一种RRAM器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种rram器件结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有第一金属电极；所述第一金属电极的表面形成有第一氧化层；所述第一氧化层的上表面形成有第二氧化层，其中所述第二氧化层的含氧量大于所述第一氧化层；所述第二氧化层表面形成有第二金属电极。2.根据权利要求1所述的rram器件结构，其特征在于：所述衬底为硅衬底。3.根据权利要求1所述的rram器件结构，其特征在于：所述第一氧化层的材料为钽的氧化物。4.根据权利要求1所述的rram器件结构，其特征在于：所述第一金属电极的材料为氮化钽。5.根据权利要求1所述的rram器件结构，其特征在于：所述第二金属电极的材料为氮化钛。6.根据权利要求1至5任意一项所述的rram器件的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有第一金属电极；步骤二、在所述第一金属电极的表面形成第一氧化层；步骤三、氧化所述第一氧化层，将所述第一氧化层的上表面氧化形成为第二氧化层，其中所述第二氧化层的含氧量大于所述第一氧化层；步骤四、在所述第二氧化层表面形成第二金属电极。7.根据权利要求6所述的改善rram器件阻变材料特性的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。8.根据权利要求6所述的改善rram器件阻变材料特性的制造方法，其特征在于：步骤一中所述第一金属电极的材料为氮化钽。9.根据权利要求6所述的改善rram器件阻变材料特性的制造方法，其特征在于：步骤二中所述第一氧化层的材料为钽的氧化物。10.根据权利要求6所述的改善rram器件阻变材料特性的制造方法，其特征在于：步骤三中利用氧气和稀有气体的混合气体控制所述第二氧化层中金属离子的价态。11.根据权利要求10所述的改善rram器件阻变材料特性的制造方法，其特征在于：步骤三中所述稀有气体为氩气。12.根据权利要求11所述的改善rram器件阻变材料特性的制造方法，其特征在于：步骤三中所述氧气与氩气的比值为20:25、15:25、10:25、8:25、5：25中的任意一种。13.根据权利要求6所述的改善rram器件阻变材料特性的制造方法，其特征在于：步骤四中所述第二金属电极的材料为氮化钛。

技术总结
本发明提供一种RRAM器件及其制造方法，提供衬底，衬底上形成有第一金属电极；在第一金属电极的表面形成第一氧化层；继续氧化第一氧化层，使得第一氧化层的上层形成为第二氧化层，其中第二氧化层的含氧量大于第一氧化层；在第二氧化层表面形成第二金属电极。本发明采用氧化钽物理气相沉积工艺与氧化工艺来改变阻变材料中钽价态分布，以改善阻变材料来降低成型电压和增大存储窗口。成型电压和增大存储窗口。成型电压和增大存储窗口。


技术研发人员：郭豪 秦佑华 姬峰 陈昊瑜
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2022.02.28
技术公布日：2022/7/1