一种交叉耦合式改进型电平移位电路的制作方法

技术特征：
1.一种交叉耦合式改进型电平移位电路，其特征在于，所述交叉耦合式改进型电平移位电路呈上下对称结构，在上下对称结构各自内部交叉耦合，其共同输入端(in)接入高电平为vdd低电压为gnd的脉冲信号，并将脉冲信号进行反相，通过反相后的脉冲信号控制自身晶体管的导通，控制其共同输出端(out)输出高电位为vp低电位为vn的脉冲信号。2.根据权利要求1所述的交叉耦合式改进型电平移位电路，其特征在于，呈上下对称结构的上部分交叉耦合电路包括：第一mos管(m1)、第二mos管(m2)、第一电容(c1)、第二电容(c2)、第五mos管(m5)、第七mos管(m7)，其中，所述第一电容(c1)的一端以及所述第五mos管(m5)的栅极连接共同输入端(in)；所述第一电容(c1)的另一端连接所述第二mos管(m2)的栅极以及所述第一mos管(m1)的漏极；所述第二mos管(m2)的源极、所述第一mos管(m1)的源极以及第七mos管(m7)的源极连接输出信号的高电位vp；所述第一mos管(m1)的栅极、所述第二mos管(m2)的漏极、第二电容(c2)的一端以及第七mos管(m7)的栅极连接在一起；所述第五mos管(m5)的源极连接电源电压(vdd)；所述第五mos管(m5)的漏极以及第二电容(c2)的另一端连接在一起；呈上下对称结构的下部分交叉耦合电路包括：第三mos管(m3)、第四mos管(m4)、第三电容(c3)、第四电容(c4)、第六mos管(m6)、第八mos管(m8)，其中，所述第三电容(c3)的一端以及所述第六mos管(m6)的栅极连接共同输入端(in)；所述第三电容(c3)的另一端连接所述第四mos管(m4)的栅极以及所述第三mos管(m3)的漏极；所述第四mos管(m4)的源极、所述第三mos管(m3)的源极以及第八mos管(m8)的源极连接输出信号的低电位vn；所述第三mos管(m3)的栅极、所述第四mos管(m4)的漏极、第四电容(c4)的一端以及第八mos管(m8)的栅极连接在一起；所述第六mos管(m6)的源极连接电源地(gnd)；所述第六mos管(m6)的漏极以及第四电容(c4)的另一端连接在一起；所述第五mos管(m5)的栅极、第六mos管(m6)的栅极连接在一起，第五mos管(m5)的漏极以及第六mos管(m6)的漏极连接在一起；第七mos管(m7)的漏极以及第八mos管(m8)的漏极连接在一起，作为共同输出端(out)。

技术总结
本发明提供的一种交叉耦合自举式改进型电平移位电路，输出信号电源轨不受输入信号电源轨影响，输出信号电源轨范围可大于也可小于输入信号电源轨范围。相比于传统交叉式耦合自举式电平移位电路输出信号电源轨受到输入信号电源轨限制，仅能将一个GND～VDD的信号，向上移位至(VP-VDD)～VP或者向下移位至(GND-VDD)～GND，本发明可实现输出信号不受输入信号的影响，且本发明电路结构简单，所占面积小，可适用于开关电源等各种需要电平转换的电路中。中。中。


技术研发人员：张纪夫 李宇飞
受保护的技术使用者：芜湖威尔芯半导体有限公司
技术研发日：2022.01.11
技术公布日：2022/5/25