一种卫星内部介质深层充电风险的评估与监测方法与流程

1.本发明涉及卫星内部介质充电技术领域，特别是涉及一种卫星内部介质深层充电风险的评估与监测方法。


背景技术：

2.地球空间轨道上运行着大量应用卫星，由于始终处在外辐射带当中，空间高能电子除了对卫星造成辐射剂量效应之外，还会穿透卫星蒙皮而沉积在卫星内部绝缘材料或非接地导体中而发生充电现象，即发生卫星深层充电。卫星深层充电会像地面静电带电一样，当超过一定的容忍值时，就会产生放电，就如地面静电放电一般，放电期间会在短时间内释放出大量电荷、电磁波，这类静电放电会直接或间接耦合进电子系统中造成危害。受到深层充电影响的卫星可能会出现跳变等异常现象，甚至严重情况下会发生整星的失效。风云四号卫星的探测结果表明，在电路板材料中不会产生早期理论模拟的kv量级的事件，但较高的电压可能会干扰单机的运行，需要给出一种新的评估方法。
3.现有技术中对卫星内部介质深层充电的评估通常不能有效评估卫星内部介质充电的恶劣情况，且容易造成对深层充电对卫星的危害的评估过量或者不足，也无法实现对深层充电风险的连续监测与评估。


技术实现要素：

4.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种卫星内部介质深层充电风险的评估与监测方法，通过本发明的方法可以有效评估卫星内部介质的深层充电电压，并且可以实现对卫星内部介质深层充电风险的连续监测与评估。本发明所述方法采取的技术方案如下：
5.本发明提供了一种卫星内部介质深层充电风险的评估与监测方法，该方法包括如下步骤：
6.获取待测卫星内部介质两个能道的表面电子通量f1、f2，并分别将所述表面电子通量f1、f2和常用标准能量值e1＝0.8mev和e2＝2mev代入高能电子微分能谱公式：f＝aeb，计算得到高能电子能谱参数a和b；
7.将24h时间平均划分为若干预定时刻，利用卫星高能电子探测器获取所述预定时刻入射至所述卫星内部介质的两种不同能道的高能电子的能量e3和e4；
8.获取所述卫星内部介质的屏蔽厚度ro，根据电子的最大射程l与电子能量e的统计关系和电子通量发生衰减的防护层临界厚度a与电子能量e的统计关系：计算得到所述内部介质在所述屏蔽厚度ro情况下发生电子沉积现象的能量下限e
min
和电子通量发生衰减的防护层临界厚度a，其中ro、l和a的单位为g/cm2，e的单位为mev；
9.获取电路板内考察层面距卫星外表面的屏蔽距离x，根据能量上限条件不等式：x《
l(e
max
)和能量下限不等式：x≥l(e
min
)-a(e
min
)，计算得到发生沉积的能量上限e
max
，其中x的单位为g/cm2，l(e
max
)、l(e
min
)分别为电子沉积能量达到上限和下限时的电子最大射程，a(e
min
)为电子沉积能量达到下限时的临界厚度；
10.获取卫星的电路板面积s和所述内部介质的电阻r，将所述电路板面积s、所述电阻r、所述能量上限e
max
和所述能量下限e
min
代入以下公式，计算得到所述预定层次的电压值代入以下公式，计算得到所述预定层次的电压值
11.将预定电压范围划分为无风险、低风险、中风险和高风险四个风险等级，根据所述电压值进行风险等级评估，并将各个所述预定时刻获取的所述电压值和评估的所述风险等级生成图表数据。
12.进一步地，利用卫星高能电子探测器获取所述预定时刻入射至所述卫星内部介质的两种不同能道的高能电子的能量e3和e4包括：
13.依据卫星高能电子探测器的探测能量将所述高能电子进行能谱划分为不同能量值的两个的能量区间；
14.将每个能量区间的电子能量的中值作为所述能道的高能电子的能量e3和e4。
15.进一步地，获取所述卫星内部介质的屏蔽厚度ro，根据电子的最大射程l与电子能量e的统计关系和电子通量发生衰减的防护层临界厚度a与电子能量e的统计关系：计算得到所述内部介质在所述屏蔽厚度ro情况下发生电子沉积现象的能量下限e
min
和电子通量发生衰减的防护层临界厚度a，包括：
16.计算每个能道的高能电子穿过厚度为r0的卫星防护层的电子通量变化率其中，r0的单位为g/cm2。
17.进一步地，获取所述卫星内部介质的屏蔽厚度ro，根据电子的最大射程l与电子能量e的统计关系和电子通量发生衰减的防护层临界厚度a与电子能量e的统计关系：计算得到所述内部介质在所述屏蔽厚度ro情况下发生电子沉积现象的能量下限e
min
和电子通量发生衰减的防护层临界厚度a，还包括如下步骤：
18.通过所述表面电子通量f1、f2和所述电子通量变化率ratio计算每个能道透过的电子通量f1、
:
：f1＝f1×
ratio和f
2:
：f2＝f2×
ratio；
19.计算得到到达卫星内部介质表面的总电子通量f：f＝f1 f2；
20.将所述总电子通量f代入高能电子微分能谱公式：f＝aeb，计算得到修正后的电子能量e
′
，再通过所述电子能量e
′
进行电压值的计算。
21.进一步地，还包括对所述卫星内部介质的充电电压进行连续监测。进一步地，对所述卫星内部介质的充电电压进行连续监测包括如下步骤：
22.获取所述卫星内部介质的初始电压u1；
23.计算所述卫星内部介质的电压变化量du，du＝(sfq
e-u
t
/r)/c；
24.获得所述卫星内部介质在观测时刻t的充电电压u
t
；
25.根据观测时刻t的充电电压u
t
计算所述卫星内部介质的下一个观测时刻t 1的充电电压u
t 1
，u
t 1
＝u
t
du；
26.其中，s为卫星内部介质的探测面积，单位为cm2；qe为电子电荷量，c为卫星内部介质的电容；f
t
为上述观测时刻t的总的电子通量。
27.进一步地，还包括如下步骤：
28.如果高能电子监测数据和/或高能电子模型运行过程连续，则连续进行计算并定时生成深层充电文件；
29.如果高能电子能谱数据中断，则中断所述充电电压的计算。
30.进一步地，还包括如下步骤：
31.当中断所述充电电压的计算时，生成并推出深层充电文件。
32.进一步地，还包括如下步骤：
33.定时生成文件并将所述文件推出深层充电文件。
34.如上所述，本发明提供的卫星内部介质深层充电风险的评估与监测方法，至少具备如下有益技术效果：
35.本发明的方法能够根据到达介质表面电子通量可以计算卫星内部介质的深层充电电压，由此可以对卫星内部介质的深层充电电压进行评估。如果该深层充电电压超过设备安全预制，则可以有针对性地对卫星内部介质的材料进行筛选或者优化屏蔽措施，由此精细化保障设备的安全运行。与相关技术相比，实现卫星内部介质深层充电风险的有效评估和连续监测，评估结果更准确、评估效率更高、风险监测更便捷，提升了用户体验。
附图说明
36.图1是根据本发明实施例提供的一种卫星内部介质深层充电风险的评估与监测方法的流程图；
37.图2是根据本发明实施例提供的一种卫星内部介质深层充电风险的评估与监测方法的流程图。
具体实施方式
38.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
39.需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量、位置关系及比例可在实现本方技术方案的前提下随意改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
40.实施例一
41.本实施例提供一种卫星内部介质深层充电风险的评估与监测方法，参照图1和图
2，该方法包括如下步骤：
42.步骤s10、获取待测卫星内部介质两个能道的表面电子通量f1、f2，并分别将所述表面电子通量f1、f2和常用标准能量值e1＝0.8mev和e2＝2mev代入高能电子微分能谱公式：f＝aeb(1)，计算得到高能电子能谱参数a和b。
43.具体的，高能电子微分能谱公式：f＝aeb(1)中f为轨道上能量为e的高能电子通量，单位为cm-2
s-1
sr-1
mev-1
，e的单位为mev，a、b为常数。
44.一般地，标准的高能电子数据通常给出的是能量大于0.8mev和大于2mev的积分通量，由上述两个给定的积分通量能够计算推导出分能谱的特征参数a和b。
45.具体实施过程中，令e＞0.8mev和e＞2mev的高能电子积分通量分别为f1和f2，，将获取待测卫星内部介质两个能道的表面电子通量f1、f2以及e1＝0.8mev、e2＝2mev代入能谱参数公式：参数公式：得到再将b代入公式：a＝-f1
×
(b 1)/e
1b 1
(4)，计算得到a。
46.步骤s20、将24h时间平均划分为若干预定时刻，利用卫星高能电子探测器获取所述预定时刻入射至所述卫星内部介质的两种不同能道的高能电子的能量e3和e4。
47.在本发明的优选实施例中，所述将24h时间平均划分为144个预定时刻，即每十分钟对入射的高能电子进行获取和能量测量，以便实现对卫星高能电子入射的连续观测和测量。
48.具体实现过程中，例如可以依据卫星高能电子探测器的探测能量将所述高能电子进行能谱划分为不同能量值的两个的能量区间，并将每个能量区间的电子能量的中值作为所述能道的高能电子的能量e3和e4；或者利用特定能谱的高能电子，依据卫星高能电子探测器的不同能道对所述能谱进行划分，获得不同能量值的两个的能量区间，并将每个能量区间的中值作为所述能道的高能电子的能量e3和e4。
49.步骤s30、获取所述卫星内部介质的屏蔽厚度ro，根据电子的最大射程l与电子能量e的统计关系和电子通量发生衰减的防护层临界厚度a与电子能量e的统计关系：a＝0.283e(6)，计算得到所述内部介质在所述屏蔽厚度ro情况下发生电子沉积现象的能量下限e
min
和电子通量发生衰减的防护层临界厚度a，其中ro、l和a的单位为g/cm2，e的单位为mev。
50.步骤s40、获取电路板内考察层面距卫星外表面的屏蔽距离x，根据能量上限条件不等式：x《l(e
max
)(7)和能量下限不等式：x≥l(e
min
)-a(e
min
)(8)，计算得到发生沉积的能量上限e
max
，其中x的单位为g/cm2，l(e
max
)、l(e
min
)分别为
电子沉积能量达到上限和下限时的电子最大射程，a(e
min
)为电子沉积能量达到下限时的临界厚度。
51.步骤s50、获取卫星的电路板面积s和所述内部介质的电阻r，将所述电路板面积s、所述电阻r、所述能量上限e
max
和所述能量下限e
min
代入以下公式，计算得到所述预定层次的电压值电压值
52.具体的，依据卫星内部介质的充电电压和电子通量以及充电探测器的面积及电阻之间的关系，可以对卫星内部介质的深层充电电压进行评估，通过公式(9)可以求得卫星内部介质的深层充电电压u，其中，s为深层充电介质的探测面积，r为深层充电介质的电阻，qe为单个电子的电荷，即1.6
×
10-19
库伦。
53.具体实施过程中，电子通量通过厚度为r0的防护层后通量变化率可表为：公式(10)中r0的单位是g/cm2。电路板上某一层次达到电荷达到动态平衡时，则有沉积到该层次的电子与通过电流泄放的电子数量相等，即公式(11)左侧为沉积在某一层次上的泄放电流，u为该层次的电压，r该层次的为电阻。公式(1)给出了通过某个层次的高能电子通量φ，那么，沉积在该层次的电子则可表为可见沉积能量与外部入射的电子能量有关。
54.进一步，令电路板内考察层面距卫星外表面的屏蔽为x，单位为g/cm2，能够在该层次上沉积电荷，则电子需要达到的能量下限需要满足：x≥l(e
min
)-a(e
min
)(8)，同时，x超出l，电子不能到达，也不能形成有效电子沉积，因此，能量的最大值的条件是：x《l(e
max
)(7)，沉积电子的计算公式为：
55.由于在近似求解过程中采用了合理的假设，代入公式(1)和公式(13)可写为由以下公式能够计算得到特定层次上，高能电子沉积所形成的电压为由以下公式能够计算得到特定层次上，高能电子沉积所形成的电压为即即其中s为电路板面积，单位是cm2。
56.步骤s60、将预定电压范围划分为无风险、低风险、中风险和高风险四个风险等级，根据所述电压值进行风险等级评估，并将各个所述预定时刻获取的所述电压值和评估的所
述风险等级生成图表数据。
57.本实施例中通过计算通量变化率，能够准确获得入射至卫星内部介质的电子通量，通过该电子通量准确求得卫星内部介质的最大电压，即深层充电电压，由此可以对卫星内部介质的深层充电电压进行评估。如果该深层充电电压超过危险阈值，则可以有针对性地对卫星内部介质的材料进行筛选或者优化屏蔽措施，由此精细化地保障设备安全运行。
58.在优选实施例中，以风云四号卫星的高能电子探测数据为例，对上述计算过程进行模拟。风云四号用于探测深层充电电压的仪器采用了与卫星内部多数电路板的相同材质，探头的面积为5cm2，电阻为1
×
1010ω。
59.以2017年1月9日，3:00ut的探测数据为例，该时刻的高能电子通量情况为：f1＝5.6
×
105cm-2
sr-1
s-1
，f2＝8.4
×
102cm-2
sr-1
s-1
；
60.代入公式(3)：得到高能电子能谱常数b＝-8.15；
61.将f1、b的值代入公式(4)：a＝-f1
×
(b 1)/e
1b 1
，得到a＝8.12
×
105cm-2
sr-1
s-1
mev-1
。
62.经评估风云四号深层充电探测器的屏蔽厚度为0.8mm铝，即0.236g/cm2。采用逼近方法，由公式(5)：计算得到e
min
＝0.594mev；由公式(5)、(6)、(7)：a＝min(0.283e，l)、x《l(e
max
)，采用逐步逼近的方法，计算得到发生沉积的能量上限e
max
＝1.33mev。
63.深层充电电压计算，将e
min
和e
max
，以及介质的电阻代入公式(15)：可以计算得到该层次的电压值u＝1.583v。该时刻深层充电探测器的读数为1.52v。
64.在一个优选的示例性实施例中，选取风云四号卫星2017年4月2日为例，采用实施方案中的方法和步骤对整点的12个时间点的星外高能电子通量推出的能谱特征参数，以及根据这些参量和给出的方法计算得到的深层充电探测器该时刻的电压值，并与实测值进行了比较。
65.表1为2017年4月2日若干时间点的深层充电电压的计算结果与实测值，沉积区参数与上节给出的结果相同即，e
min
＝0.594mev，e
max
＝1.33mev，计算结果如表1所示：
[0066][0067]
表1
[0068]
通过对比测试计算结果，我们可以看出，本发明实施例给出的方法计算的探测器电压的趋势与实测数据基本一致，因此本发明实施例所述的计算深层充电电压的方法可以在高能电子较高的事件中评估深层充电的危害，且完全可以用于评估卫星内部介质的深层充电电压的风险等级，即，上述方法完全可以用于评估卫星在最恶劣的高能电子环境下，内部介质未来可能达到的深层充电极值，进而可以开展有针对性的卫星内部介质材料筛选和屏蔽优化措施。同时，本发明实施例提供的方法具有过程清晰、方法简明、计算快速、结果易懂等特点，适合在卫星设计和在轨保障过程中进行使用。
[0069]
由此可见，本发明所述的卫星内部介质深层充电监测方法，与相关技术相比，更能有效地对卫星内部介质深层充电风险进行评估和连续监测，评估结果更准确、评估效率更高、风险监测更便捷，提升了用户体验。
[0070]
在一个优选的实施例中，利用卫星高能电子探测器获取所述预定时刻入射至所述卫星内部介质的两种不同能道的高能电子的能量e3和e4包括：
[0071]
依据卫星高能电子探测器的探测能量将所述高能电子进行能谱划分为不同能量值的两个的能量区间；
[0072]
将每个能量区间的电子能量的中值作为所述能道的高能电子的能量e3和e4。
[0073]
在一个优选的实施例中，获取所述卫星内部介质的屏蔽厚度ro，根据电子的最大射程l与电子能量e的统计关系和电子通量发生衰减的防护层临界厚度a与电子能量e的统计关系：a＝0.283e，计算得到所述内部介质在所述屏蔽厚度ro情况下发生电子沉积现象的能量下限e
min
和电子通量发生衰减的防护层临界厚度a，包括：
[0074]
计算每个能道的高能电子穿过厚度为r0的卫星防护层的电子通量变化率ratio：
其中，r0的单位为g/cm2。
[0075]
优选的，获取所述卫星内部介质的屏蔽厚度ro，根据电子的最大射程l与电子能量e的统计关系和电子通量发生衰减的防护层临界厚度a与电子能量e的统计关系：a＝0.283e，计算得到所述内部介质在所述屏蔽厚度ro情况下发生电子沉积现象的能量下限e
min
和电子通量发生衰减的防护层临界厚度a，还包括如下步骤：
[0076]
通过所述表面电子通量f1、f2和所述电子通量变化率ratio计算每个能道透过的电子通量f1、
:
：f1＝f1×
ratio(16)和f
2:
：f2＝f2×
ratio(17)；
[0077]
计算得到到达卫星内部介质表面的总电子通量f：f＝f1 f2(18)；
[0078]
将所述总电子通量f代入高能电子微分能谱公式：f＝aeb，计算得到修正后的电子能量e
′
，再通过所述电子能量e
′
进行电压值的计算。
[0079]
本发明实施例中，通过高能电子穿过卫星防护层的厚度r0与电子通量变化率ratio的关系，计算得到在不同防护层厚度的情况下的电子通量变化率，从而计算出在不同防护层厚度的情况下的透过所述防护层的总电子通量，进一步可以计算出修正后的电子能量e
′
，再通过所述电子能量e
′
进行电压值的计算，提高了电子电压值计算的准确性，使评估结果更加准确。
[0080]
由此可见，本发明所述的卫星内部介质深层充电监测方法，与相关技术相比，更能有效地对卫星内部介质深层充电风险进行评估和连续监测，评估结果更准确、评估效率更高、风险监测更便捷，提升了用户体验。
[0081]
实施例二
[0082]
在上述实施例一的基础上，本发明实施例提供了另一种卫星内部介质深层充电风险的评估与监测方法，本实施例的方法首先采用与实施例一的方法相同的方法进行卫星内部介质深层充电风险的评估，具体过程不再赘述。
[0083]
在实施过程中，需要说明的是，在获得第一观测时刻入射至卫星内部介质的总的电子通量f时，给定卫星内部介质的初始充电电压u1＝u0。大量实验证明，经过一定时间后，实际充电电压只与入射电子通量相关，因此初始电压在合理范围即可。
[0084]
在一个优选的实施例中，还包括对所述卫星内部介质的充电电压进行连续监测。
[0085]
优选的，对所述卫星内部介质的充电电压进行连续监测包括如下步骤：
[0086]
获取所述卫星内部介质的初始电压u1；
[0087]
计算所述卫星内部介质的电压变化量du，du＝(sfq
e-u
t
/r)/c(19)；
[0088]
获得所述卫星内部介质在观测时刻t的充电电压u
t
；
[0089]
根据观测时刻t的充电电压u
t
计算所述卫星内部介质的下一个观测时刻t 1的充电电压u
t 1
，u
t 1
＝u
t
du(20)；
[0090]
其中，s为卫星内部介质的探测面积，单位为cm2；qe为电子电荷量，c为卫星内部介
质的电容；f
t
为上述观测时刻t的总的电子通量。
[0091]
具体的，高能电子在介质中形成充电主要包括高能电子沉积形成的电压，同时，由于介质的电阻率并非无穷大，介质中形成的弱电场引起的电流，引起电荷的损失。因此，根据介质中电荷的变化量，并结合卫星内部介质的电容，可以计算出卫星内部介质在充电过程中的电压的变化量du，du的计算公式如下所示：
[0092]
du＝(sftq
e-u
t
/r)/c(19)，
[0093]
其中，s为卫星内部介质的探测面积，单位为cm2；qe为电子电荷量，c为卫星内部介质的电容；f
t
为上述观测时刻t的总的电子通量。
[0094]
获得上述充电电压变化量du之后，可以通过如下公式获得连续的观测时刻下卫星内部介质的连续的充电电压值：
[0095]ut 1
＝u
t
du(20)。
[0096]
通过上述公式(20)便可以对卫星内部介质的充电电压进行连续监测。
[0097]
一般地，高能电子检测数据是连续的，并且高能电子模型运行无中断，此时，高能电子通量数据连续输入，提供连续的高能电子能谱，因此能够持续计算卫星内部介质的充电电压。此时，可以根据计算结果，定时生成并推出深层充电文件。
[0098]
当高能电子检测数据数据异常或高能电子模型运行中断，导致电子通量数据中断时，则中断计算，并根据计算结果生成计并推出深层充电文件。
[0099]
在本实施例的优选实施例中，同样以风云四号卫星为例，模拟卫星内部介质充电电压的连续监测。在该优选实施例中，以2017年4月2日为例计算风云四号卫星深层充电电压的日变化。风云四号卫星的深层充电探测器的相关参数与实施例一中的参数相同，具体为：卫星防护层为0.8mm厚的铝；深层充电探测器的电阻为1.75
×
10
12
欧姆；面积为28.3cm2；深层充电探测器的电容为4.5pf。在该优选实施例中，根据风云四号深层充电电压的分布特征(-5.0v～-0.1v)，设定卫星内部介质的初始电压u0＝-1.0v。
[0100]
首先，提取2017年4月2日的电子能谱文件，根据该电子能谱文件的电子通量信息，计算每一个观测时刻入射至卫星内部介质的总的电子通量f
t
；该电子通量f
t
的计算方法参照实施例一的方法。
[0101]
然后根据公式(19)计算卫星内部介质的充电电压变化量du。根据该电压变化量，利用公式(20)依次计算观测时刻t的充电电压u
t
及下一观测时刻t 1的充电电压u
t 1
。直至计算获得所有观测时刻的充电电压。
[0102]
通过如下公式对上述充电电压的计算值和实测值之间的相对偏差进行计算：其中，n为观测时刻的数量。经计算得到，二者的相对偏差为10.9％。本方法首次使用卫星实测高能电子能谱作为输入，得到的结果与实测深层充电数据接近。在卫星搭载高能电子探测设备或高能电子环境模型精度合适的前提下，能够用来实时地评估卫星内部介质材料的深层充电程度。
[0103]
如上所述，本发明提供的卫星内部介质深层充电风险的评估与监测方法，至少具备如下有益技术效果：
[0104]
本发明的方法能够计算单能电子穿过卫星防护层后的通量变化率，根据通量变化
率，计算单个能道透过的电子通量，然后积分求得到达介质表面电子通量。根据到达介质表面电子通量可以计算卫星内部介质的深层充电电压，由此可以对卫星内部介质的深层充电电压进行评估。如果该深层充电电压超过设备安全预制，则可以有针对性地对卫星内部介质的材料进行筛选或者优化屏蔽措施，由此精细化保障卫星设备的安全运行。
[0105]
进一步地，本发明的上述方法还可以根据积分求得的到达介质表面电子通量，计算介质内部充电电压的变化，根据t时刻的充电电压和高能电子注入介质通量情况，计算t 1时刻的充电电压，以此类推，得到卫星内部介质深层充电电压的连续变化过程，实现对卫星内部介质深层充电风险的连续监测与评估，具有较强的实用性。
[0106]
根据本发明的上述方法的充电电压的计算值与充电电压的实测值的相对偏差为10.9％，在当前现有的条件下，具有较强的实用性。
[0107]
由此可见，本发明所述的卫星内部介质深层充电监测方法，与相关技术相比，更能有效地对卫星内部介质深层充电风险进行评估和连续监测，评估结果更准确、评估效率更高、风险监测更便捷，提升了用户体验。
[0108]
在一个优选的实施例中，还包括如下步骤：
[0109]
如果高能电子监测数据和/或高能电子模型运行过程连续，则连续进行计算并定时生成深层充电文件；
[0110]
如果高能电子能谱数据中断，则中断所述充电电压的计算。
[0111]
具体的，当高能电子能谱数据中断产生非连续的数据时，造成计算结果不准确，因此中断充电电压的计算可以避免计算结果错误，提高风险评估和监测的准确度。
[0112]
优选的，还包括如下步骤：当中断所述充电电压的计算时，生成并推出深层充电文件。
[0113]
在一个优选的实施例中，还包括如下步骤：定时生成文件并将所述文件推出深层充电文件。
[0114]
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。