一种基于EVENODD的三校验扩展方法、系统、设备及介质与流程

一种基于evenodd的三校验扩展方法、系统、设备及介质
技术领域
1.本发明属于计算机存储领域，具体涉及一种基于evenodd的三校验扩展方法、系统、设备及存储介质。


背景技术：

2.数据可靠性是存储系统的重要性能指标。分布式存储系统通过将数据分散到多个独立的存储节点上来提高数据服务的安全性和可靠性。由于大型存储系统中存在频繁的组件失效问题，现代分布式存储系统一般用基于复制或纠删码策略生成冗余数据来保证数据的可靠性。基于复制策略的存储方案存储开销过大，纠删码策略因其最小化存储开销并达到较高的数据可靠性而得到广泛运用。raid6算法是纠删码策略的典型应用，它具有容两错的能力以及较高的鲁棒性。evenodd、rdp，x-code等算法因只需进行异或操作并达到冗余率最优而被广泛应用到存储系统中。
3.基于纠删码策略的存储系统中，存放原始数据的节点称为数据盘，存放校验数据的节点称为校验盘，因此对于单节点故障修复问题，可分为数据盘故障修复和校验盘故障修复。针对单节点故障快速修复问题，现有研究工作主要通过提高数据盘的修复效率来保证系统可靠性，对于校验盘修复则采用传统修复方案，效率较低。
4.evenodd是经典的纠删算法，因其只需要使用数据进行异或而达成编解码而闻名。但是因为不涉及复杂的参数运算，evenodd算法无法支持大于两个错误的情况纠错。
5.因此，需要一种有效扩展的方法以解决上述问题。


技术实现要素：

6.为解决以上问题，本发明提出了一种基于evenodd的三校验扩展方法，包括：
7.基于待存储数据生成多个中间因子并通过所述多个中间因子构建多个校验码；
8.将所述待存储数据和所述多个校验码保存到存储系统中；
9.响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复。
10.在本发明的一些实施方式中，基于待存储数据生成多个中间因子并通过所述多个中间因子构建多个校验码，包括：
11.沿副对角线方式生成第一中间因子，并基于所述第一中间因子生成第一校验码和第二校验码。
12.在本发明的一些实施方式中，基于待存储数据生成多个中间因子并通过所述多个中间因子构建多个校验码，还包括：
13.沿副对角线方向以偏移预定位数的方式生成第二中间因子，并基于所述第二中间因子生成第三校验码。
14.在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，包括：
15.响应于所述数据丢失的组数为第一预定个数，通过所述第一校验码恢复所述数据。
16.在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，还包括：
17.响应于所述数据丢失的组数为第二预定个数，通过所述第一校验码和所述第二校验码恢复所述数据。
18.在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，还包括：
19.响应于所述数据丢失的组数为第二预定个数，通过所述第一校验码、第二校验码和所述第三校验码中任意两组校验码恢复所述数据。
20.在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，还包括：
21.响应于所述数据丢失的组数为第三预定个数，通过所述第一校验码、第二校验码和所述第三校验码恢复所述数据。
22.本发明的另一方面还提出了一种基于evenodd的三校验扩展系统，包括：
23.校验码生成模块，所述校验码生成模块配置用于基于待存储数据生成多个中间因子并通过所述多个中间因子构建多个校验码；
24.数据存储模块，所述数据存储模块配置用于将所述待存储数据和所述多个校验码保存到存储系统中；
25.数据恢复模块，所述数据恢复模块配置用于响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复。
26.本发明的又一方面还提出了一种计算机设备，包括：
27.至少一个处理器；以及
28.存储器，所述存储器存储有可在所述处理器上运行的计算机指令，所述指令由所述处理器执行时实现上述实施方式中任意一项所述方法的步骤。
29.本发明的再一方面还提出了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述实施方式中任意一项所述方法的步骤。
30.本发明提出了一种针对三个错误的三校验扩展算法，通过在原有evenodd的基础上增加了一组中间因子，并基于该中间因子生成第三校验码，根据第三校验码对三个错误的数据进行恢复。保持了evenodd的只需要进行异或操作的优势，实现任意三个错误的纠错功能支持。且算法可以向下或向上降级或升级，和evenodd算法很好的兼容。
附图说明
31.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
32.图1为本发明实施例提出的一种基于evenodd的三校验扩展方法的方法流程图；
33.图2为本发明实施例提出的一种基于evenodd的三校验扩展系统的系统结构图；
34.图3为本发明实施例提出的一种计算机设备的结构示意图；
35.图4为本发明实施例提出的一种计算机存储介质的结构示意图；
36.图5为现有技术中利用evenodd算法对数据进行恢复的示意图；
37.图6为本发明实施例提出的利用evenodd算法对数据进行恢复的示意图；
38.图7为本发明实施例提出的利用evenodd算法对数据进行恢复的示意图；
39.图8为本发明实施例提出的利用evenodd算法对数据进行恢复的示意图。
具体实施方式
40.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明实施例进一步详细说明。
41.需要说明的是，本发明实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本发明实施例的限定，后续实施例对此不再一一说明。
42.本发明所提出的方法是基于现有的evenodd算法的优化，evenodd编码是一种基于(p一1)*(p 2)阵列、仅需进行异或操作并达到最优冗余率的纠删编码方案，其中p为大于2的素数。其(p-1)*p的阵列存放原始数据，后两列存放所生成的校验数据。现有的evenodd算法仅能对两个数据出现错误时的修复功能，在应用在存储领域时，如图5所示，仅能对磁盘1-5中的两个磁盘的数据进行恢复，如果存在3个或三个以上的磁盘出现故障，则无法根据现有的数据对丢失的磁盘的数据进行恢复，可以说最大只允许2/5的数据的丢失。超过2/5的数据按照现有的算法则无法进行恢复，虽然在现有的磁盘存储技术的优化下，极少出现同时多个数据盘损坏的情况，但是也难免不会出现极端的情况超过2/5的磁盘数据损坏，一旦出现上述情况，则无法通过现有的evenodd算法进行恢复。
43.为解决上述问题，如图1所示，本发明提出了一种基于evenodd的三校验扩展方法，该方法包括：
44.步骤s1、基于待存储数据生成多个中间因子并通过所述多个中间因子构建多个校验码；
45.步骤s2、将所述待存储数据和所述多个校验码保存到存储系统中；
46.步骤s3、响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复。
47.在步骤s1中，在将待存储数据根据存储的磁盘的个数生成对应的矩阵之后，从中选择1个和/或多个中间因子，按照evenodd算法的原理生成多个校验码。需要说明的是，在本发明中，是将多个磁盘中的数据按照evenodd算法的计算方式进行分布，即在存储数据时，将某组待存储数据如图7的方式分别存到5个磁盘中，并按照evenodd算法的方式生成3组校验码。本实施例提供的是evenodd算法在p＝5((p一1)*(p 2)阵列，p代表矩阵的大小，同时也表示用于存储数据的磁盘个数)的情况下的数据校验方式。
48.在步骤s2中，将生成的多个校验码和矩阵化后的数据分别存储到对应的存储系统的磁盘中。
49.在步骤s3中，在磁盘数据丢失时，根据现有的磁盘数据以及存储的1个或多个校验
码按照evenodd算法的计算生成校验码的方式反向求解已损失的数据的真实值。
50.在本发明的一些实施方式中，基于待存储数据生成多个中间因子并通过所述多个中间因子构建多个校验码，包括：
51.沿副对角线方式生成第一中间因子，并基于所述第一中间因子生成第一校验码和第二校验码。
52.在本实施例中，按照现有的evenodd算法，采用1个中间因子的方式构建两个校验码，而在本实施例中，选择多个中间因子同样按照evenodd算法的原有的计算方式生成更多个校验码。
53.进一步，在本实施例中，在将数据根据存储的磁盘数生成对应的矩阵之后，首先按照evenodd算法原有的方式沿副对角线的方向上随机选取一组数据作为中间因子s，如图6所示的矩阵中，选择p、l、h、d作为中间因子即：
[0054][0055]
按照evenodd算法的原理进行异或运算得到校验码，运算可拆解为：
[0056][0057][0058][0059][0060][0061][0062][0063][0064]
其中，p
0-p3表示生成的第一组校验码，p0’‑
p3’
表示第二组校验码。通过转换为矩阵形式的代存储数据按照上述公式进行计算，得到上述第一组校验码p
0-p3和第二组校验码p0’‑
p3’
。
[0065]
在本发明的一些实施方式中，基于待存储数据生成多个中间因子并通过所述多个中间因子构建多个校验码，还包括：
[0066]
沿副对角线方向以偏移预定位数的方式生成第二中间因子，并基于所述第二中间因子生成第三校验码。
[0067]
在本实施例中，按照如图7所示的方式生成第二中间因子，即沿着副对角线方向向左偏移一位的方式生成第二中间因子，在如图7所示的矩阵结构中，第二中间因子的选择共有5中，在生成第三校验码时选择其中一个作为默认的第二中间因子s’，例如，构造一个参与所有校验生成但不同于上述第二校验的中间因子s’。构造方法为选用对角元素开始，按照横向2位，纵向1位的方式进行递进构建，则在图7的例子中，选择对角线元素e作为起始位，左向和下向为构建方向进行构建，则得到的中间因子如下所述：
[0068][0069]
同样按照上述构建第二中间因子的方式选用对角元素开始，按照横向2位，纵向1位的方式进行递进构建，即以行为起始位的产生方法，逐次构造校验这里的逐次方式，使用
的是类似于生成第二中间因子的方式即横向2位，纵向1位的方法，来进行构建，这样所得到的其他为的组合为：
[0070][0071][0072][0073][0074]
结合上述实施例中所构建的第一组校验码p
0-p3和第二组校验码p0’‑
p3’
最终构建的三验校验码的计算式总结为：
[0075][0076][0077][0078][0079][0080][0081][0082][0083][0084][0085][0086][0087]
对上述三组校验码的生成公式按照待存储数据进行计算便可得到三组校验码，实际中上述第一组校验码p
0-p3和第二组校验码p0’‑
p3’
与第二中间因子并无相关关系，因此对于第三组校验码可在现有的校验码的基础上独立计算。
[0088]
在一些实施例中，对现有的已采用evenodd算法建立的二校验的存储系统进行升级，只需按照上述第二中间因子的生成方式及第三组校验码的生成方式，在不修改或不破坏现有第一组校验码和第二组校验码的基础上直接生成第三组校验码p0”‑
p
3”，并将新生成的第三校组验码p0”‑
p
3”另存到一个磁盘中便可实现对现有采用evenodd算法建立的存储系统的升级。在此过程中完全不需要重新构建第一中间因子，并且也不需要再重新对已经存盘的第一校验码p
0-p3和第二组校验码p0’‑
p3’
进行覆盖，快速完成对现有采用evenodd算法建立的存储系统的升级。
[0089]
在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，包括：
[0090]
响应于所述数据丢失的组数为第一预定个数，通过所述第一校验码恢复所述数据。
[0091]
在本实施例中，如果存储系统中存储的一个磁盘上的数据出现丢失或损坏，可通过第一组校验码p
0-p3进行恢复。因为第一组校验码p
0-p3的生成方式如下：
[0092][0093][0094][0095][0096]
即可通过其与四组磁盘中的数据和第一组校验码p
0-p3进行恢复，计算量最小。
[0097]
在本发明的一些实施例中，对于确实一组磁盘数据的情况，理论上可通过上述三组校验中的任一一组，按照三组校验码的生成方式进行逆运算求解一次方程组即可，优选地采用第一组校验码p
0-p3进行恢复，可降低计算量。
[0098]
在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，还包括：
[0099]
响应于所述数据丢失的组数为第二预定个数，通过所述第一校验码和所述第二校验码恢复所述数据。
[0100]
在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，还包括：
[0101]
响应于所述数据丢失的组数为第二预定个数，通过所述第一校验码、第二校验码和所述第三校验码中任意两组校验码恢复所述数据。
[0102]
在本实施例中，如果存储系统中存储的两个磁盘上的数据出现丢失，则需要通过两组校验码进行恢复。即通过第一组校验码和第二组校验码的生成公式进行逆向求解，即将p
0-p3和p0’‑
p3’
作为已知量计算其他两组未知的量，优选的计算公式如下：
[0103][0104][0105][0106][0107][0108][0109][0110][0111]
即通过第一组校验码p
0-p3和第二组校验码p0’‑
p3’
对数据丢失的两个磁盘上的数据进行恢复。
[0112]
在本发明的一些实施例中，理论上还可以通过第一组校验码p
0-p3和第二组校验码p0”‑
p
3”的生成公式对丢失的两个磁盘上的数据进行恢复，如：
[0113][0114][0115][0116][0117]
[0118][0119][0120][0121]
在本发明的一些实施例，还可通过第二组校验码p0’‑
p3’
和第三组校验码p0”‑
p
3”的生成公式对丢失的两个磁盘上的数据进行恢复，如：
[0122][0123][0124][0125][0126][0127][0128][0129][0130]
特别地，优先选择具备第一组校验码p
0-p3的生成公式进行计算以恢复丢失的两个磁盘上的数据。
[0131]
在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，还包括：
[0132]
响应于所述数据丢失的组数为第三预定个数，通过所述第一校验码、第二校验码和所述第三校验码恢复所述数据。
[0133]
在本实施例中，如果存储系统中存在3个磁盘同时出现故障并导致数据丢失，则需要上述三组校验码进行恢复，按照三组校验码的生成公式：
[0134][0135][0136][0137][0138][0139][0140][0141][0142][0143][0144][0145][0146]
代入已知的剩余磁盘数据和三组校验码对应的值，求解上述多元一次方程组。
[0147]
同时，为了证明其可解性，将剩余待解码的数据块建模为矩阵关系，建模方式首先对待求数据块进行编号，如8所示，需要说明的是，为了便于理解，图8中a1中的1表示其在矩阵中的位置，并不是新的数据a1。则在如图8所示的编号环境下，按照三组校验码的生成公式中的每一个公式表示一个解码条件，则构建矩阵为：
[0148][0149]
上述矩阵中的列表示待求数据，行为求解关系式，矩阵中的1表示其为1乘以待求数据，0表示在此行的求解关系式中为乘以0。
[0150]
有解的条件是该其矩阵(上述12行12列的矩阵)的秩为满秩，则可表示其所对应的数据矩阵(abcde...磁盘数据组成的矩阵)为有且有唯一解。
[0151]
对上述矩阵求秩，可知其秩为12，因此有且只有唯一解。
[0152]
同样的，在其他错误情况下，因为行列式的待求数据有相同的1的数量和关系，在矩阵中仅仅表现为行列的置换，因此求秩也都为12，有且有唯一解。因此本发明方法可恢复三校验。即可在存储系统中，在丢失三份磁盘数据的情况下对磁盘数据进行恢复。
[0153]
本发明提出了一种针对三个错误的三校验扩展算法，通过在原有evenodd的基础上增加了一组中间因子，并基于该中间因子生成第三校验码，根据第三校验码对三个错误的数据进行恢复。保持了evenodd的只需要进行异或操作的优势，实现任意三个错误的纠错功能支持。且算法可以向下或向上降级或升级，和evenodd算法很好的兼容。
[0154]
如图2所示，本发明的另一方面还提出了一种基于evenodd的三校验扩展系统，该基于evenodd的三校验扩展系统包括：
[0155]
校验码生成模块1，所述校验码生成模块1配置用于基于待存储数据生成多个中间因子并通过所述多个中间因子构建多个校验码；
[0156]
数据存储模块2，所述数据存储模块2配置用于将所述待存储数据和所述多个校验码保存到存储系统中；
[0157]
数据恢复模块3，所述数据恢复模块3配置用于响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复。
[0158]
在本发明的一些实施方式中，校验码生成模块1还配置用于：
[0159]
沿副对角线方式生成第一中间因子，并基于所述第一中间因子生成第一校验码和
第二校验码。
[0160]
在本发明的一些实施方式中，校验码生成模块1还配置用于：
[0161]
沿副对角线方向以偏移预定位数的方式生成第二中间因子，并基于所述第二中间因子生成第三校验码。
[0162]
在本发明的一些实施方式中，数据恢复模块3还配置用于：
[0163]
响应于所述数据丢失的组数为第一预定个数，通过所述第一校验码恢复所述数据。
[0164]
在本发明的一些实施方式中，数据恢复模块3还配置用于：
[0165]
响应于所述数据丢失的组数为第二预定个数，通过所述第一校验码和所述第二校验码恢复所述数据。
[0166]
在本发明的一些实施方式中，数据恢复模块3还配置用于：
[0167]
响应于所述数据丢失的组数为第二预定个数，通过所述第一校验码、第二校验码和所述第三校验码中任意两组校验码恢复所述数据。
[0168]
在本发明的一些实施方式中，数据恢复模块3还配置用于：
[0169]
响应于所述数据丢失的组数为第三预定个数，通过所述第一校验码、第二校验码和所述第三校验码恢复所述数据。
[0170]
如图3所示，本发明的又一方面还提出了一种计算机设备，该计算机设备包括：
[0171]
至少一个处理器21；以及
[0172]
存储器22，所述存储器22存储有可在所述处理器21上运行的计算机指令22，所述指令22由所述处理器21执行时实现一种基于evenodd的三校验扩展方法，该基于evenodd的三校验扩展方法包括：
[0173]
基于待存储数据生成多个中间因子并通过所述多个中间因子构建多个校验码；
[0174]
将所述待存储数据和所述多个校验码保存到存储系统中；
[0175]
响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复。
[0176]
在本发明的一些实施方式中，基于待存储数据生成多个中间因子并通过所述多个中间因子构建多个校验码，包括：
[0177]
沿副对角线方式生成第一中间因子，并基于所述第一中间因子生成第一校验码和第二校验码。
[0178]
在本发明的一些实施方式中，基于待存储数据生成多个中间因子并通过所述多个中间因子构建多个校验码，还包括：
[0179]
沿副对角线方向以偏移预定位数的方式生成第二中间因子，并基于所述第二中间因子生成第三校验码。
[0180]
在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，包括：
[0181]
响应于所述数据丢失的组数为第一预定个数，通过所述第一校验码恢复所述数据。
[0182]
在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，还包括：
[0183]
响应于所述数据丢失的组数为第二预定个数，通过所述第一校验码和所述第二校验码恢复所述数据。
[0184]
在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，还包括：
[0185]
响应于所述数据丢失的组数为第二预定个数，通过所述第一校验码、第二校验码和所述第三校验码中任意两组校验码恢复所述数据。
[0186]
在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，还包括：
[0187]
响应于所述数据丢失的组数为第三预定个数，通过所述第一校验码、第二校验码和所述第三校验码恢复所述数据。
[0188]
如图4所示，本发明的再一方面还提出了一种计算机可读存储介质401，所述计算机可读存储介质401存储有计算机程序402，所述计算机程序402被处理器执行时实现一种基于evenodd的三校验扩展方法，该基于evenodd的三校验扩展方法包括：
[0189]
基于待存储数据生成多个中间因子并通过所述多个中间因子构建多个校验码；
[0190]
将所述待存储数据和所述多个校验码保存到存储系统中；
[0191]
响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复。
[0192]
在本发明的一些实施方式中，基于待存储数据生成多个中间因子并通过所述多个中间因子构建多个校验码，包括：
[0193]
沿副对角线方式生成第一中间因子，并基于所述第一中间因子生成第一校验码和第二校验码。
[0194]
在本发明的一些实施方式中，基于待存储数据生成多个中间因子并通过所述多个中间因子构建多个校验码，还包括：
[0195]
沿副对角线方向以偏移预定位数的方式生成第二中间因子，并基于所述第二中间因子生成第三校验码。
[0196]
在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，包括：
[0197]
响应于所述数据丢失的组数为第一预定个数，通过所述第一校验码恢复所述数据。
[0198]
在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，还包括：
[0199]
响应于所述数据丢失的组数为第二预定个数，通过所述第一校验码和所述第二校验码恢复所述数据。
[0200]
在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，还包括：
[0201]
响应于所述数据丢失的组数为第二预定个数，通过所述第一校验码、第二校验码和所述第三校验码中任意两组校验码恢复所述数据。
[0202]
在本发明的一些实施方式中，响应于所述存储系统中的所述待存储数据丢失，根据所述多个校验码对所述数据进行恢复，还包括：
[0203]
响应于所述数据丢失的组数为第三预定个数，通过所述第一校验码、第二校验码和所述第三校验码恢复所述数据。
[0204]
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(ram)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，ram以多种形式可得，诸如静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)、双数据率sdram(ddrsdram)、增强型sdram(esdram)、同步链路(synchlink)dram(sldram)、存储器总线(rambus)直接ram(rdram)、直接存储器总线动态ram(drdram)、以及存储器总线动态ram(rdram)等。
[0205]
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0206]
以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。