石英晶体元器件电极结构的制作方法

1.本实用新型属于石英晶体元器件领域，特别是涉及一种石英晶体元器件电极结构。


背景技术：

2.石英晶体在外界如压缩、拉伸等机械作用下，石英晶体内部正离子和负离子的相对位置发生变化，正负电荷中心不重合，产生极化现象，极化使晶体表面产生电荷，这种现象称为压电效应。如果在石英晶片的一部分区域镀上一层金属电极区，会引起内部正负电荷中心移动，这一位移又导致晶体发生形变，这种特性称为逆压电效应。由于电极区的质量负荷效应，其弹性系数发生变化，大部分能量被陷入电极区(能陷理论)形成特定频率，少量的能量穿过电极区进入水晶片区产生寄生频率，寄生频率会影响主频率，产生增加阻抗或影响温度曲线等问题。因此需要避免产生寄生频率。


技术实现要素：

3.鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种石英晶体元器件电极结构，用于解决现有技术中晶片易产生寄生频率的问题。
4.为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种石英晶体元器件电极结构，包括晶片本体，所述晶片本体的上表面和下表面分别设置有上电极层和下电极层，所述上电极层包括上电极、上电极引脚和上电极引线，所述上电极的宽度由第一端至第二端逐渐增大，所述上电极引脚位于所述上电极的第一端，并通过所述上电极引线与所述上电极的第一端相连，所述下电极层包括下电极、下电极引脚和下电极引线，所述下电极的宽度由第一端至第二端逐渐增大，所述下电极引脚位于所述下电极的第一端，并通过所述下电极引线与所述下电极的第一端相连。
5.可选的，所述上电极为等腰梯形结构，所述上电极的第一端为该等腰梯形结构的上底端，所述上电极的第二端为该等腰梯形结构的下底端。
6.可选的，所述上电极引脚的数量为两个，两个上电极引脚对称分布在上电极的上底端，两个上电极引脚各自通过与其对应的上电极引线与上电极相连，且所述上电极的上底端的两端分别与两个上电极引线的外侧对齐。
7.可选的，所述下电极为等腰梯形结构，所述下电极的第一端为该等腰梯形结构的上底端，所述下电极的第二端为该等腰梯形结构的下底端。
8.可选的，所述下电极引脚的数量为两个，两个下电极引脚对称分布在下电极的上底端，两个下电极引脚各自通过与其对应的下电极引线与下电极相连，且所述下电极的上底端的两端分别与两个下电极引线的外侧对齐。
9.可选的，所述上电极引脚与所述上电极引线相连呈倒l型；所述下电极引脚与所述下电极引线相连呈倒l型。
10.可选的，所述上电极引线、上电极引脚位于所述晶片本体第一端的上表面，所述下
电极引线、下电极引脚位于所述晶片本体第一端的下表面。
11.可选的，所述上电极的投影面与所述下电极所覆盖的区域重合；所述上电极引脚的投影面与所述下电极引脚所覆盖的区域重合；所述上电极引线的投影面与所述下电极引线所覆盖的区域重合。
12.可选的，所述上电极的中心位于所述晶片本体的中心和晶片本体的第一端之间；所述下电极的中心位于所述晶片本体的中心和晶片本体的第一端之间。
13.可选的，所述晶片本体为长方体形。
14.如上所述，本实用新型的石英晶体元器件电极结构，至少具有以下有益效果：增加了石英晶体两端重量平衡度，使得石英晶体通电起振能够保持平衡震动，得到稳定的主振频率，减少寄生频率的产生，使得产品具有较佳的阻抗值与温度曲线，提升石英频率元件的性能。
附图说明
15.为了更清楚地说明申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的情况下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
16.图1显示为本实用新型石英晶体元器件电极结构一实施例的主视图；
17.图2显示为图1中石英晶体元器件电极结构的俯视图；
18.图3显示为图1中石英晶体元器件电极结构的仰视图。
19.零件标号说明
20.1-晶片本体；11-晶片本体的中心；2-上电极层；21-上电极；22-上电极引脚；23-上电极引线；24-上电极的中心；3-下电极层；31-下电极；32-下电极引脚；33-下电极引线；34-下电极的中心。
具体实施方式
21.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动情况下所获得的所有其他实施例，均属于本技术保护的范围。
22.需要说明，若本技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
23.另外，若本技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。
24.参见图1至图3，在一实施例中，本技术提供一种石英晶体元器件电极结构，包括晶片本体1，晶片本体1的上表面和下表面分别设置有上电极层2和下电极层3，上电极层2和下电极层3不相连，各自独立。上电极层2包括上电极21、上电极引脚22和上电极引线23，上电极21的宽度由第一端至第二端逐渐增大，上电极引脚22位于上电极21的第一端，并通过上电极引线23与上电极21的第一端相连，即上电极的第一端为偏轻端，上电极的第二端为偏重端，上电极引脚和上电极引线分布在上电极的偏轻端；下电极层3包括下电极31、下电极引脚32和下电极引线33，下电极31的宽度由第一端至第二端逐渐增大，下电极引脚32位于下电极31的第一端，并通过下电极引线33与下电极31的第一端相连，即下电极的第一端为偏轻端，下电极的第二端为偏重端，下电极引脚和下电极引线分布在下电极的偏轻端。采用该结构设计，有利于平衡上电极层两端以及下电极层两端的重量，从而增加石英晶体两端重量的平衡度，减少寄生频率的产生。可选的，上电极层和下电极层可以为金属镀层，例如银镀层。
25.参见图1至图3，在一实施例中，上电极2可以为等腰梯形结构，上电极的第一端为该等腰梯形结构的上底端，上电极的第二端为该等腰梯形结构的下底端，即该等腰梯形结构两条平行边中的短边端为上电极的第一端，长边端为上电极的第二端。可选的，上电极引脚22的数量为两个，两个上电极引脚22 对称分布在上电极的上底端，两个上电极引脚22各自通过与其对应的上电极引线23与上电极21相连，且上电极21的上底端的两端分别与两个上电极引线 23的外侧对齐。可选的，上电极21的下底端的两端分别与晶片本体相对的两侧对齐。
26.参见图1至图3，在一实施例中，下电极2可以为等腰梯形结构，下电极的第一端为该等腰梯形结构的上底端，下电极的第二端为该等腰梯形结构的下底端，即该等腰梯形结构两条平行边中的短边端为下电极的第一端，长边端为下电极的第二端。可选的，下电极引脚32的数量为两个，两个下电极引脚32 对称分布在下电极31的上底端，两个下电极引脚32各自通过与其对应的下电极引线33与下电极31相连，且下电极31的上底端的两端分别与两个下电极引线33的外侧对齐。可选的，下电极21的下底端的两端分别与晶片本体相对的两侧对齐。
27.参见图2和图3，在一实施例中，上电极引脚22与上电极引线23相连呈倒l型；下电极引脚32与下电极引线33相连呈倒l型。进一步的，晶片本体同一侧表面上的两个倒l型结构的水平段朝向相反。采用该结构设计，有利于避免产生不必要的寄生频率。
28.参见图1至图3，在一实施例中，上电极引线23、上电极引脚22位于晶片本体1第一端的上表面，下电极引线33、下电极引脚32位于晶片本体1第一端的下表面。可选的，上电极21的投影面与下电极31所覆盖的区域重合；上电极引脚22的投影面与下电极引脚32所覆盖的区域重合；上电极引线23的投影面与下电极引线33所覆盖的区域重合，即上电极层的形状轮廓与下电极层的形状轮廓相同，且竖直方向的投影重合，在减少寄生频率的同时，降低了生产制造的难度。
29.参见图1至图3，在一实施例中，上电极的中心24位于晶片本体的中心11 和晶片本体的第一端之间，即上电极的重心位于晶片本体的重心和晶片本体的第一端之间，以便上电极的偏轻端连接上电极引脚和上电极引线后调整上电极层的重心，使得上电极层的重心与晶片本体重心位置更加接近；下电极的中心 34位于晶片本体的中心11和晶片本体的第
一端之间，即下电极的重心位于晶片本体的重心和晶片本体的第一端之间，以便下电极的偏轻端连接上电极引脚和下电极引线后调整下电极层的重心，使得下电极层的重心与晶片本体重心位置更加接近。可选的，上电极层和下电极层的重心位于同一竖直线上。该结构设计增加了石英晶体两端重量平衡度，石英晶体通电起振能够保持平衡振动，可得到稳定的主振频率，减少寄生频率产生。
30.参见图2和图3，在一实施例中，晶片本体1可以为长方体形。可选的，上电极的上底端和下底端与晶片本体其中一组相对的侧边平行；下电极的上底端和下底端与晶片本体其中一组相对的侧边平行。进一步的，上电极的上底端和下底端与晶片本体的短侧边平行；下电极的上底端和下底端与晶片本体的短侧边平行。采用该结构设计，布局紧凑，使得电极层尽可能的充分分布在晶片本体上，减少资源浪费，同时保证产品性能。
31.本实用新型的石英晶体元器件电极结构通过改变上电极和下电极的形状，并结合上电极引脚、上电极引线、下电极引脚、下电极引线的分布位置来增加石英晶体两端重量平衡度，使得石英晶体通电起振能够保持平衡振动，能够得到稳定的主振频率，减少寄生频率的产生，具有较佳的阻抗值与温度曲线，有助于增进石英频率元件的性能提升。
32.在本说明书的描述中，参考术语“本实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
33.以上仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。