基片清洗装置和基片清洗方法与流程

技术特征：
1.一种基片清洗装置，其特征在于，包括：保持基片的基片保持部；喷嘴罩，具有在其与所述基片之间形成减压气氛的减压室；和气体喷嘴，其喷射比所述减压室的压力高的高压的清洗气体，在所述减压室内生成清洗所述基片的气体团簇，在所述喷嘴罩中的所述基片侧的端部设置有对所述基片喷出气幕用气体而形成气帘的气幕形成部。2.根据权利要求1所述的基片清洗装置，其特征在于：所述喷嘴罩覆盖所述基片的一部分。3.根据权利要求1或2所述的基片清洗装置，其特征在于：在所述喷嘴罩设置有气体流路，其与所述气幕形成部连通，并且向所述气幕形成部侧供给气幕用气体。4.根据权利要求1至3中任一项所述的基片清洗装置，其特征在于：在所述喷嘴罩设置有使所述减压室内成为减压气氛的减压生成部。5.根据权利要求1至4中任一项所述的基片清洗装置，其特征在于：所述喷嘴罩具有由多孔材料构成的喷嘴罩主体和覆盖该喷嘴罩主体的外表面的密闭护件。6.根据权利要求1至5中任一项所述的基片清洗装置，其特征在于：所述基片保持部具有：保持所述基片的保持部主体；和保持部支承件，其设置于所述保持部主体的外周并包围所述基片的外周，所述保持部主体上的所述基片的上表面与所述保持部支承件的上表面处于同一平面上。7.根据权利要求1至6中任一项所述的基片清洗装置，其特征在于：所述基片保持部能够旋转，所述喷嘴罩和所述基片保持部能够在水平方向上相对移动。8.根据权利要求1至7中任一项所述的基片清洗装置，其特征在于：所述基片保持部将所述基片配置并保持在水平方向上。9.根据权利要求1至7中任一项所述的基片清洗装置，其特征在于：所述基片保持部将所述基片配置并保持在垂直方向上。10.一种基片清洗方法，其特征在于：所述基片清洗方法使用基片清洗装置，所述基片清洗装置包括：保持基片的基片保持部；和喷嘴罩，具有在其与所述基片之间形成减压气氛的减压室，所述基片清洗方法包括：从在所述喷嘴罩中的所述基片侧的端部周缘设置于的气幕形成部对所述基片喷出气幕用气体而形成气幕的步骤；和从气体喷嘴喷射比所述减压室的压力高的高压的清洗气体，在所述减压室内生成清洗所述基片的气体团簇的步骤。

技术总结
本发明能够防止从基片除去的颗粒再次附着于基片。本发明的基片清洗装置包括：保持基片的基片保持部；气体喷嘴，其对基片保持部上的基片喷射清洗气体；和以包围气体喷嘴的方式设置的喷嘴罩。从气体喷嘴对喷嘴罩的减压室内喷射清洗气体，在减压室内生成除去基片上的颗粒的气体团簇。气幕用气体被从喷嘴罩的端部喷射向基片侧，在喷嘴罩的端部与基片之间形成气幕。幕。幕。


技术研发人员：中岛常长 饱本正巳
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2020.10.19
技术公布日：2022/6/5