一种复合金属箔及线路板的制作方法

技术特征：
1.一种复合金属箔，其特征在于，包括：第一导电层和第一电阻层；所述第一导电层设置在所述第一电阻层的一侧；所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧的至少部分区域设置有凸起结构。2.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧的粗糙度rz的范围为0.1μm-30μm。3.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧的粗糙度sdr的范围为大于或等于0.5％。4.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧的全部区域均设置有凸起结构。5.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧的至少部分区域设置有多个连续的凸起结构。6.根据权利要求5所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧的全部区域均设置有多个连续的凸起结构。7.根据权利要求1或4或5或6所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧的粗糙度rz的范围为0.1μm-10μm，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧的粗糙度sdr的范围为大于或等于20％。8.根据权利要求1或4或5或6所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧的粗糙度rz的范围为0.1μm-10μm，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧的粗糙度sdr的范围为大于或等于50％。9.根据权利要求1或4或5或6所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧的粗糙度rz的范围为0.1μm-10μm，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧的粗糙度sdr的范围为大于或等于200％。10.根据权利要求1-6任一所述的复合金属箔，其特征在于，还包括至少一层介质层，所述介质层设置在所述第一电阻层远离所述第一导电层的一侧。11.根据权利要求10所述的复合金属箔，其特征在于，所述介质层远离所述第一电阻层的一侧设置有第二电阻层和第二导电层，所述第二电阻层位于所述介质层与所述第二导电层之间。12.根据权利要求1-6任一所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层的材质包括镍、铬、铂、钯、钛中的至少一种单质金属，和/或包括镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。13.根据权利要求12所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层为单层结构或至少两层结构。14.一种线路板，其特征在于，包括如权利要求1-13任一所述的复合金属箔。

技术总结
本发明公开一种复合金属箔及线路板，复合金属箔包括：第一导电层和第一电阻层，第一导电层设置在第一电阻层的一侧，第一电阻层靠近第一导电层的一侧的至少部分区域设置有凸起结构。凸起结构的存在，增大了第一电阻层的截面积，提高了第一电阻层的载流量，进而提高了第一电阻层的耐ESD性能，进而提高了埋入式电阻的抗静电击穿性能。阻的抗静电击穿性能。阻的抗静电击穿性能。


技术研发人员：苏陟
受保护的技术使用者：广州方邦电子股份有限公司
技术研发日：2020.11.19
技术公布日：2022/5/20