激光加工装置及激光加工方法与流程

1.本发明的一个方式涉及激光加工装置及激光加工方法。


背景技术：

2.已知一种加工方法，其通过对半导体晶锭(ingot)等半导体对象物照射激光，而在半导体对象物的内部形成改性区域，并且使从改性区域延伸的龟裂发展，从而从半导体对象物将半导体晶圆等的半导体构件切出(例如，参照专利文献1、2)。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2017-183600号公报
6.专利文献2：日本特开2017-057103号公报


技术实现要素：

7.发明所要解决的问题
8.在此，例如在使激光聚光于氮化镓(gan)晶锭等由双折射材料构成的半导体对象物的情况下，入射光的p偏光成分和s偏光成分的折射率彼此不同。另外，这些入射光分成寻常光和非常光，其中的非常光不遵循斯奈尔定律(snell’s law)并且光以与寻常光不同的折射角传播。因为这些原因，在半导体对象物的深度方向上，p偏光成分及s偏光成分聚光于彼此不同的位置。如上述那样，由于聚光点在深度方向上分支，在半导体对象物无意间形成有多个打痕，并且产生不适当的龟裂。因为这样，例如切片(slicing)等的加工质量有可能降低。
9.本发明的一个方式是鉴于上述实情而完成的，其目的在于，提高对由双折射材料构成的半导体对象物的激光加工的质量。
10.用于解决问题的手段
11.本发明的一个方式的激光加工装置，是对由双折射材料构成的半导体对象物照射激光并进行半导体对象物的激光加工的激光加工装置，并且具备：激光输出部，其输出激光；空间光调制器，其调制从激光输出部输出的激光；聚光透镜，其将激光朝向半导体对象物聚光；以及偏光成分控制部，其以在半导体对象物聚光于光轴方向的一点的方式，控制激光的偏光成分。
12.在本发明的一个方式的激光加工装置中，从激光输出部输出的激光通过空间光调制器进行调制，并通过聚光透镜聚光于半导体对象物。而且，在本激光加工装置中，通过偏光成分控制部，以聚光于半导体对象物的一点的方式，控制激光的偏光成分。通常，在将激光聚光于由双折射材料构成的半导体对象物的情况下，入射光的p偏光成分和s偏光成分的折射率彼此不同。另外，这些入射光分成寻常光和非常光，其中的非常光不遵循斯奈尔定律并且光以与寻常光不同的折射角传播。因为这些原因，在半导体对象物的深度方向上，p偏光成分及s偏光成分聚光于彼此不同的位置(聚光点成为两点)。如此，在半导体对象物无意
间形成有多个打痕，并且在半导体对象物产生不适当的龟裂，切片等的加工质量有可能降低。针对这点，如本发明的一个方式的激光加工装置那样，通过偏光成分控制部，以聚光于半导体对象物的一点的方式控制激光的偏光成分，从而聚光点成仅为一点，由于在半导体对象物仅形成有一个打痕，因此，可抑制在半导体对象物产生非预期的(不适当的)龟裂。如此，可抑制切片等的加工质量降低。如以上那样，根据本发明的一个方式的激光加工装置，可提高对由双折射材料构成的半导体对象物的激光加工的质量。
13.在上述激光加工装置中，也可以为，激光输出部输出作为直线偏光的激光，偏光成分控制部将通过透镜会聚而照射于对象物的激光的偏光成分统一成p偏光或s偏光中的任一方。如上述那样，在入射光中包含p偏光成分及s偏光成分的情况下，当p偏光成分及s偏光成分聚光于彼此不同的位置时，通过由偏光成分控制部将激光的偏光成分统一成p偏光或s偏光中的任一方，从而可使聚光点适当地成为一点。
14.在上述激光加工装置，也可以为，偏光成分控制部具有：将直线偏光转换成径向偏光或角向偏光的转换元件。径向偏光(放射状偏光)，以p偏光入射于半导体对象物。另外，角向偏光以s偏光入射半导体对象物。因此，通过将直线偏光转换成径向偏光或角向偏光，可将激光的偏光成分适当地统一成p偏光或s偏光中的任一方，并可使聚光点适当地成为一点。
15.在上述激光加工装置中，也可以为，偏光成分控制部具有：将激光的p偏光或s偏光遮断的狭缝部。通过将p偏光或s偏光遮断，可将激光的偏光成分适当地统一成p偏光或s偏光中的任一方，并可使聚光点适当地成为一点。
16.在上述激光加工装置中，也可以为，狭缝部是设定为空间光调制器的调制图案的狭缝图案。通过狭缝图案设定为空间光调制器的调制图案，从而不设置物理上的狭缝，而通过简单的结构就可使聚光点适当地成为一点。
17.在上述激光加工装置中，也可以为，双折射材料是面方位001的单轴性晶体材料。由此，在将激光的偏光成分统一成p偏光或s偏光中的任一方的情况下，可有效提高激光加工的质量。
18.本发明的一个方式的激光加工方法，是对由双折射材料构成的半导体对象物照射激光并进行半导体对象物的激光加工的激光加工方法，并且包含：在载台载置半导体对象物的工序；设定偏光成分控制部的工序，该偏光成分控制部以在半导体对象物聚光于光轴方向的一点的方式控制激光的偏光成分；以及输出激光的工序。
19.在上述激光加工方法中，也可以为，在输出激光的工序中，输出作为直线偏光的激光，在设定偏光成分控制部的工序中，安装将直线偏光转换成径向偏光或角向偏光的转换元件。
20.在上述激光加工方法中，也可以为，在设定偏光成分控制部的工序中，将遮断激光的p偏光或s偏光的狭缝图案设定为调制激光的空间光调制器的调制图案。
21.发明的效果
22.根据本发明的一个方式，可提高对由双折射材料构成的半导体对象物的激光加工的质量。
附图说明
23.图1是本发明的第1实施方式的激光加工装置的结构图。
24.图2是第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的对象物即gan晶锭的侧视图。
25.图3是图2所示的gan晶锭的俯视图。
26.图4是在使用激光加工装置的半导体构件制造方法的一个工序中的gan晶锭的一部分的纵截面图。
27.图5是在使用激光加工装置的半导体构件制造方法的一个工序中的gan晶锭的一部分的横截面图。
28.图6是在使用激光加工装置的半导体构件制造方法的一个工序中的gan晶锭的侧视图。
29.图7是在使用激光加工装置的半导体构件制造方法的一个工序中的gan晶锭的侧视图。
30.图8是示出空间光调制器的调制图案(包含狭缝图案)的图。
31.图9是示出使用狭缝图案的情况的聚光点的图。
32.图10是示出第1实施方式的激光加工方法的各工序的流程图。
33.图11是示出比较例和本实施方式的聚光点的差异的图。
34.图12是本发明的第2实施方式的激光加工装置的结构图。
35.图13是说明由轴对称偏光元件的偏光分布的调制的图。
36.图14是示出第2实施方式的激光加工方法的各工序的流程图。
具体实施方式
37.以下，针对本发明的实施方式，参照附图详细地进行说明。此外，在各图中，对相同或相当的部分赋予同一符号，并且省略重复的说明。
38.[第1实施方式]
[0039]
[激光加工装置的基本结构]
[0040]
如图1所示，第1实施方式的激光加工装置1具备：载台(stage)2、光源3、空间光调制器4、聚光透镜5以及控制部6。激光加工装置1是对由双折射材料构成的半导体对象物即对象物11照射激光l并进行该对象物11的激光加工的装置。双折射材料，例如是具有异向性的面方位(001)单轴性晶体材料。双折射材料也可为双轴性晶体材料。激光加工装置1通过照射激光l而在对象物11形成改性区域12。激光加工装置1也可以是在本实施方式中主要说明的激光切片装置，也可以是激光切割(dicing)装置，也可以是内部激光标记(marking)装置，也可以是激光成型(structuring)装置。以下，将第1水平方向称为x方向，将与第1水平方向垂直的第2水平方向称为y方向。另外，将铅直方向称为z方向。
[0041]
载台2，例如通过吸附贴附于对象物11的薄膜，来支撑对象物11。在本实施方式中，载台2可沿着x方向及y方向各自移动。另外，载台2能够以与z方向平行的轴线为中心线而旋转。
[0042]
光源3是例如通过脉冲振荡方式来输出对于对象物11具有透过性的激光l的激光输出部。光源3输出例如作为直线偏光的激光l。从光源3输出的激光l，例如通过衰减器(未
图示)来调整输出，并且通过一个或多个透镜系统(未图标)来扩大光束直径。空间光调制器4将从光源3输出的激光l进行调制。空间光调制器4例如是反射型液晶(lcos：liquid crystal on silicon)的空间光调制器(slm：spatial light modulator)。在本实施方式中，空间光调制器4还作为控制激光l的偏光成分的偏光成分控制部(详如后述)发挥功能。聚光透镜5将通过空间光调制器4调制了的激光l朝向对象物11聚光。在本实施方式中，空间光调制器4及聚光透镜5可沿着z方向移动。
[0043]
当激光l聚光于支撑于载台2的对象物11的内部时，在与激光l的聚光点c对应的部分，特别地吸收激光l，而在对象物11的内部形成改性区域12。改性区域12是密度、折射率、机械强度、其他的物理特性与周围的非改性区域不同的区域。作为改性区域12，例如存在：熔融处理区域、裂痕(crack)区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等。
[0044]
作为一例，如果使载台2沿着x方向移动，并相对于对象物11使聚光点c沿着x方向相对移动，则多个改性点13以沿着x方向排列成1列的方式形成。1个改性点13通过1个脉冲的激光l的照射而形成。1列改性区域12是排列成1列的多个改性点13的集合。相邻的改性点13，根据相对于对象物11的聚光点c的相对移动速度及激光l的重复频率，有时彼此相连，也有时彼此分离。
[0045]
控制部6控制载台2、光源3、空间光调制器4及聚光透镜5。控制部6构成为包含处理器、内存、储存设备及通信装置等的计算机装置。在控制部6，读入内存等的软件(程序)通过处理器执行，内存及储存设备中的数据的读取及写入、以及通信装置的通信通过处理器控制。由此，控制部6实现各种功能。
[0046]
[使用激光加工装置的半导体构件制造方法的一例]
[0047]
接下来，作为使用激光加工装置1的半导体构件制造方法的一例，对从作为对象物11的gan晶锭20(参照图2及图3)切片并取得多个gan晶圆30(参照图2及图3)的工序进行说明。在本实施方式中，对象物11如图2及图3所示，是通过氮化镓(gan)形成为例如圆板状的gan晶锭(半导体晶锭、半导体对象物)20。作为一例，gan晶锭20的直径为2in，gan晶锭20的厚度为2mm。作为一例，gan晶圆30的直径为2in，gan晶圆30的厚度为100μm。
[0048]
首先，上述激光加工装置1，沿着多个虚拟面15中的各个形成多个改性点13。多个虚拟面15中的各个，是在gan晶锭20的内部与gan晶锭20的表面20a相对的面，且设定成在与表面20a相对的方向上排列。在本实施方式中，多个虚拟面15中的各个是与表面20a平行的面，例如呈圆形状。多个虚拟面15中的各个，设定成在从表面20a侧观察的情况下互相重叠。在gan晶锭20，以包围多个虚拟面15中的各个的方式设定有多个周缘区域16。即，多个虚拟面15中的各个未到达gan晶锭20的侧面20b。作为一例，相邻的虚拟面15间的距离为100μm，周缘区域16的宽度(在本实施方式中为虚拟面15的外缘和侧面20b的距离)为30μm以上。
[0049]
多个改性点13的形成，通过照射具有例如532nm的波长的激光l，而从表面20a的相反侧对每一个虚拟面15依次实施。多个改性点13的形成，由于在多个虚拟面15中的各个是相同的，因此以下针对沿着距表面20a最近的虚拟面15的多个改性点13的形成，参照图4及图5进行说明。此外，在图5中，箭头表示激光l的聚光点c的轨迹。
[0050]
首先，激光加工装置1，如图4及图5所示，通过使激光l从表面20a向gan晶锭20的内部入射，从而沿着虚拟面15(例如，以沿着虚拟面15的整体二维地排列的方式)形成多个改性点13。此时，激光加工装置1，也可以以分别从多个改性点13延伸的多个龟裂14彼此不相
连的方式形成多个改性点13，也可以以分别从多个改性点13延伸的多个龟裂14彼此相连的方式形成多个改性点13。另外，激光加工装置1，通过使脉冲振荡的激光l的聚光点c沿着虚拟面15移动，来形成多列的改性点13。此外，在图4及图5中，改性点13用留白(无阴影线：no hatching)表示，龟裂14延伸的范围用虚线表示。
[0051]
在本实施方式中，脉冲振荡的激光l，以聚光于在y方向上排列的多个聚光点c的方式，通过空间光调制器4进行调制。而且，使多个聚光点c沿着x方向在虚拟面15上相对移动。作为一例，激光l的脉冲间隔(pitch)(即，多个聚光点c的相对移动速度除以激光l的重复频率的值)为10μm。另外，每一个聚光点c的激光l的脉冲能量(以下简称为“激光l的脉冲能量”)为0.33μj。
[0052]
接着，具备加热器等的加热装置将gan晶锭20加热，在多个虚拟面15中的各个，将从多个改性点13分别延伸的多个龟裂14彼此相连，从而如图6所示，在多个虚拟面15中的各个，形成横跨虚拟面15的龟裂17(以下简称为“龟裂17”)。在图6中，形成有多个改性点13及多个龟裂14、以及龟裂17的范围用虚线表示。此外，也可通过加热以外的方法使某种力作用于gan晶锭20，来使多个龟裂14彼此相连而形成龟裂17。另外，也可通过沿着虚拟面15形成多个改性点13，来使多个龟裂14彼此相连而形成龟裂17。
[0053]
在此，在gan晶锭20，在分别从多个改性点13延伸的多个龟裂14内产生氮气。因此，通过将gan晶锭20加热而使氮气膨胀，可利用氮气的压力(内压)来形成龟裂17。而且，由于通过周缘区域16来阻碍多个龟裂14的朝向该周缘区域16所包围的虚拟面15的外部(例如，gan晶锭20的侧面20b)的发展，因此，可抑制产生在多个龟裂14内的氮气泄露到虚拟面15的外部。即，周缘区域16，是不包含改性点13的非改性区域，并且在该周缘区域16所包围的虚拟面15形成龟裂17时，是阻碍多个龟裂14的朝向该周缘区域16所包围的虚拟面15的外部发展的区域。因此，也可将周缘区域16的宽度设为30μm以上。
[0054]
接着，磨削装置磨削(研磨)gan晶锭20中的、与多个周缘区域16及多个虚拟面15中的各个对应的部分，从而如图7所示，以多个龟裂17中的各个为边界而从gan晶锭20取得多个gan晶圆30。如上所述，gan晶锭20沿着多个虚拟面15中的各个切断。另外，在此工序中，也可通过磨削以外的机械加工、激光加工等，来除去gan晶锭20中的、与多个周缘区域16对应的部分。
[0055]
[偏光成分控制的激光加工装置的结构]
[0056]
空间光调制器4作为偏光成分控制部发挥功能，该偏光成分控制部，以在对象物11聚光于光轴方向(z方向，对象物11的深度方向)的一点的方式控制激光l的偏光成分。通常，在使激光聚光于gan晶锭20等由双折射材料构成的对象物11的情况下，因为入射光的p偏光(非常光)成分和s偏光(寻常光)成分的折射率彼此不同，另外，光以寻常光和非常光不同的折射角传播，因此，在对象物11的z方向上，p偏光成分及s偏光成分聚光于彼此不同的位置，聚光点fp成为两点(参照图11(a))。因为这个原因，在对象物11形成多个打痕并产生不适当的龟裂，上述gan晶圆30的切片等的加工质量有可能降低。在本实施方式中，空间光调制器4作为偏光成分控制部而发挥功能，以在对象物11的z方向上仅形成一点的聚光点fp(参照图11(b))的方式，控制激光l的偏光成分。
[0057]
空间光调制器4，作为将激光l的p偏光或s偏光遮断的狭缝部发挥功能，从而将激光l的偏光成分统一成p偏光或s偏光中的任一方，并使聚光点fp成为一点。此外，“将激光l
的偏光成分统一成p偏光或s偏光中的任一方”，不仅是指将激光l的偏光成分完全限制成p偏光或s偏光中的任一方，还包含：在聚光点fp未成为两点以上的范围内在激光l的偏光成分中含有遮断对象的偏光成分。作为空间光调制器4的功能的狭缝部，是设定为空间光调制器4的调制图案的狭缝图案。在空间光调制器4，通过适宜地设定显示于液晶层的调制图案，可调制激光l(例如，调制激光l的强度、振幅、相位、偏光等)。调制图案是施加调制的全息(hologram)图案，包含狭缝图案。
[0058]
图8是示出在空间光调制器4的液晶层显示的调制图案(包含狭缝图案)的图。图8所示的“光的遮断区域”表示通过后述的狭缝图案sp1或狭缝图案sp2而被遮光的区域。另外，图8所示的直线偏光的箭头表示直线偏光方向。图8(a)所示的调制图案mp1包含狭缝图案sp1及像差校正图案cp。像差校正图案是指球面像差、像散、畸变(distortion)、彗形像差等的校正图案。在图8(a)所示的例子中，以在直线偏光方向上形成的、狭缝部分以外的光被遮断的方式，设定狭缝图案sp1。在这种情况下，激光l的s偏光被遮断，激光l的偏光成分被统一(限制)成p偏光。另外，在图8(b)所示的调制图案mp2中包含狭缝图案sp2及像差校正图案cp。在图8(b)所示的例子中，以在与直线偏光方向正交的方向上形成的、狭缝部分以外的光被遮断的方式，设定狭缝图案sp2。在这种情况，激光的p偏光被遮断，激光l的偏光成分被统一(限制)成s偏光。
[0059]
图9(a)是示出使用狭缝图案sp1的情况的聚光点fp的图。图9(b)是示出使用狭缝图案sp2的情况的聚光点fp的图。在图9(a)及图9(b)各自中，左图是xz平面，右图是yz平面。如图9(a)所示，在使用狭缝图案sp1的情况下，参照xz平面及yz平面中的任一个，均能确认：聚光点fp在z方向(光轴方向)上仅成为一点。同样地，如图9(b)所示，在使用狭缝图案sp2的情况，参照xz平面及yz平面中的任一个，均能确认：聚光点fp在z方向(光轴方向)上仅成为一点。另外，在使用狭缝图案sp2的情况下，当p偏光被遮断并统一成s偏光成分时，因为在s偏光，不论入射角为何折射率都相同，可使聚旋光性更好。
[0060]
[激光加工方法的一例]
[0061]
接下来，针对激光加工方法的一例，参照图10进行说明。图10是示出第1实施方式的激光加工方法的各工序的图。本激光加工方法，是对由双折射材料构成的对象物11(例如gan晶锭20)照射激光l并对于对象物11进行激光加工的方法。
[0062]
如图10所示，在第1实施方式的激光加工方法中，首先，在载台2设置(载置)对象物11(步骤s1，载置半导体对象物的工序)。
[0063]
接着，在空间光调制器4，设定显示于液晶层的调制图案(包含狭缝图案)(步骤s2，设定偏光成分控制部的工序)。此处的调制图案是指例如图8(a)所示的调制图案mp1，包含：将激光l的s偏光遮断而将偏光成分统一(限制)成p偏光的狭缝图案sp1。或者，调制图案是指例如图8(b)所示的调制图案mp2，包含：将激光l的p偏光遮断而将偏光成分统一(限制)成s偏光的狭缝图案sp2。如上所述，在步骤s2(设定偏光成分控制部的工序)中，将遮断激光l的p偏光或s偏光的狭缝图案sp1或狭缝图案sp2设定为空间光调制器4的调制图案。此外，也可在空间光调制器4的液晶层显示狭缝图案及像差校正图案。
[0064]
接着，输入并设定激光加工条件(步骤s3)。激光加工条件是指例如激光l的能量、脉冲间隔等条件。最后，通过激光加工装置1，沿着多个虚拟面15中的各个形成多个改性点13，并实施激光加工(步骤s4，输出激光的工序)。
[0065]
[作用效果]
[0066]
接下来，针对本实施方式的激光加工装置1的作用效果进行说明。
[0067]
本实施方式的激光加工装置1，是进行由双折射材料构成的对象物11的激光加工的激光加工装置，并具备：输出激光l的光源3；将从光源3输出的激光l进行调制的空间光调制器4；将激光l朝向对象物11聚光的聚光透镜5；以及以在对象物11聚光于z方向(光轴方向)的一点的方式控制激光l的偏光成分、作为空间光调制器4的功能的偏光成分控制部。
[0068]
在本实施方式中的激光加工装置1中，从光源3输出的激光通过空间光调制器4进行调制，并通过聚光透镜5聚光于对象物11。而且，在本激光加工装置1中，通过作为空间光调制器4的功能的偏光成分控制部，以聚光于对象物11的一点的方式控制激光l的偏光成分。通常，在将激光聚光于由双折射材料构成的半导体对象物的情况下，因为入射光的p偏光成分和s偏光成分的折射率彼此不同，因此，如图11(a)所示，在半导体对象物的深度方向上，p偏光成分及s偏光成分聚光于彼此不同的位置(聚光点fp成为两点)。如此，在半导体对象物无意间形成有多个打痕，在半导体对象物产生不适当的龟裂，切片等的加工质量有可能降低。针对这点，如本实施方式的激光加工装置1那样，通过作为空间光调制器4的功能的偏光成分控制部，以聚光点fp(参照图11(b))形成于对象物11的一点的方式控制激光的偏光成分，从而在对象物11仅形成有一个打痕，可抑制在对象物11产生非预期的(不适当的)龟裂。如此，可抑制切片等的加工质量降低。如以上那样，根据本实施方式的激光加工装置1，可提高对由双折射材料构成的半导体对象物的激光加工的质量。
[0069]
在激光加工装置1中，光源3输出作为直线偏光的激光l，作为空间光调制器4的功能的偏光成分控制部将激光l的偏光成分统一成p偏光或s偏光中的任一方。如上述那样，在入射光中包含p偏光成分及s偏光成分的情况下，当p偏光成分及s偏光成分聚光于彼此不同的位置时，通过由偏光成分控制部将激光l的偏光成分统一成p偏光或s偏光中的任一方，从而可使聚光点fp适当地成为一点。
[0070]
在激光加工装置1中，作为空间光调制器4的功能的偏光成分控制部也可具有将激光的p偏光或s偏光遮断的狭缝部。通过将p偏光或s偏光遮断，可将激光的偏光成分统一成p偏光或s偏光中的任一方，并可使聚光点适当地成为一点。
[0071]
在激光加工装置1中，上述狭缝部也可以是设定为空间光调制器4的调制图案的狭缝图案sp1或狭缝图案sp2(参照图8)。通过将狭缝图案设定为空间光调制器4的调制图案，从而不设置物理上的狭缝，而通过最低限度的简易结构，就可使聚光点适当地成为一点。此外，在激光加工装置1中，也可以不设置空间光调制器4的狭缝图案，而设置物理上的狭缝，将激光的p偏光或s偏光遮断。
[0072]
[第2实施方式]
[0073]
以下，参照图12～图14，针对本发明的第2实施方式的激光加工装置100及激光加工方法进行说明。另外，以下，主要说明与第1实施方式的差异点，省略与第1实施方式重复的说明。
[0074]
图12是第2实施方式的激光加工装置100的结构图。激光加工装置100，基本结构与第1实施方式的激光加工装置1大致相同，除了激光加工装置1的结构以外，还具备轴对称偏光元件150(转换元件)。
[0075]
轴对称偏光元件150，如图12所示，配置在光路上，详细而言，配置在空间光调制器
4的下游且聚光透镜5的上游。因为需要对空间光调制器4输入直线偏光，因此，轴对称偏光元件150必须配置在比空间光调制器4更靠下游。轴对称偏光元件150，是作为偏光成分控制部发挥功能的结构，并且是将激光l的直线偏光转换成径向偏光(放射状偏光)或角向偏光(同心圆状偏光)的转换元件(偏光转换器)。
[0076]
图13是说明由轴对称偏光元件150的偏光分布的调制的图。在图13中，作为轴对称偏光元件150的例子，示出轴对称偏光元件150a及轴对称偏光元件150b。轴对称偏光元件150a，是将激光l的直线偏光(图13所示的输入)转换成径向偏光(图13所示的输出的上图)的转换元件。轴对称偏光元件150b，是将激光l的直线偏光(图13所示的输入)转换成角向偏光(图13所示的输出的下图)的转换元件。作为轴对称偏光元件150，可采用以往周知的结构，例如可使用：将轴方位每15度不同的1/2波长板设置在1片石英板上的构件。通过使轴对称偏光元件150旋转90度，可将向径向偏光的转换和向角向偏光的转换进行切换。
[0077]
针对使用上述激光加工装置100的激光加工方法的一例，参照图14进行说明。图14是示出第2实施方式的激光加工方法的各工序的图。
[0078]
如图14所示，在第2实施方式的激光加工方法中，首先，在载台2设置(载置)对象物11(步骤s11，载置半导体对象物的工序)。
[0079]
接着，在光路上的规定位置(空间光调制器4的下游且聚光透镜5的上游)，安装将直线偏光转换成径向偏光或角向偏光的轴对称偏光元件150(步骤s12，设定偏光成分控制部的工序)。
[0080]
接着，在空间光调制器4的液晶层显示像差校正图案，并且输入并设定激光加工条件(步骤s13)。最后，通过激光加工装置1，沿着多个虚拟面15中的各个，形成多个改性点13，实施激光加工(步骤s14，输出激光的工序)。
[0081]
根据上述激光加工装置100，通过轴对称偏光元件150将激光l的直线偏光转换成径向偏光或角向偏光。径向偏光以p偏光入射于对象物11。另外，角向偏光以s偏光入射于对象物11。因此，通过将直线偏光转换成径向偏光或角向偏光，从而可将激光l的偏光成分适当地统一成p偏光或s偏光，并可使聚光点适当地成为一点。
[0082]
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。例如，偏光成分控制部只要以聚光于光轴方向的一点的方式控制激光的偏光成分即可，并不一定要将激光的偏光成分统一成p偏光或s偏光中的任一方。
[0083]
符号说明
[0084]
1、100
…
激光加工装置；2
…
载台；3
…
光源(激光输出部)；4
…
空间光调制器；5
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聚光透镜；11
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对象物(半导体对象物)；150
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轴对称偏光元件(转换元件)；l
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激光；sp1、sp2：狭缝图案。