一种抗反射层及图案化方法与流程

技术特征：
1.一种抗反射层，其特征在于，所述抗反射层含有多孔结构。2.根据权利要求1所述的抗反射层，其特征在于，所述多孔结构为异形多孔结构。3.根据权利要求1所述的抗反射层，其特征在于，所述多孔结构中每个孔的孔径为和/或，所述抗反射层的折射率为1.5～2.5。4.根据权利要求1所述的抗反射层，其特征在于，所述多孔结构为形成在所述抗反射层内的多个气泡结构；或，所述多孔结构为形成在所述抗反射层内的多个微孔结构。5.根据权利要求1～4任一项所述的抗反射层，其特征在于，所述抗反射层的材料为氮氧化硅、氮化硅、氧化硅、氮化钛、氮化镓中的一种或多种。6.一种图案化方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成抗反射层；所述抗反射层含有多孔结构；以及在所述抗反射层上形成光刻胶图案。7.根据权利要求6所述的图案化方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成抗反射层，包括：采用等离子增强化学气相沉积工艺在所述衬底上形成所述抗反射层。8.根据权利要求7所述的图案化方法，其特征在于，所述采用等离子增强化学气相沉积工艺在所述衬底上形成所述抗反射层，包括：在采用等离子增强化学气相沉积工艺中，添加溶剂或聚合物前驱体溶液在所述衬底上形成内部含有多孔结构的所述抗反射层。9.根据权利要求6所述的图案化方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成抗反射层，包括：采用旋涂法在所述衬底上形成内部含有多孔结构的所述抗反射层。10.根据权利要求9所述的图案化方法，其特征在于，所述采用旋涂法在所述衬底上形成内部含有多孔结构的所述抗反射层，包括：在所述衬底上旋涂具有气泡的粘性材料层；对所述粘性材料层进行热处理，在所述衬底上形成内部具有气泡的抗反射层。11.根据权利要求10所述的图案化方法，其特征在于，所述采用旋涂法在所述衬底上形成内部含有多孔结构的所述抗反射层，还包括：在所述衬底上旋涂具有气泡的粘性材料层前，采用溶胶凝胶法形成粘性材料溶胶。12.根据权利要求6所述的图案化方法，其特征在于，所述在所述抗反射层上形成光刻胶图案，包括：形成覆盖在所述抗反射层上的光刻胶层；对所述光刻胶层曝光及显影，在所述抗反射层上形成光刻胶图案。

技术总结
本发明公开一种抗反射层及图案化方法，涉及半导体制造技术领域，以改善由于反射导致的图案轮廓缺陷，实现图案的精确化，从而提高产品良率，并通过实施精细模式提高设备集成度。该抗反射层含有多孔结构。本发明还提供了一种图案化处理方法。图案化处理方法。图案化处理方法。


技术研发人员：金志勋 白国斌 高建峰 王桂磊 丁云凌 崔恒玮
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.12.24
技术公布日：2022/6/28