光电组件、半导体结构和方法与流程

技术特征：
1.一种用于制造光电组件的方法，所述光电组件特别是发光二极管，所述方法包括以下步骤：-提供半导体结构，所述半导体结构具有第一n型掺杂层、第二p型掺杂层和布置在n型掺杂层与p型掺杂层之间的具有至少一个量子阱的有源层，其中，p型掺杂层具有第一掺杂物；-在所述半导体结构上施加掩模并将所述掩模结构化；-利用第二掺杂物来掺杂所述p型掺杂层，从而在所述有源层的区域中产生量子阱混合，在所述区域之上不存在结构化的掩模的区域；其中，利用第二掺杂物对所述p型掺杂层进行的掺杂在使用带第二掺杂物的前体的情况下通过气相扩散来实现并且具有以下步骤：-通过在第一温度的情况下分解所述前体，在所述p型掺杂层的表面上沉积所述第二掺杂物，所述第一温度被选择成使得基本上不发生所述第二掺杂物到所述p型掺杂层中的扩散；-在高于所述第一温度的第二温度的情况下将沉积的所述第二掺杂物扩散到所述p型掺杂层中。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二掺杂物包括zn或mg，并且所述第二掺杂物具有与所述第一掺杂物的掺杂类型相同的掺杂类型。3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，将沉积的所述第二掺杂物的量选择成，使得该量在扩散期间基本上完全扩散到所述p型掺杂层中。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，将所述第二掺杂物的量选择成，使得在所述有源层的区域中由所述第二掺杂物产生的用于电荷载体横向扩散的势垒大于由所述量子阱混合引起的势垒，在该区域之上不存在结构化的掩模的区域。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，利用第二掺杂物对所述p型掺杂层进行的掺杂包括以下步骤：-在高于所述第二温度的第三温度的情况下将所述第二掺杂物扩散到所述p型掺杂层中之后，为所述半导体结构进行退火。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，由所述半导体结构的合适的层通过结构化步骤在局部形成所述掩模。7.根据权利要求5至6中任一项所述的方法，其中，退火的步骤包括：-提供另外的前体，所述另外的前体包含来自第五主族的元素、特别是p或as，和/或-在p型掺杂层的表面上形成由iii-v族半导体材料构成的层。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在沉积、扩散和退火步骤期间不同地选择以下参数中的至少一个：-在沉积、扩散和退火步骤之一期间在限定的时间段内的温度变化；-压力；-在沉积、扩散和退火步骤之一期间在限定的时间段内的压力变化；-气体成分；-所述温度变化、压力、压力变化和气体成分的组合。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述半导体结构包括iii-v族半导体
材料，所述iii-v族半导体材料具有以下材料系统中的至少一种：-inp；-gap；-ingap；-inalp；-gaalp；和-ingaalp。10.一种光电组件，所述光电组件特别是发光二极管，所述光电组件包括：-具有iii-v族半导体材料的半导体结构，所述半导体结构具有：n型掺杂层、p型掺杂层和布置在n型掺杂层与p型掺杂层之间的具有至少一个量子阱的有源层，其中，p型掺杂层具有第一掺杂物；-所述有源层中的半导体第一中心区域，所述半导体第一中心区域被所述有源层中的半导体第二子区域沿横向包围，半导体第二子区域的带隙大于中心区域的带隙，其中，将第二掺杂物引入到第二子区域中，所述第二掺杂物在所述有源层的位于第二子区域中的至少一个量子阱中引起量子阱混合；并且其中，在所述有源层的限定的区域中形成用于电荷载体横向扩散的势垒，所述势垒由以所述第二掺杂物产生的势垒和以所述量子阱混合引起的势垒组成。11.根据权利要求10所述的光电组件，其中，所述限定的区域由在制造期间施加的结构化的掩模形成。12.根据权利要求10所述的光电组件，其特征在于，由所述第二掺杂物产生的掺杂势垒大于由所述量子阱混合引起的势垒。13.根据前述权利要求中任一项所述的光电组件，其中，结构化的掩模布置在p型掺杂层的第一子区域上，所述第一子区域位于有源层中的中心区域之上。14.根据前述权利要求中任一项所述的光电组件，其中，掩模的尺寸基本上对应于中心区域的尺寸。15.根据前述权利要求中任一项所述的光电组件，其中，在p型掺杂层的位于限定的区域之上的子区域的表面上，设有由iii-v族半导体材料的iii价材料和以前体材料、特别是p或as形成的元素构成的层。16.一种半导体结构，包括：-n型掺杂的第一层，-以第一掺杂物掺杂的p型掺杂的第二层，-有源层，所述有源层布置在n型掺杂的第一层与p型掺杂的第二层之间，并且所述有源层具有至少一个量子阱，其中，所述半导体结构的所述有源层被划分为多个第一光学有源区域、至少一个第二区域和至少一个第三区域，并且其中，所述多个第一光学有源区域相互间隔开地布置成六边形图案，并且其中，有源区域中的至少一个量子阱在所述至少一个第二区域中具有与在所述多个第一光学有源区域和所述至少一个第三区域中相比更大的带隙，并且其中，尤其通过量子阱混合改变带隙，并且
其中，所述至少一个第二区域包围所述多个第一光学有源区域，并且其中，所述至少一个第三区域布置在所述多个第一光学有源区域之间的中间空间中。17.根据权利要求16所述的半导体结构，其中，所述多个第一光学有源区域至少近似地形成圆形。18.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其中，多个第二区域分别同心地围绕多个第一光学有源区域之一。19.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其中，多个第二区域至少近似地形成圆形。20.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其中，设有多个第三区域，使得多个第三区域中的每一个第三区域布置在刚好三个第一光学有源区域的中央。21.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其中，多个第三区域中的每一个第三区域至少近似地形成圆形。22.根据权利要求21所述的半导体结构，其中，多个第三区域中的每一个第三区域至少近似地构成三角形曲线的形状，该形状分别由至少近似地形成圆形的多个第二区域中的刚好三个第二区域形成。23.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其中，多个第一光学有源区域之一各自形成光电组件的一部分。24.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，所述半导体结构还包括第二掺杂物，所述第二掺杂物基本上均匀地布置在至少一个第二区域中。25.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其中，在至少一个第二区域中的第二掺杂物-构造在第二p型掺杂层中，和/或-构造在有源层中，和/或-至少部分构造地在n型掺杂层的与有源层邻接的区域中。26.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其中，至少一个第二区域具有通过量子阱混合改变的基本均匀的带隙。27.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其中，多个第一光学有源区域和至少一个第三区域具有基本相同的带隙。28.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其中，多个第一光学有源区域基本上没有量子阱混合。29.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其中，至少一个第三区域基本上没有量子阱混合。30.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其中，量子阱混合在从至少一个第二区域到多个第一光学有源区域的限定的过渡区域中减少。31.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其特征在于，第二掺杂物不同于第一掺杂物。32.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其特征在于，第二掺杂物由一个组合形成，该组合包括以下材料中的至少一种：mg，zn，cd。33.一种发光二极管装置，具有根据前述或以下权利要求中任一项所述的半导体结构。
34.一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：-提供半导体结构，所述半导体结构具有n型掺杂的第一层、掺杂有第一掺杂物的p型掺杂的第二层和布置在该第一层与该第二层之间的有源层；-将掩模施加到p型掺杂的第二层上，从而在所述有源层中限定被所述有源层的至少一个第二区域包围的多个第一光学有源区域，并且限定在所述多个第一光学有源区域之间的中间空间中布置的至少一个第三区域；-在所述有源层的至少一个第二区域中产生量子阱混合。35.根据权利要求34所述的用于制造半导体结构的方法，其中，产生量子阱混合的步骤包括：-将第二掺杂物扩散到p型掺杂的第二层中，扩散到至少一个第二区域中的有源层中，并且至少部分地扩散到n型掺杂层的与所述有源层邻接的区域中。36.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造半导体结构的方法，其中，通过将掩模施加到p型掺杂的第二层上，并且通过将第一掺杂物扩散到p型掺杂的第二层中、到至少一个第二区域中的有源层中、以及至少部分地到n型掺杂层的与所述有源层邻接的区域中，仅在至少一个第二区域中发生量子阱混合。37.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造半导体结构的方法，其中，通过由电介质(例如sio2、si3n4...)构成的掩模形成掩模。38.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造半导体结构的方法，其特征在于，第二掺杂物不同于第一掺杂物。39.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造半导体结构的方法，其特征在于，第二掺杂物由一个组合形成，该组合包括以下元素中的至少一种：mg，zn，cd。40.一种用于制造光电组件的方法，所述光电组件由根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构形成，所述方法包括：-分离，尤其通过各个光电组件的蚀刻工艺进行分离。

技术总结
本发明涉及一种半导体结构，其包括n型掺杂的第一层、掺杂有第一掺杂物的p型掺杂的第二层和布置在n型掺杂的第一层与p型掺杂的第二层之间并且具有至少一个量子阱的有源层。半导体结构的有源层被划分为多个第一光学有源区域、至少一个第二区域和至少一个第三区域。在此，多个第一光学有源区域相互间隔开地布置成六边形图案。有源区域中的至少一个量子阱在至少一个第二区域中具有与在多个第一光学有源区域和至少一个第三区域中相比更大的带隙，其中，尤其通过量子阱混合改变带隙。至少一个第二区域包围多个第一光学有源区域。第二区域包围多个第一光学有源区域。第二区域包围多个第一光学有源区域。


技术研发人员：安德烈亚斯
受保护的技术使用者：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
技术研发日：2020.03.26
技术公布日：2022/7/9