含第一修整槽(14a)和第二修整槽(14b)。第一修整槽(14a)被配置于凹部(20)上。第二修整槽(14b)被配置于绝缘基板(11)上的与凹部(20)不同的位置上。第一修整槽(14a)的绝缘基板(11)的短边方向的长度比第二修整槽(14b)的绝缘基板(11)的短边方向的长度大。
117.(第六方式)
118.本公开的第六方式所涉及的片式电阻器具备绝缘基板(11)、一对上表面电极(12)、电阻体(13)、第一保护膜(15)、第二保护膜(16)、端面电极(17)。绝缘基板(11)具有矩形的形状。绝缘基板(11)在其上表面设置多个带状的凹部(20)。一对上表面电极(12)分别
被设置于绝缘基板(11)的上表面的两端部。电阻体(13)被设置于绝缘基板(11)的至少凹部(20)上。电阻体(13)与一对上表面电极(12)分别电连接。第一保护膜(15)被设置于电阻体(13)的上表面。端面电极(17)从绝缘基板(11)的长边方向的外侧面遍及至下表面而设置。此外，端面电极(17)与上表面电极(12)电连接。在电阻体(13)以及第一保护膜(15)，形成修整槽(14)。修整槽(14)形成为从第一保护膜(15)的上表面到达绝缘基板(11)中的带状的凹部(20)。第二保护膜(16)被设置于第一保护膜(15)上。在修整槽(14)中填充第二保护膜(16)。
119.(第七方式)
120.本公开的第七方式所涉及的片式电阻器具备绝缘基板(11)、一对上表面电极(12)、电阻体(13)、第一保护膜(15)、第二保护膜(1)、端面电极(17)。绝缘基板(11)在其上表面设置蜿蜒形状的凹部(20)。一对上表面电极(12)分别被设置于绝缘基板(11)的上表面的两端部。电阻体(13)被埋设于绝缘基板(11)的至少蜿蜒形状的凹部(20)。电阻体(13)具有蜿蜒形状电阻体部(13b)、一对长方体形状电阻部(13c)。蜿蜒形状电阻体部(13b)被埋设于蜿蜒形状的凹部(20)。一对长方体形状电阻部(13c)被设置于绝缘基板(11)的上表面。一对长方体形状电阻部(13c)分别被配置于蜿蜒形状电阻体部(13b)的两端。一对长方体形状电阻部(13c)分别与一对上表面电极(12)电连接。第一保护膜(15)被设置于电阻体(13)的上表面。端面电极(17)从绝缘基板(11)的长边方向的外侧面遍及至下表面而设置。此外，端面电极(17)与上表面电极(12)之中的一个电连接。在电阻体(13)以及第一保护膜(15)，形成修整槽(14)。修整槽(14)形成为从第一保护膜(15)的上表面经由长方体形状电阻部(13c)而到达绝缘基板(11)中的凹部(20)。第二保护膜(16)被设置于第一保护膜(15)上。在修整槽(14)中填充第二保护膜(16)。
121.(第八方式)
122.本公开的第八方式所涉及的片式电阻器具备绝缘基板(11)、一对上表面电极(12)、电阻体(13)、保护膜(15、16)、端面电极(17)。在绝缘基板(11)的上表面设置凹部(20)。电阻体(13)被设置于绝缘基板(11)的上表面。一对上表面电极(12)分别被设置于绝缘基板(11)的上表面的两端部。电阻体(13)被设置于绝缘基板(11)上。电阻体(13)与一对上表面电极(12)分别电连接。此外，电阻体(13)具有修整槽(14)。保护膜(15、16)被设置为在绝缘基板(11)的上表面至少覆盖电阻体(13)。设置于绝缘基板(11)的上表面的凹部(20)被配置于修整槽(14)的附近的电流集中部(19)。
123.产业上的可利用性
124.本公开所涉及的片式电阻器具有能够对应高功率的效果，特别是，在用于各种电子设备的由厚膜电阻体形成的高功率型的片式电阻器等中有用。
125.此外，本公开的片式电阻器具有能够提供能够高精度地调整电阻值并且能够对应高功率的片式电阻器的效果，特别地，在用于各种电子设备的由厚膜电阻体构成的片式电阻器等中有用。
[0126]-符号说明-[0127]
11 绝缘基板
[0128]
11a 第一区域
[0129]
11b 第二区域
[0130]
12 上表面电极
[0131]
13 电阻体
[0132]
13b 蜿蜒形状电阻体部
[0133]
13c 长方体形状电阻体部
[0134]
14 修整槽
[0135]
14a 第一修整槽
[0136]
14b 第二修整槽
[0137]
15 第一保护膜
[0138]
16 第二保护膜
[0139]
17 端面电极
[0140]
17b 下表面电极
[0141]
18 镀敷层
[0142]
19 热点部
[0143]
20 凹部。