射频前端模组和射频系统的制作方法

1.本技术涉及天线技术领域，特别是涉及一种射频前端模组和射频系统。


背景技术：

2.随着技术的发展和进步，移动通信技术逐渐开始应用于射频系统，例如手机等。对于支持5g通信技术的射频系统，在非独立组网(non-standalone，nsa)模式下通常采用4g信号和5g信号的双连接模式。一般，为了提高4g和5g双连接模式下的通信性能，采用内置升压电路的供电模块来分别给用于支持4g信号和5g信号的放大处理的射频电路进行供电，其成本高。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供了一种射频前端模组，可以降低成本。
4.本技术实施例提供一种射频前端模组，包括：
5.第一供电模块，用于提供第一供电电压；
6.第二供电模块，用于提供第二供电电压；
7.第一射频处理电路，与所述第一供电模块连接，用于在所述第一供电电压的作用下，支持对接收的第一网络的第一高频信号和第二高频信号的发射处理；
8.第二射频处理电路，与所述第二供电模块连接，用于在所述第二供电电压的作用下，支持对接收的第二网络的目标信号的发射处理；其中，所述第一供电电压大于所述第二供电电压。
9.本技术实施例提供一种射频系统，包括：
10.射频收发器；及
11.如前述的射频前端模组，其中所述第一射频处理电路、所述第二射频处理电路分别与所述射频收发器连接。
12.上述射频前端模组和射频系统，通过设置第一供电模块、第二供电模块分别一一对应为第一射频处理电路、第二射频处理电路供电，可以使得第一射频处理电路与第二射频处理电路同时工作，进而可以使射频前端模组同时输出具有不同网络的两路信号，以支持对4g lte信号和5g nr信号的放大，进而可以实现对4g lte信号和5g nr信号的双连接，其中，第二射频处理电路不需要支持对第一网络的射频信号，例如5g nr频段信号的发射处理，因此，在本技术实施例中，可以避免在第二供电模块中内置升压电路，也不需要对第一射频处理电路和第二射频处理电路中的功率放大单元进行特殊设计，本技术实施例中提供的射频前端模组可以降低成本。
附图说明
13.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本
申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
14.图1为一个实施例中射频前端模组的框架示意图之一；
15.图2为一个实施例中射频前端模组的框架示意图之二；
16.图3为一个实施例中射频前端模组的框架示意图之三；
17.图4为一个实施例中射频前端模组的框架示意图之四；
18.图5为一个实施例中射频前端模组的框架示意图之五；
19.图6为一个实施例中射频前端模组的框架示意图之六；
20.图7为一个实施例中射频前端模组的框架示意图之七；
21.图8为一个实施例中射频前端模组的框架示意图之八；
22.图9为一个实施例中设有射频系统的通信设备的结构示意图。
具体实施方式
23.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
24.可以理解，本技术所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本技术的范围的情况下，可以将第一天线称为第二天线，且类似地，可将第二天线称为第一天线。第一天线和第二天线两者都是天线，但其不是同一天线。
25.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本技术的描述中，“若干”的含义是至少一个，例如一个，两个等，除非另有明确具体的限定。
26.本技术实施例涉及的射频前端模组可以应用到具有无线通信功能的射频系统，其射频系统可应用到通信设备中，该通信设备可以为手持设备、车载设备、可穿戴设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其他处理设备，以及各种形式的用户设备(user equipment，ue)(例如，手机)，移动台(mobile station，ms)等等。为方便描述，上面提到的设备统称为通信设备。
27.本技术实施例提供一种射频前端模组。本技术实施例提供的射频前端模组被配置为支持5g nr的非独立组网工作模式以及支持4g lte的长期演进网络(long term evolution，lte)工作模式。也即，本技术实施例提供的射频前端模组可工作在非独立组网nsa工作模式和lte工作模式下(或称之为lte only工作模式)。
28.其中，非独立组网工作模式包括en-dc、ne-dc和ngen-dc构架中的任一种。在本技术实施例中，以非独立组网工作模式为en-dc构架为例进行说明。e为演进的通用移动通信系统地面无线接入(evolved-universal mobile telecommunications system terrestrial radio access，e-utra)，代表移动终端的4g无线接入；n为新空口(new radio，nr)，代表移动终端的5g无线连接；dc为双连接(dual connectivity)，代表4g和5g的
双连接。在en-dc模式下，以4g核心网为基础，射频前端模组能够实现同时与4g基站和5g基站进行双连接。
29.在相关技术中，为了满足4g lte信号和5g nr信号不同频段之间的en-dc组合的配置要求的射频前端模组中，采用两个包括boost升压电路的供电模块来分别为不同射频处理电路供电，其成本高。或者，若两个供电模块都采用不需要boost升压电路的供电模块来分别为不同射频处理电路供电的射频前端模组，则必须对射频处理电路中的功率放大单元进行特殊设计，例如，功率放大单元采用功率合成的方式对各频段的射频信号进行功率合成处理，在满足输出功率等级的前提下可以降低各供电电压的电压值，但是会增加对功率放大单元的复杂度以及成本。
30.如图1所示，在其中一个实施例中，本技术实施例提供的射频前端模组10包括：第一供电模块110、第二供电模块120、第一射频处理电路130和第二射频处理电路140。
31.其中，第一供电模块110用于提供第一供电电压，第二供电模块120用于提供第二供电电压，其中，第一供电电压大于第二供电电压。具体地，第一供电模块110、第二供电模块120均可包括电源管理芯片(power management ic，pmic)。
32.第一射频处理电路130，与所述第一供电模块110连接，用于在所述第一供电电压的作用下，支持对接收的第一网络的第一高频信号和第二高频信号的发射处理。第二射频处理电路140，与所述第二供电模块120连接，用于在所述第二供电电压的作用下，支持对接收的第二网络的目标信号的发射处理。其中，第一射频处理电路130接收的第一网络的第一高频信号和第二高频信号以及第二射频处理电路140接收的第二网络的目标信号分别由射频收发器20提供。第一射频处理电路130和第二射频处理电路140处理后的信号可经天线辐射至自由空间。其中，第一供电模块110可给第一射频处理电路130进行供电。第二供电模块120可给第二射频处理电路140供电。各个射频处理电路可在供电电压的作用下，对接收的各射频信号进行功率放大、滤波等处理以实现对所接收的射频信号的发射处理。
33.在本技术实施例中，第一网络可以为5g网络，其中，第一网络的射频信号可以称之为新空口(new radio，nr)信号，也即5g nr信号。第二网络可以为4g网络，其中，第二网络的射频信号可以称之为长期演进(long term evolution，lte)信号，也即4g lte信号。其中，低频信号、中频信号、第一高频信号(也可称之为高频信号)和第二高频信号(也可称之为超高频信号)的频段划分如表1所示。
34.表1为低频信号、中频信号、第一高频信号和第二高频信号的频段划分表
[0035][0036]
需要说明的是，5g网络中沿用4g所使用的频段，仅更改序号之前的标识。此外，5g网络还新增了一些4g网络中没有的超高频段，例如，n77、n78和n79等。
[0037]
在本技术实施例中，通过设置第一供电模块110、第二供电模块120分别一一对应为第一射频处理电路130、第二射频处理电路140供电，可以使得第一射频处理电路130与第二射频处理电路140同时工作，进而可以使射频前端模组10同时输出具有不同网络的两路信号，以支持对4g lte信号和5g nr信号的放大，进而可以实现对4g lte信号和5g nr信号的双连接。第一路信号为经第一射频处理电路130放大处理后的信号，例如，可以为第一网络的第一高频信号和第二高频信号。第二路信号为经第二射频处理电路140处理后的信号，例如，可以为第二网络的目标信号，其中，目标信号可以为第二网络的中频信号和第二网络的低频信号中的至少一种。因此，第一路信号和第二路信号的组合可以满足4g lte信号和5g nr信号之间的不同en-dc组合的配置要求，如表2所示。
[0038]
表2为4g lte信号和5g nr信号之间的不同en-dc组合配置表
[0039][0040][0041]
射频前端模组10可被配置为支持第一网络的第一高频信号和第二高频信号(例如，5g nr的n41、n78等)与第二网络的目标信号(例如，4g lte信号的低频信号或/和中频信号)双连接的非独立组网工作模式。
[0042]
本技术实施例的射频前端模组10，包括第一供电模块110、第二供电模块120、第一射频处理电路130和第二射频处理电路140，其中，第一供电模块110、第二供电模块120可分别一一对应为第一射频处理电路130、第二射频处理电路140供电，可以使得第一射频处理电路130可在第一供电电压作用下支持对接收的第一网络的第一高频信号和第二高频信号的发射处理，第二射频处理电路140可在第二供电电压的作用下，支持对接收的第二网路的目标信号发射处理，其中，目标信号的频率范围低于第一高频信号和第二高频信号的频率范围，进而可支持对4g lte信号和5g nr信号的同时放大，进而可以实现对4g lte信号和5g nr信号的双发射功能，且不互相冲突，可以满足4g lte信号和5g nr信号不同频段之间的en-dc组合的配置要求。在本技术实施例中，第二射频处理电路140不需要支持对第一网络的射频信号，例如5g nr频段信号的发射处理，因此，在本技术实施例中，可以避免在第二供电模块120中内置升压电路，也不需要对第一射频处理电路130和第二射频处理电路140中的功率放大单元进行特殊设计，本技术实施例中提供的射频前端模组10可以降低成本。
[0043]
在其中一个实施例中，所述第一供电模块110采用包络跟踪(envelope tracking，et)供电模式提供所述第一供电电压。其中第一供电模块110可包括rf pmic#1，rf pmic#1中包括boost升压电路，rf pmic#1的输出电压大于rf pmic#1的输入电压。所述第二供电模块120平均功率跟踪(average power tracking，apt)供电模式提供所述第二供电电压。其中第二供电模块120可包括rf pmic#2，rf pmic#2中不包括boost升压电路，rf pmic#2的输出电压小于或等于rf pmic#2的输入电压。同时，rf pmic#1的输出电压大于rf pmic#2的输出电压。
[0044]
在本实施例中，第二射频处理电路140不需要支持对第一网络的射频信号的发射
处理，通过普通的平均功率跟踪供电模式进行供电(不带boost升压功能)即可满足对第二网络信号的射频性能。第一射频处理电路130才用包络跟踪供电模块进行供电(带boost升压功能)，保证了第一网络信号的射频性能。这样，可以避免在第二供电模块120中内置升压电路，也不需要对第一射频处理电路130和第二射频处理电路140中的功率放大单元进行特殊设计，本技术实施例中提供的射频前端模组10可以降低成本。
[0045]
如图2所示，在其中一个实施例中，所述第一射频处理电路130包括第一射频处理模块131和第二射频处理模块133。其中，第一射频处理模块131，被配置有第一供电端口vcc1，所述第一射频处理模块131包括第一发射单元1311，所述第一发射单元1311与所述第一供电端口vcc1连接，所述第一发射单元1311用于在所述第一供电电压的作用下，支持对所述第一高频信号的功率放大处理，并将功率放大处理后的所述第一高频信号输出至第一天线ant1。其中，第一高频信号可包括n41、n40等高频段信号。
[0046]
可选地，第一射频处理模块131除了可以支持对第一高频信号的发射处理，还可以用于支持对第一高频信号的接收处理。也即，第一射频处理模块131可以为用于支持对第一高频信号的收发电路。
[0047]
在其中一个实施例中，第一射频处理模块131还可以支持对第一网络的中频信号的发射处理。具体地，所述第一射频处理模块131还被配置有第三供电端口vcc3。所述第一射频处理模块131包括第二发射单元1313。所述第二发射单元1313与所述第三供电端口vcc3连接，所述第二发射单元1313还用于支持对所述第一网络的中频信号的功率放大处理，并将功率放大后的所述第一网络的中频信号输出至第一天线ant1。其中，第一网络的中频信号可包括n1、n3、n2、n7、n34、n39等频段。可选地，第一射频处理模块131除了可以支持对第一网络的中频信号的发射处理，还可以用于支持对第一网络的中频信号的接收处理。也即，第一射频处理模块131可以为用于支持对第一网络的中频信号的收发电路。
[0048]
在本技术实施例中，第一发射单元1311和第二发射单元1313集成在第一射频处理模块131中。具体的，第一射频处理模块131还可以为集成双工器的功率放大器模组(power amplifier module integrated duplexer，pa mid)，也可以为内置低噪声放大器的pa mid，也即，l-pa mid。该第一射频处理模块131上配置的各个端口可以理解为pa mid器件或l-pa mid器件的射频引脚。
[0049]
为了便于说明，以第一射频处理模块131为phase 7mhb l-pamid器件为例进行说明。其中，第一射频处理模块131集成中高频功率放大器mhb pa、中高频低噪声放大器mhb lna、双工器、滤波器、耦合器以及开关。第一射频处理模块131可实现中高频段3g蜂窝网络wcdma、4g lte信号以及频率重组nr band的收发，例如，n41频段的接收和发射处理。在本技术实施例中，通过第一射频处理模块131可实现n41的接收和发射功能，可以避免使用相关技术中采用外挂n41集成有滤波器和低噪声放大器的功率放大器开关模组(lna-pa asm module with integrated filter，简称lpaf)来实现对n41频段的接收和发射处理,可以节约成本，例如可以节约1.2美金左右。另外，第一发射单元1311、第二发射单元1313可集成在第一射频处理模块131中，可以进一步提高射频前端模组10的集成度，有利于射频前端模组10小型化设计。
[0050]
请继续参考图2，在其中一个实施例中，第二射频处理模块133，被配置有第二供电端口vcc2，所述第二供电端口vcc2与所述第一供电模块110连接，所述第二射频处理模块
133用于支持对所述第二高频信号的功率放大、滤波处理，并将滤波处理后的所述第二高频信号输出至第二天线ant2。
[0051]
可选地，第二射频处理模块133除了可以支持对第二高频信号的发射处理以外，还可以支持对第二高频信号的接收处理。为了便于说明，以第二高频信号为n78频段信号为例进行说明。其中，第二射频处理模块133可以为用于支持n78频段信号的收发电路。具体地，第二射频处理模块133可以为n78 lpaf器件，其中集成可用于支持n78信号的功率放大器、滤波器、低噪声放大器、耦合器和开关，以实现对n78频段信号的接收和放大处理。该第二射频处理模块133上配置的各个端口可以理解为lpaf的射频引脚。
[0052]
在本实施例中，第二射频处理模块133采用独立的集成器件，例如，lpaf器件，可以进一步提高射频前端模组10的集成度，有利于射频前端模组10小型化设计。
[0053]
如图3所示，在其中一个实施例中，所述第二射频处理电路140包括：第一发射模块141，与所述第二供电模块120连接，所述第一发射模块141用于在所述第二供电电压的作用下，支持对所述第二网络的目标信号的发射处理，并输出所述目标信号至第三天线ant3。其中，第二网络的目标信号可以包括第二网络的低频信号，例如，b5、b8等频段信号。可选地，第二网络的目标信号可以包括第二网络的中频信号，例如，b34、b39等频段信号。可选地，第二网络的目标信号可包括第二网络的低频信号和第二网络的中频信号。
[0054]
如图4所示，为了便于说明，以目标信号包括中频信号和低频信号为例进行说明。在其中一个实施例中，所述第一发射模块141被配置有第四供电端口vcc4和第五供电端口vcc5，其中，所述第一发射模块141包括第三发射单元1411、第四发射单元1413。第三发射单元1411，经所述第四供电端口vcc4与所述第二供电模块120连接，用于支持对所述第二网络的低频信号的发射处理。第四发射单元1413，经所述第五供电端口vcc5与所述第二供电模块120连接，用于支持对所述第二网络的中频信号的发射处理。
[0055]
所述射频前端模组10还包括：分别与所述第二供电模块120、所述第三发射单元1411、所述第四发射单元1413、第三天线ant3连接的第二发射模块150。其中，第二发射模块150，用于支持对第三网络的射频信号的发射处理，并用于选择导通所述第二网络的中频信号、所述第二网络的低频信号以及所述第三网络的射频信号传输至所述第三天线ant3的射频通路。
[0056]
如图5所示，第二发射模块150可包括第一放大单元151、第二放大单元153和第一开关单元155。其中，第一放大单元151用于在第二供电电压的作用下，支持对第三网络的低频信号的功率放大处理，第二放大单元153用于支持对第三网络的中频信号的功率放大处理。其中，其中，第三网络可以为2g网络，例如，全球移动通信(global system for mobile communications，gsm)。其中，第三网络的低频信号可以为2g网络的低频信号，例如可至少包括gsm850、gsm900等频段信号。第三网络的中频信号可为2g高频信号，例如，可至少包括gsm1800、gsm1900等频段信号。
[0057]
第一开关单元155为多通道选择开关，其中，第一开关单元155的多个第一端分别与第一放大单元151、第二放大单元153、第三发射单元1411、第四发射单元1413连接，第一开关单元155的第二端与第三天线ant3连接。其中，第一开关单元155可选择导通第一放大单元151、第二放大单元153、第三发射单元1411、第四发射单元1413分别与第三天线ant3之间的射频通路，进而可选择导通所述第二网络的中频信号、所述第二网络的低频信号以及
所述第三网络的射频信号传输至所述第三天线ant3的射频通路。
[0058]
在本技术实施例中，第二发射模块150可以为发射模组(transmitter module，txm)。其中，发射模组集成了支持对gsm低频和gsm高频的功率放大器、多通道选择开关xpyt和耦合器，可以实现第三网络射频信号放大输出以及其他频段信号的发射合路等处理。通过将第一放大单元151、第二放大单元153和第一开关单元155集成在发射模组中，可以进一步提高射频前端模组10的集成度，有利于射频前端模组10小型化设计。
[0059]
如图6所示，在其中一个实施例中，所述第一发射模块141还包括第五发射单元1415，分别与所述第五供电端口vcc5连接，用于支持对所述第二网络的高频信号的发射处理。其中，第五发射单元1415可与第二发射模块150中的第一开关单元155的其他第一端连接，这样，第一开关单元155还可以选择导通第二网络的高频信号传输至第三天线ant3的射频通路。
[0060]
第一发射模块141可以为内置多个放大单元的多频多模功率放大器(multi-band multi-mode power amplifier，mmpa)。在本技术实施例中，以第一发射模块141为phase 2mmpa器件为例进行说明。具体地，第一发射模块141集成了用于支持低频、中频以及高频信号的功率放大器，可以实现对低频、中频以及高频段wcdma信号、lte信号放大的功率放大处理。在射频前端模组10需要工作在endc时，还可以用于支持4g lte信号低频和中频锚点anchor频段的功率放大处理，以实现对4g lte信号低频和中频锚点频段的发射处理。
[0061]
在本技术实施例中，通过将第三发射单元1411、第四发射单元1413、第五发射单元1415可集成在第一发射模块141中，可以进一步提高射频前端模组10的集成度，有利于射频前端模组10小型化设计。另外，射频前端模组10可工作在endc(例如，(l/mb n41、l/mb n78)的工作模式下，可以通过第一射频处理模块131，例如phase 7pamid支持对n41频段信号的发射处理，这样就可以避免使用相关技术中采用的成本高昂且存在供应风险的外挂的n41 lpaf器件，可降低成本，例如1.2美金，其中，4g lte锚点频段通过第三发射模块142(例如phase 2mmpa)来实现。第三发射模块142不需要支持对5g nr频段的发射处理，则仅需要普通的第二供电模块120(不带boost升压功能)来对其进行供电，就可以满足3g/4g射频性能，可以降低成本。本技术实施例中提供的射频前端模组10，在实现相同功能的前提下，可节约大概2.5美金左右的成本。
[0062]
请继续参考图5，在其中一个实施例中，射频前端模组10还包括与第二发射模块150中第一开关单元155连接的第一接收模块160。该第一接收模块160可用于支持对第一网络、第二网络的低中高频段信号的接收处理，还可以用于支持对第三网络信号的接收处理。具体地，第一接收模块160可以具体包括多个用于支持不同频段的低噪声放大器、滤波器、双工器、开关等。示例性的，第一接收模块160可以为射频低噪声放大器模组(low noise amplifier front end module，lfem)，还可以为带天线开关模组和滤波器的分集接收模组(diversity receive module with antenna switch module and saw，dfem)，还可以为多频段低噪放大器(multi band low noise amplifier，mlna)等。在本技术实施例中，对第一接收模块160的具体组成不做进一步的限定。
[0063]
如图6所示，在其中一个实施例中，所述第二射频处理电路140包括：第三发射模块142和第四发射模块143。其中，第三发射模块142，被配置有用于与所述第二供电模块120连接的第六供电端口vcc6，所述第二发射模块150用于在所述第二供电电压的作用下，支持对
lpaf。其中，4g lte锚点频段通过第三发射模块142(例如phase 2mmpa)以及第四发射模块143(例如phase 7lb pamid)来实现。在本实施例中，第三发射模块142和第四发射模块143不需要支持对5g nr频段的发射处理，则仅需要普通的第二供电模块120(不带boost升压功能)来对其进行供电，就可以满足3g/4g射频性能，可以降低成本，例如1.3美金，另外，本技术实施例中提供的射频前端模组10，在实现相同功能的前提下，可大约降低1.7美金左右的成本。
[0069]
如图8所示，在其中一个实施例中，射频前端模组10还包括第二接收模块170和开关模块180。第二接收模块170可用于支持对第一网络、第二网络的低中高频段信号的接收处理，还可以用于支持对第三网络信号的接收处理。开关模块180的多个第一端分别与第二接收模块170连接，开关模块180的第二端与第五天线ant5连接。开关模块180用于选择导通任一频段信号的接收通路。可选地，开关模块180还可以与第三发射模块142连接，用于选择导通射频信号的发射通路或接收通路。其中，任一频段信号可以为第一网络、第二网络的低中高频段信号中的任一频段，也可以为第三网络的低频信号或高频信号。具体地，第二接收模块170可以具体包括多个用于支持不同频段的低噪声放大器、滤波器、双工器、开关等。示例性的，第一接收模块160可以为射频低噪声放大器模组(low noise amplifier front end module，lfem)，还可以为带天线开关模组和滤波器的分集接收模组(diversity receive module with antenna switch module and saw，dfem)，还可以为多频段低噪放大器(multi band low noise amplifier，mlna)等。在本技术实施例中，对第二接收模块170的具体组成不做进一步的限定。
[0070]
如图9所示，进一步的，以射频系统应用在手机10中为例进行说明，具体的，如图9所示，该手机可包括存储器21(其任选地包括一个或多个计算机可读存储介质)、处理电路22、外围设备接口23、射频系统24、输入/输出(i/o)子系统26。这些部件任选地通过一个或多个通信总线或信号线29进行通信。本领域技术人员可以理解，图9所示的手机并不构成对手机的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。图9中所示的各种部件以硬件、软件、或硬件与软件两者的组合来实现，包括一个或多个信号处理和/或专用集成电路。
[0071]
存储器21任选地包括高速随机存取存储器，并且还任选地包括非易失性存储器，诸如一个或多个磁盘存储设备、闪存存储器设备、或其他非易失性固态存储器设备。示例性的，存储于存储器21中的软件部件包括操作系统211、通信模块(或指令集)212、全球定位系统(gps)模块(或指令集)213等。
[0072]
处理电路22和其他控制电路(诸如射频系统24中的控制电路)可以用于控制手机10的操作。该处理电路22可以包括一个或多个微处理器、微控制器、数字信号处理器、基带处理器、功率管理单元、音频编解码器芯片、专用集成电路等。
[0073]
处理电路22可以被配置为实现控制手机10中的天线的使用的控制算法。处理电路22还可以发出用于控制射频系统24中各开关的控制命令等。
[0074]
i/o子系统26将手机10上的输入/输出外围设备诸如键区和其他输入控制设备耦接到外围设备接口23。i/o子系统26任选地包括触摸屏、按键、音调发生器、加速度计(运动传感器)、周围光传感器和其他传感器、发光二极管以及其他状态指示器、数据端口等。示例性的，用户可以通过经由i/o子系统26供给命令来控制手机10的操作，并且可以使用i/o子
系统26的输出资源来从手机10接收状态信息和其他输出。例如，用户按压按钮261即可启动手机或者关闭手机。
[0075]
射频系统24可以为前述任一实施例中的射频前端模组10，其中，射频系统24还可用于处理多个不同频段的射频信号。例如用于接收1575mhz的卫星定位信号的卫星定位射频电路、用于处理ieee802.11通信的2.4ghz和5ghz频段的wifi和蓝牙收发射频电路、用于处理蜂窝电话频段(诸如850mhz、900mhz、1800mhz、1900mhz、2100mhz的频段、和sub-6g频段)的无线通信的蜂窝电话收发射频电路。其中，sub-6g频段可具体包括2.496ghz-6ghz频段，3.3ghz-6ghz频段。
[0076]
本技术所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(ram)，它用作外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，ram以多种形式可得，诸如静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)、双数据率sdram(ddr sdram)、增强型sdram(esdram)、同步链路(synchlink)dram(sldram)、存储器总线(rambus)直接ram(rdram)、直接存储器总线动态ram(drdram)、以及存储器总线动态ram(rdram)。
[0077]
以上实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。