一种实现高密度耦合的光发射机及光模块的制作方法

技术特征：
1.一种实现高密度耦合的光发射机，其特征在于，所述光发射机包括：包括至少一个第一激光器芯片的第一激光器阵列、包括至少一个第二激光器芯片的第二激光器阵列、第一耦合单元、第二耦合单元，光子集成芯片；所述光子集成芯片包括设于表面的第一耦合器和设于端面的第二耦合器；所述第一耦合单元设于所述第一激光器阵列与所述第一耦合器之间，用于将所述第一激光器阵列发射出的光信号耦合到所述第一耦合器内；所述第二耦合单元设于所述第二激光器阵列与所述第二耦合器之间，用于将所述第二激光器阵列发射出的光信号耦合到所述第二耦合器内。2.根据权利要求1所述的实现高密度耦合的光发射机，其特征在于，所述光发射机还包括基板，所述第一激光器阵列和第二激光器阵列分别固定于所述基板上，且所述第一激光器阵列与第二激光器阵列之间在垂直于所述基板表面的方向上具有预设高度差。3.根据权利要求2所述的实现高密度耦合的光发射机，其特征在于，所述基板包括层叠设置的上基板和下基板，所述上基板与所述光子集成芯片的间距大于所述下基板与所述光子集成芯片的间距；所述第一激光器阵列设于所述上基板的表面，并与所述上基板上的金属线路电连接；所述第二激光器阵列设于所述下基板的突出于所述上基板之外的区域表面，并与所述下基板上的金属线路电连接。4.根据权利要求3所述的实现高密度耦合的光发射机，其特征在于，所述第一耦合单元，包括前准直透镜、后准直透镜以及反射镜；所述前准直透镜固定设于所述上基板的表面，所述后准直透镜和反射镜间隔固定设于所述光子集成芯片的表面上方；所述第一激光器阵列发射的激光先依次经所述前准直透镜和后准直透镜准直后，再经所述反射镜反射进入所述第一耦合器内。5.根据权利要求3所述的实现高密度耦合的光发射机，其特征在于，所述第二耦合单元，包括前准直透镜和后准直透镜；所述前准直透镜固定设于所述下基板的表面，所述后准直透镜固定设于所述前准直透镜与所述第二耦合器之间；所述第二激光器阵列发射的激光依次经所述前准直透镜和后准直透镜准直后进入所述第二耦合器内。6.根据权利要求3所述的实现高密度耦合的光发射机，其特征在于，所述第一激光器阵列，包括多个第一激光器芯片；所述多个第一激光器芯片，在所述上基板的表面沿平行于所述第一耦合器的入射端口的方向，呈预设间距排布。7.根据权利要求3所述的实现高密度耦合的光发射机，其特征在于，所述第二激光器阵列，包括多个第二激光器芯片；所述多个第二激光器芯片，在所述下基板的表面沿平行于所述第二耦合器的入射端口的方向，呈预设间距排布。8.根据权利要求1所述的实现高密度耦合的光发射机，其特征在于，所述第一耦合器为光栅耦合器，所述第二耦合器为模斑变换器。
9.一种光模块，其特征在于，包括如权利要求1至8任一所述的实现高密度耦合的光发射机。

技术总结
本实用新型涉及光通信技术领域，公开了一种实现高密度耦合的光发射机及光模块。所述光发射机包括：包括至少一个第一激光器芯片的第一激光器阵列、包括至少一个第二激光器芯片的第二激光器阵列、第一耦合单元、第二耦合单元，光子集成芯片；光子集成芯片包括设于表面的第一耦合器和设于端面的第二耦合器；第一耦合单元设于第一激光器阵列与第一耦合器之间，用于将第一激光器阵列发射出的光信号耦合到所述第一耦合器内；所述第二耦合单元设于第二激光器阵列与第二耦合器之间，用于将第二激光器阵列发射出的光信号耦合到第二耦合器内。本实用新型实施例实现了两个维度上的光路耦合，有效提高了光路耦合密度，有利于实现光发射机小尺寸和低成本。寸和低成本。寸和低成本。


技术研发人员：廖振兴 王会涛 戈超 钱银博
受保护的技术使用者：东莞铭普光磁股份有限公司
技术研发日：2021.11.24
技术公布日：2022/4/29