芯片反压功能验证的方法、装置、电子设备及存储介质与流程

1.本技术涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种芯片反压功能验证的方法、装置、电子设备及存储介质。


背景技术：

2.交换类芯片中的反压一般指多级缓存结构中，后级缓存将满后给前级缓存的停流指示。前级缓存收到停流指示经过一定的过冲后停止发送流量，从而达到多级缓存的配合控制。
3.在交换类芯片验证中，反压作为一项重要的功能点，一般需要在大流量，长时间的流量测试过程中才能冲击出来。在特殊应用集成电路(application specific integrated circuit，asic)仿真验证中，由于激励发送的流量较小，并且受限于仿真速度，很难冲击出恶劣的流量场景。一旦反压的故障bug隐藏在设计中，后续芯片流片回来后测试往往出现挂死等致命问题，给项目带来致命的损失。
4.目前通常采用基于通用验证方法学(universal verification methodology,uvm)的寄存器转换级电路(register transfer level，rtl)仿真来进行反压测试，而基于uvm的rtl仿真，由于速度远远低于真实设备的运行速度，因此在大流量仿真和长时间拷机运行方面具有明显的弱点。因此，当前市场上迫切需要一种能够克服该问题的反压功能验证方法。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供了一种芯片反压功能验证的方法，包括：
6.获取待测设计dut的配置信息；
7.根据所述配置信息开启反压验证功能；
8.将反压验证数据输入与所述dut对应的参考模型，得到所述参考模型输出的期望结果；
9.将所述反压验证数据输入所述dut进行测试，以及获取所述dut输出的测试结果；
10.将所述测试结果与所述期望结果对比，确定反压验证结果。
11.在一些实施例中，将所述反压验证数据输入所述dut前，所述方法还包括：
12.确定所述dut处于目标状态。
13.在一些实施例中，所述将所述反压验证数据输入所述dut，获取所述dut输出的测试结果，包括：
14.将所述反压验证数据输入所述dut，完成所述反压验证数据全部测试用例的至少一轮回归；
15.确定所述dut处于所述目标状态；
16.获取所述dut输出的所述测试结果。
17.在一些实施例中，所述反压验证数据，包括：
18.随机反压验证数据，和/或，长时间反压验证数据。
19.本技术实施例提供了一种芯片反压功能验证的装置，包括：
20.配置单元，用于获取待测设计dut的配置信息，根据所述配置信息开启反压验证功能；
21.第一测试单元，用于将反压验证数据输入与所述dut对应的参考模型，得到所述参考模型输出的期望结果；
22.第二测试单元，用于将所述反压验证数据输入所述dut进行测试，以及获取所述dut输出的测试结果；
23.处理单元，用于将所述测试结果与所述期望结果对比，确定反压验证结果。
24.在一些实施例中，所述第二测试单元，还用于：将所述反压验证数据输入所述dut前，确定所述dut处于目标状态。
25.在一些实施例中，所述第二测试单元，具体用于：将所述反压验证数据输入所述dut，完成所述反压验证数据全部测试用例的至少一轮回归；确定所述dut处于所述目标状态；获取所述dut输出的所述测试结果。
26.在一些实施例中，所述反压验证数据，包括：
27.随机反压验证数据，和/或，长时间反压验证数据。
28.本技术实施例公开了一种电子设备，包括：处理器和用于存储能够在处理器上运行的计算机程序的存储器；
29.其中，所述处理器用于运行所述计算机程序时，执行上述任一芯片反压功能验证的方法的步骤。
30.本技术实施例公开了一种计算机存储介质，包括：其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一芯片反压功能验证的方法的步骤。
31.本技术实施例的技术方案中，通过获取待测设计dut的配置信息；根据所述配置信息开启反压验证功能；将反压验证数据输入与所述dut对应的参考模型，获取所述参考模型输出的期望结果；将所述反压验证数据输入所述dut，获取所述dut输出的测试结果；将所述测试结果与所述期望结果对比，确定反压验证结果；通过对芯片实体的反压数据输入，基于芯片的实际运行速度进行测试，提高了测试效率，且测试的自动化程度较高。
附图说明
32.附图以示例而非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个实施例。
33.图1为本技术实施例一种芯片反压功能验证的方法流程示意图；
34.图2为本技术实施例一种芯片反压功能验证的装置结构示意图；
35.图3本技术一些实施例中适用于网络交换芯片反压功能验证的仿真验证平台工作流程示意图；
36.图4为本技术一些实施例中适用于反压功能验证的验证流程示意图；
37.图5为本技术实施例一种基于硬件实现的芯片反压功能验证的电子设备结构示意图。
具体实施方式
38.为了能够更加详尽地了解本技术实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本技术实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本技术实施例。
39.在本技术实施例记载中，需要说明的是，本技术实施例所涉及的术语“第一\第二\第三”仅仅是是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序，可以理解地，“第一\第二\第三”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序。应该理解“第一\第二\第三”区分的对象在适当情况下可以互换，以使这里描述的本技术的实施例可以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
40.图1为本技术实施例一种芯片反压功能验证的方法流程示意图，如图1所示，本技术实施例的芯片反压功能验证的方法包括：
41.步骤101，获取待测设计(design under test，dut)的配置信息。
42.本技术实施例中，dut为待测试反压功能的芯片，本技术实施例对于芯片的类型不做具体限定，具备反压功能的芯片均适用于本技术的芯片反压功能验证方法；在一些具体的实施例中，dut具体可包括网络交换芯片。
43.步骤102，根据配置信息开启反压验证功能。
44.在一些实施例中，配置信息能够应用于验证平台，具体用于验证平台根据配置信息开启反压验证功能。
45.本技术实施例对于配置信息的具体形式不做具体限定，能够开启反压验证功能即可。例如配置信息可以为信号、指令、驱动程序或代码等。
46.步骤103，将反压验证数据输入与dut对应的参考模型，得到参考模型输出的期望结果。
47.本技术实施例中，参考模型是与dut相对应的芯片设计理论模型，参考模型具有dut理论上能够达到的设计性能，将数据输入参考模型所得到的期望结果对应dut通过了反压测试的输出结果；具体地，参考模型可以为硬件芯片，也可以为软件模拟的芯片模型。
48.在一些具体的实施例中，可以采用相同设计的已经通过反压测试的芯片作为参考模型，或者，也可以采用软件模拟的已经通过发言测试的芯片作为参考模型。
49.在一些实施例中，还可以在测试平台中复用已有的参考模型进行包的比对。检查比对功能的参考模型(reference model)在验证平台中的计分板scoreboard中进行实现，参考模型是根据当前激励输入的包提前得出期望结果。
50.在一些实施例中，反压验证数据，包括：
51.随机反压验证数据，和/或，长时间反压验证数据。
52.这里采用随机反压验证数据，和/或，长时间反压验证数据，作为反压验证数据，通过随机反压和长时间反压测试，冲击功能点最恶劣的情况，对芯片极端工况的覆盖较为全面，能快速提升验证的覆盖率。
53.步骤104，将反压验证数据输入dut，获取dut输出的测试结果。
54.在一些实施例中，将反压验证数据输入dut前，还包括：
55.确定dut处于目标状态。
56.目标状态例如可以为可测试状态，即dut在没有注入反压验证数据时，无任何功能性问题；反压功能测试是对于芯片的极端工况测试，可以理解的是，本技术实施例中，dut处
于目标状态，即表示dut在非极端工况的情况下处于能够正常运行的状态。确定将反压验证数据输入dut前，dut处于目标状态，能够避免dut的其他功能性问题对测试结果造成影响，减少非反压功能问题对反压功能验证结果准确性的影响。
57.在一些实施例中，将反压验证数据输入dut，获取dut输出的测试结果，可以包括：首先，将反压验证数据输入dut，完成反压验证数据全部测试用例的至少一轮回归；其次，确定dut处于目标状态；最后，获取dut输出的测试结果。
58.步骤105，将测试结果与期望结果对比，生成反压验证结果。
59.可以理解的是，当测试结果与期望结果相符时，可以生成用于表征通过反压验证测试的反压验证结果为；测试结果与期望结果不相符时，可以生成用于表征未通过反压验证测试，dut存在设计缺陷的反压验证结果为；需要强调的是，本技术中的相符可以理解为相同或近似相同，即测试结果与期望结果的差距在设计误差允许的范围内均视为相符；对应地，测试结果与期望结果的差距超出设计误差允许的范围时，视为不相符。
60.在一些实施例中，当反压验证结果用于表征未通过反压验证测试时，还可以结合仿真波形定位dut的设计缺陷。
61.实践中，检查比对功能的参考模型可以在验证平台中的scoreboard中进行实现，参考模型是根据当前激励输入的包提前得出期望结果，在scoreboard中将期望结果与dut输出结果进行比对，如果激励发出的包和dut输出的结果能完全比对通过，说明注入的随机反压或者长时间反压是正确的。如果发现比对结果不通过，则说明dut实现的各级流水中的反压配合是不正确的，可能导致丢包，需要结合仿真波形进一步分析定位，查找设计缺陷。整个验证方法实现简单、自动化程度较高，能够提升芯片反压功能验证效率。
62.图2为本技术实施例一种芯片反压功能验证的装置结构示意图，如图2所示，本技术实施例的芯片反压功能验证的装置可以包括：配置单元21、第一测试单元22、第二测试单元23及处理单元24；其中，配置单元21，用于获取待测设计dut的配置信息，根据配置信息开启反压验证功能；第一测试单元22，用于将反压验证数据输入与dut对应的参考模型，得到参考模型输出的期望结果；第二测试单元23，用于将反压验证数据输入dut进行测试，以及获取dut输出的测试结果；处理单元24，用于将测试结果与期望结果对比，确定反压验证结果。
63.在本实施例中，芯片反压功能验证的装置的配置单元21、第一测试单元22、第二测试单元23及处理单元24的具体处理及其所带来的技术效果可分别参考图1对应实施例中步骤101与步骤102、步骤103和步骤104的相关说明，在此不再赘述。
64.在一些实施例中，反压验证数据可以包括：
65.随机反压验证数据，和/或，长时间反压验证数据。
66.在一些实施例中，第二测试单元23，还用于：将反压验证数据输入dut前，确定dut处于目标状态。
67.在一些实施例中，第二测试单元23，具体用于：将反压验证数据输入dut，完成反压验证数据全部测试用例的至少一轮回归；确定dut处于目标状态；获取dut输出的测试结果。
68.在一些实施例中，处理单元24，还用于：
69.当测试结果与期望结果不相符时，结合仿真波形定位dut的设计缺陷。
70.需要说明的是，本公开的实施例提供的芯片反压功能验证的装置中各单元的实现
细节和技术效果可以参考本公开中其它实施例的说明，在此不再赘述。
71.图3为本技术一些实施例中适用于网络交换芯片反压功能验证的仿真验证平台工作流程示意图，为实现上述实施例芯片反压功能验证的方法，本技术一些实施例中提供一种适用于网络交换芯片反压功能验证的仿真验证平台，如图3所示，待测设计dut为网络交换芯片，该验证平台可以复用dut已有的仿真平台；具体地，仿真平台可以是模块级、子系统级或全系统级验证平台；通过在已有验证平台之上添加配置信息，用于确定是否开启反压验证功能；反压验证类型，包括随机反压、长时间反压等；在验证平台中复用已有的参考模型进行包的比对。检查比对功能的参考模型reference model在验证平台中的scoreboard中进行实现，参考模型是根据当前激励输入的包提前得出期望结果，在scoreboard中将期望结果与dut输出结果进行比对，如果激励发出的包和dut输出的结果能完全比对通过，能说明注入的随机反压或者长时间反压是正确的。如果发现比对结果不通过，则说明dut实现的各级流水中的反压配合是不正确的，可能导致丢包，需要结合仿真波形进一步分析定位，查找设计缺陷。整个验证平台实现简单、自动化程度较高，能够提升验证效率。
72.图4为本技术一些实施例中适用于反压功能验证的验证流程示意图，如图4所示，为了确保dut中的反压功能能够实现，按预期正确处理两种反压类型，本实施例采用随机反压和长时间反压测试，冲击功能点最恶劣的情况，功能点覆盖全面，能快速提升验证的覆盖率。具体验证流程如下：
73.步骤401，确保dut在没有注入反压时，dut无任何功能问题。
74.步骤402，注入随机反压，完成全部测试用例的一轮回归，确认dut无任何功能问题；如果验证结果与此不符，则说明dut存在缺陷，需要结合仿真波形进一步分析定位。
75.步骤403，注入长时间反压，完成全部测试用例的一轮回归，确认dut无任何功能问题；如果验证结果与此不符，则说明dut存在缺陷，需要结合仿真波形进一步分析定位。
76.采用本技术实施例提供的芯片反压功能验证方法及装置，具有以下技术效果：
77.1、验证平台构建简单、易于实现，基本可复用原有的交换芯片验证平台，复用平台已有的scoreboard进行对比，验证效率较高。
78.2、采用代码进行了组件化包装，不同项目都能使用此组件，只需要改变反压信号的路径。
79.3、各级缓存中间都加入此组件，方便构造寄存器转换级电路(register transfer level，rtl)最恶劣的反压场景，迅速收敛反压功能。缩短项目组整体的验证时间。
80.为了实现本技术实施例的芯片反压功能验证的方法，本技术实施例还提供了一种基于硬件实现的芯片反压功能验证的电子设备，如图5所示，电子设备包括：处理器501和用于存储能够在处理器上运行的计算机程序的存储器502，其中，所述处理器501用于运行所述计算机程序时，执行上述任一芯片反压功能验证方法的步骤。
81.当然，实际应用时，如图5所示，该电子设备还可以包括至少一个通信接口503。电子设备中的各个组件通过总线系统504耦合在一起。可理解，总线系统504用于实现这些组件之间的连接通信。总线系统504除包括数据总线之外，还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。但是为了清楚说明起见，在图5中将各种总线都标为总线系统504。
82.其中，通信接口503，用于与其它设备进行交互。
83.具体来说，所述处理器501可以通过通信接口503向对应所述被调用方应用的应用
服务器发送操作结果查询请求，获取所述应用服务器发送的所述被调用方应用的操作结果。
84.可以理解，存储器502可以是易失性存储器或非易失性存储器，也可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(rom，read only memory)、可编程只读存储器(prom，programmable read-only memory)、可擦除可编程只读存储器(eprom，erasable programmable read-only memory)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom，electrically erasable programmable read-only memory)、磁性随机存取存储器(fram，ferromagnetic random access memory)、快闪存储器(flash memory)、磁表面存储器、光盘、或只读光盘(cd-rom，compact disc read-only memory)；磁表面存储器可以是磁盘存储器或磁带存储器。易失性存储器可以是随机存取存储器(ram，random access memory)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的ram可用，例如静态随机存取存储器(sram，static random access memory)、同步静态随机存取存储器(ssram，synchronous static random access memory)、动态随机存取存储器(dram，dynamic random access memory)、同步动态随机存取存储器(sdram，synchronous dynamic random access memory)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(ddrsdram，double data rate synchronous dynamic random access memory)、增强型同步动态随机存取存储器(esdram，enhanced synchronous dynamic random access memory)、同步连接动态随机存取存储器(sldram，synclink dynamic random access memory)、直接内存总线随机存取存储器(drram，direct rambus random access memory)。本发明实施例描述的存储器502旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
85.本发明实施例中，还提供了一种计算机存储介质，用于存储上述实施例中提供的计算程序，以完成前述方法所述步骤。计算机可读存储介质可以是fram、rom、prom、eprom、eeprom、flash memory、磁表面存储器、光盘、或cd-rom等存储器；也可以是包括上述存储器之一或任意组合的各种设备，如移动电话、计算机、智能家电、服务器等。
86.本技术实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
87.以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。