一种提高GaN芯片可靠性的封装结构的制作方法

技术特征：
1.一种提高gan芯片可靠性的封装结构，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)的顶部分别固定连接有粘连层(16)和引脚板(11)，所述粘连层(16)的顶部固定粘连有芯片(12)，所述芯片(12)的顶部固定粘连有导热层(15)，所述导热层(15)的顶部固定粘连有绝缘层(14)，所述绝缘层(14)的顶部固定粘连有导热板(13)；所述基板(1)的顶部固定连接有壳体(6)，所述壳体(6)的顶部固定连接有封盖(2)，所述导热板(13)的顶部与封盖(2)的底部活动连接，所述封盖(2)的顶部贯穿设置有固定螺栓(8)，所述固定螺栓(8)的底部贯穿至导热板(13)内，所述封盖(2)的顶部固定连接有散热片(3)。2.根据权利要求1所述的一种提高gan芯片可靠性的封装结构，其特征在于：所述引脚板(11)的左右两侧均焊接有引脚(7)，所述引脚(7)远离引脚板(11)的一端贯穿至壳体(6)的外表面。3.根据权利要求1所述的一种提高gan芯片可靠性的封装结构，其特征在于：所述引脚板(11)的顶部固定连接有限位件(17)，所述芯片(12)的外表面与限位件(17)的内壁活动连接。4.根据权利要求1所述的一种提高gan芯片可靠性的封装结构，其特征在于：所述芯片(12)的顶部设置有第一连接脚(9)，所述引脚板(11)的顶部设置有第二连接脚(10)，所述第一连接脚(9)与第二连接脚(10)通过金属引线电性连接。5.根据权利要求1所述的一种提高gan芯片可靠性的封装结构，其特征在于：所述封盖(2)和散热片(3)相对的一侧设置有导热硅脂，所述散热片(3)的左右两侧均焊接有安装件(5)，所述安装件(5)的顶部贯穿设置有安装螺栓(4)，所述安装螺栓(4)的底部贯穿至封盖(2)内。

技术总结
本实用新型公开了一种提高GaN芯片可靠性的封装结构，包括基板，所述基板的顶部分别固定连接有粘连层和引脚板，所述粘连层的顶部固定粘连有芯片，所述芯片的顶部固定粘连有导热层，所述导热层的顶部固定粘连有绝缘层，所述绝缘层的顶部固定粘连有导热板，所述基板的顶部固定连接有壳体，所述壳体的顶部固定连接有封盖，所述导热板的顶部与封盖的底部活动连接，所述封盖的顶部贯穿设置有固定螺栓，所述固定螺栓的底部贯穿至导热板内。本实用具备散热效果好的优点，解决了GaN芯片封装结构在长时间工作时，对GaN芯片的散热效果和防护效果较差，降低了GaN芯片使用的可靠性，容易导致GaN芯片产生的热量堆积在封装结构内的问题。GaN芯片产生的热量堆积在封装结构内的问题。GaN芯片产生的热量堆积在封装结构内的问题。


技术研发人员：廖弘昌 钱进 刘振东 田亚南 陈晓林
受保护的技术使用者：日月新半导体(威海)有限公司
技术研发日：2022.03.02
技术公布日：2022/6/28