一种变压电路的制作方法

1.本技术涉及变压电路技术领域，尤其是涉及一种变压电路。


背景技术：

2.绝大多数电器中采用变压器降压，因为这是最经济、损耗最小的降压办法。如果电器需要的是交流电源，经过变压器中的变压电路降压后直接就可使用。如果电器需要的是直流电源，经过变压器的变压电路降压后还要经过整流稳压等环节才可使用。
3.相关技术中，为考虑到生产成本，一般变压电路中的电源芯片的内部mos耐压值通常较小，以降低生产成本。
4.针对上述相关技术，发明人认为存在以下问题：由于上述的变压电路中的电源芯片的内部mos耐压值较小，当变压电路需要应用到高压输入的场景时，上述的变压电路中的电源芯片的内部mos管易被击穿，即上述变压电路仅适用于低压输入的场景，因此，相关技术中的变压电路的实用性较差。


技术实现要素：

5.为了提高变压电路的适用性，本技术提供一种变压电路。
6.本技术提供的一种变压电路采用如下的技术方案：
7.一种变压电路，包括：
8.降压子电路，用于降低变压电路的输入电压；
9.电源芯片，用于控制变压电路的各个子电路的工作；
10.变压器，用于改变输入电压的压值；
11.输出子电路，用于输出改变后的输入电压的压值；
12.所述降压子电路的输入端接入输入电压，所述降压子电路的输出端分别与所述电源芯片的输入端和所述变压器的原边连接，所述变压器的副边与所述输出子电路的输入端连接。
13.通过采用上述技术方案，输入电压进入降压子电路后，通过降压子电路对输入电压进行降压，以使输入电压低于电源芯片的内部mos管的阈值，输入电压再经过变压器进行变压，最后通过输出子电路进行输出，在此过程中，由于输入电压低于电源芯片的内部mos管的阈值，与相关技术相比，该变压电路能够应用到高压输入的场景，因此提高了变压电路的适用性。
14.优选的，所述降压子电路包括mos管、驱动电阻以及稳压二极管，所述mos管的漏极接入输入电压，所述mos管的另一端与所述电源芯片的输入端连接，所述驱动电阻的两端分别与所述mos管的漏极和栅极连接，所述稳压二极管的阴极与所述mos管的栅极连接，所述稳压二极管的阳极接地。
15.通过采用上述技术方案，输入电压经过驱动电阻，电流流过驱动电阻，产生压降，以使mos管的栅极和源极之间的电压大于mos管的驱动电压，mos管导通，当输入电压过大，
且输入电压大于稳压二极管的反向击穿电压时，稳压二极管对输入电压进行钳位，此时，输入至电源芯片的电压为稳压二极管的钳位电压减去mos管的栅极和源极之间的电压，因此，对输入电压能够实现降压的操作。
16.优选的，所述降压子电路还包括保护二极管，所述保护二极管的阳极与所述mos管的源极连接，所述保护二极管的阴极与所述mos管的栅极连接。
17.通过采用上述技术方案，保护二极管用于钳位mos管栅极和源极之间的电压值，减少因mos管栅极和源极之间的电压值过大并超过mos管的耐压值而击穿mos管的情况发生。
18.优选的，还包括滤波子电路，所述滤波子电路的一端接入输入电压，所述滤波子电路的另一端与所述降压子电路的输入端连接。
19.通过采用上述技术方案，输入电压进入滤波子电路，经过滤波子电路过滤波形中的杂波，再经过滤波子电路输出至降压子电路，提高了波形的质量。
20.优选的，还包括供电子电路，所述供电子电路的输入端与所述变压器的原边连接，所述供电子电路的输出端与所述电源芯片的电源端连接。
21.通过采用上述技术方案，输入电压经过变压器进行变压并通过输出子电路输出后，也能通过变压器反馈至供电子电路，并由供电子电路对电源芯片实现供电。
22.优选的，所述供电子电路包括整流二极管和充电电容，所述整流二极管与充电电容并联，所述充电电容的正极与所述电源芯片的电源端连接，所述充电电容的阴极与所述变压器的原边连接。
23.通过采用上述技术方案，反馈的交流电压经过整流二极管转换为交流电压，再存储至充电电容内，待充电电容内的电压稳定后，再由充电电容输入至电源芯片，进而提高了输入至电源芯片的电压的稳定性。
24.优选的，所述供电子电路还包括限流电阻，所述限流电阻的一端与所述整流二极管的阴极电连接，所述限流电阻的另一端与所述电源芯片的电源端连接。
25.通过采用上述技术方案，限流电阻降低整流二极管输出的电流，减少尖峰电压的产生，同时也减少进入电源芯片的电流过大而对电源芯片造成损坏的情况发生。
26.优选的，所述输出子电路包括稳压芯片，所述稳压芯片的输入端与所述变压器的副边连接。
27.通过采用上述技术方案，稳压芯片用于保护变压电路，减少变压电路因脉冲而受到破坏的情况发生。
28.综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：
29.1.本技术能够使该变压电路能够应用到高压输入的场景，因此提高了变压电路的适用性。
30.2.本技术能够提高变压电路的输出稳定性；
31.3.本技术能够简化变压电路的电路结构，降低生产成本。
附图说明
32.图1是本技术实施例的电路原理图。
33.图2是本技术实施例中滤波子电路的电路原理图。
34.图3是本技术实施例中降压子电路的电路原理图。
35.图4是本技术实施例中电源芯片的电路原理图。
36.图5是本技术实施例中变压器的电路原理图。
37.图6是本技术实施例中供电子电路的电路原理图。
38.图7是本技术实施例中输出子电路的电路原理图。
39.附图标记说明：1、滤波子电路；2、降压子电路；21、mos管；22、驱动电阻；23、稳压二极管；3、电源芯片；4、变压器；5、供电子电路；51、整流二极管；52、充电电容；53、限流电阻；6、输出子电路。
具体实施方式
40.以下结合附图1-7对本技术作进一步详细说明。
41.本技术实施例公开一种变压电路。参照图1，一种变压电路包括滤波子电路1、降压子电路2、电源芯片3、变压器4、供电子电路5以及输出子电路6，滤波子电路1用于过滤变压电路中的杂波，降压子电路2用于对输入电压进行降压，电源芯片3用于控制变压电路的各个子电路的工作，变压器4用于改变输入电压的压值，供电子电路5用于对电源芯片3进行供电，输出子电路6用于输出改变后的输入电压的压值。
42.下面结合本实施例的电路原理图对上述各个子电路进行详细描述：
43.参照图1和图2，具体的，滤波子电路1包括电感l2和电感l6，电感l2的一端与变压电路的火线输入端电连接，电感l2的另一端接入降压子电路2，电感l6的一端与变压电路的零线输入端电连接，电感l6的另一端也接入降压子电路2。电感l2和电感l6过滤波形中的杂波，即滤除电流里的噪声,稳定电路中的电流,以防止电磁波干扰。
44.参照图2和图3，对应的，降压子电路2包括mos管21、驱动电阻22、稳压二极管23以及保护二极管24，其中mos管21对应电路原理图中的mos管21q1，驱动电阻22对应电路原理图中的电阻r4和电阻r4，需要说明的是，此处可理解为电阻r1和电阻r4串联后构成驱动电阻22，稳压二极管23对应电路原理图中的二极管d11，保护二极管24对应电路原理图中的二极管d4。
45.具体的，电阻r1的一端与电感l2的另一端电连接，同时，电感l2的另一端也与mos管21q1的漏极电连接，电阻r4的一端与mos管21q1的栅极电连接，mos管21q1的源极分别接入电源芯片3和变压器4的原边，二极管d11的阳极与电感l6的另一端电连接，二极管d11的阴极与mos管21q1的栅极电连接。
46.参照图3和图4，电源芯片3对应为电路原理图中的芯片u3，芯片u3的型号设置为ap8012，二极管d11的阳极与芯片u3的第一引脚gnd和第二引脚gnd电连接，mos管21q1的源极与芯片u3的第五引脚sw、第六引脚sw、第七引脚sw以及第八引脚sw电连接。
47.当输入电压产生的电流流入电阻r1和电阻r3时，产生压降，以使mos管21q1的栅极和源极之间的电压大于mos管21q1的驱动电压，mos管21q1导通，当输入电压小于二极管d11的反向击穿电压时，此时，输入至电源芯片3内的电压为：
48.vout= vg-vgs=vdc-ir(r1 r2)-vgs，
49.其中，vout为输入至电源芯片3的电压，vg为mos管21q1栅极处的电压，vdc为输入电压，为流入电阻r1和电阻r3的电流，r1和r2分别为电阻r1和电阻r4的阻值, vgs为mos管21q1栅极与源极之间的电压差。
50.当输入电压过大，且输入电压大于二极管d11的反向击穿电压时，二极管d11对输入电压进行钳位，此时，输入至电源芯片3的电压为二极管d11的钳位电压减去mos管21q1的栅极和源极之间的电压，即：
51.vg=vd，
52.vout=vd-vgs，
53.其中，vg为mos管21q1栅极处的电压，vd为mos管21q1漏极处的电压，vout为输入至电源芯片3的电压，vgs为mos管21q1栅极与源极之间的电压差。
54.因此，输入电压在经过降压电路后，其压值减小，即输入至电源芯片3的电压变小，以使变压电路能够应用到高压输入的场景。
55.此外，二极管d4的阳极与mos管21q1的源极电连接，二极管d4的阴极与mos管21q1的栅极电连接。二极管d4用于钳位mos管21q1栅极和源极之间的电压值，减少因mos管21q1栅极和源极之间的电压值过大并超过mos管21q1的耐压值而击穿mos管21q1的情况发生。
56.参照图3和图4，变压器4（结合图5）对应电路原理图中的变压器t1，mos管21q1的源极与变压器t1的1脚电连接，芯片u3的第五引脚sw、第六引脚sw、第七引脚sw以及第八引脚sw均与变压器t1的2脚电连接。
57.参照图4和图6，此外，供电子电路5包括整流二极管51、充电电容52以及限流电阻53，整流二极管51对应电路原理图中的二极管d6，充电电容52对应电路原理图中的电容ec4，限流电阻53对应电路原理图中的电阻r5。二极管d6的阳极与变压器t1（结合图5）的4脚电连接，二极管d6的阴极与电阻r5的一端电连接，电阻r5的另一端与芯片u3的第四引脚vdd电连接，电容ec4的正极也与芯片u3的第四引脚vdd电连接，电容ec4的负极与变压器t1的3脚电连接。
58.反馈的交流电压经过二极管d6转换为交流电压，再存储至电容ec4内，待电容ec4内的电压稳定后，再由电容ec4输入至芯片u3，进而提高了输入至芯片u3的电压的稳定性。同时，电阻r5降低二极管d6输出的电流，减少尖峰电压的产生，同时也减少进入芯片u3的电流过大而对芯片u3造成损坏的情况发生。
59.参照图5和图7，在本实施例中，输出子电路6设置有两组，两组输出子电路6输入端均与变压器4的副边电连接，两组输出子电路6包含的元器件相同，两组输出子电路6仅因包含的元器件的参数不同而输出的电压数值不同，在此仅对其中一组输出子电路6做描述。
60.具体的，输出子电路6包括整流管、稳压芯片以及两个储能电容，整流管对应电路原理图中的二极管d2，稳压芯片对应电路原理图中的芯片u1，其中，芯片u1的型号采用l78l05，两个储能电容对应电路原理图中的电容ec1和电容c1，二极管d2的阳极与变压器4的6脚电连接，二极管d2的阴极与芯片u1的第三引脚in电连接，电容ec1的正极与芯片u1的第三引脚in电连接，电容ec1的负极与芯片u1的第二引脚gnd电连接，电容c1的一端与芯片u1的第一引脚out电连接，电容c1的另一端与芯片u1的第二引脚gnd电连接。
61.二极管d2将交流电压转换为直流电压，芯片u1用于保护变压电路，减少变压电路因脉冲而受到破坏的情况发生，电压进入到电容ec1和电容c1后，待电压稳定后再释放，间接提高了该变压电路的输出稳定性。
62.本技术实施例一种变压电路的实施原理为：输入电压进入降压子电路2后，通过降压子电路2对输入电压进行降压，以使输入电压低于电源芯片3的内部mos管21的阈值，输入
电压再经过变压器4进行变压，最后通过输出子电路6进行输出，在此过程中，由于输入电压低于电源芯片3的内部mos管21的阈值，与相关技术相比，该变压电路能够应用到高压输入的场景，因此提高了变压电路的适用性。
63.以上均为本技术的较佳实施例，并非依此限制本技术的保护范围，故：凡依本技术的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本技术的保护范围之内。