微型发光二极管及其制作方法与流程

1.本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种微型发光二极管器件及其制作方法。


背景技术：

2.微元件技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。微型器件的一些实例包括微机电系统(mems) 微动开关、发光二极管显示系统和基于mems或者石英的振荡器。目前，微发光二极管(micro led)显示具有高亮度、低功耗、超高分辨率与色彩饱和度等优点，吸引不少业者投入研发。
3.目前micro led 因其较小之芯片尺寸，导致芯片全测存在较大的瓶颈：一方面由于电极尺寸极小，无法准确将测试针扎在电极上完成光电参数的测试；另一方面低电流测试，其相对较低的亮度导致单颗芯片耗时较久且误差较大。


技术实现要素：

4.针对上述问题，本发明提供了一种微型发光二极管，其至少在一个电极上设置连接区用于金属联线，达到micro-led 全测目的。
5.本发明的第一个技术方案为：微型发光二极管芯片，包括：外延叠层，依次包含第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，其具有相对的第一表面和第二表面；第一电极，形成于所述外延叠层的第二表面之上，与所述第一类型半导体层连接；第二电极，形成于所述外延叠层的第二表面之上，与所述第二类型半导体层连接；所述第一电极和第二电极表面上分别设有第一连接区。
6.本发明的第二个技术方案为：微型发光二极管芯片，包括：外延叠层，依次包含、第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，其具有相对的第一表面和第二表面；第一电极，形成于所述外延叠层的第一表面之上，与所述第一类型半导体层连接；第二电极，形成于所述外延叠层的第二表面之上，与所述第二类型半导体层连接；所述第一电极表面上设有第一连接区。
7.优选地，所述第一连接区从表面形貌或外观颜色上区别于所在电极的其他区域。
8.优选地，所述第一连接区用于制作金属连线，以将第一电极和/或第二电极引至芯片以外区域形成测试电极。
9.优选地，所述第一连接区的面积占所在电极的总面积的5%以上。
10.优选地，所述第一连接区的形状为多边形、圆形或者半圆形。
11.优选地，所述微型发光二极管芯片的厚度为20μm以内。
12.优选地，所述微型发光二极管芯片的尺寸为100μm
×
100μm以内。
13.优选地，所述第一电极与第二电极的总面积不小于所述芯片面积的40%。
14.优选地，在第一电极或/和第二电极上设置第二连接区，用于接触支撑柱，使所述芯片第二表面呈部分悬空，处于待拾取状态。
15.优选地，所述第二连接区的面积占所在电极的总面积的5%以下。
16.本发明同时提供微型发光二极管阵列，其包括前述任意一种微型发光二极管芯片。
17.前述任意一种微型发光二极管芯片可应用于显示装置。
18.本发明的第三个技术方案为：微型发光二极管的制作方法，包括步骤：（1）提供一外延叠层，依次包含第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，其具有相对的第一表面和第二表面；（2）在外延叠层的第二表面制作第一、第二电极，其中所述第一电极与所述第一类型半导体层连接，所述第二电极与所述第二类型半导体层连接；（3）在所述第一电极和第二电极上形成第一连接区。
19.优选地，所述步骤（3）中形成的第一连接区用于制作金属连线，以将第一电极和第二电极引至芯片以外区域形成测试电极。
20.优选地，所述步骤（3）中形成的第一连接区从表面形貌或外观颜色上区别于所在电极的其他区域。
21.优选地，所述微型发光二极管的制作方法还包括步骤（4）：提供一支撑基板，通过至少一支撑柱与所述外延叠层的第二表面连接，使得所述微型发光二极管处于待拾取状态。
22.优选地，所述微型发光二极管的制作方法的步骤（2）包含：（a）在所述外延叠层的第二表面上定义切割道区和第一电极区，所述外延叠层被所述切割道区划分为一系列微单元，每个微单元具有至少一个第一电极区；（b） 蚀刻所述外延结构的第一电极区的第二类型半导体层、有源层至第一类型半导体层，裸露出第一类型半导体层的部分表面； （c）分别在各个所述微单元之裸露出的第一类型半导体层和第二类型半导体层上制作第一电极、第二电极；（d）蚀刻所述外延叠层的切割道区，将所述外延叠层分为一系列微单元阵列；所述步骤（3）包含：（e）在至少一个所述微单元的第一电极和第二电极上定义第一连接区，制作金属连线，将第一电极和第二电极引至微单元以外的区域形成测试电极；（f）向所述测试电极通入测试电流，进行光电测试；（g）去除所述测试电极。
23.较佳地，所述步骤（3）中形成的金属连线的材料与所述第一、第二电极的材料不同，采用选择性蚀刻去除所述金属连线。
24.在一些实施例中，完在（f）步骤后，进行下面步骤：（i）在所述微单元阵列之电极的一侧形成牺牲层，其在所述对于每个微单元的位置至少预留一个开口；（ii）提供一承载基板，分别在所述承载基板和牺牲层形成热固型材料，然后将两者贴合进行固化、键合，从而在开口处形成支撑柱；（iii）同时去除所述牺牲层和金属连线。优选的，所述金属连线和牺牲层的材料相同，选择tiw或ni。
25.在一些实施例中，完在（e）步骤后，进行下面步骤：（i）在所述微单元阵列之电极的一侧形成牺牲层，其在所述对于每个微单元的位置至少预留一个开口；（ii）提供一承载基板，分别在所述承载基板和牺牲层形成热固型材料，然后将两者贴合进行固化、键合，从而在开口处形成支撑柱；（iii）去除所述牺牲层；接着进行步骤（f）。优选的，所述金属连线和牺牲层的材料选择tiw或ni，但各不相同。
26.本发明的第四个技术方案为：微型发光二极管的制作方法，包括步骤：（1）外延叠层，依次包含第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，其具有相
对的第一表面和第二表面；（2）在外延叠层的第一表面制作第一电极，其与所述第一类型半导体层连接，在外延叠层的第二表面上制作第二电极，其与所述第二类型半导体层连接；（3）在所述第一电极的表面上形成第一连接区。
27.优选地，所述步骤（3）中形成的第一连接区用于制作金属连线，以将第一电极和第二电极引至芯片以外区域形成测试电极。
28.优选地，所述步骤（3）中形成的第一连接区从表面形貌或外观颜色上区别于所在电极的其他区域。
29.优选地，所述微型发光二极管的制作方法还包括步骤（4）：提供一支撑基板，通过至少一支撑柱与所述外延叠层的第二表面连接，使得所述微型发光二极管处于待拾取状态。
30.优选地，所述的微型二极管的制作方法的步骤（2）包含：（a）在所述外延叠层的第二表面上定义切割道区和第二电极区，所述外延叠层被所述切割道区划分为一系列微单元；（b）在所述外延叠层的第二表面上的第二电极区制作第二电极；（c）蚀刻所述外延叠层的切割道区，将所述外延叠层分为一系列微单元阵列；（d）在所述外延叠层的第一表面上制作第一电极；所述步骤（3）包含：（e）在至少一个所述微单元的第一电极上定义第一连接区，制作金属连线，将第一电极引至微单元以外的区域形成测试电极；（f）向所述测试电极通入测试电流，进行光电测试；（g）去除所述测试电极。
31.较佳地，所述步骤（3）中形成的金属连线的材料与所述第一电极的材料不同，采用选择性蚀刻去除所述金属连线。
32.本发明所述微型发光二极管器件藉由芯片设计可针对micro led进行全测，同时不影响后续巨量转移工艺。
33.本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
34.附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
35.图1是根据本发明实施的一种微型发光二极管的结构示意图，其中（a）为侧面剖视图，（b）为微型发光二极管芯片的下表面图案。
36.图2显示了图1之（b）所示图案的各种变形。
37.图3~14为根据本发明实施的制作微型发光二极管器件的过程示意图。
38.图15为根据本发明实施的采用另一种微型发光二极管器件制作方法所形成的微型发光二极管的结构示意图。
39.图16是根据本发明实施的另一种微型发光二极管的结构示意图，其中（a）为侧面剖视图，（b）为微型发光二极管芯片的下表面图案。
40.图17~28为根据本发明实施的制作微型发光二极管器件的过程示意图。
具体实施方式
41.以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
42.实施例一图1之（a）为第一个较佳实施例的倒装微型led的侧面剖视图，其包括led芯片100及支撑结构，该led芯片100包括外延叠层110及位于外延叠层110下表面110b的第一电极121和第二电极122，且芯片100下表面的部分区域124与至少一个支撑柱131接触从而保持在承载基板140上的适当位置，使得器件处于待拾取状态，所述支撑柱131可采用热固性材料，诸如但不限于苯并环丁烯(bcb)或环氧树脂。
43.在本实施例中，led芯片110为薄膜微型结构，其较佳尺寸为100μm
×
100μm以内，例如为100μm
×
100μm，或者为100μm
×
50μm，在一些应用中甚至为50μm
×
50μm以内，例如可以是为50μm
×
50μm，或者20μm
×
10μm，或者10μm
×
10μm。进一步的，led芯片100去除了生长衬底，因此可以使得芯片的厚度d基本上保持在20μm以内，例如15μm或者10μm等。
44.通常，led芯片的外延叠层110包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层。当第一类型半导体层为n 型半导体，第二类型半导体层可为相异电性的p型半导体，反之，当第一类型半导体层为p型半导体，第二类型半导体层可为相异电性的n型半导体。有源层可为中性、p型或n型电性的半导体。施以电流通过半导体外延叠层时，激发有源层发光出光线。当有源层以氮化物为基础的材料时，会发出蓝、绿或紫外光；当以磷化铝铟镓为基础的材料时，会发出红、橙、黄光的琥珀色系的光。
45.在本实施例中，第一电极121、第二电极122和支撑柱子122处于同一侧（外延叠层的下表面110b），则微型芯片可在另外一侧（外延叠层的上表面110a）发光，增大出光面积的同时，方便了微型芯片的封装。其中第一电极121与外延叠层110的第一类型半导体层形成电性连接，第二电极122与第二类型半导体层连接。
46.图1之（b）显示了led芯片110的下表面110b的电极图案，其中第一电极121和第二电极122分别分布于外延叠层下表面110b的两侧，第一、第二电极的总面积点不小于芯片面积的40%，较佳为达到60%以上，但小于90%，以确保第一、第二电极之间的电性隔离，例如可以是80%或者75%等。
47.由于led芯片100为微型器件，第一电极121和第二电极122的尺寸对应也是极小的，基本上无法准确将测试针扎在电极上完成光电参数的测试。因此，在本实施例中，第一电极和第二电极上均设有第一连接区123，其主要是在芯片制作过程中用于制作金属连线，以将第一电极121和第二电极122引至芯片以外区域形成测试电极，其中金属连线在测试完成后可保留或进行移除，此部分在下面的实施例二中将进行详细说明。不管是保留金属连接还是移除金属连线，第一连接区123在第一电极121和第二电极122上均可与其他区域进行区别，例如采用湿法蚀刻去除金属连线，此时第一电极和第二电极上的第一连接区123的表面颜色将有别于其他区域，如果保留金属连线，此时第一连接区由于增加了金属连线，其表面形貌上明显区别于其他区域。其中，第一连接区123的形状可以是多边形、圆形、半圆形或者其他不规则图形，以实际需要为准。较佳的，第一连接区123采用矩形，占所在电极的总
面积的5%以上，一般10~30%更佳。
48.支撑柱131可位于外延叠层110下表面的任意位置，例如第一电极和第二电极之间的中间空白区域，或者是第一电极的下表面，再或者第二电极的下表面。在本实施例中，为达到较佳的拾取效果，优选在第一电极121或第二电极122上设置第二连接区124，用于接触支撑柱131。其中，第二连接区124的面积以不超过所在电极面积的10%为佳，例如可以是5%左右。支撑柱131通过粘结层132与承载基板140连接，其中粘结层与支撑柱131可以是同时形成的，采用相同的材料，例如前述热固性材料固化形成。
49.图2简单列举了几种不同的电极图案，其中第一连接区123位于电极的边缘区域，第一电极121上的第一连接区和第二电极122上的第二连接区较佳呈轴对称分布。第二连接区124可以位于外延叠层下表面的中间区域，或者第一电极的中间区域，或者第二电极的中间区域。
50.实施例二图3~图13显示了根据本发明实施的制作微型发光二极管器件的过程示意图，下面结合示意图对本发明的微型发光二极管器件的制作方法进行详细的描述。
51.（一）提供led外延结构如图3所示，提供外延结构110，其一般可包括生长衬底111和其上外延叠层。其中生长衬底110的选取包括但不限于蓝宝石、氮化铝、氮化镓、硅、碳化硅、砷化镓，其表面结构可为平面结构或图案化图结构，外延叠层从上到下一般至少包括第一类型半导体层112、有源层113、第二类型半导体层114，关于外延叠层的具体材料及结构层可根据实际需要，选择现有常规结构即可。
52.（二）单元化外延结构，形成微发光二极芯片请参看图4，在外延叠层110的表面上定义蚀刻区115，该蚀刻区包括第一电极区116和切割道区117，其中切割道区117将整个发光外延叠层110划分为一系列微发光单元led，每个微单元具有至少一个第一电极区116。
53.蚀刻该发光外延结构的蚀刻区115的第二类型半导体层114和有源层113，露出第一类型型半导体层112的表面112a。请参看图5，该发光外延结构的第二类型半导体层114和有源层113划分为一系列微单元a。
54.请参看图6，制作第一电极121和第二电极122。具体为：在露出的第一类型半导体层112表面的第一电极区制作第一电极113；分别在各个单元a的第二型半导体层114表面上制作第二电极122。
55.请参看图7，继续蚀刻切割道区117的第二类型半导体层112形成走道150，从而将在整个发光外延结构分为一系列微型led芯片阵列。较佳的，在各个微型led芯片的表面上覆盖透明保护层160，仅露出第一电极121和第二电极的122的部分表面。优选的，绝缘保护层160采用sin
x
或者sio2。较佳的，还可以分别将在第一电极121和第二电极122上制作延伸电极，其延伸至绝缘保护层160的部分表面上。其中第一电极的延伸电极可以延伸至第二类型半导体层上方的绝缘保护层上，与第二电极122的延伸电极保持基本齐平，以便于封装。
56.（三）制作测试电路分别在各个微发光二极管的第一电极121和第二电极122设置第一连接区123，关于第一连接区的形状、尺寸及位置等各种参数可参照实施例一进行设计。在第一连接区123
上制作金属连线171，从而将各个led芯片的第一电极121和第二电极122分别引至芯片外的区域（例如走道区150或其他空白区域）制作测试电极，如图8所示。测试电极的尺寸可根据微型器件之间的走道尺寸而确定，一般可达100μm以上。
57.在本实施例中，在芯片阵列的两侧分别制作第一测试电极181和第二测试电极182，其中同一行的首个芯片的第一电极121通过金属连线171与第一测试电极181连接，末个芯片的第二电极122通过金属连线171与第二测试电极182连接，中间的芯片电极首尾相接，形成串并联测试电路，如图9所示。如此，即可对微型led芯片阵型进行光电特性测试。
58.图10显示了另一种并联测试电路图案。在图10所示的电路中，为防止两侧的条状测试电极181、182发生断裂，还可设置一系列的备用测试电极183a~183d。
59.图11显示了再种一种测试电路图案。在图9所示的电路中采用单颗点测，具体为分别从各个微型led芯片的第一电极121和第二电极122分别引线到芯片之间走道150的空白区域，再设计成四分之一球形状引电极，如此相邻四颗微型led芯片的引电极构成一个测试电极180，此微型阵列结构的测度电极可以测试每一颗微型发光二极管芯片的光电参数。
60.进一步地，并不是每个微型发光二极管器件都要设计测试电极，如果整个led外延片的光电特性均匀性较好，则可以选取个别区域设计成带可测电极的单元，通过测试这些个别区域的光电特性，了解整个led外延片的光电特性。
61.（四）制作支撑结构请参看图12，在微型led芯片阵列上制作牺牲层190，并在每个微型led芯片上预留一个开口191作为支撑点。较佳的，牺牲层190的厚度为0.1~5μm之间，材料可为氧化物、氮化物或者可选择性地相对于其他层被移除的其他材料。
62.接着，提供一承载基板140，分别在该承载基板140和牺牲层190形成热固型材料132，例如bcb，然后将两者贴合进行固化、键合，如图13所示，从而在开口191处形成支撑柱131。
63.接着，移除生长衬底111，裸露出第一类型半导体层112的表面。可通过多种方法来实现移除，包括激光剥离(llo)、磨削或者蚀刻，具体取决于生长衬底111的材料选择。
64.随着生长衬底111的去除，走道区150的金属连线171与测试电极181、182一同随生长衬底111与微型led芯片断开，同生长衬底一并去除。
65.最后，去除牺牲层190，使得微型led芯片的下表面部分悬空，形成通过支撑柱131固定的微型发光二极管器件，如图14所示。
66.在本实施例中，通过在第一电极和第二电极上设置连接区，在微型芯片制作过程中，在连接区上制作金属连线，从而将第一电极和第二电极引至芯片外的空白区域，制作大尺寸的测试电极，实现微型led芯片全测，同时在去除生长衬底的同时，断开各个微型led芯片间的金属连线，一并将空白区域的金属连线及测试电极去除。
67.实施例三本实施例与实施例二的主要区别在于：金属连线171采用不同于第一电极121和第二电极122的材料，在完成测试后，采用选择性蚀刻去除金属连线171，该蚀刻液只与金属连线171反应，不与第一电极和第二电极发生反应，如此即可达到测试的目的，又可以同时避免传统串并联之金属导线将衍生出后续做芯片巨量转移后，金属导线残留的问题。
68.图15显示了采用上述方法形成的微型发光二极管器件的结构示意图。从图中可看
了，该微型led器件无金属导线残留的问题。第一电极和第二电极上的第一连接区123由于先制作金属连线，后续又采用选择性去除，使得其颜色有别于其他区域的颜色。
69.在本实施例中，金属连线171的材料与第一电极和第二电极的材料不同，其中第一电极和第二电极的材料可以选择au、al等，金属连线171的材料可选择tiw或者ni，在制作完测试电极及金属连线171后进行，先进行光电测试，然后选择性去金属连线171，再制作牺牲层190。此时去除金属连线的同时，又保持了第一、第二电极的完整性。
70.实施例四在本实施例中，选择相同的材料作为金属连线171和牺牲层190，此时在制作完成测试电极后先进行芯片的测试，接着照参实施例二的方法直接制作支撑结构，最后去除牺牲层190的同时一并去除金属连线171。
71.实施例五在本实施例中，第一、第二电极的材料、金属连线171的材料和牺牲层190的材料均不相同，在制作完成支撑结构后再测试，方便在芯片的出表面（非电极侧）朝上的状态进行测试。
72.具体的，参照实施例二的方法，在单元化外延结构形成微型led芯片时，切割道区117的外延叠层110未被完全蚀刻至生长衬底111的表面，而是保留一定厚度的非掺杂半导体层，之后将测试电极及部分金属连线形成在该保留的非掺杂半导体层上。制作完成测试电路及粘接承载基板140后，在去除生长衬底111时，由于有保留一定厚度的非掺杂半导体层支撑测试电路，此时可以保证测试电路不被破坏，接着去除牺牲层190，然后进行芯片测试，最后完成测试后采用选择性蚀刻去除金属连线171，形成图15所示的结构。
73.在本实施例中，第一、第二电极的材料选择au或al，金属连线171的材料为ni，牺牲层190的材料为tiw，在蚀刻去除tiw牺牲层190时，不会对测试电路和第一、第二电极产生影响，同时蚀刻去除ni金属连线171时，同样不会对第一、第二电极产生影响。
74.实施例六图16之（a）为第一个较佳实施例的垂直微型led的侧面剖视图，其包括led芯片200及支撑结构，该led芯片200包括外延叠层210、位于外延叠层210上表面的第一电极221及位于外延叠层下表面的第二电极222，且下表面的部分区域与至少一个支撑柱231接触从而保持在承载基板240上的适当位置，使得器件处于待拾取状态。
75.具体的，led芯片210为垂直芯片，其尺寸及厚度可参考实施例一，外延叠层210从上到下至少包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层。第一电极221位于第一类型半导体层的上表面之上，与之形成电性连接，第二电极222位于第二类型半导体层的下表面上，与之形成电性连接。
76.在本实施中，如图16（b）所示，仅需在第一电极221上设置第一连接区223，用于制作金属连线，以将第一电极引至芯片以外区域形成测试电极，用于在芯片制作过程中进行测试。下面结合附图17~27和制作方法进行详细说明。
77.请参看图17，首先提供外延结构210，其一般可包括生长衬底211和其上外延叠层，外延叠层从上到下一般至少包括第一类型半导体层212、有源层213、第二类型半导体层214，关于外延叠层的具体材料及结构层可根据实际需要，选择现有常规结构即可。
78.请参看图18，在外延叠层210的表面上定义第二电极区216和切割道区215，其中切
割道区215将整个发光外延叠层210划分为一系列微发光单元led，每个微单元具有至少一个第二电极区214。
79.请参看图19，在外延叠层200上表面的各个第二电极区216制作第二电极222。
80.请参看图20，蚀刻该发光外延结构的切割道区215的第二类型半导体层214、有源层213和第一类型半导体层212，直至露出生长衬底211的表面。该发光外延结构切割成一系列微单元，形成走道250。较佳的，在各个微型led芯片的表面上覆盖透明保护层260，仅露出第二电极的222的部分表面。优选的，绝缘保护层260采用sin
x
或者sio2。
81.请参看图21，在微型led芯片阵列上制作金属牺牲层290，并在每个微型led芯片上预留一个开口291作为支撑点。较佳的，牺牲层的厚度为0.1~5μm之间，例如可选用厚度为2~4微米的tiw层作为牺牲层。在本步骤中选择金属材料作为牺牲层，一方面用于支撑柱结构，另一方面牺牲层190与第二电极222接触，因此可直接作为测试电极。
82.请参看图22，提供一承载基板240，分别在该承载基板240和牺牲层290形成热固型材料232，例如bcb，然后将两者贴合进行固化、键合，从而在开口291处形成支撑柱231。
83.请参看图23，移除生长衬底211，裸露出第一类型半导体层212的表面。其中走道区的牺牲层290上表面及各个led微单元的侧壁上均覆盖有绝缘保护层260。
84.请参看图24，在裸露出的第一类型是半导体层212的表面上制作第一电极221。
85.请参看图25，在各个led微单元的第一电极221上设置第一连接区223，在第一连接区223上制作金属连线271，从而将各个led芯片的第一电极引至芯片外的区域（例如走道区250或其他空白区域）制作测试电极280。其中金属连线271的材料与第一电极的材料不同，其优先择择可以通过选择性蚀刻去除的材料为好，如此在完成测试后可采用选择性蚀刻去除金属连线271。
86.在本实施例中，在芯片阵列的一侧制作测试电极280，同一行的首个芯片的第一电极221通过金属连线271测试电极280连接，其并通过金属连线271将同一行的各个芯片的第一电极串接起来，如图26所示。如此，在完成图25所示的结构后，外部测试电源一端连接测试电极280，另一端连接金属牺牲层290，即可实现对微型led芯片阵型进行光电特性测试。
87.在图26所示的测试电路中为多点测试，在另一些实施例中也可采用单点测试，即单个、两个或四个led芯片的第一电极分别通过金属连线引至走道250区域形成测试电极，例如可以参考图11所示的电路设计，只从第一电极引用测试电极至走道250区域。
88.在完成点测后，采用选择性蚀刻去除金属连线271，如图27所示。
89.最后，去除牺牲层290，使得微型led芯片的下表面部分悬空，形成通过支撑柱231固定的微型发光二极管器件，如图28所示。
90.以上所述仅为本发明创造的较佳实施例而已，并不用以限制本发明创造，凡在本发明创造的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明创造的保护范围之内。