薄膜体声波谐振器及滤波器的制作方法

技术特征：
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括具有空腔的衬底、位于所述衬底上的底电极、位于所述底电极上的压电层、位于所述压电层上的顶电极，所述底电极通过贯穿设置于所述压电层内的引出金属引出至所述压电层靠近所述顶电极的一侧；所述衬底包括本体、位于所述本体上的环形保护墙以及围设于所述环形保护墙外周的绝缘层，其中，位于所述环形保护墙内部的区域形成所述空腔。2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器还包括位于所述顶电极上的封装薄膜层，所述封装薄膜层具有用于封装所述薄膜体声波谐振器的封装腔，所述封装腔位于所述薄膜体声波谐振器的谐振区域的上方；其中，所述空腔、所述底电极、所述压电层和所述顶电极的交叠区域形成所述谐振区域；所述薄膜体声波谐振器还包括贯穿所述封装薄膜层的第一引出电极和第二引出电极，所述第一引出电极和所述引出金属接触连接，所述第二引出电极与所述顶电极接触连接。3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述封装薄膜层包括依次设于所述顶电极上的第一子薄膜层、第二子薄膜层和第三子薄膜层。4.根据权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一子薄膜层和所述第二子薄膜层的材料不同。5.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器还包括位于所述顶电极和所述封装薄膜层之间的钝化层，所述第一引出电极依次贯穿所述封装薄膜层和所述钝化层以与所述引出金属接触连接，所述第二引出电极依次贯穿所述封装薄膜层和所述钝化层以与所述顶电极接触连接。6.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述钝化层的材料为氮化铝。7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在所述薄膜体声波谐振器的谐振区域内，所述顶电极和所述底电极分别在所述衬底上的正投影的轮廓形状为m条弧线和n条直线段围合形成的封闭图形，所述m为大于或等于1的整数，所述n为大于或等于0的整数，所述空腔、所述底电极、所述压电层和所述顶电极的交叠区域形成所述谐振区域。8.根据权利要求7所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在所述薄膜体声波谐振器的谐振区域内，所述压电层在所述衬底上的正投影的轮廓形状也为m条弧线和n条直线段围合形成的封闭图形。9.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述底电极和所述顶电极的材料分别为钼、铝、铂、银、钨和金中的任意一种。10.一种滤波器，其特征在于，包括权利要求1至9中任意一项所述的薄膜体声波谐振器。

技术总结
一种薄膜体声波谐振器及滤波器，涉及谐振器技术领域。该薄膜体声波谐振器包括具有空腔的衬底、位于衬底上的底电极、位于底电极上的压电层、位于压电层上的顶电极，底电极通过贯穿设置于压电层内的引出金属引出至压电层靠近顶电极的一侧；衬底包括本体、位于本体上的环形保护墙以及围设于环形保护墙外周的绝缘层，其中，位于环形保护墙内部的区域形成空腔。该薄膜体声波谐振器由于设置了环形保护墙，因此能够避免绝缘层被过度腐蚀且能够便于对衬底表面进行抛光，进而提高器件的性能和良率。进而提高器件的性能和良率。进而提高器件的性能和良率。


技术研发人员：陈邦涛 孙博文 丁志鹏 萧莉燕 林炳辉 孙成亮
受保护的技术使用者：武汉敏声新技术有限公司
技术研发日：2021.12.10
技术公布日：2022/5/16