LDMOS器件及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种ldmos器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供fdsoi衬底，所述fdsoi衬底包括由下至上依次层叠的硅衬底、埋氧化层和顶层硅；在所述fdsoi衬底上定义有源区和隔离区，并在所述隔离区形成隔离结构；在所述fdsoi衬底上定义漂移区，并在部分所述漂移区形成混合区；在含有所述埋氧化层的所述fdsoi衬底内形成第一阱区，在所述漂移区形成第二阱区；在所述第二阱区形成第一埋层和第二埋层，所述第一埋层位于所述埋氧化层与所述第二埋层之间；在所述fdsoi衬底上表面跨越所述第一阱区和所述第二阱区形成栅极叠层，并在所述栅极叠层两侧形成第一侧墙结构；在所述栅极叠层及所述漂移区两侧形成抬高式源漏结构；在所述第一侧墙结构表面形成第二侧墙结构，并对所述源漏结构进行离子注入；在所述源漏结构和所述栅极叠层上形成金属硅化物层，以形成源漏栅极低电阻接触。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一阱区为n型阱区，所述第二阱区为p型阱区；或，所述第一阱区为p型阱区，所述第二阱区为n型阱区。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一阱区为n型阱区，所述第二阱区为p型阱区；所述第一埋层为p型埋层，所述第二埋层为n型埋层。4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一阱区为p型阱区，所述第二阱区为n型阱区；所述第一埋层为n型埋层，所述第二埋层为p型埋层。5.根据权利要求3或4所述的制作方法，其特征在于，在所述第二阱区形成第一埋层和第二埋层，包括：在整个器件表面形成第一掩膜层；对所述第一掩膜层进行光刻显影，形成离子注入窗口；基于所述离子注入窗口，在所述第二阱区内进行第一次离子注入，形成所述第二埋层；基于所述离子注入窗口，在所述第二阱区内进行第二次离子注入，形成所述第一埋层；其中，所述第一埋层与所述第二埋层在第一方向上满足齐平条件，在第二方向上，所述第一埋层位于所述埋氧化层与所述第二埋层之间；所述第一方向平行于所述fdsoi衬底，所述第二方向为所述硅衬底指向所述顶层硅。6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，进行所述第一次离子注入和所述第二次离子注入的离子不同；进行所述第一次离子注入的离子为硼离子，进行所述第二次离子注入的离子为磷离子；或，进行所述第一次离子注入的离子为磷离子，进行所述第二次离子注入的离子为硼离子。7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述隔离结构为局部硅氧化隔离结构或者浅沟槽隔离结构。8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述隔离结构为局部硅氧化隔离结
构；在所述隔离区形成所述隔离结构，包括：在整个器件表面形成第二掩膜层；对所述第二掩膜层进行光刻显影，刻蚀去除位于所述隔离区的第二掩膜层，露出所述隔离区的顶层硅表面，保留位于所述有源区的第二掩膜层；采用热氧化工艺对露出的所述隔离区的顶层硅进行完全氧化，形成隔离结构；去除位于所述有源区的第二掩膜层。9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构；在所述隔离区形成所述隔离结构，包括：在整个器件表面形成第二掩膜层；对所述第二掩膜层进行光刻显影，依次刻蚀去除位于所述隔离区的第二掩膜层、顶层硅、埋氧化层及部分硅衬底，形成隔离区沟槽，保留位于所述有源区的第二掩膜层；在形成的所述隔离区沟槽中沉积一定厚度的氧化层，并采用化学机械研磨的方法研磨至所述第二掩膜层，形成隔离结构；去除位于所述有源区的第二掩膜层。10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在部分所述漂移区形成混合区，包括：在整个器件表面形成第三掩膜层；对所述第三掩膜层进行光刻显影，形成刻蚀窗口；基于所述刻蚀窗口，对所述隔离结构、所述顶层硅、所述埋氧化层以及部分所述硅衬底进行刻蚀，形成刻蚀沟槽；采用选择性外延生长的方式在所述刻蚀沟槽生长单晶硅，形成混合区域；其中，所述混合区域在第二方向上与所述顶层硅满足齐平条件，所述第二方向为所述硅衬底指向所述顶层硅。11.一种ldmos器件，其特征在于，包括：fdsoi衬底，所述fdsoi衬底包括由下至上依次层叠的硅衬底、埋氧化层和顶层硅；位于所述fdsoi衬底上的有源区和隔离区，所述隔离区具有隔离结构；位于所述fdsoi衬底上的漂移区，在部分所述漂移区形成有混合区；位于所述fdsoi衬底内的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区在含有所述埋氧化层的所述fdsoi衬底内，所述第二阱区位于所述漂移区；位于所述第二阱区的第一埋层和第二埋层，所述第一埋层位于所述埋氧化层与所述第二埋层之间；位于所述fdsoi衬底上表面的跨越所述第一阱区和所述第二阱区的栅极叠层，所述栅极叠层两侧具有第一侧墙结构；位于所述栅极叠层及所述漂移区两侧的源漏结构；位于所述第一侧墙结构表面的第二侧墙结构；位于所述源漏结构和所述栅极叠层上的金属硅化物层。

技术总结
本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供FDSOI衬底，所述FDSOI衬底包括由下至上依次层叠的硅衬底、埋氧化层和顶层硅；在所述FDSOI衬底上定义有源区和隔离区，并在所述隔离区形成隔离结构；在所述FDSOI衬底上定义漂移区，并在部分所述漂移区形成混合区；在含有所述埋氧化层的所述FDSOI衬底内形成第一阱区，在所述漂移区形成第二阱区；在所述第二阱区形成第一埋层和第二埋层，所述第一埋层位于所述埋氧化层与所述第二埋层之间。应用发明提供的技术方案，可以提高LDMOS的击穿电压，同时降低导通电阻，改善器件的漏电流，提高LDMOS的开关特性与耐击穿性，从而提高LDMOS的器件性能。从而提高LDMOS的器件性能。从而提高LDMOS的器件性能。


技术研发人员：嵇彤 叶甜春 朱纪军 李彬鸿 罗军 赵杰 许静 许滨滨 王国庆
受保护的技术使用者：澳芯集成电路技术（广东）有限公司
技术研发日：2021.12.29
技术公布日：2022/4/15