一维唯一结构的图案到设计的对准的制作方法

1.本公开涉及半导体检验。


背景技术：

2.半导体制造行业的演进对良率管理且特定来说对计量及检验系统提出越来越高的要求。临界尺寸继续缩小，但行业需要减少实现高良率、高价值生产的时间。最小化从检测到良率问题到解决所述问题的总时间决定了半导体制造商的投资回报率。
3.制作半导体装置(例如逻辑及存储器装置)通常包含使用大量制造工艺处理半导体晶片以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光(cmp)、蚀刻、沉积及离子植入。被分离成个别半导体装置的多个半导体装置可在单个半导体晶片上的布置中制作。
4.可在正交的x方向及y方向上检验晶片上的装置。先前，执行图案到设计(pda)的对准。图块图像(例如128
×
128像素的图块图像)在x方向及y方向上对准到设计。基于图像来识别缺陷位置，但前提是在x方向及y方向上存在唯一结构。如果未找到此类位点，那么图块图像及设计数据将不会正确对准。因此，无法使用设计数据的经改进坐标准确度。这对于通常仅在x方向或y方向中的一者上具有唯一结构的存储器装置来说成问题。因此，设计文件信息无法用于改进关注区域放置及缺陷位置准确度。
5.在没有唯一目标的情况下，一般在x方向及y方向两者上执行检验。如果未找到唯一的二维(2d)目标，那么这仍可导致pda失败。方法通常消除一维(1d)唯一目标。
6.为克服此问题，尝试在结构周围包含缓冲区的旧有关注区域。然而，旧有关注区域中的敏感度丢失及扰乱点(nuisance)事件可致使此技术不可行。半导体制造者可能无法执行准确检验且通常寻求最小化任何旧有关注区域的大小。
7.因此，需要检验半导体装置的经改进技术。


技术实现要素：

8.在第一实施例中提供一种系统。所述系统包含：能量源，其产生能量束；载物台，其经配置以将晶片固定在所述能量束的路径中；检测器，其接收从所述载物台上的所述晶片反射的所述能量束；及处理器，其与所述检测器电子通信。所述处理器经配置以根据1d偏移校正确定所述晶片上的裸片的第一图像的一或多个关注区域。所述1d偏移校正是基于图像帧中的每一者的所述第一图像与第二图像之间的1d偏移。所述1d偏移校正也基于所述图像帧中的每一者的设计与所述第二图像之间的1d偏移。
9.所述能量源可为光源。所述能量束可为光子束。
10.所述第二图像可为运行时间图像。
11.所述一或多个关注区域每一者可针对对准到所述设计的维度具有零边界。所述一或多个关注区域每一者可针对其它维度具有旧有边界。
12.所述处理器可进一步经配置以：在所述裸片的所述第一图像中找到1d唯一目标；基于所述1d唯一目标确定每一图像帧的设计到图像的1d偏移；在所述1d唯一目标中的每一者处执行所述第一图像到第二图像的1d对准；针对每一图像帧确定所述第一图像与所述第二图像之间的1d偏移；及针对每一图像帧确定设计与所述第二图像之间的1d偏移。
13.所述处理器可进一步经配置以：接收所述1d唯一目标中的每一者的所述设计；从所述设计产生经呈现图像；及在所述1d唯一目标中的每一者处执行所述经呈现图像与所述第一图像的1d对准。
14.所述处理器可进一步经配置以从示范性目标学习图像呈现参数且在所述产生期间应用所述图像呈现参数。
15.所述1d唯一目标可跨所述裸片在所述第一图像中均匀分布。
16.所述处理器可进一步经配置以发送用于用所述能量束扫描整个所述裸片的指令，且使用来自所述检测器的信息基于所述整个所述裸片的所述扫描产生所述第一图像。
17.在第二实施例中提供一种方法。所述方法包含使用处理器根据1d偏移校正确定裸片的第一图像的一或多个关注区域。所述1d偏移校正是基于图像帧中的每一者的所述第一图像与第二图像之间的1d偏移。所述1d偏移校正也基于所述图像帧中的每一者的设计与所述第二图像之间的1d偏移。
18.所述第二图像可为运行时间图像。
19.所述一或多个关注区域每一者可针对对准到所述设计的维度具有零边界。所述一或多个关注区域每一者可针对其它维度具有旧有边界。
20.所述方法可进一步包含：使用所述处理器在所述裸片的所述第一图像中找到1d唯一目标；使用所述处理器基于所述1d唯一目标确定每一图像帧的设计到图像的1d偏移；使用所述处理器在所述1d唯一目标中的每一者处执行所述第一图像到第二图像的1d对准；使用所述处理器针对每一图像帧确定所述第一图像与所述第二图像之间的1d偏移；及使用所述处理器针对每一图像帧确定设计与所述第二图像之间的1d偏移。
21.所述方法可进一步包含：在所述处理器处接收所述1d唯一目标中的每一者的所述设计；使用所述处理器从所述设计产生经呈现图像；及使用所述处理器在所述1d唯一目标中的每一者处执行所述经呈现图像与所述第一图像的1d对准。
22.所述方法可进一步包含从示范性目标学习图像呈现参数及在所述产生期间应用所述图像呈现参数。
23.所述1d唯一目标可跨所述裸片在所述第一图像中均匀分布。
24.所述方法可进一步包含用能量束扫描整个裸片以产生所述第一图像。所述能量束可为光子束。
25.一种存储程序的非暂时性计算机可读媒体可经配置以指示处理器执行所述第二实施例的方法。
附图说明
26.为更充分理解本公开的性质及目的，应参考结合附图进行的以下详细描述，其中：
27.图1是根据本公开的方法实施例的流程图；
28.图2说明在y方向上的示范性1d对准；
29.图3说明在x方向上的示范性1d对准；及
30.图4说明根据本公开的系统的实施例。
具体实施方式
31.尽管将依据特定实施例描述所主张的标的物，但其它实施例(包含未提供本文中所阐述的所有益处及特征的实施例)也在本公开的范围内。可在不脱离本公开的范围的情况下作出各种结构、逻辑、工艺步骤及电子改变。因此，本公开的范围仅参考所附权利要求书定义。
32.本文中所公开的实施例可使设计呈现为图块图像(如果在两个方向中的一者上不存在唯一图案)且可在一维(1d)上使用改进的关注区域对准准确度。这可实现在一个方向上不具有唯一特征的线空间图案(line space pattern)的检验且可提高对特定所关注缺陷的敏感度。使用本文中所公开的技术的提高的敏感度可改进半导体制造商作出处理决策的能力。例如，可用窄关注区域检验存储器装置以减少扰乱点事件的数目。鉴于先前用覆盖所有结构(例如，细线、粗线及其之间的空间)的较大关注区域检验在两个维度上无唯一图案的半导体装置，基于设计的对准可实现使用本文中所公开的技术独立地检验这些结构。
33.图1是方法100的流程图。可执行方法100的一些或所有步骤。例如，可仅执行步骤111或可在系统上执行与其它步骤分开的特定步骤。可使用处理器执行方法100的一些或所有步骤。在101，用能量束(例如光子束或电子束)扫描半导体晶片上的整个裸片。基于扫描产生第一图像。
34.在102，处理器在第一图像中找到1d唯一目标。就“唯一”来说，图像内不存在类似所述目标的其它结构。通常，所述图像(即，图像帧)具有128
×
128像素的大小。针对1d情况，当在一个方向上查阅图像时，图案是唯一的。1d唯一目标可跨裸片在第一图像中均匀分布，但可具有其它分布。因此，128
×
128像素的区域存储器在至少一个对准目标。1d唯一目标距128
×
128像素区域越远，对准准确度就越可能被损及。
35.图像帧可为检验帧或对准帧。检验帧通常为1000
×
1000像素，但其它大小是可行的。检验帧用于计算帧的噪声底限(noise floor)及缺陷的信号。缺陷在检验帧中。此类检验帧可叠加到对准帧图，所述对准帧图可包含多个较小对准帧。假定与缺陷叠加的对准帧在其中具有良好对准目标(例如，装置特征)，那么可确定晶片图像与设计之间的偏移。在与缺陷叠加的对准帧中不具有良好对准目标的情况下，相邻对准帧可用于提供对准目标。使用靠近缺陷的对准目标可更准确。
36.在103，处理器可接收1d唯一目标的设计。在105，可从设计产生经呈现图像。任选地，在104，处理器可从示范性目标学习图像呈现参数且在产生经呈现图像时应用所述图像呈现参数。
37.在106，在1d唯一目标中的每一者处执行经呈现图像与第一图像的1d对准。可通过计算两个图像的正规化平方和差(normalized sum square difference)(nssd)来执行对准。如果存在未彼此对准且具有1d唯一结构(例如，具有不同间距的水平线)的两个图像，那么所述两个图像可归因于间距而沿着y方向对准。因此，目标图像(即，运行时间图像)可在此时相对于参考图像(即，设置图像)在y方向上移动一个像素。每次计算两个图像内的所有像素的差值平方和(sum of squared differences)且针对每一像素位移存储nssd值。当拟
合nssd曲线(例如，通过使用拋物线拟合)时，可确定此曲线的最小值所处的位置。因此，可以子像素准确度确定两个图像之间的偏移。
38.当计算nssd时，设置及运行时间图像可仅在一个方向(例如，对对准有用的方向)上移动。可仅在一个方向上确定偏移。
39.nssd涉及正规化，这意味着可预处理每一图像。这可通过减去平均灰度并除以每一图像的灰度的标准偏差而完成。例如，这可在设置晶片上的图像比运行时间晶片上的图像暗或对比度在设置晶片与运行时间晶片之间改变时有帮助。
40.在107，基于1d唯一目标确定每一图像帧的设计到图像的1d偏移。设计到图像的1d偏移是来自运行时间晶片的图像与设计之间的偏移。可使用nssd曲线确定设置图像与运行时间图像之间的偏移。设置图像与设计之间的偏移可为已知的。因此，可计算运行时间图像与设计之间的偏移。
41.在108，在1d唯一目标中的每一者处执行第一图像到第二图像的1d对准。例如，第二图像可为运行时间图像。鉴于第一图像是在设置晶片上收集，第二图像可在运行时间期间收集。这意味着第二图像是在运行时间期间(即，在缺陷检验发生时)在相同晶片上或任何其它晶片上收集。
42.在109，针对每一图像帧确定第一图像与第二图像之间的1d偏移。用于对准的帧通常为128
×
128像素。关注区域(ca)的大小可变化，但在尺寸上趋于为1像素或更大。最大关注区域可与裸片一样大。大部分关注区域在此两个极限之间的某处。即使关注区域大于图像帧本身，仍可实现可接受的关注区域对准，这是因为关注区域在设计坐标系中的固定位置处。如果可确定运行时间图像与设计之间的偏移，那么可准确地放置任何关注区域。在110，针对每一图像帧确定设计与第二图像之间的1d偏移。
43.在111，确定裸片的第一图像的一或多个关注区域。关注区域是根据1d偏移校正确定，所述1d偏移校正可基于图像帧中的每一者的第一图像与第二图像之间的1d偏移且可基于图像帧中的每一者的设计与所述第二图像之间的1d偏移。因此，基于在x方向或y方向但非两者上的唯一结构来确定关注区域。
44.在确定一个维度上的设计与运行时间图像之间的偏移之后，将知道图像内的每一像素落在哪一ca中，这是因为关注区域相对于设计固定。当放置关注区域时，第一图像与第二图像之间的1d偏移可提供帮助，这是因为可确定运行时间图像与设计之间的偏移，且因此可确定将关注区域放置在何处。关注区域可相对于设计固定。
45.关注区域可针对对准到设计的维度具有零边界。关注区域可针对其它维度具有旧有边界。设计对准可在像素的分率内，因此可将关注区域边界设定为零像素。旧有边界可为大约1μm，但其它较大尺寸是可行的。在具有100μm长的线的例子中，增加1μm不会引入太多扰乱点。然而，在需要良好对准的其它维度上，1μm的ca扩展将可能覆盖线之间的所有间隙且因此引入扰乱点。
46.预期方法100将提供提高一个数量级的敏感度。因为关注区域更靠近所检验的结构，所以也预期扰乱点减少。扰乱点减少取决于装置结构，但一个750％扰乱点减少对于一些存储器装置可为可能的。
47.方法100考虑在一个方向上唯一的目标。例如，如果存在水平线，那么可呈现设计使得经呈现设计匹配晶片上的图块图像。这在图2中展示，图2展示晶片上的图案的示范性
光学图像。所述图案(其可为装置结构)通过阴影矩形展示。在设置期间，可存储图块图像与经呈现设计图像之间的y偏移。在运行时间期间，也可存储设置图块图像与运行时间图像之间的y偏移。从两个偏移，可确定关注区域(使用虚线展示一个关注区域)的精确y位置。这可实现在y方向上围绕图案的零边界及在x方向上围绕图案的旧有边界的使用。零边界可紧贴(hug)晶片上的图案。旧有关注区域可略大于晶片上的图案。可组合基于旧有的放置与基于设计的放置。如图2中所见，在y方向上使用零关注区域边界且在x方向上放置旧有关注区域边界。关注区域可在y方向上准确地放置，这实现y方向上的零关注区域边界。
48.取决于应用，关注区域边界也可缩小关注区域的大小而非扩展关注区域的大小。
49.图3说明x方向上的示范性1d对准。图3中所展示的操作类似于用图2描述的操作。图3展示晶片上的图案的示范性光学图像。在x方向上使用围绕图案的零关注区域边界且在y方向上放置围绕图案的旧有关注区域边界。关注区域可在x方向上准确地放置，这实现x方向上的零关注区域边界。
50.图4中展示系统200的一个实施例。系统200包含基于光学的子系统201。一般来说，基于光学的子系统201经配置用于通过将光引导到样品202(或用光在样品202上方扫描)及检测来自样品202的光而产生用于样品202的基于光学的输出。在一个实施例中，样品202包含晶片。晶片可包含此项技术中已知的任何晶片。在另一实施例中，样品包含光罩。光罩可包含此项技术中已知的任何光罩。
51.在图4中所展示的系统200的实施例中，基于光学的子系统201包含经配置以将光(例如，光子)引导到样品202的照明子系统。照明子系统包含至少一个光源。例如，如图4中所展示，照明子系统包含产生能量束的能量源，例如产生光子束的光源203。在一个实施例中，照明子系统经配置以以一或多个入射角(其可包含一或多个倾斜角及/或一或多个法线角)将光引导到样品202。例如，如图4中所展示，来自光源203的光以倾斜入射角引导穿过光学元件204及接着透镜205而到样品202。倾斜入射角可包含任何合适倾斜入射角，其可取决于例如样品202的特性而变化。
52.基于光学的子系统201可经配置以在不同时间以不同入射角将光引导到样品202。例如，基于光学的子系统201可经配置以更改照明子系统的一或多个元件的一或多个特性，使得可以不同于图4中所展示的入射角的入射角将光引导到样品202。在一个此实例中，基于光学的子系统201可经配置以使光源203、光学元件204及透镜205移动使得以不同倾斜入射角或法线(或近法线)入射角将光引导到样品202。
53.在一些例子中，基于光学的子系统201可经配置以同时以多于一个入射角将光引导到样品202。例如，照明子系统可包含多于一个照明通道，所述照明通道中的一者可包含如图4中所展示的光源203、光学元件204及透镜205，且所述照明通道中的另一者(未展示)可包含可不同地或相同地配置的类似元件，或可包含至少一光源及可能一或多个其它组件，例如本文中进一步描述的组件。如果将此光与另一光同时引导到样品，那么以不同入射角引导到样品202的光的一或多个特性(例如，波长、偏光等)可不同，使得因以不同入射角照明样品202而产生的光可在(若干)检测器处彼此区别。
54.在另一例子中，照明子系统可仅包含一个光源(例如，图4中所展示的光源203)且来自光源的光可通过照明子系统的一或多个光学元件(未展示)分离到不同光学路径中(例如，基于波长、偏光等)。接着，可将不同光学路径中的每一者中的光引导到样品202。多个照
明通道可经配置以同时或在不同时间(例如，当使用不同照明通道循序地照明样品时)将光引导到样品202。在另一例子中，相同照明通道可经配置以在不同时间将具有不同特性的光引导到样品202。例如，在一些例子中，光学元件204可配置为光谱滤光片，且光谱滤光片的性质可以多种不同方式(例如，通过换出光谱滤光片)改变使得可在不同时间将不同波长的光引导到样品202。照明子系统可具有此项技术中已知的用于循序地或同时地以不同或相同入射角将具有不同或相同特性的光引导到样品202的任何其它合适配置。
55.在一个实施例中，光源203可包含宽带等离子体(bbp)源。以此方式，由光源203产生且引导到样品202的光可包含宽带光。然而，光源可包含任何其它合适光源，例如激光。激光可包含此项技术中已知的任何合适激光，且可经配置以产生此项技术中已知的任一或多个任何合适波长的光。另外，激光可经配置以产生单色或近单色的光。以此方式，激光可为窄带激光。光源203也可包含产生在多个离散波长或波带下的光的多色光源。
56.可通过透镜205将来自光学元件204的光聚焦到样品202上。尽管透镜205在图4中被展示为单个折射光学元件，但应理解，事实上，透镜205可包含组合地将来自光学元件的光聚焦到样品的若干折射及/或反射光学元件。在图4中展示及在本文中描述的照明子系统可包含任何其它合适光学元件(未展示)。此类光学元件的实例包含但不限于：(若干)偏光组件、(若干)光谱滤光片、(若干)空间滤光片、(若干)反射光学元件、(若干)变迹器、(若干)光束分离器(例如光束分离器213)、(若干)孔隙及类似者，其可包含此项技术中已知的任何此类合适光学元件。另外，基于光学的子系统201可经配置以基于待用于产生基于光学的输出的照明的类型来更改照明子系统的元件中的一或多者。
57.基于光学的子系统201也可包含经配置以引起光在样品202上方扫描的扫描子系统。例如，基于光学的子系统201可包含载物台206，样品202在基于光学的输出的产生期间安置于载物台206上。因此，载物台206可固定样品202。扫描子系统可包含可经配置以使样品202移动使得光可在样品202上方扫描的任何合适机械及/或机器人组合件(其包含载物台206)。另外或替代地，基于光学的子系统201可经配置使得基于光学的子系统201的一或多个光学元件执行光在样品202上方的某一扫描。可使光以任何合适方式(例如以蛇形路径或以螺旋路径)在样品202上方扫描。
58.基于光学的子系统201进一步包含一或多个检测通道。一或多个检测通道中的至少一者包含检测器，所述检测器经配置以检测归因于通过子系统照明样品202而来自样品202的光，且响应于经检测光而产生输出。例如，图4中所展示的基于光学的子系统201包含两个检测通道，一个检测通道由集光器207、元件208及检测器209形成且另一检测通道由集光器210、元件211及检测器212形成。如图4中所展示，两个检测通道经配置以按不同收集角收集及检测光。在一些例子中，两个检测通道经配置以检测散射光，且所述检测通道经配置以检测以不同角度从样品202散射的光。然而，检测通道中的一或多者可经配置以检测来自样品202的另一类型的光(例如，反射光)。
59.如图4中进一步展示，两个检测通道被展示为定位在纸平面中且照明子系统也被展示为定位在纸平面中。因此，在此实施例中，两个检测通道定位在入射平面中(例如，以入射平面为中心)。然而，检测通道中的一或多者可定位在入射平面外。例如，由集光器210、元件211及检测器212形成的检测通道可经配置以收集及检测从入射平面散射出的光。因此，此检测通道通常可被称为“侧”通道，且此侧通道可在大体上垂直于入射平面的平面中居
中。
60.尽管图4展示包含两个检测通道的基于光学的子系统201的实施例，但基于光学的子系统201可包含不同数目个检测通道(例如，仅一个检测通道或两个或更多个检测通道)。在一个此例子中，由集光器210、元件211及检测器212形成的检测通道可形成如上所述的一个侧通道，且基于光学的子系统201可包含形成为定位在入射平面的相对侧上的另一侧通道的额外检测通道(未展示)。因此，基于光学的子系统201可包含检测通道，所述检测通道包含集光器207、元件208及检测器209且以入射平面为中心，且经配置以收集及检测成处于或接近法向于样品202表面的(若干)散射角的光。因此，此检测通道通常可被称为“顶部”通道，且基于光学的子系统201也可包含如上所述般配置的两个或更多个侧通道。因而，基于光学的子系统201可包含至少三个通道(即，一个顶部通道及两个侧通道)，且所述至少三个通道中的每一者具有其自身的集光器，所述集光器中的每一者经配置以收集成不同于其它集光器中的每一者的散射角的光。
61.如上文进一步描述，包含在基于光学的子系统201中的检测通道中的每一者可经配置以检测散射光。因此，图4中所展示的基于光学的子系统201可经配置用于样品202的暗场(df)输出产生。然而，基于光学的子系统201也可或替代地包含经配置用于样品202的明场(bf)输出产生的(若干)检测通道。换句话说，基于光学的子系统201可包含经配置以检测从样品202镜面反射的光的至少一个检测通道。因此，本文中所描述的基于光学的子系统201可经配置以仅用于df成像、仅用于bf成像或用于df成像及bf成像两者。尽管在图4中将集光器中的每一者展示为单个折射光学元件，但应理解，集光器中的每一者可包含一或多个折射光学裸片及/或一或多个反射光学元件。
62.一或多个检测通道可包含此项技术中已知的任何合适检测器。例如，检测器可包含光电倍增管(pmt)、电荷耦合装置(ccd)、时间延迟积分(tdi)相机及此项技术中已知的任何其它合适检测器。检测器也可包含非成像检测器或成像检测器。以此方式，如果检测器是非成像检测器，那么检测器中的每一者可经配置以检测散射光的特定特性(例如强度)，但可未经配置以检测依据在成像平面内的位置而变化的此类特性。因而，由包含在基于光学的子系统的检测通道中的每一者中的检测器中的每一者产生的输出可为信号或数据，而非图像信号或图像数据。在此类例子中，处理器(例如处理器214)可经配置以从检测器的非成像输出产生样品202的图像。然而，在其它例子中，检测器可配置为经配置以产生成像信号或图像数据的成像检测器。因此，基于光学的子系统可经配置以以若干方式产生本文中所描述的光学图像或其它基于光学的输出。
63.应注意，本文中提供图4以大体说明可包含在本文中所描述的系统实施例中或可产生由本文中所描述的系统实施例使用的基于光学的输出的基于光学的子系统201的配置。可更改本文中所描述的基于光学的子系统201的配置以优化基于光学的子系统201的性能，如通常在设计商业输出获取系统时所执行。另外，可使用现有系统(例如，通过将本文中所描述的功能性添加到现有系统)来实施本文中所描述的系统。对于一些此类系统，可将本文中所描述的方法提供为系统的任选功能性(例如，除系统的其它功能性外)。替代地，本文中所描述的系统可设计为全新系统。
64.处理器214可以任何合适方式(例如，经由一或多个传输媒体，其可包含有线及/或无线传输媒体)耦合到系统200的组件使得处理器214可接收输出。处理器214可经配置以使
用所述输出执行若干功能。系统200可从处理器214接收指令或其它信息。处理器214及/或电子数据存储单元215任选地可与晶片检验工具、晶片计量工具或晶片重检工具(未说明)电子通信以接收额外信息或发送指令。例如，处理器214及/或电子数据存储单元215可与sem电子通信。
65.本文中所描述的处理器214、(若干)其它系统或(若干)其它子系统可为各种系统(包含个人计算机系统、图像计算机、主计算机系统、工作站、网络设备、因特网设备或其它装置)的部分。(若干)子系统或(若干)系统也可包含此项技术中已知的任何合适处理器，例如平行处理器。另外，(若干)子系统或系统可包含具有高速处理及软件的平台作为独立工具或联网工具。
66.处理器214及电子数据存储单元215可安置在系统200或另一装置中或以其它方式为系统200或另一装置的部分。在实例中，处理器214及电子数据存储单元215可为独立控制单元的部分或在集中式质量控制单元中。可使用多个处理器214或电子数据存储单元215。
67.处理器214可在实践中通过硬件、软件及固件的任何组合实施。并且，如本文中所描述的其功能可通过一个单元执行，或在不同组件(其每一者继而可通过硬件、软件及固件的任何组合实施)间划分。使处理器214实施各种方法及功能的程序代码或指令可存储在可读存储媒体(例如电子数据存储单元215中的存储器或其它存储器)中。
68.如果系统200包含多于一个处理器214，那么不同子系统可彼此耦合使得可在所述子系统之间发送图像、数据、信息、指令等。例如，一个子系统可通过任何合适传输媒体耦合到(若干)额外子系统，所述传输媒体可包含此项技术中已知的任何合适有线及/或无线传输媒体。此类子系统中的两者或更多者也可通过共享计算机可读存储媒体(未展示)有效耦合。
69.处理器214可经配置以使用系统200的输出或其它输出执行若干功能。例如，处理器214可经配置以将输出发送到电子数据存储单元215或另一存储媒体。处理器214可如本文中所描述般进一步配置。
70.处理器214可根据本文中所描述的实施例中的任一者配置。处理器214也可经配置以使用系统200的输出或使用来自其它来源的图像或数据来执行其它功能或额外步骤。
71.可通过以下中的一或多者实行本文中所公开的系统200及方法的各种步骤、功能及/或操作：电子电路、逻辑门、多路复用器、可编程逻辑装置、asic、模拟或数字控制件/切换器、微控制器或计算系统。实施方法(例如本文中所描述的方法)的程序指令可经由载体媒体传输或存储在载体媒体上。载体媒体可包含存储媒体，例如只读存储器、随机存取存储器、磁盘或光盘、非易失性存储器、固态存储器、磁带及类似者。载体媒体可包含传输媒体，例如线、缆线或无线传输链路。例如，在本公开各处所描述的各种步骤可通过单处理器214或替代地多个处理器214实行。此外，系统200的不同子系统可包含一或多个计算或逻辑系统。因此，以上描述不应被解释为限制本公开而是仅为说明。
72.在例子中，处理器214与系统200通信。处理器214经配置以根据1d偏移校正确定晶片上的裸片的第一图像的关注区域。1d偏移校正是基于图像帧中的每一者的所述第一图像与第二图像(例如，运行时间图像)之间的1d偏移，且1d偏移校正是基于图像帧中的每一者的设计与所述第二图像之间的1d偏移。关注区域可针对对准到设计的维度具有零边界且针对其它维度具有旧有边界。
73.处理器214可进一步经配置以：在裸片的第一图像中找到1d唯一目标；基于所述1d唯一目标确定每一图像帧的设计到图像的1d偏移；在所述1d唯一目标中的每一者处执行第一图像到第二图像的1d对准；针对每一图像帧确定第一图像与第二图像之间的1d偏移；及针对每一图像帧确定设计与第二图像之间的1d偏移。1d唯一目标可跨裸片在第一图像中均匀分布。
74.处理器214可进一步经配置以：接收1d唯一目标中的每一者的设计；从设计产生经呈现图像；及在1d唯一目标中的每一者处执行经呈现图像与第一图像的1d对准。
75.处理器214可进一步经配置以从示范性目标学习图像呈现参数且在产生期间应用所述图像呈现参数。
76.处理器214还可进一步经配置以发送用能量束扫描整个裸片的指令且使用来自检测器的信息基于整个裸片的所述扫描产生第一图像。
77.额外实施例涉及一种存储程序指令的非暂时性计算机可读媒体，所述程序指令可在控制器上执行用于执行如本文中所公开的用于晶片检验的计算机实施方法。特定来说，如图4中所展示，电子数据存储单元215或其它存储媒体可含有包含可在处理器214上执行的程序指令的非暂时性计算机可读媒体。计算机实施方法可包含本文中所描述的任何(若干)方法(包含方法100)的任何(若干)步骤。
78.程序指令可以各种方法中的任一者实施，包含基于程序的技术、基于组件的技术及/或面向对象技术等。例如，程序指令可任选地使用activex控件、c 对象、javabeans、微软基础类别(mfc)、流式传输simd扩展(sse)或其它技术或方法论实施。
79.虽然关于光子束进行公开，但本文中所公开的方法的实施例可用电子束执行。因此，系统可为具有电子束源、载物台及检测器的电子束系统。
80.方法的步骤中的每一者可如本文中描述般执行。方法也可包含可通过本文中所描述的处理器及/或(若干)计算机子系统或(若干)系统执行的任何(若干)其它步骤。步骤可通过一或多个计算机系统执行，所述一或多个计算机系统可根据本文中所描述的实施例中的任一者配置。另外，上文所描述的方法可通过本文中所描述的系统实施例中的任一者执行。
81.尽管已参考一或多个特定实施例描述本公开，但将理解，可在不脱离本公开的范围的情况下进行本公开的其它实施例。因此，本公开被视为仅受所附权利要求书及其合理解释限制。