一种电化学装置和电子装置的制作方法

技术特征：
1.一种电化学装置，其包括负极极片，所述负极极片包括负极材料层，所述负极材料层包括硅碳复合材料，所述硅碳复合材料包括多孔碳骨架和硅材料，所述硅碳复合材料的平均粒径为aμm，满足3≤a≤15，所述负极材料层的孔隙率为b％，所述电化学装置满足0.15≤a/b≤1。2.根据权利要求1所述的电化学装置，其中，所述负极材料层的孔隙率b％满足15≤b≤35。3.根据权利要求1所述的电化学装置，其中，所述负极材料层的压实密度为1.2g/cm3至1.8g/cm3。4.根据权利要求1所述的电化学装置，其中，基于所述硅碳复合材料的质量，所述硅碳复合材料中碳的质量百分含量为d％，满足15≤d≤75，所述硅碳复合材料中硅的质量百分含量为e％，满足15≤e≤75，所述硅碳复合材料中氧的质量百分含量为0.3％至10％。5.根据权利要求1所述的电化学装置，其中，所述多孔碳骨架的孔体积为0.5ml/g至2.0ml/g，基于所述多孔碳骨架的孔体积，微孔和介孔的孔体积百分比为70％至90％。6.根据权利要求1所述的电化学装置，其包括电解液，所述电解液包括碳酸乙烯酯，基于所述电解液的总质量，所述碳酸乙烯酯的质量百分含量为f％，满足5≤f≤30。7.根据权利要求6所述的电化学装置，其满足0.2≤a/f≤2。8.根据权利要求6所述的电化学装置，其中，所述电解液包括碳酸丙烯酯，基于所述电解液的总质量，所述碳酸丙烯酯的质量百分含量为g％，满足5≤g≤40。9.根据权利要求1至8中任一项所述的电化学装置，其中，所述硅碳复合材料的制备方法包括以下步骤：(1)将多孔碳骨架置于硅烷气氛中进行第一沉积反应，其中，所述多孔碳骨架的孔体积为0.5ml/g至2.0ml/g，基于所述多孔碳骨架的孔体积，微孔和介孔的孔体积百分比为70％至90％；所述硅烷气氛中硅烷的体积百分比为1％至30％，所述第一沉积反应的温度为400℃至600℃、时间为1h至12h；(2)然后在氧气气氛中进行第二沉积反应得到硅碳复合材料，其中，所述氧气气氛中氧气的体积百分比为1％至30％，所述第二沉积反应的温度为400℃至800℃、时间为1h至12h。10.根据权利要求1至9中任一项所述的电化学装置，其中所述电化学装置满足如下中的至少一者：(1)所述a满足：6≤a≤15；(2)所述a/b满足：0.3≤a/b≤1；(3)所述b满足：18≤b≤30；(4)所述负极材料层的压实密度为1.4g/cm3至1.8g/cm3；(5)所述d满足：40≤d≤75；(6)所述e满足：40≤e≤75；(7)所述d/e满足：0.8≤d/e≤3；(8)所述硅碳复合材料中氧的质量百分含量为1％至6％；(9)所述多孔碳骨架的孔体积为0.8ml/g至2.0ml/g；(10)所述多孔碳骨架的微孔和介孔的孔体积百分比为80％至90％；(11)所述f满足：10≤f≤30；
(12)所述a/f满足：0.2≤a/f≤1.5；(13)所述g满足：10≤g≤30。11.一种电子装置，其包括权利要求1至10中任一项所述的电化学装置。

技术总结
本申请提供了一种电化学装置和电子装置，电化学装置包括负极极片，负极极片包括负极材料层，负极材料层包括硅碳复合材料，硅碳复合材料包括多孔碳骨架和硅材料，硅碳复合材料的Dv50为aμm，满足3≤a≤15，负极材料层的孔隙率为b％，电化学装置满足0.15≤a/b≤1。本申请提供的电化学装置具有良好的循环性能、膨胀性能和倍率性能。能和倍率性能。


技术研发人员：李亮
受保护的技术使用者：东莞新能源科技有限公司
技术研发日：2021.12.31
技术公布日：2022/4/29