形状记忆合金马达、马达模组、摄像头模组、电子设备的制作方法

1.本技术涉及电子设备领域，并且更具体地，涉及一种形状记忆合金马达、马达模组、摄像头模组、电子设备。


背景技术：

2.用户通常希望手机摄像头可以实现多种图像拍摄场景，如拍摄远景图像、在近景场景下采用大光圈拍摄等。能够实现多种图像拍摄场景的摄像头模组，通常具有走线复杂、数量较多的电连接线。在电连接线接通低频电流的情况下，电连接线可以产生感应磁场。这种感应磁场会影响摄像头模组内的磁敏感电子器件(如图像传感器、图像传感器的供电电源等)的正常工作。


技术实现要素：

3.本技术提供一种形状记忆合金马达、马达模组、摄像头模组、电子设备，可以减小摄像头模组内的磁敏感电子器件所受到的磁干扰。
4.第一方面，提供了一种摄像头模组，包括：
5.摄像头外壳；
6.透镜阵列，所述透镜阵列至少部分位于所述摄像头外壳内；
7.电路板，所述电路板上设置有图像传感器；
8.形状记忆合金sma马达，所述sma马达收容在所述摄像头外壳内，所述sma马达包括sma线，所述sma线的一端与所述透镜阵列相连，另一端相对于所述摄像头外壳固定；
9.sma马达驱动模块，所述sma马达驱动模块设置在所述电路板上，且用于为所述sma马达提供交流电源，所述sma马达驱动模块包括第一电连接端口、第二电连接端口，所述第一电连接端口、所述第二电连接端口分别与所述sma线的两端电连接；
10.第一隔磁件，所述第一隔磁件相对于所述图像传感器平行设置，所述第一隔磁件包括第一通孔，入射至所述摄像头模组的光在穿过所述第一通孔后投影至所述图像传感器上，所述第一通孔的形状与所述图像传感器的形状对应。
11.在本技术中，通过在图像传感器和sma马达之间设置第一隔磁件，有利于减小摄像头模组内的磁敏感电子器件所受到的磁干扰。并且，由于第一隔磁件可以更靠近图像传感器，sma马达产生的干扰磁场在第一隔磁件处可以相对较小，有利于进一步减小摄像头模组内磁敏感电子器件所受到的磁干扰的程度。
12.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述摄像头模组还包括：
13.第二隔磁件，所述第二隔磁件相对于所述图像传感器平行设置，所述第二隔磁件位于所述第一隔磁件与所述sma马达之间，所述第二隔磁件包括第二通孔，所述透镜阵列穿过所述第二通孔。
14.在本技术中，通过在图像传感器和sma马达之间设置多个隔磁件，有利于显著减小摄像头模组内的磁敏感电子器件所受到的磁干扰。
15.在本技术中，由于第二隔磁件可以更靠近透镜阵列，第一隔磁件可以更靠近图像传感器，第二隔磁件与第一隔磁件之间的间隔距离可以相对较大，sma马达产生的干扰磁场在第一隔磁件处可以相对较小，有利于进一步减小摄像头模组内的磁敏感电子器件所受到的磁干扰。
16.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第二隔磁件包括：
17.第二隔磁板，所述第二隔磁板相对于所述图像传感器平行设置，所述第二通孔位于所述第二隔磁板上；
18.至少一个第二隔磁棱，所述第二隔磁棱垂直地设置在所述第二隔磁板上，且位于所述第二隔磁板的远离所述图像传感器的一侧，所述第二隔磁棱环绕在所述第二通孔的外周。
19.在本技术中，通过在第二隔磁件上设置隔磁棱，增大了第二隔磁件的隔磁区域，且在相对于第二隔磁板垂直的方向上也可以起到隔磁效果，因此有利于进一步减小摄像头模组内的磁敏感电子器件所受到的磁干扰。
20.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第二隔磁棱的内壁连通至所述第二通孔的孔壁。
21.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述至少一个第二隔磁棱包括目标第二隔磁棱，所述目标第二隔磁棱与所述图像传感器的引脚位于所述摄像头模组的同侧。
22.在本技术中，针对磁敏感电子器件的位置设置隔磁棱，有利于提升第二隔磁件的隔磁效果，有利于进一步减小摄像头模组内磁敏感电子器件所受到的磁干扰的程度。
23.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述至少一个第二隔磁棱满足：
24.所述至少一个第二隔磁棱相对于所述第二通孔对称设置；
25.所述至少一个第二隔磁棱等间距分布在所述第二通孔的外周。
26.在本技术中，通过灵活设置第二隔磁棱的分布，有利于灵活调整第二隔磁件的隔磁效果。
27.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第二隔磁板满足以下至少一项：
28.所述第二隔磁板的厚度大于或等于0.1mm；
29.所述第二隔磁棱的高度大于或等于0.1mm。
30.在本技术中，通过设置第二隔磁件的结构，有利于提升第二隔磁件的隔磁效果，有利于进一步减小摄像头模组内磁敏感电子器件所受到的磁干扰的程度。
31.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述摄像头模组满足以下至少一项：
32.所述第二隔磁件的相对磁导率大于5；
33.所述第二隔磁件与所述第一隔磁件之间的间隔距离大于或等于0.1mm。
34.可选的，在0～1mhz内，第二隔磁件的相对磁导率大于5。
35.在本技术中，通过设置第二隔磁件的结构和性能，有利于提升第二隔磁件的隔磁效果，有利于进一步减小摄像头模组内的磁敏感电子器件所受到的磁干扰的程度。
36.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一隔磁件包括：
37.第一隔磁板，所述第一隔磁板相对于所述图像传感器平行设置，所述第一通孔位于所述第一隔磁板上；
38.至少一个第一隔磁棱，所述第一隔磁棱位于所述第一隔磁板的远离所述图像传感器的一侧，所述第一隔磁棱相对于所述第一隔磁板垂直设置，所述第一隔磁棱环绕在所述第一通孔的外周。
39.在本技术中，通过在第一隔磁件上设置隔磁棱，增大了第一隔磁件的隔磁区域，且在相对于第一隔磁板垂直的方向上也可以起到隔磁效果，因此有利于进一步减小摄像头模组内磁敏感电子器件所受到的磁干扰的程度。
40.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一隔磁棱的内壁连通至所述第一通孔的孔壁。
41.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述摄像头模组满足以下至少一项：
42.所述第一隔磁件的相对磁导率大于5；
43.所述第一隔磁件与所述图像传感器之间的间隔距离大于或等于0.1mm；
44.所述第一隔磁件与所述电路板之间的间隔距离大于或等于0.1mm；
45.所述第一通孔在所述电路板上的投影区域的外轮廓为第一外轮廓，所述图像传感器在所述电路板上的投影区域的外轮廓为第二外轮廓，所述第二外轮廓位于所述第一外轮廓内，且所述第二外轮廓与所述第一外轮廓的最大间隔距离小于或等于1.5mm。
46.可选的，在0～1mhz内，第一隔磁件的相对磁导率大于5。
47.在本技术中，通过设置第一隔磁件的结构和性能，有利于提升第一隔磁件的隔磁效果，有利于进一步减小摄像头模组内的磁敏感电子器件所受到的磁干扰。
48.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述摄像头模组还包括：
49.支架，所述支架位于所述图像传感器与所述sma马达之间，所述第一隔磁件位于所述支架内或贴覆在所述支架的表面。
50.在本技术中，通过灵活设置第一隔磁件相对于支架的设置位置，一方面，有利于提高摄像头模组的集成度，另一方面，有利于确保第一隔磁件与图像传感器器之间存在一定的间隔距离，进而减小第一隔磁件产生的干扰磁场对图像传感器的影响。
51.第二方面，提供了一种摄像头模组，包括：
52.摄像头外壳；
53.透镜阵列，所述透镜阵列至少部分位于所述摄像头外壳内；
54.电路板，所述电路板上设置有图像传感器；
55.形状记忆合金sma马达，所述sma马达收容在所述摄像头外壳内，所述sma马达包括sma线，所述sma线的一端与所述透镜阵列相连，另一端相对于所述摄像头外壳固定；
56.sma马达驱动模块，所述sma马达驱动模块设置在所述电路板上，且用于为所述sma马达提供交流电源，所述sma马达驱动模块包括第一电连接端口、第二电连接端口，所述第一电连接端口、所述第二电连接端口分别与所述sma线的两端电连接；
57.第二隔磁件，所述第二隔磁件包括第二隔磁板和至少一个第二隔磁棱，所述第二隔磁板相对于所述图像传感器平行设置，所述第二隔磁板包括第二通孔，入射至所述摄像头模组的光在穿过所述第二通孔后投影至所述图像传感器上，所述第二隔磁棱垂直地设置
在所述第二隔磁板上，所述第二隔磁棱环绕在所述第二通孔的外周，所述第二隔磁棱位于所述第二隔磁板的远离所述图像传感器的一侧。
58.在本技术中，通过在图像传感器和sma马达之间设置第二隔磁件，有利于显著减小摄像头模组内的磁敏感电子器件所受到的磁干扰。并且，通过在第二隔磁件上设置隔磁棱，增大了第二隔磁件的隔磁区域，且在相对于第二隔磁板垂直的方向上也可以起到隔磁效果，因此有利于减小摄像头模组内的磁敏感电子器件所受到的磁干扰。
59.结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述透镜阵列穿过所述第二通孔。
60.在本技术中，由于第二隔磁件可以更靠近透镜阵列，第二隔磁件可以相对远离图像传感器，有利于确保第二隔磁件与图像传感器器之间存在一定的间隔距离，进而减小第二隔磁件产生的干扰磁场对图像传感器的影响。
61.结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述第二隔磁棱的内壁连通至所述第二通孔的孔壁。
62.结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述至少一个第二隔磁棱包括目标第二隔磁棱，所述目标第二隔磁棱与所述图像传感器的引脚位于所述摄像头模组的同侧。
63.在本技术中，针对磁敏感电子器件的位置设置隔磁棱，有利于提升第二隔磁件的隔磁效果，有利于进一步减小摄像头模组内的磁敏感电子器件所受到的磁干扰。
64.结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述至少一个第二隔磁棱满足：
65.所述至少一个第二隔磁棱相对于所述第二通孔对称设置；
66.所述至少一个第二隔磁棱等间距分布在所述第二通孔的外周。
67.在本技术中，通过灵活设置第二隔磁棱的分布，有利于灵活调整第二隔磁件的隔磁效果。
68.结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述第二隔磁板满足以下至少一项：
69.所述第二隔磁板的厚度大于或等于0.1mm；
70.所述第二隔磁棱的高度大于或等于0.1mm。
71.在本技术中，通过设置第二隔磁件的结构，有利于提升第二隔磁件的隔磁效果，有利于进一步减小摄像头模组内的磁敏感电子器件所受到的磁干扰。
72.结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述摄像头模组满足以下至少一项：
73.所述第二隔磁件的相对磁导率大于5；
74.所述第二隔磁件与所述电路板之间的间隔距离大于或等于0.1mm；
75.所述第二隔磁件与所述图像传感器之间的间隔距离大于或等于0.1mm。
76.可选的，在0～1mhz内，第二隔磁件的相对磁导率大于5。
77.在本技术中，通过设置第二隔磁件的结构和性能，有利于提升第二隔磁件的隔磁效果，有利于进一步减小摄像头模组内的磁敏感电子器件所受到的磁干扰。
78.第三方面，提供了一种马达模组，所述马达模组应用于电子设备，所述电子设备包括电路板，所述电路板上设置有图像传感器、所述马达模组的驱动模块，所述驱动模块为所述马达模组提供交流电源，所述驱动模块包括第一电连接端口、第二电连接端口，所述马达
模组包括：
79.镜筒；
80.透镜阵列，所述透镜阵列收容在所述镜筒内；
81.形状记忆合金sma马达，所述sma马达收容在所述镜筒内，所述sma马达包括sma线，所述sma线的一端与所述透镜阵列相连，另一端相对于所述镜筒固定，所述sma线的两端分别与所述第一电连接端口、所述第二电连接端口电连接；
82.第一隔磁件，所述第一隔磁件收容在所述镜筒内，且相对于所述透镜阵列的光轴垂直设置，所述第一隔磁件包括第一通孔，入射至所述马达模组的光在穿过所述sma马达后，继续穿过所述第一通孔，所述第一通孔的形状与所述图像传感器的形状对应。
83.结合第三方面，在第三方面的某些实现方式中，所述马达模组还包括：
84.第二隔磁件，所述第二隔磁件收容在所述镜筒内，且相对于所述透镜阵列的光轴垂直设置，所述第二隔磁件位于所述第一隔磁件与所述sma马达之间，所述第二隔磁件包括第二通孔，所述透镜阵列穿过所述第二通孔。
85.结合第三方面，在第三方面的某些实现方式中，所述第二隔磁件包括：
86.第二隔磁板，所述第二隔磁板相对于所述透镜阵列的光轴垂直设置，所述第二通孔位于所述第二隔磁板上；
87.至少一个第二隔磁棱，所述第二隔磁棱垂直地设置在所述第二隔磁板上，且位于所述第二隔磁板的远离所述第一隔磁件的一侧，所述第二隔磁棱环绕在所述第二通孔的外周。
88.结合第三方面，在第三方面的某些实现方式中，所述第二隔磁棱的内壁连通至所述第二通孔的孔壁。
89.结合第三方面，在第三方面的某些实现方式中，所述至少一个第二隔磁棱满足：
90.所述至少一个第二隔磁棱相对于所述第二通孔对称设置；
91.所述至少一个第二隔磁棱等间距分布在所述第二通孔的外周。
92.结合第三方面，在第三方面的某些实现方式中，所述第二隔磁板满足以下至少一项：
93.所述第二隔磁板的厚度大于或等于0.1mm；
94.所述第二隔磁棱的高度大于或等于0.1mm。
95.结合第三方面，在第三方面的某些实现方式中，所述马达模组满足以下至少一项：
96.所述第二隔磁件的相对磁导率大于5；
97.所述第二隔磁件与所述第一隔磁件之间的间隔距离大于或等于0.1mm。
98.可选的，在0～1mhz内，第二隔磁件的相对磁导率大于5。
99.结合第三方面，在第三方面的某些实现方式中，所述第一隔磁件包括：
100.第一隔磁板，所述第一隔磁板相对于所述透镜阵列的光轴垂直设置，所述第一通孔位于所述第一隔磁板上；
101.至少一个第一隔磁棱，所述第一隔磁棱位于所述第一隔磁板的靠近所述第二隔磁件的一侧，所述第一隔磁棱相对于所述第一隔磁板垂直设置，所述第一隔磁棱环绕在所述第一通孔的外周。
102.结合第三方面，在第三方面的某些实现方式中，所述第一隔磁棱的内壁连通至所
述第一通孔的孔壁。
103.结合第三方面，在第三方面的某些实现方式中，所述马达模组满足以下至少一项：
104.所述第一隔磁件的相对磁导率大于5。
105.可选的，在0～1mhz内，第一隔磁件的相对磁导率大于5。
106.结合第三方面，在第三方面的某些实现方式中，所述马达模组还包括：
107.支架，所述第一隔磁件位于所述支架内或贴覆在所述支架的表面。
108.第四方面，提供了一种马达模组，所述马达模组应用于电子设备，所述电子设备包括电路板，所述电路板上设置有图像传感器、所述马达模组的驱动模块，所述驱动模块为所述马达模组提供交流电源，所述驱动模块包括第一电连接端口、第二电连接端口，所述马达模组包括：
109.镜筒；
110.透镜阵列，所述透镜阵列收容在所述镜筒内；
111.形状记忆合金sma马达，所述sma马达收容在所述镜筒内，所述sma马达包括sma线，所述sma线的一端与所述透镜阵列相连，另一端相对于所述镜筒固定，所述sma线的两端分别与所述第一电连接端口、所述第二电连接端口电连接；
112.第二隔磁件，所述第二隔磁件收容在所述镜筒内，所述第二隔磁件包括第二隔磁板和至少一个第二隔磁棱，所述第二隔磁板相对于所述透镜阵列的光轴垂直设置，所述第二隔磁板包括第二通孔，入射至所述马达模组的光在穿过所述sma马达后入射至所述第二通孔，所述第二隔磁棱垂直地设置在所述第二隔磁板上，所述第二隔磁棱位于所述第二隔磁板的靠近所述sma马达的一侧。
113.结合第四方面，在第四方面的某些实现方式中，所述透镜阵列穿过所述第二通孔。
114.结合第四方面，在第四方面的某些实现方式中，所述第二隔磁件包括：
115.第二隔磁板，所述第二隔磁板相对于所述透镜阵列的光轴垂直设置，所述第二通孔位于所述第二隔磁板上；
116.至少一个第二隔磁棱，所述第二隔磁棱垂直地设置在所述第二隔磁板上，且位于所述第二隔磁板的靠近所述sma马达的一侧，所述第二隔磁棱环绕在所述第二通孔的外周。
117.结合第四方面，在第四方面的某些实现方式中，所述第二隔磁棱的内壁连通至所述第二通孔的孔壁。
118.结合第四方面，在第四方面的某些实现方式中，所述至少一个第二隔磁棱满足：
119.所述至少一个第二隔磁棱相对于所述第二通孔对称设置；
120.所述至少一个第二隔磁棱等间距分布在所述第二通孔的外周。
121.结合第四方面，在第四方面的某些实现方式中，所述第二隔磁件满足以下至少一项：
122.所述第二隔磁板的厚度大于或等于0.1mm；
123.所述第二隔磁棱的高度大于或等于0.1mm；
124.所述第二隔磁件的相对磁导率大于5。
125.可选的，在0～1mhz内，第二隔磁件的相对磁导率大于5。
126.第五方面，提供了一种形状记忆合金sma马达，所述sma马达应用于拍摄装置，所述拍摄装置包括透镜阵列、图像传感器和所述sma马达驱动模块，所述sma马达驱动模块用于
为所述sma马达提供交流电源，所述sma马达驱动模块包括第一电连接端口、第二电连接端口，所述sma马达包括：
127.sma线，所述sma线的一端用于与所述透镜阵列相连，另一端相对于所述拍摄装置固定，所述sma线的两端分别与所述第一电连接端口、所述第二电连接端口电连接；
128.第一隔磁件，所述第一隔磁件相对于所述拍摄装置的光轴垂直设置，所述第一隔磁件包括第一通孔，入射至所述拍摄装置的光在穿过所述第一通孔后入射至图像传感器，所述第一通孔的形状与所述图像传感器的形状对应。
129.结合第五方面，在第五方面的某些实现方式中，所述sma马达还包括：
130.第二隔磁件，所述第二隔磁件相对于所述拍摄装置的光轴垂直设置，所述第二隔磁件位于所述第一隔磁件与所述sma线之间，所述第二隔磁件包括第二通孔，所述第二通孔用于穿过所述透镜阵列。
131.结合第五方面，在第五方面的某些实现方式中，所述第二隔磁件包括：
132.第二隔磁板，所述第二隔磁板相对于所述拍摄装置的光轴垂直设置，所述第二通孔位于所述第二隔磁板上；
133.至少一个第二隔磁棱，所述第二隔磁棱垂直地设置在所述第二隔磁板上，且位于所述第二隔磁板的远离所述第一隔磁件的一侧，所述第二隔磁棱环绕在所述第二通孔的外周。
134.结合第五方面，在第五方面的某些实现方式中，所述第二隔磁棱的内壁连通至所述第二通孔的孔壁。
135.结合第五方面，在第五方面的某些实现方式中，所述至少一个第二隔磁棱满足：
136.所述至少一个第二隔磁棱相对于所述第二通孔对称设置；
137.所述至少一个第二隔磁棱等间距分布在所述第二通孔的外周。
138.结合第五方面，在第五方面的某些实现方式中，所述第二隔磁板满足以下至少一项：
139.所述第二隔磁板的厚度大于或等于0.1mm；
140.所述第二隔磁棱的高度大于或等于0.1mm。
141.结合第五方面，在第五方面的某些实现方式中，所述sma马达满足以下至少一项：
142.所述第二隔磁件的相对磁导率大于5；
143.所述第二隔磁件与所述第一隔磁件之间的间隔距离大于或等于0.1mm。
144.可选的，在0～1mhz内，第二隔磁件的相对磁导率大于5。
145.结合第五方面，在第五方面的某些实现方式中，所述第一隔磁件包括：
146.第一隔磁板，所述第一隔磁板相对于所述拍摄装置的光轴垂直设置，所述第一通孔位于所述第一隔磁板上；
147.至少一个第一隔磁棱，所述第一隔磁棱位于所述第一隔磁板的靠近所述第二隔磁件的一侧，所述第一隔磁棱相对于所述第一隔磁板垂直设置，所述第一隔磁棱环绕在所述第一通孔的外周。
148.结合第五方面，在第五方面的某些实现方式中，所述第一隔磁棱的内壁连通至所述第一通孔的孔壁。
149.结合第五方面，在第五方面的某些实现方式中，所述sma马达满足以下至少一项：
150.所述第一隔磁件的相对磁导率大于5。
151.可选的，在0～1mhz内，第一隔磁件的相对磁导率大于5。
152.结合第五方面，在第五方面的某些实现方式中，所述sma马达还包括：
153.支架，所述第一隔磁件位于所述支架内或贴覆在所述支架的表面。
154.第六方面，提供了一种形状记忆合金sma马达，所述sma马达应用于拍摄装置，所述拍摄装置包括透镜阵列、图像传感器和所述sma马达驱动模块，所述sma马达驱动模块用于为所述sma马达提供交流电源，所述sma马达驱动模块包括第一电连接端口、第二电连接端口，所述sma马达包括：
155.sma线，所述sma线的一端用于与所述透镜阵列相连，另一端相对于所述拍摄装置固定，所述sma线的两端分别与所述第一电连接端口、所述第二电连接端口电连接；
156.第二隔磁件，所述第二隔磁件包括第二隔磁板和至少一个第二隔磁棱，所述第二隔磁板相对于所述拍摄装置的光轴垂直设置，所述第二隔磁板包括第二通孔，所述第二通孔用于穿过所述透镜阵列，入射至所述拍摄装置的光在穿过所述第二通孔后入射至所述图像传感器，所述第二隔磁棱垂直地设置在所述第二隔磁板上，所述第二隔磁棱位于所述第二隔磁板的靠近所述sma马达的一侧。
157.结合第六方面，在第六方面的某些实现方式中，所述第二通孔用于穿过所述透镜阵列。
158.结合第六方面，在第六方面的某些实现方式中，所述第二隔磁件包括：
159.第二隔磁板，所述第二隔磁板相对于所述拍摄装置的光轴垂直设置，所述第二通孔位于所述第二隔磁板上；
160.至少一个第二隔磁棱，所述第二隔磁棱垂直地设置在所述第二隔磁板上，且位于所述第二隔磁板的靠近所述sma马达的一侧，所述第二隔磁棱环绕在所述第二通孔的外周。
161.结合第六方面，在第六方面的某些实现方式中，所述第二隔磁棱的内壁连通至所述第二通孔的孔壁。
162.结合第六方面，在第六方面的某些实现方式中，所述至少一个第二隔磁棱满足：
163.所述至少一个第二隔磁棱相对于所述第二通孔对称设置；
164.所述至少一个第二隔磁棱等间距分布在所述第二通孔的外周。
165.结合第六方面，在第六方面的某些实现方式中，所述第二隔磁件满足以下至少一项：
166.所述第二隔磁板的厚度大于或等于0.1mm；
167.所述第二隔磁棱的高度大于或等于0.1mm；
168.所述第二隔磁件的相对磁导率大于5。
169.可选的，在0～1mhz内，第二隔磁件的相对磁导率大于5。
170.第七方面，提供了一种电子设备，包括如上述第一方面至第二方面的任一种可能的实现方式所述的摄像头模组。
171.第八方面，提供了一种电子设备，包括如上述第三方面至第四方面的任一种可能的实现方式所述的马达模组。
172.第九方面，提供了一种电子设备，包括如上述第五方面至第六方面的任一种可能的实现方式所述的sma马达。
附图说明
173.图1是一种电子设备的结构性示意图。
174.图2是一种摄像头模组的结构性示意图。
175.图3是一种摄像头模组的爆炸图。
176.图4是一种sma马达的结构性示意图。
177.图5是本技术实施例提供的一种摄像头模组的爆炸图。
178.图6是本技术实施例提供的一种第二隔磁件的结构性示意图。
179.图7是本技术实施例提供的一种第一隔磁件的结构性示意图。
180.图8是一种软磁材料的隔磁原理的示意图。
181.图9是一种软磁材料的隔磁原理的示意图。
182.图10是一种软磁材料的隔磁原理的示意图。
183.图11是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板的立体结构示意图。
184.图12是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板在第一视角下的结构性示意图。
185.图13是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板在第二视角下的结构性示意图。
186.图14是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板的立体结构示意图。
187.图15是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板在第二视角下的结构性示意图。
188.图16是本技术实施例提供的一种磁场分布示意图。
189.图17是本技术实施例提供的一种磁场分布示意图。
190.图18是本技术实施例提供的一种磁场分布示意图。
191.图19是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板的立体结构示意图。
192.图20是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板在第一视角下的结构性示意图。
193.图21是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板在第二视角下的结构性示意图。
194.图22是本技术实施例提供的一种磁场分布示意图。
195.图23是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板的立体结构示意图。
196.图24是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板在第一视角下的结构性示意图。
197.图25是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板在第二视角下的结构性示意图。
198.图26是本技术实施例提供的一种磁场分布示意图。
199.图27是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板的立体结构示
意图。
200.图28是本技术实施例提供的一种第一隔磁件的结构性示意图。
201.图29是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板在第一视角下的结构性示意图。
202.图30是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板在第二视角下的结构性示意图。
203.图31是本技术实施例提供的一种磁场分布示意图。
204.图32是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板在第一视角下的结构性示意图。
205.图33是本技术实施例提供的一种第一隔磁件、第二隔磁件、电路板在第一视角下的结构性示意图。
具体实施方式
206.下面将结合附图，对本技术中的技术方案进行描述。
207.图1示出了一种电子设备100的结构示意图。电子设备100可以为具有摄像或拍照功能的电子设备，例如手机、平板电脑、电视(或智慧屏)、手提电脑、摄像机、录像机、照相机等。为方便理解，本技术实施例以电子设备100是手机为例进行说明。
208.电子设备100可以包括显示屏10和壳体。壳体可以包括边框和后盖20。边框可以环绕在显示屏10的外周，且边框可以环绕在后盖20的外周。显示屏10与后盖20之间可以存在一定间隔。显示屏10可以相对于后盖20平行设置。
209.在电子设备100的显示屏10上可以设置前置摄像头模组(camera compact module，ccm)110。如图1中的左图所示，前置摄像头模组110可以被安装在显示屏10的左上部。前置摄像头模组110例如可以用于自拍。
210.在电子设备100的后盖20上可以设置后置摄像头模组120。如图1中的右图所示，后置摄像头模组120可以被安装在后盖20的左上部。后置摄像头模组120例如可以用于拍摄电子设备100周围的景象。
211.应理解，图1示出的前置摄像头模组110和后置摄像头模组120的安装位置仅仅是示意性的，本技术对摄像头模组的安装位置可以不作限定。在一些其他的实施例中，前置摄像头模组110和后置摄像头模组120也可以被安装在电子设备100上的其他位置。例如前置摄像头模组110可以被安装在显示屏10的中上部或右上部。又如，后置摄像头模组120可以被安装在后盖20的中上部或右上部。又如，前置摄像头模组110或后置摄像头模组120可以被设置在电子设备100内的可移动部件上。通过移动该可移动部件，该可移动部件可以被隐藏在电子设备100内，或者可以伸出电子设备100外。
212.应理解，图1示出的前置摄像头模组110和后置摄像头模组120的安装个数仅仅是示意性的，本技术对摄像头模组的安装个数可以不作限定。电子设备100可以包括数量更多或更少的摄像头模组。
213.图2是本技术实施例提供的一种摄像头模组200的结构性示意图。图3是图2所示的摄像头模组200的爆炸图。摄像头模组200例如可以是图1所示的前置摄像头模组110或后置摄像头模组120。结合图2、图3可知，摄像头模组200可以包括摄像头外壳201、马达模组202
(在某些情况下，马达模组还可以被称为镜头)、电路板203、图像传感器207、支架206。在一个示例中，马达模组202可以包括透镜阵列2022、音圈马达(voice coil motor，vcm)204、形状记忆合金(shape memory alloys，sma)马达205以及用于收容透镜阵列2022、音圈马达204、sma马达205的镜筒(图2未示出)。
214.摄像头外壳201可以收容摄像头模组200内的音圈马达204、sma马达205、支架206、图像传感器207等。透镜阵列2022、电路板203均可以部分位于摄像头外壳201内。摄像头外壳201还可以包括用于设置透镜阵列2022的通孔2011。
215.电路板203可以包括驱动模块(图2未示出)，该驱动模块可以为摄像头模组200内的各种电子器件(如音圈马达204、sma马达205、图像传感器207等)供电，该驱动模块例如可以包括sma马达驱动模块(以下以sma马达驱动模块为例进行说明)。并且，电路板203还可以将来自摄像头模组200内的电子器件的信号传输至摄像头模组200外。电路板203上可以设置有图像传感器207。图像传感器207的中心可以与透镜阵列2022的光轴对齐。
216.透镜阵列2022可以穿过摄像头外壳201上的通孔2011并伸出摄像头外壳201。透镜阵列2022可以将摄像头外壳201的外周的光线投影至图像传感器207。另外，透镜阵列2022还可以在该通孔2011内移动或旋转，以实现例如自动对焦(auto focus)、光学防抖(optical image stabilization，ois)等功能。
217.自动对焦可以指，利用透镜成像原理和光反射原理，被摄物体反射的光在经过透镜阵列2022后可以在图像传感器207上成像；根据被摄物体的物距移动透镜阵列2022中的一个或多个透镜，可以在图像传感器207上形成清晰的图像。自动对焦可以简单看成是透镜阵列2022或透镜在光轴方向上的移动。
218.光学防抖可以指，通过调整透镜阵列2022的摆放角度、摆放位置等，可以减少在捕捉光学信号过程中出现的仪器抖动现象，进而可以提高成像质量。一种可能的方法是，通过例如陀螺仪检测待补偿的位移或角度，然后通过马达驱动透镜阵列2022进行平移或旋转，从而可以补偿曝光期间因成像仪器设备抖动引起的图像模糊。光学防抖可以简单看成是透镜阵列2022在垂直于光轴的平面上的平移或旋转。
219.音圈马达204可以用于执行自动对焦功能。如图3所示，音圈马达204可以包括设置在透镜阵列2022周围的磁石2041、线圈2042。磁石2041可以被固定在摄像头外壳201内且相对于摄像头外壳201固定不动，线圈2042可以被固定在透镜阵列2022上。电路板203可以为线圈2042供电。通电后的线圈2042可以产生磁场1，磁场1与磁石2041所产生的磁场2相互作用，可以产生吸引力或排斥力。因此，线圈2042可以在吸引力或排斥力的作用下带动透镜阵列2022移动，以实现自动对焦的功能。
220.在一些示例中，音圈马达204除了可以实现自动对焦功能，还可以实现光学防抖功能。然而，用户通常希望摄像头可以实现多种图像拍摄场景，如拍摄远景图像、在近景场景下采用大光圈拍摄等。通过调整透镜阵列2022内镜片的数量和/或形状，有利于实现某一种图像拍摄场景。因此，随着对多种图像拍摄场景的追求，透镜阵列2022的载重或尺寸有逐渐增大的趋势。在仅使用音圈马达204以实现自动对焦、光学防抖的情况下，音圈马达204的驱动力不足将不利于拍摄高质量图像，例如图像可能会模糊不清；如果增强音圈马达204的驱动力，需要增大音圈马达204的体积，这不利于摄像头模组200的小型化。
221.图3所示的摄像头模组200还包括用于实现自动对焦功能的sma马达205。也就是
说，sma马达205可以用于补足音圈马达204的驱动力缺口。sma马达205可以相对于透镜阵列2022的光轴垂直设置。下面结合图4，介绍sma马达205的结构和工作原理。
222.sma马达205可以包括与图3中的透镜阵列2022对应的通孔2012。也就是说，透镜阵列2022可以穿过sma马达205上的通孔2012。sma马达205例如可以被固定在透镜阵列2022的靠近图像传感器207的一侧。
223.sma马达205还可以包括与透镜阵列2022相连的动子端20541、动子端20542，以及相对于摄像头外壳201固定的定子端20551、定子端20552。
224.sma马达205还可以包括相互断开的sma线20511、sma线20512、sma线20513、sma线20514。sma线20511连接在动子端20541与定子端20551之间，sma线20512连接在动子端20541与定子端20552之间，sma线20513连接在动子端20542与定子端20552之间，sma线20514连接在动子端20542与定子端20551之间。
225.sma马达205还可以包括簧片2050，簧片2050可以与动子端20541、动子端20542相连。簧片2050还可以包括簧片臂2052、簧片臂2053。簧片臂2052的末端靠近动子端20541，簧片臂2052的开放端伸向动子端20542。簧片臂2052可以包括靠近sma线20511且相对于sma线20511平行设置的簧片臂段20521。簧片臂2052还可以包括靠近sma线20514且相对于sma线20514平行设置的簧片臂段20522。类似地，簧片臂2053的末端靠近动子端20542，簧片臂2052的开放端伸向动子端20541。簧片臂2053可以包括靠近sma线20513且相对于sma线20513平行设置的簧片臂段20531。簧片臂2053还可以包括靠近sma线20512且相对于sma线20512平行设置的簧片臂段20532。
226.sma马达驱动模块可以包括对应sma线20511的第一电连接端口1、第二电连接端口1，还可以包括对应sma线20512的第一电连接端口2、第二电连接端口2，还可以包括对应sma线20513的第一电连接端口3、第二电连接端口3，还可以包括对应sma线20514的第一电连接端口4、第二电连接端口4。
227.sma线20511的两端可以分别与第一电连接端口1、第二电连接端口1电连接，使得sma马达驱动模块可以为sma线20511供电；并且，sma线20511、sma马达驱动模块以及电连接在sma线20511、sma马达驱动模块之间的电连接线1三者可以形成电连接环路。
228.sma线20512的两端可以分别与第一电连接端口2、第二电连接端口2电连接，使得sma马达驱动模块可以为sma线20512供电；并且，sma线20512、sma马达驱动模块以及电连接在sma线20512、sma马达驱动模块之间的电连接线2三者可以形成电连接环路。
229.sma线20513的两端可以分别与第一电连接端口3、第二电连接端口3电连接，使得sma马达驱动模块可以为sma线20513供电；并且，sma线20513、sma马达驱动模块以及电连接在sma线20513、sma马达驱动模块之间的电连接线3三者可以形成电连接环路。
230.sma线20514的两端可以分别与第一电连接端口4、第二电连接端口4电连接，使得sma马达驱动模块可以为sma线20514供电；并且，sma线20514、sma马达驱动模块以及电连接在sma线20514、sma马达驱动模块之间的电连接线4三者可以形成电连接环路。
231.当sma线20511通电时，sma线20511受热收缩，动子端20541有向定子端20551移动的趋势(如箭头1所示)。之后，簧片臂2052的簧片臂段20521受到挤压，可以抵抗sma线20511继续收缩。sma线20511与簧片臂段20521之间的相互作用力可以促使透镜阵列2022相对精准地平行或旋转至指定位置。在sma线20511断电后，sma线20511降温伸长，在簧片臂段
20521的作用下恢复为原状。
232.当sma线20512通电时，sma线20512受热收缩，动子端20541有向定子端20552移动的趋势(如箭头2所示)。之后，簧片臂2053的簧片臂段20532受到挤压，可以抵抗sma线20512继续收缩。sma线20512与簧片臂段20532之间的相互作用力可以促使透镜阵列2022相对精准地平行或旋转至指定位置。在sma线20512断电后，sma线20512降温伸长，在簧片臂段20532的作用下恢复为原状。
233.当sma线20513通电时，sma线20513受热收缩，动子端20542有向定子端20552移动的趋势(如箭头3所示)。之后，簧片臂2053的簧片臂段20531受到挤压，可以抵抗sma线20513继续收缩。sma线20513与簧片臂段20531之间的相互作用力可以促使透镜阵列2022相对精准地平行或旋转至指定位置。在sma线20513断电后，sma线20513降温伸长，在簧片臂段20531的作用下恢复为原状。
234.当sma线20514通电时，sma线20514受热收缩，动子端20542有向定子端20551移动的趋势(如箭头4所示)。之后，簧片臂2052的簧片臂段20522受到挤压，可以抵抗sma线20514继续收缩。sma线20514与簧片臂段20522之间的相互作用力可以促使透镜阵列2022相对精准地平行或旋转至指定位置。在sma线20514断电后，sma线20514降温伸长，在簧片臂段20522的作用下恢复为原状。
235.在一个示例中，控制sma马达205的芯片(或处理器)可以单独控制sma线20511、sma线20512、sma线20513、sma线20514。
236.例如，控制sma马达205的芯片可以计算出透镜阵列2022的待移动位置，并确定sma线20511、sma线20512、sma线20513、sma线20514分别对应收缩量1、收缩量2、收缩量3、收缩量4。之后，在时段1内，芯片可以根据sma线20511的收缩量1所对应的电流强度1，控制电路板203向sma线20511输出电流强度1的电流，并停止对sma线20512、sma线20513、sma线20514的驱动；在时段2内，芯片可以根据sma线20512的收缩量2所对应的电流强度2，控制电路板203向sma线20512输出电流强度2的电流，并停止对sma线20511、sma线20513、sma线20514的驱动；在时段3内，芯片可以根据sma线20513的收缩量3所对应的电流强度3，控制电路板203向sma线20513输出电流强度3的电流，并停止对sma线20512、sma线20511、sma线20514的驱动；在时段4内，芯片可以根据sma线20514的收缩量4所对应的电流强度4，控制电路板203向sma线20514输出电流强度4的电流，并停止对sma线20512、sma线20513、sma线20511的驱动。
237.综上所述，通过对sma马达205进行通电，使得具有热缩冷胀特征的sma马达205可以发生变形，进而可以带动透镜阵列2022相对于摄像头外壳201平移、旋转，以实现光学防抖功能。
238.在一个示例中，在摄像头模组200准备拍摄图像之前，电路板203可以为音圈马达204供电，以驱动音圈马达204进行自动对焦；电路板203还可以为sma马达205供电，以驱动sma马达205进行光学防抖。应理解，在其他示例中，摄像头模组200内的音圈马达204和sma马达205可以共同或联动地实现光学防抖功能。
239.结合图3可知，sma马达205可以被设置在摄像头模组200内的支架206上。该支架206例如可以被固定在电路板203上。也就是说，该支架206可以位于图像传感器207和sma马达205之间。这有利于避免sma马达205过于靠近图像传感器207，减小sma马达205对图像传感器207的磁场影响。
240.该支架206可以包括与图像传感器207对应的通孔2013，该支架206在电路板203上的投影区域可以包含图像传感器207在电路板203上的投影区域。由此，来自透镜阵列2022的光线可以穿过支架206上的通孔2013到达图像传感器207。
241.该支架206还可以包括通孔2014。该通孔2014与sma马达205的引脚(或信号输入端口)位于摄像头模组200的同侧。通过来自电路板203、穿过该通孔2014并连接至sma马达205的引脚的电连接线，可以实现电路板203向sma马达205的驱动或馈电。
242.电路板203可以为sma马达205提供低频交流信号(如脉冲宽度调制(pulse width modulation，pwm)信号)，以降低sma马达205的功耗，减少sma马达205的共振异响，有利于避免sma马达205过热。这种低频交流信号外加sma马达的供电环路，使得sma马达205可能产生干扰磁场，影响摄像头模组200内磁敏感器件(如图像传感器207、图像传感器207的供电电源等)的正常工作。
243.在一个示例中，支架206可以采用具有高磁导率的软磁材料，如低碳钢、铁硅系合金、铁铝系合金、铁硅铝系合金、镍铁系合金、铁钴系合金、软磁铁氧体、非晶态软磁合金、超微晶软磁合金等。但这仅能有限地缓解sma马达205产生的磁场干扰情况(例如仅降低了10～20％的干扰磁场强度)。如果sma马达205使用高频交流供电，则采用软磁材料的支架206所能够实现的隔磁效果将更加有限。另外，由于支架206与图像传感器207的距离很近，支架206可能会受sma马达205影响而感应出新的磁场，该新的磁场的强度可能相对较大。这更不利于减少图像传感器207受到的磁场干扰。
244.图5是本技术实施例提供的一种摄像头模组200。
245.与图2所示的摄像头模组200类似，图5所示的摄像头模组200可以包括摄像头外壳201、透镜阵列2022、电路板203、音圈马达204、sma马达205、支架206、图像传感器207。除此以外，图5所示的摄像头模组200还可以包括设置在sma马达205与支架206之间的第一隔磁件620、第二隔磁件610。与第二隔磁件610相比，第一隔磁件620可以相对更靠近图像传感器207；与第一隔磁件620相比，第二隔磁件610可以相对更靠近透镜阵列2022。
246.例如，在图5所示的示例中，第一隔磁件620可以位于第二隔磁件610与支架206之间。
247.又如，支架206可以位于第一隔磁件620与第二隔磁件610之间。
248.又如，第一隔磁件620可以位于支架206内，第二隔磁件610可以位于支架206的靠近sma马达205的一侧。
249.图6示出了本技术实施例提供的一种第一隔磁件620的结构性示意图。
250.结合图5、图6，第一隔磁件620可以包括相对于图像传感器207平行设置的第一隔磁板621。第一隔磁板621还可以理解为相对于透镜阵列2022的光轴垂直设置。第一隔磁板621的外轮廓例如可以是长方形、圆形、多边形等，本技术对此可以不作限定。
251.结合图5、图6，第一隔磁板621可以包括第一通孔6211。结合图5、图6，在入射至摄像头模组200的光穿过第二隔磁件610之后，可以穿过第一通孔6211；自第一通孔6211射出的光可以投影在图像传感器207上。第一通孔6211的孔壁形状可以与图像传感器207的形状对应。也就是说，第一通孔6211的孔壁在电路板203上的第三投影区域，与图像传感器207在电路板203上的第四投影区域相对应(第四投影区域可以位于第三投影区域内，且第三投影区域与第四投影区域的面积差可以小于预设面积，即第四投影区域的外轮廓与第三投影区
域的外轮廓之间的最大间距可以小于预设间距)。从而图像传感器207可以不受第一隔磁板621的遮挡，以检测来自透镜阵列2022的光，并且有利于确保第一隔磁件620对图像传感器207的隔磁效果(如果第一通孔6211的孔壁形状与图像传感器207的形状相差过大，可能会降低第一隔磁件620对图像传感器207的隔磁效果)。第一通孔6211例如可以是方孔。
252.图7示出了本技术实施例提供的一种第二隔磁件610的结构性示意图。
253.结合图5、图7，第二隔磁件610可以包括相对于图像传感器207平行设置的第二隔磁板611。第二隔磁板611还可以理解为相对于透镜阵列2022的光轴垂直设置。第二隔磁板611的外轮廓例如可以是长方形、圆形、多边形等，本技术对此可以不作限定。
254.结合图5、图7，第二隔磁板611可以包括第二通孔6111。结合图5、图7，在入射至摄像头模组200的光穿过sma马达205之后，可以穿过第二通孔6111；自第二通孔6111射出的光可以投影在图像传感器207上。第二通孔6111的孔壁形状可以与透镜阵列2022的形状对应。也就是说，第二通孔6111的孔壁在电路板203上的第一投影区域，与透镜阵列2022在电路板203上的第二投影区域相对应(第二投影区域可以位于第一投影区域内，且第一投影区域与第二投影区域的面积差可以小于预设面积，即第二投影区域的外轮廓与第一投影区域的外轮廓之间的最大间距可以小于预设间距)。从而透镜阵列2022可以被装配在第二通孔6111内，并且有利于提高第二隔磁件610对图像传感器207的隔磁效果(如果第二通孔6111的孔壁形状与透镜阵列2022的形状相差过大，可能会降低第二隔磁件610对图像传感器207的隔磁效果)。第二通孔6111例如可以是圆孔。
255.第二隔磁件610还可以包括设置在第二隔磁板611上的第二隔磁棱612，该第二隔磁棱612可以相对于第二隔磁板611垂直设置。结合图5、图7，第二隔磁棱612还可以理解为相对于图像传感器207垂直设置，或相对于透镜阵列2022的光轴平行设置。第二隔磁棱612可以环绕在第二通孔6111的外周，且位于第二隔磁板611的远离图像传感器207的一侧。在图5、图7所示的示例中，第二隔磁棱612可以呈环状，且第二隔磁棱612的内壁(第二隔磁棱612的最靠近透镜阵列2022的光轴的侧壁)6121可以连通至第二通孔6111的孔壁。在其他示例中，第二隔磁棱612的内壁6121与第二通孔6111的孔壁之间可以设置有台阶面，该台阶面例如可以相对于第二隔磁板611平行设置。
256.第一隔磁件620、第二隔磁件610均可以采用软磁材料。
257.可选的，第一隔磁件620的相对磁导率(相对磁导率可以指特殊介质的磁导率和真空磁导率的比值，其中，磁导率可以反映材料对受外加磁场作用下的磁化程度)可以大于第一预设相对磁导率，第一预设相对磁导率的取值例如可以是5、10、100。例如，第一隔磁件620的相对磁导率为70。
258.另外，在不同频段下，软磁材料的相对磁导率可能不同。可选的，第一隔磁件620在0～1mhz内相对磁导率可以大于5。
259.类似并可选的，第二隔磁件610的相对磁导率可以大于第二预设相对磁导率，第二预设相对磁导率的取值例如可以是5、10、100。例如，第二隔磁件610的相对磁导率为70。类似并可选的，第二隔磁件610在0～1mhz内相对磁导率可以大于5。
260.下面结合图8至图10，阐述软磁材料的隔磁原理。
261.图8示出了磁场在从材料1进入材料2时的方向偏转原理。材料1中的磁场b1可以沿方向1到达材料1与材料2之间的分界面，该方向1与垂直于分界面的法线之间的夹角为θ1。
进入材料2的磁场b2可以自材料1与材料2之间的分界面沿方向2继续传播，方向2与垂直于分界面的法线之间的夹角为θ2。材料1的相对磁导率为μ1，材料1的相对磁导率为μ2。在μ2》μ1的情况下，θ2》θ1。在μ2远大于μ1的情况下，θ2趋近于90
°
，则b2的方向与分界面近似相切。
262.根据材料分界面偏转角度和相对磁导率的关系，干扰磁场由其他介质进入软磁材料介质后，可以发生方向偏转。因此，沿法线传播的磁场分量相对较小。
263.另外，变化的磁场在穿过软磁材料时会产生涡流效应，干扰磁场的部分能量可以转变为热能而被耗散。可转变为热能的磁场能量的大小通常与软磁材料的电导率有关。
264.并且，在变化的磁场的作用下，软磁材料的磁畴方向可以发生变化。不停变化的磁畴可以相互作用，进而引起材料发热。磁畴方向的变化能力通常与软磁材料的剩余磁通量和矫顽力等参数相关。
265.综上所述，如图9所示，软磁材料可以削弱经过的干扰磁场强度，即图9中的b
in
可以大于b
out
。如图10所示，在干扰环路与受扰环路之间设置软磁材料，有利于减少进入受扰环路的磁场强度。
266.由于第一隔磁件620、第二隔磁件610均使用软磁材料，来自sma马达的干扰磁场在经过第二隔磁件610、第一隔磁件620后，继续向图像传感器207传播的磁场分量很小；另外，sma马达可以产生变化的磁场，该变化的磁场在穿过第二隔磁件610或第一隔磁件620时会产生涡流效应，并且，该变化的磁场可以使第二隔磁件610或第一隔磁件620的磁畴方向发生变化，进而使得干扰磁场的部分能量可以转变为热能而被耗散。因此，第一隔磁件620、第二隔磁件610均使用软磁材料，有利于减少图像传感器207或图像传感器207的供电电源所受到的磁场干扰。
267.图11至图13示出了本技术提供的第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203(应理解，与图2至图5所示的电路板203相比，图11至图13简化地表达了电路板203的形状)之间的一种位置关系，该电路板203上设置有图像传感器207。其中，图11示出了第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203的立体结构示意图；图12示出了第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203在第一视角下的结构示意图，第一视角可以是沿图11中箭头901所示的观察视角(即垂直于光轴的观察视角)；图13示出了第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203在第二视角下的结构示意图，第二视角可以是沿图11中箭头902所示的观察视角(即平行于光轴的观察视角)。
268.可选的，第二隔磁棱612的高度h1可以大于或等于0.1mm。
269.例如，第二隔磁棱612的高度h1可以为0.2mm。
270.可选的，第二隔磁板611的厚度h2可以大于或等于0.1mm。
271.例如，第二隔磁板611的厚度h2可以为0.15mm。
272.可选的，第二隔磁板611的厚度h2可以大于或等于0.2mm。
273.结合图5和图12可知，第二隔磁件的总厚度(如h1 h2)可以根据sma马达205相对于透镜阵列2022的位置确定。例如，透镜阵列2022的靠近图像传感器的一端与sma马达205的间距为s1，h1 h2《s1。另外，第二隔磁件应当不影响透镜阵列2022的自动聚焦和光学防抖。
274.可选的，第一隔磁板621的厚度h3可以大于或等于0.1mm。
275.例如，第一隔磁板621的厚度h3可以为0.15mm。
276.可选的，第一隔磁板621的厚度h3可以大于或等于0.2mm。
277.需要说明的是，如果第一隔磁板621是通过电镀的方式形成在支架206上，则第一隔磁板621的厚度h3可以相对较小，例如第一隔磁板621的厚度h3可以为0.005～0.05mm。又如，第一隔磁板621的厚度h3可以为0.01mm。
278.可选的，第一隔磁板621与电路板203之间的间隔距离可以大于或等于0.1mm。
279.例如，第一隔磁板621与电路板203之间的间隔距离可以为0.8mm。
280.可选的，第一隔磁板621与图像传感器207之间的间隔距离d1可以大于或等于0.1mm。
281.例如，第一隔磁板621与图像传感器207之间的间隔距离d1可以为0.8mm。
282.可选的，第二隔磁板611与第一隔磁板621之间的间隔距离d2(如最小间隔距离、平均间隔距离)可以大于或等于0.1mm。
283.例如，第二隔磁板611与第一隔磁板621之间的间隔距离d2可以为0.15mm。
284.在一个示例中，第二隔磁板611、第一隔磁板621可以分别贴覆在如图5所示的支架206的两侧，第二隔磁板611与第一隔磁板621之间的间隔距离可以等于支架206的厚度。
285.另外，结合图11至图13可知，第一隔磁件620的第一通孔6211在电路板203上的投影区域(即上文中的第三投影区域)，与图像传感器207在电路板203上的投影区域(即上文中的第四投影区域)可以近似完全重合。也就是说，该第三投影区域的第一外轮廓与该第四投影区域的第二外轮廓之间的最大间距可以约等于零。
286.在一种可能的场景中，图像传感器207的感光区域可以是图像传感器207的部分区域，则即使该第三投影区域与该第四投影区域完全重合，第一隔磁件620可能也不会遮挡图像传感器207的感光区域。不仅如此，第一隔磁件620可以具有相对较大的隔磁面积(即更有利于遮挡sma马达对图像传感器207的引脚的磁场干扰)，有利于减小图像传感器207或图像传感器207的供电电源所受到的磁场干扰。
287.类似地，在保证透镜阵列2022的光学防抖功能的情况下，第二隔磁板611的第二通孔6111在电路板203上的投影区域(即上文中的第一投影区域)的外轮廓，与透镜阵列2022在电路板203上的投影区域(即上文中的第二投影区域)的外轮廓之间的最大间距可以相对较小，以尽可能获得大的隔磁面积。
288.图14、图15示出了本技术提供的第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203之间的另一种位置关系，该电路板203上设置有图像传感器207。其中，图14示出了第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203的立体结构示意图；图15示出了第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203在第一视角下的结构示意图，第一视角可以是沿图14中箭头1501所示的观察视角(即垂直于光轴的观察视角)。第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203在第二视角下的结构示意图可以参照图12所示的实施例，其中第二视角可以是沿图14中箭头1501所示的观察视角(即平行于光轴的观察视角)。
289.与图11、图13所示的示例不同，在图14、图15中，第一隔磁件620的第一通孔6211在电路板203上的投影区域(即上文中的第三投影区域)，与图像传感器207在电路板203上的投影区域(即上文中的第四投影区域)可以不完全重合，且该第四投影区域可以位于该第三投影区域内。如图15所示，图像传感器207的引脚2071在电路板203上的投影区域可以位于该第三投影区域以内。也就是说，该第三投影区域的第一外轮廓与该第四投影区域的第二外轮廓之间的间距d3的最大值可以大于零。这有利于避免第一隔磁件620遮挡入射至图像
传感器207的光。然而，为了提高第一隔磁件620的隔磁效果，可选的，该第三投影区域的第一外轮廓与该第四投影区域的第二外轮廓之间的最大间距可以小于或等于1.5mm。例如，该第三投影区域的第一外轮廓与该第四投影区域的第二外轮廓之间的平均间距可以为0.2mm。
290.图16示出了两种磁场分布图，分别为磁场分布图-1、磁场分布图-2。磁场分布图-1对应图2所示的摄像头模组200。磁场分布图-2对应图5所示的摄像头模组200，磁场分布图-2可以包含如图5所示的第一隔磁件620、第二隔磁件610。图16中的受扰平面可以指图2或图5所示的图像传感器207所在的平面。从图16可以看出，在磁场分布图-1中，位于受扰平面附近的磁场强度相对较大；在磁场分布图-2中，位于受扰平面附近的磁场强度相对较小。
291.局部观察图16中的局部观察区域-1，可以得到如图17所示的局部观察区域-1的磁场分布图。局部观察图16中的局部观察区域-2，可以得到如图17所示的局部观察区域-2的磁场分布图。局部观察区域-1的磁场分布图可以对应图2所示的摄像头模组200。局部观察区域-2的磁场分布图可以对应图5所示的摄像头模组200。如图17所示，在局部观察区域-1的磁场分布图中布置有如图5所示的第一隔磁件620、第二隔磁件610。
292.结合图2、局部观察区域-1的磁场分布图，由于支架206的材料可以为无磁材料，因此支架206无法起到隔磁效果，干扰磁场穿过支架206时基本不会发生磁场变化，支架206内也基本不会发生涡流效应、磁畴方向变更等现象。
293.结合图5、局部观察区域-2的磁场分布图，第一隔磁件620、第二隔磁件610均为软磁材料，因此干扰磁场在穿过第二隔磁件610时发生了磁场变化，干扰磁场在穿过第一隔磁件620时再次发生磁场变化；另外，第一隔磁件620、第二隔磁件610内均可以发生涡流效应、磁畴方向变更等现象。
294.图18示出了受扰平面-1的磁场分布图、受扰平面-2的磁场分布图。受扰平面-1的磁场分布图对应图2所示的摄像头模组200。受扰平面-2的磁场分布图对应图5所示的摄像头模组200。可以看出，图2中的图像传感器207可以受到强度相对较大的干扰磁场，而图5中的图像传感器207可以受到强度相对较小的干扰磁场。
295.表1在磁通量上对本技术提供的多个实施例进行比较。可以看出，与图2所示的摄像头模组200相比，在图5所示的摄像头模组200中，磁敏感部件(包括图像传感器207、电路板203上的供电电源等)受到的磁场干扰程度可以被降低约44～46％。与仅使用单层软磁材料构件的摄像头模组相比，在图5所示的摄像头模组200中，磁敏感部件受到的磁场干扰程度可以被降低约28～42％。
296.表1磁通量对比
[0297][0298]
图19至图21示出了本技术实施例提供的另一种第二隔磁件610，以及该第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203之间的一种位置关系。其中，图19示出了第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203的立体结构示意图；图20示出了第一隔磁件620、第二隔磁件
610、电路板203在第一视角下的结构示意图，第一视角可以是沿图19中箭头1901所示的观察视角(即平行于光轴的观察视角)；图21示出了第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203在第二视角下的结构示意图，第二视角可以是沿图19中箭头1902所示的观察视角(即垂直于光轴的观察视角)。图19所示的第二隔磁件610可以应用在如图2或图5所示的摄像头模组200中。
[0299]
与图14、图15所示的实施例不同，图19至图21所示的第二隔磁件610可以包括2个第二隔磁棱612，每个第二隔磁棱612环绕在第二通孔6111的外周，且相对于第二隔磁板611垂直设置。每个第二隔磁棱612的形状可以呈1/n1个圆环状，n1》2。如图19所示，n1例如可以为4，即每个第二隔磁棱612的形状为1/4圆环状。每个第二隔磁棱612的内壁(即最靠近如图5所示的透镜阵列2022的光轴的侧壁)6121可以连通至第二通孔6111的孔壁。
[0300]
另外，如图19至图21所示，由于图像传感器207的引脚(或端口)2071可以相对于图像传感器207的中心面对称设置，因此该2个第二隔磁棱612可以相对于图像传感器207的中心面对称设置。也就是说，第二隔磁棱612在第二隔磁板611上的位置可以尽可能靠近图像传感器207的引脚2071(例如第二隔磁棱612可以与引脚2071位于图5所示的摄像头模组200的同侧)，以尽可能提升隔磁效果。换句话说，在某些特殊的场景下，如果图像传感器207的引脚2071不是对称设置的，第二隔磁棱612也可以不对称地设置在第二隔磁板611上。
[0301]
图22示出了对应图19至图21所示实施例的磁场分布图。表2在磁通量上对本技术提供的多个实施例进行比较。可以看出，与图2所示实施例相比，在图19至图21所示的实施例中，磁敏感部件(包括图像传感器207、电路板203上的供电电源等)受到的磁场干扰程度可以被降低约44～46％。与仅使用单层软磁材料构件的实施例相比，在图19至图21所示的实施例中，磁敏感部件受到的磁场干扰程度可以被降低约28～42％。从图22所示的磁场分布图可知，在第二隔磁板的部分位置设置第二隔磁棱，有利于减少第二隔磁件整体的重量，对第二隔磁件的隔磁效果基本没有影响；并且还有利于灵活地避让摄像头模组内的其他器件。
[0302]
表2磁通量对比
[0303][0304]
图23至图25示出了本技术实施例提供的又一种第二隔磁件610，以及该第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203之间的一种位置关系。其中，图23示出了第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203的立体结构示意图；图24示出了第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203在第一视角下的结构示意图，第一视角可以是沿图23中箭头2301所示的观察视角(即平行于光轴的观察视角)；图25示出了第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203在第二视角下的结构示意图，第二视角可以是沿图23中箭头2302所示的观察视角(即垂直于光轴的观察视角)。图23所示的第二隔磁件610可以应用在如图2或图5所示的摄像头模组200中。
[0305]
与图19至图21所示的实施例不同，图23至图25所示的第二隔磁件610可以包括数
量更多的第二隔磁棱612。如图23所示，第二隔磁件610可以包括4个第二隔磁棱612，每个第二隔磁棱612的形状可以呈1/8～1/6个圆环状。该4个第二隔磁棱612可以等间距地环绕在第二通孔6111的外周。该4个第二隔磁棱612可以相对于如图5所示的透镜阵列2022的光轴对称设置。
[0306]
应理解，如果干扰磁场强区(或磁敏感部件)不是对称分布的，由于第二隔磁棱612越靠近干扰磁场强区(或磁敏感部件)，隔磁效果可能就越好，因此第二隔磁件610上的多个第二隔磁棱612也可以不对称分布。类似地，如果干扰磁场强区(或磁敏感部件)不是等间距分布的，则第二隔磁件610上的多个第二隔磁棱612也可以不等间距分布。
[0307]
图26示出了对应图23至图25所示实施例的磁场分布图。表3在磁通量上本技术提供的多个实施例进行比较。可以看出，与图2所示实施例相比，在图23至图25所示的实施例中，磁敏感部件(包括图像传感器207、电路板203上的供电电源等)受到的磁场干扰程度可以被降低约44～46％。与仅使用单层软磁材料构件的实施例相比，在图23至图25所示的实施例中，磁敏感部件受到的磁场干扰程度可以被降低约28～42％。可以看出，图23至图25所示的实施例可以有利于降低减小图像传感器207受到干扰磁场。从图26所示的磁场分布图可知，在第二隔磁板设置梳齿状的第二隔磁棱，有利于减少第二隔磁件整体的重量，对第二隔磁件的隔磁效果基本没有影响；并且还有利于灵活地避让摄像头模组内的其他器件。
[0308]
表3磁通量对比
[0309][0310]
应理解，本技术实施例可以不限定第二隔磁棱612的具体数量。
[0311]
例如，结合图19、图23所示的实施例可知，在第二隔磁板611上设置有n个第二隔磁棱612的情况下(n为大于1的整数)，由于第二隔磁棱612应尽可能靠近第二通孔6111，因此，每个第二隔磁棱612的形状可以是完整圆环的一小段。又由于n个第二隔磁棱612互不相连，因此在n个第二隔磁棱612形状完全相同的情况下，每个第二隔磁棱612的形状可以是1/n个圆环状，n》n。
[0312]
并且，在第二隔磁棱612的数量相对较多的情况下，该n个第二隔磁棱612可以排列形成梳状隔磁棱组件。
[0313]
图27至图30示出了本技术实施例提供的另一种第一隔磁件620，以及该第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203之间的一种位置关系。其中，图27示出了第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203的立体结构示意图；图28示出了第一隔磁件620的结构性示意图；图29示出了第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203在第一视角下的结构示意图，第一视角可以是沿图27中箭头2701所示的观察视角(即平行于光轴的观察视角)；图30示出了第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203在第二视角下的结构示意图，第二视角可以是沿图27中箭头2702所示的观察视角(即垂直于光轴的观察视角)。图27所示的第一隔磁件620可以应用在如图2或图5所示的摄像头模组200中。
[0314]
与图14、图15所示的实施例不同，图27至图30所示的第一隔磁件620可以包括第一
隔磁棱622。该第一隔磁棱622可以相对于第一隔磁板621垂直设置。第一隔磁棱622可以环绕在第一通孔6211的外周，且位于第一隔磁板621的远离图像传感器207的一侧。第一隔磁棱622可以呈方框状。可选的，第一隔磁棱622的高度h4可以大于或等于可以大于或等于0.01mm。例如，第一隔磁棱622的高度h4可以为0.1mm。结合图5、图27，第一隔磁棱622的高度h4可以小于第一隔磁板621与透镜阵列2022之间的间距。
[0315]
如图28所示，第一隔磁棱622的内壁(即第一隔磁棱622的最靠近如图5所示的透镜阵列2022的光轴的侧壁)6221可以连通至第一通孔6211的孔壁。在其他示例中，第一隔磁棱622的内壁6221与第一通孔6211的孔壁之间路设置有台阶面，该台阶面可以相对第一隔磁板621平行设置。
[0316]
图31示出了对应图27至图30所示实施例的磁场分布图。表4在磁通量上本技术提供的多个实施例进行比较。可以看出，与图2所示实施例相比，在图27至图30所示的实施例中，磁敏感部件(包括图像传感器207、电路板203上的供电电源等)受到的磁场干扰程度可以被降低约48～50％。与仅使用单层软磁材料构件的实施例相比，在图27至图30所示的实施例中，磁敏感部件受到的磁场干扰程度可以被降低约30～47％。
[0317]
表4磁通量对比
[0318][0319]
结合图19、图23、图27所示的实施例可知，第一隔磁件620可以包括多个第一隔磁棱622，每个第一隔磁棱622可以垂直设置在第一隔磁板621上。每个第一隔磁棱622可以环绕在第一通孔6211的外周。在一个示例中，每个第一隔磁棱622的内壁6221可以连通至第一通孔6211的孔壁。在一个示例中，在第一通孔6211为方形孔的情况下，任一第一隔磁棱622可以呈长条形或拐角形。在一个示例中，多个第一隔磁棱622可以呈对称分布或等间距分布。在一个示例中，在第一隔磁棱622的数量相对较多的情况下，该n个第一隔磁棱622可以排列形成梳状隔磁棱组件。
[0320]
应理解，如果干扰磁场强区(或磁敏感部件)不是对称分布的，由于第一隔磁棱622越靠近干扰磁场强区(或磁敏感部件)，隔磁效果可能就越好，因此第一隔磁件620上的多个第一隔磁棱622也可以不对称分布。类似地，如果干扰磁场强区(或磁敏感部件)不是等间距分布的，则第一隔磁件620上的多个第一隔磁棱622也可以不等间距分布。
[0321]
图32示出了本技术实施例提供的第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203之间的一种位置关系。其中，第二隔磁件610可以参照如图19所示的实施例，第一隔磁件620可以参照如图27所示的实施例，在此就不再赘述。
[0322]
图33示出了本技术实施例提供的第一隔磁件620、第二隔磁件610、电路板203之间的一种位置关系。其中，第二隔磁件610可以参照如图23所示的实施例，第一隔磁件620可以参照如图27所示的实施例，在此就不再赘述。
[0323]
以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵
盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。