半导体器件的封装结构的制作方法

技术特征：
1.一种半导体器件的封装结构，包括：基板，所述基板的上表面上设置有凹槽，所述凹槽的侧表面下端具有阶梯部，并且在所述凹槽的底表面上设置有焊接区域；第一封装胶体，设置在所述阶梯部的上表面和所述凹槽的位于所述阶梯部上方的侧表面上；半导体器件，设置在所述凹槽中，所述半导体器件的侧表面和下表面的外缘抵接所述第一封装胶体；导电凸块，设置在所述半导体器件的下表面的焊盘上，用于电连接到所述焊接区域中的焊盘，其中所述导电凸块的长度大于或等于所述阶梯部的高度；以及第二封装胶体，设置成覆盖所述第一封装胶体的上表面、所述半导体器件的上表面和所述基板的上表面。2.根据权利要求1所述的封装结构，还包括：定位结构，设置在所述半导体器件的下表面上，所述定位结构的长度小于或等于所述导电凸块的长度。3.根据权利要求2所述的封装结构，其中，在所述定位结构邻接所述阶梯部的侧表面。4.根据权利要求2所述的封装结构，其中，所述定位结构是所述导电凸块。5.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述基板是由选自树脂、陶瓷和金属中的至少一种材料制成的封装基板或引线框架。6.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述半导体器件是在晶圆上制备的声学谐振器，其中所述导电凸块的长度大于所述声学谐振器的厚度。7.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述导电凸块由铜、铝或者它们的合金制成。8.根据权利要求7所述的封装结构，其中，所述导电凸块通过焊球倒装焊接到所述焊接区域中的焊盘。9.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述导电凸块是焊球。10.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一封装胶体和所述第二封装胶体包括相同或不同的材料。11.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一封装胶体和所述第二封装胶体包括可固化树脂材料。

技术总结
本公开提供了一种半导体器件的封装结构。该封装结构包括：基板，基板的上表面上设置有凹槽，凹槽的侧表面下端具有阶梯部，并且在凹槽的底表面上设置有焊接区域；第一封装胶体，设置在阶梯部的上表面和凹槽的位于阶梯部上方的侧表面上；半导体器件，设置在凹槽中，半导体器件的侧表面和下表面的外缘抵接第一封装胶体；导电凸块，设置在半导体器件的下表面的焊盘上，用于电连接到焊接区域中的焊盘，其中导电凸块的高度大于或等于阶梯部的高度；以及第二封装胶体，设置成覆盖第一封装胶体的上表面、半导体器件的上表面和基板的上表面。根据本公开的半导体器件的封装结构，能够减小半导体器件的封装结构的尺寸并且降低半导体器件的封装结构的成本。的封装结构的成本。的封装结构的成本。


技术研发人员：唐滨 陈小军 赖志国 杨清华
受保护的技术使用者：苏州汉天下电子有限公司
技术研发日：2021.12.30
技术公布日：2022/5/8