晶圆数据的处理方法、装置、电子装置和存储介质与流程

1.本技术涉及晶圆检测领域，特别是涉及一种晶圆数据的处理方法、装置、电子装置和存储介质。


背景技术：

2.晶圆作为制造半导体集成电路不可缺少的硅裸片，在芯片、半导体等领域变得越来越重要。由于制造工艺、材质、环境等问题，晶圆在制造过程中可能出现缺陷，因此在需要对晶圆缺陷进行检测。
3.在现有技术中，一般通过针触法、原子力法以及光学法等对晶圆进行检测，从而获取晶圆的电性失效类型以及缺陷位置、缺陷类型、缺陷所属的裸片区域等晶圆缺陷信息。但是，晶圆缺陷的产生原因、时间、位置等各不相同，现有技术中只能以文字或者表格等形式显示晶圆的电性失效类型以及晶圆缺陷信息，导致晶圆缺陷检测的结果不够直观，用户无法直接根据检测结果对晶圆良率进行分析，从而无法发挥晶圆数据的重要价值。
4.针对相关技术中存在的晶圆数据的价值无法被用户所用的技术问题，目前还没有提出有效的解决方案。


技术实现要素：

5.在本实施例中提供了一种晶圆数据的处理方法、装置、电子装置和存储介质，以解决相关技术中晶圆数据的价值无法被用户所用的问题。
6.第一个方面，在本实施例中提供了一种晶圆数据的处理方法，包括：获取目标晶圆的晶圆图，所述晶圆图被划分为多个裸片区域；分别确定所述目标晶圆中各个裸片对应的电性失效类型以及至少一种缺陷类型；分别在所述晶圆图中的多个裸片区域中设置与所述电性失效类型相匹配的标识信息以及与所述至少一种缺陷类型相匹配的标识信息。
7.在其中的一些实施例中，所述分别在所述晶圆图中的多个裸片区域中设置与所述至少一种缺陷类型相匹配的标识信息包括：在所述晶圆图中确定缺陷位置；基于所述缺陷位置，在所述缺陷位置所属的裸片区域中设置与所述至少一种缺陷类型相匹配的标识信息。
8.在其中的一些实施例中，所述在所述晶圆图中确定缺陷位置包括：获取所述目标晶圆中的缺陷点在原始坐标系中的坐标位置，所述原始坐标系包括在工艺流程中对所述目标晶圆观测时所基于的坐标系；基于所述原始坐标系与所述晶圆图所对应的基准坐标系之间的转换关系，确定所述缺陷点在所述基准坐标系中的坐标位置。
9.在其中的一些实施例中，所述原始坐标系与所述基准坐标系之间的转换关系按照下述方式确定：
分别确定至少两个参考点在所述原始坐标系下的原始参考坐标以及在所述基准坐标系下的基准参考坐标；基于所述原始参考坐标以及所述基准参考坐标，确定所述原始坐标系与所述基准坐标系之间的转换关系。
10.在其中的一些实施例中，所述分别在所述晶圆图中的多个裸片区域中设置与所述电性失效类型相匹配的标识信息以及与所述至少一种缺陷类型相匹配的标识信息之后还包括：接收第一操作指令，所述第一操作指令用于指示获取至少一个目标电性失效类型和/或至少一个目标缺陷类型对应的所述裸片区域；在所述晶圆图中突出显示与所述目标电性失效类型和/或目标缺陷类型对应的所有所述裸片区域。
11.在其中的一些实施例中，所述分别在所述晶圆图中的多个裸片区域中设置与所述电性失效类型相匹配的标识信息以及与所述至少一种缺陷类型相匹配的标识信息之后还包括：接收第二操作指令，所述第二操作指令用于指示获取至少一个目标裸片区域对应的裸片图像；根据所述目标裸片区域的标识信息，确定与所述标识信息相关联的所述裸片图像；显示所述目标裸片区域对应的所述裸片图像。
12.在其中的一些实施例中，所述接收第二操作指令之前还包括：分别判断各个所述裸片区域是否存在对应的所述裸片图像，若存在，则在所述裸片区域中设置预设标识信息。
13.在其中的一些实施例中，所述第二操作指令还用于指示获取至少一个所述目标裸片区域对应的失效及缺陷信息，所述接收第二操作指令之后还包括：显示所述目标裸片区域对应的所述失效及缺陷信息，所述失效及缺陷信息包括下述中的至少一种信息：缺陷标识、所述目标晶圆区域的坐标、失效类型、缺陷类型、产生缺陷的工艺步骤、缺陷的源工艺步骤。
14.在其中的一些实施例中，所述获取目标晶圆的晶圆图之前还包括：根据所述目标晶圆确定绘制数据，所述绘制数据至少包括晶圆直径、裸片尺寸以及晶圆边缘，还可以包括晶圆缺口以及裸片偏移量中的至少一种；基于所述晶圆数据，绘制所述晶圆图。
15.在其中的一些实施例中，所述在所述晶圆图中的多个裸片区域中设置与所述电性失效类型相匹配的标识信息包括：获取裸片在所述晶圆图对应的基准坐标系下的裸片坐标；基于所述裸片坐标，在对应的所述裸片区域中设置与所述电性失效类型相匹配的标识信息。
16.在其中的一些实施例中，所述在所述晶圆图中的多个裸片区域中设置与所述电性失效类型相匹配的标识信息包括：判断所述裸片区域是否存在至少一个端角在所述晶圆图中的晶圆区域内；
若存在，则在所述裸片区域中设置与所述电性失效类型相匹配的标识信息。
17.在其中的一些实施例中，所述在所述晶圆图中的多个裸片区域中设置与所述电性失效类型相匹配的标识信息之后还包括：基于所述晶圆图中晶圆区域的边缘对所述晶圆图进行裁剪。
18.第二个方面，在本实施例中提供了一种晶圆数据的处理装置，包括：获取模块，用于获取目标晶圆的晶圆图，所述晶圆图被划分为多个裸片区域；确定模块，用于分别确定所述目标晶圆中各个裸片对应的电性失效类型以及至少一种缺陷类型；设置模块，用于分别在所述晶圆图中的多个裸片区域中设置与所述电性失效类型相匹配的标识信息以及与所述至少一种缺陷类型相匹配的标识信息。
19.第三个方面，在本实施例中提供了一种电子装置，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述第一个方面所述的晶圆数据的处理方法。
20.第四个方面，在本实施例中提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现上述第一个方面所述的晶圆数据的处理方法。
21.与相关技术相比，在本实施例中提供了一种晶圆数据的处理方法、装置、电子装置和存储介质，所述方法包括：获取目标晶圆的晶圆图，所述晶圆图被划分为多个裸片区域；分别确定所述目标晶圆中各个裸片对应的电性失效类型以及至少一种缺陷类型；分别在所述晶圆图中的多个裸片区域中设置与所述电性失效类型相匹配的标识信息以及与所述至少一种缺陷类型相匹配的标识信息。通过在裸片相应的裸片区域设置对应的标识信息的方式，用户可以直观地观测每个裸片的电性失效类型以及缺陷类型，以及不同电性失效类型以及缺陷类型下的裸片分布规律，无需先确定需要观测的裸片，再通过文字或者表格查找该裸片对应的信息，解决了晶圆数据的价值无法被用户所用的技术问题，用户可以直接根据晶圆数据确定裸片的电性失效数据与缺陷数据之间的关联，进一步直观地确定导致裸片电性失效的缺陷原因，提高了用户基于检测结果对晶圆良率进行分析的速度和便利性。
22.本技术的一个或多个实施例的细节在以下附图和描述中提出，以使本技术的其他特征、目的和优点更加简明易懂。
附图说明
23.此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1是本发明一实施例的晶圆数据的处理方法的终端硬件结构框图；图2是本发明一实施例的晶圆数据的处理方法的流程示意图；图3是本发明一实施例的晶圆图的示意图；图4是本发明另一实施例的晶圆图的示意图；图5是本发明一实施例的裸片图像的示意图；图6是本发明一实施例的晶圆数据的处理装置的结构框图。
具体实施方式
24.为更清楚地理解本技术的目的、技术方案和优点，下面结合附图和实施例，对本技术进行了描述和说明。
25.除另作定义外，本技术所涉及的技术术语或者科学术语应具有本技术所属技术领域具备一般技能的人所理解的一般含义。在本技术中的“一”、“一个”、“一种”、“该”、“这些”等类似的词并不表示数量上的限制，它们可以是单数或者复数。在本技术中所涉及的术语“包括”、“包含”、“具有”及其任何变体，其目的是涵盖不排他的包含；例如，包含一系列步骤或模块（单元）的过程、方法和系统、产品或设备并未限定于列出的步骤或模块（单元），而可包括未列出的步骤或模块（单元），或者可包括这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或模块（单元）。在本技术中所涉及的“连接”、“相连”、“耦接”等类似的词语并不限定于物理的或机械连接，而可以包括电气连接，无论是直接连接还是间接连接。在本技术中所涉及的“多个”是指两个或两个以上。“和/或”描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，“a和/或b”可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。通常情况下，字符“/”表示前后关联的对象是一种“或”的关系。在本技术中所涉及的术语“第一”、“第二”、“第三”等，只是对相似对象进行区分，并不代表针对对象的特定排序。
26.在本实施例中提供的方法实施例可以在终端、计算机或者类似的运算装置中执行。比如在终端上运行，图1是本实施例的晶圆数据的处理方法的终端硬件结构框图。如图1所示，终端可以包括一个或多个（图1中仅示出一个）处理器102和用于存储数据的存储器104，其中，处理器102可以包括但不限于微处理器mcu或可编程逻辑器件fpga等的处理装置。上述终端还可以包括用于通信功能的传输设备106以及输入输出设备108。本领域普通技术人员可以理解，图1所示的结构仅为示意，其并不对上述终端的结构造成限制。例如，终端还可包括比图1中所示更多或者更少的组件，或者具有与图1所示出的不同配置。
27.存储器104可用于存储计算机程序，例如，应用软件的软件程序以及模块，如在本实施例中的晶圆数据的处理方法对应的计算机程序，处理器102通过运行存储在存储器104内的计算机程序，从而执行各种功能应用以及数据处理，即实现上述的方法。存储器104可包括高速随机存储器，还可包括非易失性存储器，如一个或者多个磁性存储装置、闪存、或者其他非易失性固态存储器。在一些实例中，存储器104可进一步包括相对于处理器102远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至终端。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
28.传输设备106用于经由一个网络接收或者发送数据。上述的网络包括终端的通信供应商提供的无线网络。在一个实例中，传输设备106包括一个网络适配器（network interface controller，简称为nic），其可通过基站与其他网络设备相连从而可与互联网进行通讯。在一个实例中，传输设备106可以为射频（radio frequency，简称为rf）模块，其用于通过无线方式与互联网进行通讯。
29.在芯片领域，芯片的制造流程往往包括晶圆制造、晶圆涂膜、晶圆光刻、搀加杂质、晶圆测试以及芯片封装等步骤。其中，晶圆（wafer）经过光刻和掺杂后，形成了多个格状的裸片（die），需要通过针测等方式对每个裸片进行电气特性检测，以确定裸片是否符合电性要求，以及失败裸片的电性失效类型和导致电性失效的缺陷类型。由于每个晶圆的裸片数量庞大，晶圆检测结果的分析过程也比较复杂，并且检测结果中的很多晶圆数据无法被充
分利用，进而无法发挥晶圆数据的重要价值。基于此，本发明提供了一种晶圆数据的处理方法，以提高晶圆检测结果的分析速度，以及晶圆数据的利用率。
30.请参阅图2，图2是本发明一实施例的晶圆数据的处理方法的流程示意图。
31.在一个实施例中，晶圆数据的处理方法，包括：s202：获取目标晶圆的晶圆图，晶圆图被划分为多个裸片区域。
32.示例性地，获取预先建立的目标晶圆的晶圆图，晶圆图是指在计算机设备中建立的、用于显示目标晶圆的形状、尺寸、方位以及观测点等信息的显示图。具体的，晶圆图被划分为多个裸片区域，每个裸片区域均与目标晶圆中的裸片相对应。其中，裸片包含了完整设计的整个芯片区域，以及相邻芯片之间的部分划分槽区域。
33.请参阅图3，图3是本发明一实施例的晶圆图的示意图。
34.在其中一个具体实施例中，晶圆图中还设置有多个刻线区域（reticle），用于对目标晶圆进行整体的划分。每个刻线区域又被划分为多个裸片区域。如图3所示，黑色网格线所确定的网格即为刻线区域，白色网格线所确定的网格即为裸片区域。
35.在本技术实施例中，可以在用户界面中向用户提供选择不同晶圆的功能，这样，用户可以在用户界面中选择或者切换至感兴趣的目标晶圆。
36.s204：分别确定目标晶圆中各个裸片对应的电性失效类型以及至少一种缺陷类型。
37.示例性地，通过针触法、光学法等方式对目标晶圆中的每个裸片进行检测，以确定每个裸片的电性失效类型以及缺陷类型。其中，电性失效是指裸片的电气特性不符合裸片要求，电性失效类型包括但不限于致使裸片失效的不同原因。例如，在晶圆测试（chip probing，cp）中，可以将因为不同电性测试参数所失效的原因设置成不同的失效类型，该失效类型例如包括cp测试中常用的bin，例如，可以将因为电性测试参数scan没通过而失效的原因归为一类bin，将因为电性测试参数漏电流没通过而失效的原因归为一类bin。缺陷类型是指裸片中的缺陷对应的类型，可基于缺陷的产生原因、产生时间、产生工艺以及对晶圆的影响等对缺陷进行划分。具体的，缺陷类型包括物理性异物缺陷、化学性污染缺陷、图案缺陷以及晶体缺陷等。其中，物理性异物缺陷是指晶圆表面或者内部存在异常的冗余物，例如微尘、工艺残留物、不正常反应生成物等；化学性污染缺陷是指晶圆存在化学物质残留，例如化学药品或者有机溶剂等；图案缺陷是指晶圆的图案存在缺陷，例如成像或者蚀刻过程中异常成像、机械性刮伤形变、厚度不均匀造成的颜色异常等；晶体缺陷是指晶体结构存在缺陷，例如晶圆本身存在的结构缺陷，或者滑移线以及堆垛层错等工艺缺陷。
38.在其中一个具体实施例中，缺陷类型为工艺缺陷，即与制造晶圆的工艺流程相关联的缺陷类型。基于工艺缺陷类型，可以确定产生该工艺缺陷的工艺流程。晶圆的制造流程包括脱氧提纯、晶棒制造、晶圆分片、晶圆抛光、晶圆镀膜、光刻、晶体掺杂等，不同制造流程中产生的晶圆缺陷的类型有所不同。例如，若工艺缺陷类型为机械损伤，则表明工艺缺陷是在晶圆分片或者抛光的过程中产生的；若工艺缺陷类型为存在内部杂质，则表明工艺缺陷是在脱氧提纯以及晶棒制造的过程中产生的。
39.s206：分别在晶圆图中的多个裸片区域中设置与电性失效类型相匹配的标识信息以及与至少一种缺陷类型相匹配的标识信息。
40.示例性地，确定每个裸片对应的电性失效类型以及缺陷类型后，将每个裸片的上
述信息关联到晶圆图中对应的裸片区域。关联方法为：设置与电性失效类型相匹配的标识信息，以及设置与缺陷类型相匹配的标识信息，并将上述标识信息设置于对应的裸片区域。
41.具体的，将与电性失效类型相匹配的标识信息设置到对应的裸片区域的步骤包括：获取裸片的电性失效类型，基于该电性失效类型设置标识信息；基于裸片在目标晶圆中的位置，确定对应的裸片区域在晶圆图中的位置，最后将标识信息设置于该位置所属的裸片区域。
42.具体的，标识信息包括但不限于颜色标识、形状标识等，用于在视觉显示上区分不同的电性失效类型以及不同的缺陷类型。更具体的，标识信息还可以包括标识所属裸片区域、标识位置等信息，其中，标识所属裸片区域用于确定电性失效类型以及缺陷类型对应的裸片区域，标识位置用于确定缺陷点的在晶圆图中的具体位置。
43.请参阅图4，图4是本发明另一实施例的晶圆图的示意图。
44.在其中一个具体实施例中，确定晶圆图的裸片区域后，进一步将晶圆的电性失效类型以及缺陷类型以标识方式展示在晶圆图中。如图4所示，基于不同的颜色填充（图中以不同的阴影表示不同的颜色填充），确定每个裸片区域的电性失效类型，其中，颜色填充的每种颜色均与一种电性失效类型相对应；基于不同的形状标识，确定每个裸片区域的缺陷类型，其中，形状标识的每种形状均与一种缺陷类型相对应。
45.具体的，通过上述方法，将裸片区域、电性失效类型以及缺陷类型三种晶圆数据叠加显示在了一张晶圆图中，用户可以直观地观测到缺陷点的分布状况，以及缺陷点与电性失效类型的关联关系。如图4中的虚线矩形框部分所示，可以直观的发现竖线阴影区所对应的电性失效类型，很可能是星形标识所对应的缺陷类型所导致的。例如，星形标识所对应的缺陷为一条机械划痕，该缺陷导致了划痕位置所属的裸片电性失效。
46.具体的，本实施例中不限定电性失效类型对应的标识信息以及缺陷类型对应的标识信息的设置顺序。以电性失效类型对应的标识信息是颜色填充为例，在其中一个具体实施例中，若标识信息的图层级别与设置顺序相关联，则需要先设置电性失效类型对应的标识信息，再设置缺陷类型对应的标识信息，以避免颜色填充覆盖缺陷类型对应的标识信息，造成缺陷类型对应的标识信息无法显示；在另一个具体实施例中，可以预先将缺陷类型对应的标识信息的图层设置为最高级，这样无论颜色填充是先设置还是后设置，均不会覆盖缺陷类型对应的标识信息。
47.应当说明的是，本实施例中的裸片区域，既可以与单个裸片相对应，也可以与多个裸片相对应。在大多数场景下，需要分别对每个裸片进行分析，以确定每个裸片的检测数据，以及多个裸片的分布状况。但是，在某些场景下，例如需要减少分析的数据量以提高分析速度时，可将将单个裸片区域设置为与多个裸片相对应。在分析过程中，基于多个裸片形成的区域，在晶圆图中建立裸片区域，裸片区域的电性失效类型，即为对应的多个裸片的电性失效类型。
48.本实施例获取目标晶圆的晶圆图，晶圆图被划分为多个裸片区域；分别确定目标晶圆中各个裸片对应的电性失效类型以及至少一种缺陷类型；分别在晶圆图中的多个裸片区域中设置与电性失效类型相匹配的标识信息以及与至少一种缺陷类型相匹配的标识信息。通过在裸片相应的裸片区域设置对应的标识信息的方式，用户可以直观地观测每个裸片的电性失效类型以及缺陷类型，以及不同电性失效类型以及缺陷类型下的裸片分布规
律，无需先确定需要观测的裸片，再通过文字或者表格查找该裸片对应的信息，解决了晶圆数据的价值无法被用户所用的技术问题，用户可以直接根据晶圆数据确定裸片的电性失效数据与缺陷数据之间的关联，进一步直观地确定导致裸片电性失效的缺陷原因，提高了用户基于检测结果对晶圆良率进行分析的速度和便利性。
49.在另一个实施例中，分别在晶圆图中的多个裸片区域中设置与至少一种缺陷类型相匹配的标识信息包括：步骤1：在晶圆图中确定缺陷位置；步骤2：基于缺陷位置，在缺陷位置所属的裸片区域中设置与至少一种缺陷类型相匹配的标识信息。
50.示例性地，根据缺陷点在目标晶圆的位置，确定晶圆图中的缺陷位置，以及该缺陷位置所属的裸片区域；确定与缺陷标识相匹配的标识信息，并在该裸片区域内的缺陷位置处设置该标识信息。
51.本实施例通过将与缺陷类型相匹配的标识信息设置在缺陷位置的方法，使得用户可以直观地基于晶圆图确定缺陷点的位置以及分布状况，提高了用户基于检测结果对晶圆良率进行分析的速度和便利性。
52.在另一个实施例中，在晶圆图中确定缺陷位置包括：步骤1：获取目标晶圆中的缺陷点在原始坐标系中的坐标位置，原始坐标系包括在工艺流程中对目标晶圆观测时所基于的坐标系；步骤2：基于原始坐标系与晶圆图所对应的基准坐标系之间的转换关系，确定缺陷点在基准坐标系中的坐标位置。
53.示例性地，对目标晶圆进行检测，以获取目标晶圆中的缺陷点，以及缺陷点在原始坐标系下的坐标位置。其中，原始坐标系是指在每一道工艺流程中对目标晶圆进行观测的坐标系，即原始坐标系与目标晶圆的物理尺寸信息相关联，目标晶圆中的每个物理点均可以映射到该原始坐标系下的坐标。
54.示例性地，确定原始坐标系与晶圆图的基准坐标系之间的转换关系，将缺陷点在原始坐标系下的坐标位置，转换为在基准坐标系下的坐标位置，进一步基于转换后的坐标位置设置与缺陷点的缺陷类型相匹配的标识信息。其中，基准坐标系是指基于晶圆图建立的图像坐标系，晶圆图中的每个图像点均可以映射到该基准坐标系下的坐标。
55.具体的，由于目标晶圆上的缺陷点产生于多个工艺流程，而每个工艺流程的目标晶圆的摆放位置、缺口朝向的等位置信息均可能发生变化，因此不能直接根据缺陷点在原始坐标系下的坐标位置，确定晶圆图中的缺陷位置并进一步设置标识信息。
56.具体的，晶圆图的基准坐标系是固定的坐标系，只需要在每一道工艺流程中确定目标晶圆的原始坐标系，并基于坐标的转换关系即可确定缺陷点在晶圆图中的位置。
57.具体的，上述原始坐标系或者基准坐标系包括但不限于直角坐标系以及极坐标系，坐标系的转换关系包括但不限于直角坐标系与直角坐标系的转换关系、极坐标系与极坐标系的转换关系以及直角坐标系与极坐标系的转换关系。
58.本实施例中通过原始坐标系与基准坐标系的转换关系，将缺陷点在目标晶圆中的坐标位置转换为在基准坐标系中的坐标位置。通过本实施例，解决了不同工艺流程中缺陷点的位置发生变化，无法统一进行观测的问题，将不同工艺流程的缺陷点在目标晶圆中的
位置统一转化为在晶圆图中的位置，用户可直接基于晶圆图观测所有工艺流程的缺陷点，无需分别基于不同的工艺流程对缺陷点进行观测，提高了用户基于检测结果对晶圆良率进行分析的速度和便利性。
59.在另一个实施例中，原始坐标系与基准坐标系之间的转换关系按照下述方式确定：步骤1：分别确定至少两个参考点在原始坐标系下的原始参考坐标以及在基准坐标系下的基准参考坐标；步骤2：基于原始参考坐标以及基准参考坐标，确定原始坐标系与基准坐标系之间的转换关系。
60.示例性地，选取目标晶圆中的至少两个参考点，分别确定参考点在目标晶圆的原始坐标系下的原始参考坐标，以及参考点在晶圆图的基准坐标系下的基准参考坐标，优选的选取具有位置显著特性的参考点，以方便计算其在原始坐标系以及基准坐标系下的参考坐标。
61.示例性地，通过原始参考坐标与基准参考坐标的对应关系，确定原始坐标系与基准坐标系之间的转换关系。具体的，通过原始参考坐标以及基准参考坐标，确定原始参考坐标和基准参考坐标之间的拉伸参数、旋转参数以及平移参数，进而确定原始坐标系与基准坐标系之间的转换关系。
62.在其中一个具体实施例中，选取目标晶圆的观测中心点以及缺口点作为参考点。其中，缺口点是指晶圆在制造过程中为方便确定晶圆方向而设置的缺口所在的点位。可以理解的，其他如目标晶圆的棱角点、绘制点同样可以作为目标晶圆观测的参考点。
63.在另一个具体实施例中，上述坐标系均为直角坐标系。以目标晶圆的观测中心点为原始坐标系的原点，以观测中心点到缺口点的连线方向为原始坐标系的x轴，以垂直于x轴方向为原始坐标系的y轴，确定原始坐标系，并且在晶圆图中以同样的方法确定基准坐标系。
64.在另一个具体实施例中，上述坐标系均为极坐标系。以目标晶圆的观测中心点为原始坐标系的极点，以观测中心点到缺口点的连线方向为原始坐标系的极轴，以观测中心点到缺口点的距离作为原始坐标系的极径，选择逆时针方向为正方向，确定原始坐标系，并且在晶圆图中以同样的方法确定基准坐标系。
65.以上两个具体实施例，在确定原始坐标系与基准坐标系的转换关系时，只需要确定坐标系之间的拉伸参数，从而简化了坐标系之间转换关系的计算过程。
66.本实施例通过选择至少两个参考点的方式，确定原始坐标系与基准坐标系的转换关系，参考点的坐标位置容易获取，并且无需复杂的坐标运算即可确定原始坐标系与基准坐标系的转换关系，从而降低了晶圆数据处理的计算量，提高了处理效率。
67.在另一个实施例中，分别在晶圆图中的多个裸片区域中设置与电性失效类型相匹配的标识信息以及与至少一种缺陷类型相匹配的标识信息之后还包括：步骤1：接收第一操作指令，第一操作指令用于指示获取至少一个目标电性失效类型和/或至少一个目标缺陷类型对应的裸片区域；步骤2：在晶圆图中突出显示与目标电性失效类型和/或目标缺陷类型对应的所有裸片区域。
68.示例性地，用户在基于电性失效类型以及缺陷类型对裸片区域的分布状况进行分析时，可以通过交互界面发送第一操作指令，第一操作指令中包含了用户需要观测的目标电性失效类型以及目标缺陷类型，以用于指示获取对应的裸片区域。
69.示例性地，系统接收第一操作指令，基于第一操作指令获取目标电性失效类型以及目标缺陷类型对应的所有裸片区域，并在晶圆图中突出显示上述裸片区域，以方便用户直观地对上述裸片区域的分布状况进行分析。具体的，电性失效类型以及缺陷类型与对应的裸片区域之间存在链接关系，用户在交互界面选择目标电性失效类型以及目标缺陷类型对应的控件，系统即可链接到对应的裸片区域并进行突出显示。
70.更具体的，系统数据库中存储有电性失效类型以及缺陷类型与对应的裸片区域之间的对应关系，用户选择对应的控件后，系统对数据库进行访问，以获取目标电性失效类型以及目标缺陷类型对应的裸片区域。
71.更具体的，系统数据库中通过位置坐标信息或者网格坐标信息确定裸片区域。其中，位置坐标信息是指裸片区域的至少一个参考点的坐标信息，优选的以中心点或者顶点作为参考点，网格坐标是指以网格尺寸确定单位长度建立的坐标系。系统数据库中保存电性失效类型以及缺陷类型与对应的裸片区域之间的对应关系时，将电性失效类型以及缺陷类型与对应位置坐标信息或者网格坐标信息关联保存。
72.在其中一个具体实施例中，用户在交互界面的左侧筛选栏选择目标晶圆，并选择至少一个工艺流程，系统获取该工艺流程下存在缺陷的裸片区域，并在晶圆图中突出显示，用户可基于突出显示的裸片区域观测分布状况。在另一个具体实施例中，用户选择至少一个缺陷类型，并观测对应的裸片区域的分步状况。
73.本实施例通过接收第一操作指令，并基于第一操作指令直接突出显示目标电性失效类型和/或目标缺陷类型对应的所有裸片区域，交互过程简单，用户无需基于目标电性失效类型和/或目标缺陷类型逐个查找对应的裸片区域，从而提高了用户基于检测结果对晶圆良率进行分析的速度和便利性。
74.在另一个实施例中，分别在晶圆图中的多个裸片区域中设置与电性失效类型相匹配的标识信息以及与至少一种缺陷类型相匹配的标识信息之后还包括：步骤1：接收第二操作指令，第二操作指令用于指示获取至少一个目标裸片区域对应的裸片图像；步骤2：根据目标裸片区域的标识信息，确定与标识信息相关联的裸片图像；步骤3：显示目标裸片区域对应的裸片图像。
75.示例性地，系统中还保存有裸片区域对应的裸片图像，其中，裸片图像是指通过显微摄像机等图像传感设备所捕捉的包含裸片细节内容的图像。用户需要访问裸片区域对应的裸片图像时，可通过交互界面发送第二操作指令，第二操作指令中包含了用户需要观测的目标裸片区域，以用于指示获取对应的裸片图像。
76.示例性地，系统接收第二操作指令，基于第二操作指令确定目标裸片区域对应的标识信息，进一步获取该标识信息对应的裸片图像并显示。
77.具体的，裸片区域与对应的裸片图像之间存在链接关系，用户在交互界面点击目标裸片区域后，系统链接到对应的裸片图像并进行显示。
78.更具体的，系统数据库中存储于裸片区域的标识信息与裸片图像之间的对应关
系。用户点击目标裸片区域后，系统获取该目标区域的标识信息，基于该标识信息获取关联的裸片图像并进行显示。
79.具体的，显示裸片图像时，目标裸片区域与裸片图像之间还存在连接关系，用于确定多个目标裸片区域与多个裸片图像之间的对应关系。基于该连接关系，用户可以直观地确定当前观测的目标裸片区域所对应的裸片图像。
80.在其中一个具体实施例中，该标识信息包括缺陷位置。在获取裸片图像的过程中，若裸片存在缺陷点，则获取该裸片对应的裸片图像，并将缺陷点在晶圆图中的缺陷位置以及对应的裸片图像关联保存至系统数据库。
81.请参阅图5，图5是本发明一实施例的裸片图像的示意图。
82.在另一个具体实施例中，用户选择单个或者多个目标裸片区域时，交互界面右侧显示目标裸片区域对应的如图5所示的裸片图像，用户可以通过将鼠标悬浮在裸片图像上并滚动滑轮等方式对裸片图像进行放大或者缩小，从而观测裸片的图像信息。进一步，用户还可以点击裸片图像中的缺陷位置，以查看缺陷的详细信息。
83.本实施例通过第二操作指令获取目标裸片区域对应的裸片图像，交互过程简单，用户无需分别基于需要观测的目标裸片区域查找对应的裸片图像，只需点击目标裸片区域即可直接对裸片图像进行观测，从而提高了用户基于检测结果对晶圆良率进行分析的速度和便利性。
84.在另一个实施例中，接收第二操作指令之前还包括：分别判断各个裸片区域是否存在对应的裸片图像，若存在，则在裸片区域中设置预设标识信息。
85.示例性地，判断每个裸片区域是否保存有对应的裸片图像，若存在，则在裸片区域中设置预设标识信息。可以理解的，若不存在对应的裸片图像，则可以设置与上述预设标识信息不同的其他预设标识信息，也可以不设置预设标识信息，从而将存在裸片图像的裸片区域与不存在裸片图像的裸片区域进行区分，以方便用户在获取裸片图像前，确定该裸片区域是否存在对应的裸片图像。
86.具体的，系统存储器中存储有裸片区域的标识信息与裸片图像的对应关系。在判断裸片区域是否存在对应的裸片图像时，首先获取裸片区域对应的标识信息，并基于该标识信息在系统数据库中进行检索和匹配，以判断是否保存有对应的裸片图像。
87.本实施例判断裸片区域是否存在对应的裸片图像，并对存在裸片图像的区域进行标识。用户在获取裸片图像时可先基于预设标识信息确定该裸片区域是否存在裸片图像，从而避免了无效操作。
88.在另一个实施例中，第二操作指令还用于指示获取至少一个目标裸片区域对应的失效及缺陷信息，接收第二操作指令之后还包括：显示目标裸片区域对应的失效及缺陷信息，失效及缺陷信息包括下述中的至少一种信息：缺陷标识、目标晶圆区域的坐标、失效类型、缺陷类型、产生缺陷的工艺步骤、缺陷的源工艺步骤。
89.示例性地，第二操作指令还用于指向获取目标裸片区域的失效及缺陷信息。系统接收第二操作指令，基于第二操作指令确定目标裸片区域对应的失效及缺陷信息并进行显示。其中，失效及缺陷信息包括缺陷标识、目标晶圆区域的坐标、失效类型、缺陷类型、产生
缺陷的工艺步骤、缺陷的源工艺步骤等。
90.具体的，裸片区域与对应的失效及缺陷信息之间存在链接关系，用户在交互界面点击目标裸片区域后，系统链接到对应的失效及缺陷信息并进行显示。
91.在其中一个具体实施例中，系统接收第二操作指令，基于第二操作指令同时显示目标裸片区域对应的裸片图像以及失效及缺陷信息。
92.本实施例通过第二操作指令直接显示目标裸片区域对应的失效及缺陷信息，用户无需根据目标裸片区域在文字或者表格中查找对应的失效及缺陷信息，只需点击目标裸片区域即可直接获取，提高了用户基于检测结果对晶圆良率进行分析的速度和便利性。
93.在另一个实施例中，获取目标晶圆的晶圆图之前还包括：步骤1：根据目标晶圆确定绘制数据，绘制数据至少包括晶圆直径、裸片尺寸以及晶圆边缘，还可以包括晶圆缺口以及裸片偏移量中的至少一种；步骤2：基于晶圆数据，绘制晶圆图。
94.示例性地，基于观测的目标晶圆，确定晶圆直径（diameter）、裸片尺寸、晶圆边缘（margin）、晶圆缺口（notch）以及裸片偏移量（dieoffsetx）等绘制数据。其中，裸片尺寸包括裸片宽度（diewidth）和裸片高度（dieheight）。
95.具体的，晶圆边缘是指图3中的外沿黑色边框，晶圆缺口是指能直观地观测到的缺口，用于在后续的裁剪、测试等制造工艺流程中进行定位；裸片偏移量是指裸片区域在晶圆图中的偏移量，通过调节裸片偏移量，可以保证晶圆图中存在更多的裸片区域。可以理解的，若晶圆图中的裸片区域的数量本身已经达到最大值，则可以不进行裸片偏移量调节。
96.示例性地，获取上述绘制数据后，基于绘制数据在计算机设备中绘制晶圆图。具体的，绘制晶圆图的步骤包括：确定目标晶圆的尺寸数据、形状数据、裸片数据等，基于上述数据在图形绘制软件中绘制晶圆图。更具体的，建立上述数据的链接控件，并将该链接控件拖入图形绘制软件的中的制图区域，生成晶圆图。其中，图形绘制软件包括但不限于jmp软件、minitab软件等。
97.本实施例预先根据目标晶圆确定晶圆图的绘制数据，再基于绘制数据绘制晶圆图，提高了晶圆图的准确性，进而保证了用户基于晶圆图对裸片良率进行分析的准确性。
98.在另一个实施例中，在晶圆图中的多个裸片区域中设置与电性失效类型相匹配的标识信息包括：步骤1：获取裸片在晶圆图对应的基准坐标系下的裸片坐标；步骤2：基于裸片坐标，在对应的裸片区域中设置与电性失效类型相匹配的标识信息。
99.示例性地，预先确定裸片的电性失效类型，以及对应的标识信息。在标识信息的设置过程中，先确定裸片在晶圆图对应的基准坐标系下的裸片坐标；基于裸片坐标，将电性失效类型对应的标识信息设置到裸片坐标所属的裸片区域。
100.具体的，获取裸片在晶圆图对应的基准坐标系下的裸片坐标的步骤包括：选取观测的裸片的参考点，基于目标晶圆的原始坐标系与晶圆图的基准坐标系的转换关系，将参考点在原始坐标系下的坐标转换为在基准坐标系下的坐标，并将该坐标作为观测的裸片对应的裸片坐标。优选的，以中心点或者端角等具有位置显著特征的点作为参考点。
101.在其中一个具体实施例中，晶圆数据包括裸片坐标以及电性失效类型，每种电性
失效类型均存在对应的颜色标识信息。获取上述晶圆数据后，根据裸片坐标以及的裸片对应的颜色标识信息，对裸片区域进行绘制。
102.在另一个具体实施例中，以晶圆图的中心点为原点，以晶圆图的横向和纵向为坐标轴方向，建立基准坐标系。可以理解的，一般情况下晶圆图的中心点即为位于中心裸片区域的裸片坐标。若存在裸片偏移量，则需要对中心裸片区域的裸片坐标进行坐标偏移补偿。
103.在另一个具体实施例中，设置与电性失效类型相匹配的标识信息后，还可以在晶圆图中绘制刻线，以将晶圆图划分为多个刻线区域（reticule），从而方便用户对不同的刻线区域进行观测。
104.具体的，根据裸片区域绘制刻线区域。绘制刻线区域的步骤包括：确定中心裸片区域所在的刻线区域，进一步基于该刻线区域的左下端角所在的裸片区域在基准坐标系下的坐标，以及刻线区域的尺寸，在晶圆图中绘制刻线。例如，如图3所示，每个裸片区域的尺寸为1*1，则每个刻线区域的尺寸为3*4，中心裸片区域所在的刻线区域的左下端角所属的裸片区域的坐标为（-1.5，-2）。由于取整的需要，相应小数点的坐标转换为（-1，-2）。最后，基于坐标（-1，-2）以及刻线区域尺寸3*4，在晶圆图中绘制刻线区域。
105.本实施例通过基准坐标系确定裸片坐标，基于裸片坐标在所属的裸片区域设置与电性失效类型匹配的标识信息，通过裸片坐标与标识信息的关联关系在对应的裸片区域进行标识，并且裸片坐标的计算方式简单，从而降低了在裸片区域设置对应标识信息的复杂程度。
106.在另一个实施例中，在晶圆图中的多个裸片区域中设置与电性失效类型相匹配的标识信息包括：步骤1：判断裸片区域是否存在至少一个端角在晶圆图中的晶圆区域内；步骤2：若存在，则在裸片区域中设置与电性失效类型相匹配的标识信息。
107.示例性地，获取裸片区域的端角的位置，并确定端角是否在晶圆图中的晶圆区域内。进一步，判断裸片区域是否存在至少一个端角在晶圆图中的晶圆区域内，若存在，则表明该裸片区域部分或者全部位于晶圆区域内，进而在该裸片区域设置与电性失效类型相配的标识信息；若不存在，则表明该裸片区域完全位于晶圆区域外，属于没有价值的裸片区域，无需设置标识信息。
108.具体的，确定晶圆区域的四个端角在晶圆图对应的基准坐标系下的坐标，通过该坐标与晶圆图中心点的距离，计算该端角到晶圆图中心的距离。进一步，将该距离与晶圆图的晶圆区域的半径进行比较，若小于晶圆区域的半径，则表明该端角位于晶圆区域内；若大于晶圆区域的半径，则表明该端角位于晶圆区域外。当裸片区域存在至少一个端角在晶圆区域内时，对该裸片区域设置标识信息。
109.具体的，由于上述刻线区域与裸片区域类似的存在与晶圆区域边缘交叉的问题，因此需要判断刻线区域是否部分或者全部位于晶圆区域内，从而排除不属于晶圆区域的无效刻线区域。判断刻线区域是否部分或者全部位于晶圆区域内的方法与裸片区域类似，即确定刻线区域的端角，并判断端角是否位于晶圆区域内。若存在至少一个端角位于晶圆区域内，则表明该刻线区域部分或者全部位于晶圆区域内，需要绘制该刻线区域；若不存在端角位于晶圆区域内，则表明该刻线区域完全位于晶圆区域外，属于没有价值的刻线区域，无需进行绘制。
110.具体的，若刻线区域内的所有裸片区域中至少存在一个裸片区域部分或者全部位于晶圆区域内，则表明该刻线区域部分或者全部位于晶圆区域内，需要绘制该刻线区域。
111.本实施例通过端角位置判断裸片区域是否部分或者全部位于晶圆图的晶圆区域内，并对部分或者全部位于晶圆区域内的裸片区域设置标识信息，从而对不属于晶圆区域的裸片区域进行排除，进而避免对没有价值的裸片区域进行标识。
112.在另一个实施例中，在晶圆图中的多个裸片区域中设置与电性失效类型相匹配的标识信息之后还包括：基于晶圆图中晶圆区域的边缘对晶圆图进行裁剪。
113.示例性地，在完成设置与电性失效类型相匹配的标识信息的步骤后，根据晶圆区域的边缘数据对晶圆图进行裁剪，从而仅保留晶圆区域部分。
114.具体的，由于晶圆图是基于晶圆区域的边缘数据进行绘制的，因此晶圆区域的边缘数据已经预先存储于系统存储器。通过访问相应的存储地址，获取边缘数据，并基于边缘数据对晶圆图进行裁剪。
115.本实施例通过边缘数据对晶圆图进行裁剪，以得到仅包含晶圆区域的目标晶圆图，去除不属于晶圆区域的无效部分，从而方便用户对晶圆图直观地进行分析，提高了分析速度。
116.需要说明的是，在上述流程中或者附图的流程图中示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
117.在本实施例中还提供了一种晶圆数据的处理装置，该装置用于实现上述实施例及优选实施方式，已经进行过说明的不再赘述。以下所使用的术语“模块”、“单元”、“子单元”等可以实现预定功能的软件和/或硬件的组合。尽管在以下实施例中所描述的装置较佳地以软件来实现，但是硬件，或者软件和硬件的组合的实现也是可能并被构想的。
118.图6是本实施例的晶圆数据的处理装置的结构框图，如图6所示，该装置包括：获取模块10，用于获取目标晶圆的晶圆图，晶圆图被划分为多个裸片区域；确定模块20，用于分别确定目标晶圆中各个裸片对应的电性失效类型以及至少一种缺陷类型；设置模块30，用于分别在晶圆图中的多个裸片区域中设置与电性失效类型相匹配的标识信息以及与至少一种缺陷类型相匹配的标识信息；设置模块30，还用于在晶圆图中确定缺陷位置；基于缺陷位置，在缺陷位置所属的裸片区域中设置与至少一种缺陷类型相匹配的标识信息；设置模块30，还用于获取目标晶圆中的缺陷点在原始坐标系中的坐标位置，原始坐标系包括在工艺流程中对目标晶圆观测时所基于的坐标系；基于原始坐标系与晶圆图所对应的基准坐标系之间的转换关系，确定缺陷点在基准坐标系中的坐标位置；设置模块30，还用于分别确定至少两个参考点在原始坐标系下的原始参考坐标以及在基准坐标系下的基准参考坐标；基于原始参考坐标以及基准参考坐标，确定原始坐标系与基准坐标系之间的转换
关系；设置模块30，还用于获取裸片在晶圆图对应的基准坐标系下的裸片坐标；基于裸片坐标，在对应的裸片区域中设置与电性失效类型相匹配的标识信息；设置模块30，还用于判断裸片区域是否存在至少一个端角在晶圆图中的晶圆区域内；若存在，则在裸片区域中设置与电性失效类型相匹配的标识信息；晶圆数据的处理装置，还包括第一操作模块；第一操作模块，用于接收第一操作指令，第一操作指令用于指示获取至少一个目标电性失效类型和/或至少一个目标缺陷类型对应的裸片区域；在晶圆图中突出显示与目标电性失效类型和/或目标缺陷类型对应的所有裸片区域；晶圆数据的处理装置，还包括第二操作模块；第二操作模块，用于接收第二操作指令，第二操作指令用于指示获取至少一个目标裸片区域对应的裸片图像；根据目标裸片区域的标识信息，确定与标识信息相关联的裸片图像；显示目标裸片区域对应的裸片图像；第二操作模块，还用于显示目标裸片区域对应的失效及缺陷信息，失效及缺陷信息包括下述中的至少一种信息：缺陷标识、目标晶圆区域的坐标、失效类型、缺陷类型、产生缺陷的工艺步骤、缺陷的源工艺步骤；晶圆数据的处理装置，还包括判断模块；判断模块，用于分别判断各个裸片区域是否存在对应的裸片图像，若存在，则在裸片区域中设置预设标识信息；晶圆数据的处理装置，还包括绘制模块；绘制模块，用于根据目标晶圆确定绘制数据，绘制数据至少包括晶圆直径、裸片尺寸以及晶圆边缘，还可以包括晶圆缺口以及裸片偏移量中的至少一种；基于晶圆数据，绘制晶圆图；晶圆数据的处理装置，还包括裁剪模块；裁剪模块，用于基于晶圆图中晶圆区域的边缘对晶圆图进行裁剪。
119.需要说明的是，上述各个模块可以是功能模块也可以是程序模块，既可以通过软件来实现，也可以通过硬件来实现。对于通过硬件来实现的模块而言，上述各个模块可以位于同一处理器中；或者上述各个模块还可以按照任意组合的形式分别位于不同的处理器中。
120.在本实施例中还提供了一种电子装置，包括存储器和处理器，该存储器中存储有计算机程序，该处理器被设置为运行计算机程序以执行上述任一项方法实施例中的步骤。
121.可选地，上述电子装置还可以包括传输设备以及输入输出设备，其中，该传输设备和上述处理器连接，该输入输出设备和上述处理器连接。
122.可选地，在本实施例中，上述处理器可以被设置为通过计算机程序执行以下步骤：s1，获取目标晶圆的晶圆图，晶圆图被划分为多个裸片区域；s2，分别确定目标晶圆中各个裸片对应的电性失效类型以及至少一种缺陷类型；
s3，分别在晶圆图中的多个裸片区域中设置与电性失效类型相匹配的标识信息以及与至少一种缺陷类型相匹配的标识信息。
123.需要说明的是，在本实施例中的具体示例可以参考上述实施例及可选实施方式中所描述的示例，在本实施例中不再赘述。
124.此外，结合上述实施例中提供的晶圆数据的处理方法，在本实施例中还可以提供一种存储介质来实现。该存储介质上存储有计算机程序；该计算机程序被处理器执行时实现上述实施例中的任意一种晶圆数据的处理方法。
125.应该明白的是，这里描述的具体实施例只是用来解释这个应用，而不是用来对它进行限定。根据本技术提供的实施例，本领域普通技术人员在不进行创造性劳动的情况下得到的所有其它实施例，均属本技术保护范围。
126.显然，附图只是本技术的一些例子或实施例，对本领域的普通技术人员来说，也可以根据这些附图将本技术适用于其他类似情况，但无需付出创造性劳动。另外，可以理解的是，尽管在此开发过程中所做的工作可能是复杂和漫长的，但是，对于本领域的普通技术人员来说，根据本技术披露的技术内容进行的某些设计、制造或生产等更改仅是常规的技术手段，不应被视为本技术公开的内容不足。
[0127]“实施例”一词在本技术中指的是结合实施例描述的具体特征、结构或特性可以包括在本技术的至少一个实施例中。该短语出现在说明书中的各个位置并不一定意味着相同的实施例，也不意味着与其它实施例相互排斥而具有独立性或可供选择。本领域的普通技术人员能够清楚或隐含地理解的是，本技术中描述的实施例在没有冲突的情况下，可以与其它实施例结合。
[0128]
以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对专利保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术的保护范围应以所附权利要求为准。