用于5G频率的RF滤波器的制作方法

技术特征：
1.一种rf滤波器，包括谐振器元件和聚合物组合物，其中，所述聚合物组合物包含芳族聚合物并且具有约240℃或更高的熔融温度，所述聚合物组合物在10ghz频率下表现出约5或更小的介电常数和约为0.05或更小的耗散因数。2.根据前述权利要求中任一项所述的rf滤波器，其中，所述滤波器是包括压电材料的声学滤波器。3.根据权利要求2所述的rf滤波器，其中，所述压电材料上形成有换能器。4.根据权利要求2所述的rf滤波器，其中，所述压电材料位于上金属层和下金属层之间。5.根据权利要求2所述的rf滤波器，其中，所述声学滤波器包含支撑所述压电材料的基板。6.根据权利要求5所述的rf滤波器，其中，所述基板包含所述聚合物组合物。7.根据权利要求2所述的rf滤波器，还包括覆盖所述谐振器元件的外壳。8.根据权利要求7所述的rf滤波器，其中，所述外壳包含所述聚合物组合物。9.根据前述权利要求中任一项所述的rf滤波器，其中，所述滤波器是腔体滤波器，所述腔体滤波器包括限定了腔体的外壳，所述谐振器元件被接纳在所述腔体中。10.根据权利要求9所述的rf滤波器，其中，所述谐振器元件是介电材料。11.根据权利要求9所述的rf滤波器，其中，所述外壳包含所述聚合物组合物。12.根据权利要求9所述的rf滤波器，还包括覆盖所述外壳的盖，所述盖包含所述聚合物组合物。13.根据前述权利要求中任一项所述的rf滤波器，其中，所述芳族聚合物具有约30℃或更高的玻璃化转变温度和约240℃或更高的熔融温度。14.根据前述权利要求中任一项所述的rf滤波器，其中，所述芳族聚合物构成所述聚合物组合物的约40wt.％至约99wt.％。15.根据前述权利要求中任一项所述的rf滤波器，其中，所述芳族聚合物是聚芳硫醚。16.根据前述权利要求中任一项所述的rf滤波器，其中，所述芳族聚合物是液晶聚合物。17.根据权利要求16所述的rf滤波器，其中，所述液晶聚合物包含衍生自一种或多种芳族二羧酸、一种或多种芳族羟基羧酸或其组合的重复单元。18.根据权利要求17所述的rf滤波器，其中，所述芳族羟基羧酸包括4-羟基苯甲酸、6-羟基-2-萘甲酸或其组合。19.根据权利要求17所述的rf滤波器，其中，所述芳族羟基羧酸包括对苯二甲酸、间苯二甲酸、2,6-萘二羧酸或其组合。20.根据权利要求17所述的rf滤波器，其中，所述液晶聚合物还包含衍生自一种或多种芳族二醇的重复单元。21.根据权利要求20所述的rf滤波器，其中，所述芳族二醇包括对苯二酚、4,4'-联苯酚或其组合。22.根据权利要求16所述的rf滤波器，其中，所述液晶聚合物是全芳族的。23.根据权利要求16所述的rf滤波器，其中，所述液晶聚合物包含含量为约30mol.％或更多的衍生自6-羟基-2-萘甲酸的重复单元。
24.根据权利要求16所述的rf滤波器，其中，所述液晶聚合物包含含量为约50mol.％或更多的衍生自6-羟基-2-萘甲酸的重复单元。25.根据前述权利要求中任一项所述的rf滤波器，其中，所述聚合物组合物还包含纤维填料。26.根据权利要求25所述的rf滤波器，其中，所述纤维填料包括玻璃纤维。27.根据权利要求25所述的rf滤波器，其中，所述纤维填料具有约2或更大的长径比。28.根据前述权利要求中任一项所述的rf滤波器，其中，所述聚合物组合物还包含粒状填料。29.根据权利要求28所述的rf滤波器，其中，所述粒状填料包括云母。30.根据前述权利要求中任一项所述的rf滤波器，其中，所述聚合物组合物还包含激光可激活添加剂。31.根据前述权利要求中任一项所述的rf滤波器，其中，所述聚合物组合物在2ghz的频率下表现出约1.5至约4的介电常数。32.根据前述权利要求中任一项所述的rf滤波器，其中，所述聚合物组合物在2ghz的频率下表现出约0.0009或更小的介电常数。33.一种5g天线系统，包括前述权利要求中任一项所述的rf滤波器和至少一个配置为发送和接收5g射频信号的天线元件。34.根据权利要求33所述的5g天线系统，其中，所述天线元件具有小于约1,500微米的特征尺寸。35.根据权利要求33所述的5g天线系统，其中，所述5g射频信号具有大于约28ghz的频率。36.根据权利要求33所述的5g天线系统，其中，所述至少一个天线元件包括布置在天线阵列中的多个天线元件。37.根据权利要求36所述的5g天线系统，其中，所述多个天线元件以小于约1,500微米的间隔距离间隔开。38.根据权利要求36所述的5g天线系统，其中，所述多个天线元件包括至少16个天线元件。39.根据权利要求36所述的5g天线系统，其中，所述多个天线元件布置在网格中。40.根据权利要求36所述的5g天线系统，其中，所述天线阵列配置用于至少8个发射信道和至少8个接收信道。41.根据权利要求36所述的5g天线系统，其中，所述天线阵列的平均天线元件密集度大于每平方厘米1,000个天线元件。42.根据权利要求33所述的5g天线系统，还包括基站，并且其中，所述基站包括所述天线元件。43.根据权利要求42所述的5g天线系统，还包括用户计算设备或中继器中的至少一个，并且其中，所述用户计算设备或中继器基站中的至少一个包括所述天线元件。

技术总结
提供了RF滤波器，其包括谐振器元件和聚合物组合物。该聚合物组合物包含芳族聚合物并且具有约240℃或更高的熔融温度。该聚合物组合物在10GHz的频率下表现出约为5或更小的介电常数和约为0.05或更小的耗散因数。常数和约为0.05或更小的耗散因数。常数和约为0.05或更小的耗散因数。


技术研发人员：张小伟 赵新宇 C
受保护的技术使用者：提克纳有限责任公司
技术研发日：2020.08.19
技术公布日：2022/7/9